「Barrier metal」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The method further comprises the step of then sequentially forming the barrier film 7, a metal film 8 and the barrier film 9 on the film 6b.例文帳に追加

次に、ドープトポリシリコン−ゲルマニウム膜６ｂ上に、バリア膜７、金属膜８、及びバリア膜９を順に形成する。 - 特許庁

To improve adhesive properties between a resin film base and a gas barrier thin film and to hold excellent gas barrier properties in a gas barrier laminate having the resin film base and the gas barrier thin film of a vapor deposited thin film of a metal or a metal compound.例文帳に追加

樹脂フィルム基材と金属又は金属化合物の蒸着薄膜であるガスバリア性薄膜とからなるガスバリア性積層体において、樹脂フィルム基材とガスバリア性薄膜との間の密着性を改善し且つ優れたガスバリア性を保持できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

A metal barrier layer may be co-deposited with Si to form a barrier 106 or the metal barrier layer may be deposited followed by surface treatment with a Si-contained ambient to form a barrier 206.例文帳に追加

金属障壁体層をＳｉと同時に沈着することによって障壁体１０６を作成することができる、または金属障壁体層を沈着した後にＳｉを含有する雰囲気で表面を処理することによって障壁体２０６を作成することができる。 - 特許庁

A first barrier metal layer 17, which forms a first Schottky barrier with silicon, is made inclusive of the sidewall of the trench groove 16, and further a second barrier metal layer 17, which covers the first barrier metallic layer and besides forms Schottky contact with the silicon in the opening, is made.例文帳に追加

トレンチ溝１６の側壁を含めてシリコンと第１のショットキー障壁を形成する第１のバリア金属層１７を形成し、更に第１のバリア金属層を被覆して且つ開口部１４のシリコンと第２のショットキー接触を形成する第２のバリア金属層１７を形成する。 - 特許庁

The wiring 15 includes a barrier metal layer 12, a metal layer 13, and a cap metal layer 14 which are stacked in this order.例文帳に追加

配線１５は、順次に積層された、バリアメタル層１２、メタル層１３、及び、キャップメタル層１４を含む。 - 特許庁

An alloy of a metal poor in adhesion and a metal easily making compound with the semiconductor is made as the barrier metal.例文帳に追加

密着性の悪い金属と、半導体と容易に化合物を作る金属との合金をバリア金属とする。 - 特許庁

A metal conductive film 24 using Cu is formed by the CVD method on the barrier metal film 22 (metal conductive film formation: S5).例文帳に追加

ついで、バリア金属膜２２上にＣＶＤ法によってＣｕを用いた金属導体膜２４を形成する（金属導体膜形成：Ｓ５）。 - 特許庁

Furthermore, the metal material constituting the first metal film 12a of the barrier metal 12 can be prevented from combining with hydrogen.例文帳に追加

また、バリアメタル１２の第１金属膜１２ａを構成する金属材料が水素と結合しないようにできる。 - 特許庁

In the connection holes 105, a barrier metal film 106 and the metal film 107 are formed in this order, and then the metal film 107 is chemically and mechanically polished.例文帳に追加

接続孔１０５内にバリアメタル膜１０６、金属膜１０７を順に成膜し、金属膜１０７にＣＭＰ法を施す。 - 特許庁

To provide a polishing solution for metal capable of completing CMP in one step for a conductive metal and a barrier metal using the same CMP polishing solution.例文帳に追加

導体金属とバリヤ金属とを同一のCMP研磨液を使用してワンステップでCMPを終了させることが可能な研磨液を提供する。 - 特許庁

The conductive barrier film 17 includes: a noble metal oxide film, and a base metal oxide arranged in the crystal grain boundary of the noble metal oxide film.例文帳に追加

導電性バリア膜１７は、貴金属酸化膜と、貴金属酸化膜の結晶粒界に配置された卑金属酸化膜とからなる。 - 特許庁

The bonding pad 13 of the semiconductor device 1 includes a polysilicon film 131, a barrier metal film 133 formed on the polysilicon film 131, and a metal electrode 134 formed on the barrier metal film 133.例文帳に追加

半導体装置１のボンディングパット部１３は、ポリシリコン膜１３１と、ポリシリコン膜１３１上に設けられたバリアメタル膜１３３と、このバリアメタル膜１３３上に設けられたメタル電極１３４とを備える。 - 特許庁

The barrier metal 141 can be eliminated when the plug metal requiring no barrier metal 141 (e.g. an Al alloy similar to the interconnect 11) is selected.例文帳に追加

バリアメタル１４１を必要としないプラグ金属（例えば配線１１と同様なＡｌ合金等）を選ぶとすればバリアメタル１４１を省略することができる。 - 特許庁

The method includes a process of forming a lower conductive pattern on a semiconductor substrate and after the vapor deposition of a barrier metal film using a metal organic precursor, cleaning the vapor-deposited barrier metal film.例文帳に追加

この方法は半導体基板上に下部導電パターンを形成し、金属有機前駆体を使って、バリア金属膜を蒸着した後、蒸着されたバリア金属膜を浄化する段階を含む。 - 特許庁

To provide a metal wire which has high barrier property to metal such as copper(Cu) even in a groove buried wiring pattern having a high aspect ratio where the high step coverage of a barrier metal cannot be expected, and to provide its information.例文帳に追加

バリアメタルの高いステップカバレッジが期待できない高アスペクト比の溝埋め込み構造配線パターンにおいても、銅（Ｃｕ）などの金属に対して高いバリア性を有する金属配線及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device comprises a step of forming a barrier metal on a polysilicon plug via a contact metal, and a step of performing heat treatment to the barrier metal in a nitriding atmosphere at a substrate temperature of 500°C or higher.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ポリシリコンプラグ上に、コンタクトメタルを介してバリアメタルを形成するステップと、基板温度を５００℃以上として、バリアメタルを窒化性ガス雰囲気下で熱処理するステップとを有する。 - 特許庁

To eliminate a partial etching residue of a metal film and a barrier film while a semiconductor film is left alone, by allowing a sample temperature to be a specified value when etching with plasma a metal film of a multi-layer film which comprises a metal film, a barrier film, and a semiconductor film.例文帳に追加

半導体素子の配線やゲート電極に用いられる金属と多結晶シリコンの多層膜を高精度、高選択に加工する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing metal wiring of a semiconductor element, having a barrier metal layer which can perform low-temperature processes, while assuring stepwise coverage of the barrier metal layer.例文帳に追加

バリア金属層の段差被覆性を確保しながら、低温工程が可能なバリア金属層を備えた半導体素子の金属配線製造方法を提供すること。 - 特許庁

The barrier metal 7 is formed in contact with the metal cap 9 but is not in contact with the insulating film 2 and barrier metal 3 of the wiring layer 21, even in the case where positional deviation is generated in alignment of the via and lead wire.例文帳に追加

バリアメタル７は、ビア・配線間の重ね合わせにおいて位置ずれが生じた場合にも、メタルキャップ９には接触するが配線層２１の絶縁膜２やバリアメタル３には接触しないように形成される。 - 特許庁

A circuit element board 4 provided with a barrier metal layer 2 on one side of a second conductive metal layer and formed with a conductive protrusion 3 on the exposed surface of the barrier metal layer is prepared.例文帳に追加

第２の導電性金属層の一方の面にバリアメタル層２が設けられ、かつこのバリアメタル層の露出面に導電性突起３が設けられた回路素板４を用意する。 - 特許庁

Thereafter, a barrier metal layer is formed so as to be continuously joined to the bottom and side of the connection hole where the overhang is eliminated, and metal wiring fills up the connection hole covered with the barrier metal layer.例文帳に追加

この後、オーバハングが解消した接続孔の底部及び側部に連続してバリアメタル層を形成し、更にバリアメタル層で覆われた接続孔に金属配線を充填する。 - 特許庁

In this solid oxide type fuel battery cell composed of a power generating part and the metal frame, an insulating barrier layer is disposed in the gap between the metal frame and the electrolyte layer, and the insulating barrier layer is bonded to the metal frame by the brazing material.例文帳に追加

発電部と金属枠とで構成され、金属枠と電解質層との間隙に絶縁性バリア層を配設し、この絶縁性バリア層と金属枠とをろう材で接合して成る固体酸化物形燃料電池セルである。 - 特許庁

The via plug 111 and upper-layer wiring 112 each have first and second barrier metal films 107 and 108 and a Cu film 110 laminated in order, wherein the first barrier metal film 107 contains nitrogen and the second barrier metal film 108 contains platinum group metals.例文帳に追加

ビアプラグ１１１および上層配線１１２では、それぞれ、第１および第２のバリアメタル膜１０７，１０８とＣｕ膜１１０とが順に積層されており、第１のバリアメタル膜１０７は窒素を含有し、第２のバリアメタル膜１０８は白金族元素を含有している。 - 特許庁

The top surface of the under barrier metal 10 serves as the junction interface of the solder bump 6 and the under barrier metal 10, and the underfill material 18 forms a right angle or an obtuse angle at the joint of the side of the bump 6 and the edge of the under barrier metal 10.例文帳に追加

はんだバンプ６は、アンダーバリアメタル１０との接合界面が該アンダーバリアメタル１０の上面であり、アンダーフィル材１８は、バンプ６の側面とアンダーバリアメタル１０の端面との接合部分における角度が直角又は鈍角である。 - 特許庁

Here, an angle of contact between the under barrier metal 2 and the first protective film 3 at the peripheral edge of the under barrier metal 2 is ≤90°, and an angle of contact between the bump 6 and under barrier metal 2 at the peripheral edge of the bump 6 is ≤90°.例文帳に追加

アンダーバリアメタル２の周縁部におけるアンダーバリアメタル２と第１の保護膜３との接触角は９０°以下とし、バンプ６の周縁部におけるバンプ６とアンダーバリアメタル２との接触角は９０°以下とする。 - 特許庁

To provide a polishing liquid for metals, especially for barrier metals and a polishing method using the polishing liquid wherein it improves moderately the absolute polishing speed of a barrier metal, and in addition to this, its polishing-speed ratio of the barrier metal to a metal-wiring material can be so adjusted as to make the selective ratio thereof proper.例文帳に追加

バリアメタルの絶対的な研磨速度を適度に上げることに加え、金属配線材との研磨速度比を適切な選択比に調節できる金属研磨用、特にバリア金属研磨用、研磨液及び該研磨液を用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

A barrier metal formed in advance is aligned with the packaging terminal 5 to face each other, the semiconductor wafer 1 is placed thereon to contact the solder 8 and the barrier metal 4 and put into a reflow furnace to dissolve the solder 8, and the packaging terminal 5 and the barrier metal 4 are soldered.例文帳に追加

この実装端子５に予め形成したバリアメタル４が向かい合うよう位置合わせし、はんだ８とバリアメタル４が接触するように半導体ウェーハ１を載せてリフロー炉に入れ半田８を溶融させて、実装端子５とバリアメタル４を半田接着させる。 - 特許庁

The method comprises a process for forming the barrier metal layer 5 in a prescribed position on a Cu wiring layer 3 formed on a semiconductor substrate by a CVD method or an ALD method, and a process for forming an Al layer 6 on the barrier metal layer without air-exposing the barrier metal layer 5.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＣｕ配線層３上の所定位置に、ＣＶＤ法又はＡＬＤ法によりバリアメタル層５を形成する工程と、前記バリアメタル層５を大気暴露することなく、前記バリアメタル層上にＡｌ層６を形成する工程を備える。 - 特許庁

An embodiment comprises a solder bump 1 including: a barrier metal layer 2 formed on an electrode pad portion 9 of a substrate 5; and a solder layer 3 formed on a center part of the top face of the barrier metal layer 2, with an external diameter smaller than that of the barrier metal layer 2.例文帳に追加

基板５の電極パッド部９上に形成されたバリアメタル層２と、バリアメタル層２上面の中央部に形成され、外径よりも小さい外径を有して形成されたはんだ層３とからなるはんだバンプ１を備える。 - 特許庁

A method include: a step (d) of removing the second barrier metal film (Ru film) formed on the first barrier metal on the upper surface of an interlayer dielectric; and a step (e) of depositing a seed copper (Cu) film on the first and second barrier metal film after the step (d).例文帳に追加

層間絶縁膜上面の第１のバリアメタル上に形成された第２のバリアメタル膜（Ｒｕ膜）を除去する工程（ｄ）と、前記工程（ｄ）の後に、前記第１及び第２のバリアメタル膜上にシード銅（Ｃｕ）膜を堆積する工程（ｅ）とを有する。 - 特許庁

The Schottky barrier contact layer consists of a metal, capable of causing dissociating of water molecules into hydrogen atoms.例文帳に追加

ショットキーバリアコンタクト層は、水素分子を水素原子へ解離させることができる金属からなる。 - 特許庁

METAL ELECTRODE USING MOLYBDENUM-TUNGSTEN ALLOY AS BARRIER LAYER AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

バリア層としてモリブデン−タングステン合金を用いる金属電極およびこれの製造方法 - 特許庁

The barrier metal film 130 is formed from a tantalum aluminum nitride film or a titanium aluminum nitride film.例文帳に追加

バリア金属膜１３０は、タンタルアルミニウム窒化膜又はチタンアルミニウム窒化膜で形成される。 - 特許庁

WIRING FILM AND ELECTRODE USING Ti ALLOY BARRIER METAL AND Ti ALLOY SPUTTERING TARGET例文帳に追加

Ｔｉ合金バリアメタルを用いた配線膜および電極、並びにＴｉ合金スパッタリングターゲット - 特許庁

One or more silver alloys formed of a silver alloy layer are formed on the barrier metal layer.例文帳に追加

バリアメタル層の上に銀合金層から成る１つもしくは複数の銀合金部を形成する。 - 特許庁

Furthermore, bump electrodes or barrier metal is used for semiconductor device interconnect lines in addition to aluminum interconnect lines.例文帳に追加

さらに、半導体装置の配線をアルミ配線だけでなく、バンプ電極あるいは、バリアメタルを用いた。 - 特許庁

The barrier film is an alloy composed mainly of a metal having a melting point higher than 2,000°C and nickel(Ni).例文帳に追加

バリア膜は、主成分が２０００℃以上の融点を持つ金属とニッケル（Ｎｉ）との合金である。 - 特許庁

Secondly, a nickel film 24 for covering the barrier metal film 23 is formed by the sputtering method.例文帳に追加

次に、バリアメタル膜２３を覆うニッケル膜２４をスパッタリング法により形成する。 - 特許庁

Thereafter, copper wiring is formed by burying a copper layer 9 in the groove through a barrier metal film 8.例文帳に追加

その後、溝にバリアメタル膜８を介して銅層９を埋め込んで銅配線を形成する。 - 特許庁

A barrier metal film 14 is selectively provided on the bottom face of the groove 13.例文帳に追加

そして、その溝１３の底面に、選択的にバリアメタル膜１４を設ける。 - 特許庁

Also, the upper titanium(Ti) layer 15 and the upper titanium nitride(TiN) layer 17 constituted by a barrier metal.例文帳に追加

また、上部チタン（Ti）層１５、上部窒化チタン（TiN）層１７は、バリアメタルにより構成されている。 - 特許庁

The inorganic substrate is a monolayer of an Al alloy or a double layer comprising an Al alloy and a barrier metal.例文帳に追加

前記無機質基体は、Ａｌ合金の単層またはＡｌ合金とバリアメタルとからなる複層である。 - 特許庁

Then, the polysilicon film 22 and the barrier metal film 21 are dry-etched to selectively be removed.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜２２及びバリアメタル膜２１をドライエッチングして選択的に除去する。 - 特許庁

The lens barrier 12 is a plastic component molded out of a resin material by using a metal mold.例文帳に追加

レンズバリア１２は、樹脂材料を金型成形して製造されたプラスチック部品である。 - 特許庁

When the barrier metal film 4 is exposed, a hydrofluoric acid-containing liquid is supplied thereto.例文帳に追加

一定時間研磨を行いバリアメタル膜４の露出した時点でフッ酸含有液を供給する。 - 特許庁