「Barrier metal」に関連した英語例文の一覧と使い方(36ページ目) - Weblio英語例文検索

The system (80) also includes a control subsystem (98) coupled to the laser source (82), the control subsystem (98) configured to synchronize a position of the sample (92) with the pulse duration and energy level in order to selectively remove at least one of a thermal barrier coating, a bond coat and a substrate metal in the sample (92) to form at least one trench (44).例文帳に追加

本システム（８０）はまた、レーザ発生源（８２）に結合された制御サブシステム（９８）を含み、制御サブシステム（９８）は、サンプル（９２）の位置をパルス幅及びエネルギーレベルと同期させて、該サンプル（９２）内の断熱皮膜、ボンディングコート及び基体金属の少なくとも１つを選択的に除去して少なくとも１つのトレンチ（４４）を形成するように構成される。 - 特許庁

Surface of a copper film 3 is changed to cuprous oxide (Cu_2O)5 insoluble to water by polishing the wafer surface by using a cleaning agent having pH adjusted to 7-12 immediately after a barrier metal film polishing process in the Cu-CMP process when copper interconnections are formed, and an antioxidation film 6 is formed by making an oxidation inhibitor adhere to the surface of Cu_2O5.例文帳に追加

銅配線形成時のＣｕ−ＣＭＰ工程におけるバリアメタル膜研磨工程直後に、ｐＨを７〜１２に調整した洗浄剤を用いてウエハ表面を研磨することで、銅膜３表面を水に不溶な酸化第一銅（Ｃｕ_２Ｏ）５に変化させると共に、Ｃｕ_２Ｏ５表面に酸化防止剤を付着させて酸化防止膜６を形成する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, and a chemical mechanical polishing method using the same which reduce a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieve both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and suppress generation of surface defects such as dishing, erosion, scratch, and fang.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersant for chemical mechanical polishing which can efficiently remove barrier metal layers and cap layers by polishing and, at the same time, with which a chemical mechanical polishing process that can reduce the damages given to the material of an underlaying insulating film having a low dielectric constant, and to provide a method for chemical mechanical polishing which uses the aqueous dispersant.例文帳に追加

バリアメタル層及びキャップ層を効率よく研磨除去することができるとともに、下層に存在する誘電率の低い絶縁膜材料に対するダメージが低減された化学機械研磨工程を行うことができる化学機械研磨用水系分散体及び当該化学機械研磨用水系分散体を使用した化学機械研磨方法を提供すること。 - 特許庁

The laminated body is provided having at least a composite layer of a complex laminated layer structure of a permeation resistant adhesive layer/a sealant layer containing a compound having a barrier film layer/an isocyanate group provided with a vapor deposited thin film layer of an inorganic oxide, and metal alkoxide on the aluminum foil layer/an adhesive layer/a plastic film base material.例文帳に追加

アルミニウム箔層／接着層／プラスチックフィルム基材上に無機酸化物の蒸着薄膜層が設けられているバリア性フィルム層／イソシアネート基を有する化合物と金属アルコキシドとを含有してなる耐浸透性接着層／シーラント層の複積層構成になる複合層を少なくとも有していることを特徴とする積層体。 - 特許庁

An Ni or Ti barrier metal layer 2 in the range of 50-150 nm thickness which is not directly reactive with Cu is formed by vapor deposition or sputtering film forming method on regions 4 times as wide as the area of a surface for laminating a semiconductor light emitting element 5 at the surface for laminating the light emitting element 5 and a light emitting surface.例文帳に追加

その後、半導体発光素子５を接着する面および光出射される側の面に、半導体発光素子５の接着面の面積の４倍に値する領域に、蒸着およびスパッタ成膜法により、銅と直接反応しないNiまたはTiからなるバリア金属層２を50ｎｍ以上150ｎｍ以下の膜厚で形成する。 - 特許庁

Pretreatment using plasma of a reactive ion etching (RIE) mode is applied to at least one surface of a polyethylene naphthalate (PEN)/polyethylene terephthalate (PET) co-extrusion film and a vapor deposition layer consisting of a metal or an inorganic compound of 5-100nm thickness is provided on the treated surface of the co-extrusion film to constitute the high performance barrier film.例文帳に追加

ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）／ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）共押し出しフィルムの少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードのプラズマを利用した前処理を施し、その上に厚さ５〜１００ｎｍの金属もしくは無機化合物からなる蒸着層を設けることを特徴とする高性能バリアフィルムである。 - 特許庁

The electric double layer capacitor comprises: a separator placed between a positive electrode layer and a negative electrode layer, where the positive electrode layer is formed, stuck to a positive electrode collector, and the negative electrode layer is formed, stuck to a negative electrode collector; and a barrier layer containing metal oxide particulates between the separator and at least one of the positive electrode layer and the negative electrode layer.例文帳に追加

正極集電体に密着して形成された炭素粒子材料を含む正極電極層と負極集電体に密着して形成された炭素粒子材料を含む負極電極層との間にセパレータを配置し、このセパレータと正極電極層および負極電極層の少なくとも一方との間に金属酸化物微粒子をふくむバリア層を備えたものである。 - 特許庁

A compound thin film consists of a metal or an alloy containing one or more from among chromium, nickel, molybdenum, tungsten, titanium, niobium, tantalum, zirconium, hafnium, vanadium, silicon, and germanium; and nitrogen is formed as the intermediate layer 2A at the interface between a plastic substrate 1 and a copper seed layer 3, to improve the barrier effect of the interface and suppress the adhesion degradation due to the thermal load.例文帳に追加

プラスチック基板１と銅シード層３との界面に、中間層２Ａとして、クロム、ニッケル、モリブデン、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、けい素、ゲルマニウムのうち１種以上を含む金属または合金と窒素との化合物薄膜を形成することにより、界面のバリア効果を改善し、熱負荷での密着性劣化を抑制する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加

半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁

To provide a less-expensive shading wrapping material for liquid soup for restricting influence of color of the liquid soup such as liquid seasoning or the like against a printed picture pattern, restricting promotion of photooxidation of fats and oils contained in the stored contents, showing a barrier characteristic, capable of detecting irregular metallic substances through usage of a metal detector, visual confirmation of irregular seal and further adapting for a small lot.例文帳に追加

本発明は、液体調味料などの液体スープの色による印刷絵柄への影響を抑制し、また内容物に含有される油脂の光酸化促進を抑制し、バリア性があり、金属探知器の使用による金属異物検出ができ、シール異常の目視確認もでき、小ロット対応可能で安価な液体スープ用遮光性包装材料を提供することを目的とする。 - 特許庁

A manufacturing method of the semiconductor device includes: (a1) a step for preparing a semiconductor laminated structure; (b1) a step for forming an ohmic electrode layer on the semiconductor laminated structure; (c1) a step for forming an adhesion layer comprising Au on the ohmic electrode layer; and (d1) a step for forming the barrier metal layer without discharging air from the step (c1).例文帳に追加

半導体素子の製造方法は、（ａ１）半導体積層構造を準備する工程と、（ｂ１）前記半導体積層構造上にオーミック電極層を成膜する工程と、（ｃ１）前記オーミック電極層上にＡｕを含む接着層を成膜する工程と、（ｄ１）前記工程（ｃ１）から大気開放せずにバリアメタル層を成膜する工程とを含む。 - 特許庁

A recessed part 7 is formed on the surface side of the epitaxial growth layer 2 on the embedded layer 6, inside the guard ring 4, and on the surface of the epitaxial growth layer 2 exposed to the recessed part 7, a metal layer 3 which forms a Schottky barrier (Schottky junction) with the semiconductor layer 2, such as molybdenum (Mo) and titanium (Ti), is provided so as to overlap the guard ring 4.例文帳に追加

さらに、そのガードリング４の内側で埋込層６上のエピタキシャル成長層２の表面側に凹部７が形成され、凹部７に露出するエピタキシャル成長層２の表面上に、モリブデン（Ｍｏ）やチタン（Ｔｉ）などの半導体層２とショットキーバリア（ショットキー接合）を形成する金属層３が前述のガードリング４にかかるように設けられている。 - 特許庁

The barrier metal film 21 is so formed as to cover the inside of the openings 17 and 20 and consists of a tantalum film containing α-Ta and β-Ta having different crystal structures, with the ratio of β-Ta with respect to α-Ta being not less than 1 nor more than 5 in a portion in contact with the low specific permittivity interlayer insulation film 8.例文帳に追加

バリアメタル膜２１は、開口部１７，２０の内側を覆って設けられているとともに結晶構造が互いに異なるα−Ｔａおよびβ−Ｔａを含むタンタルの膜からなり、かつ、α−Ｔａとβ−Ｔａとの組成比が低比誘電率層間絶縁膜８に接する部分において１以上５以下となっている。 - 特許庁

To provide a water borne dispersing element for chemical mechanical polishing that prevents scratches even on an object to be polished having an insulation film of small mechanical strength, can polish with high efficiency both a copper film and a barrier metal film, and can sufficiently flatten an insulation film without excessively polishing the film to provide a highly precise finished surface, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

機械的強度が小さい絶縁膜を有する被研磨物に対してもスクラッチが抑制され、銅膜とバリアメタル膜の両方を高い効率で研磨することができ、絶縁膜が過度に研磨されず、十分に平坦化されて精度の高い仕上げ面が得られる化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

An MTJ element 31 comprises an antiferromagnetic layer 26, an AP2 layer, a SyAF pinned layer 27 composed of a coupling layer and an AP1 layer, a tunnel barrier layer 28 composed of an AlOx, a free layer 29, and a capping layer 30 including NiFeM (M is a metal atom the oxidation potential of which is higher than that of nickel atom and iron atom), in this order.例文帳に追加

このＭＴＪ素子３１は、反強磁性層２６と、ＡＰ２層、結合層およびＡＰ１層からなるＳｙＡＦピンド層２７と、ＡｌＯｘからなるトンネルバリア層２８と、フリー層２９と、ＮｉＦｅＭ（Ｍは、ニッケル原子および鉄原子よりも高い酸化電位の金属原子）を含むキャップ層３０とを順に備える。 - 特許庁

An n--type low impurity-concentration semiconductor layer 2 is epitaxially gown on an n+-type high impurity-concentration semiconductor substrate 1, a plurality of p+-type semiconductor regions 6 are provided on the surface side of the semiconductor layer 2, and a metal layer 3 which forms the semiconductor layer 2 and a Schottky barrier is provided on the surface of the p+-type semiconductor region 6 and semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｎ^+ 形である高不純物濃度の半導体基板１上にｎ^- 形である低不純物濃度の半導体層２がエピタキシャル成長され、その半導体層２の表面側に複数個のｐ^+ 形の半導体領域６が設けられ、半導体層２およびｐ^+ 形の半導体領域６の表面に、半導体層２とショットキーバリアを形成する金属層３が設けられている。 - 特許庁

On one face or both faces of a base material consisting of a plastic material, a gas barrier coating film layer in which an alkali metal polysilicate expressed by M_2O.nSiO_2 (wherein M is Lithium or a plurality of alkali metals containing Lithium and n is molar ratio and within 1-20) is a main ingredient and a deposited layer consisting of an inorganic oxide are at least successively laminated.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材の片面もしくは両面に、Ｍ_2Ｏ・ｎＳｉＯ_2（Ｍはリチウムまたはリチウムを含む複数のアルカリ金属、ｎはモル比で１〜２０の範囲内）で示されるアルカリ金属ポリシリケートを主成分とするガスバリア性被膜層と無機酸化物からなる蒸着層が少なくとも順次積層させる。 - 特許庁

The gas barrier laminate is formed by making the layer 2 comprising the metal or the inorganic compound and the layer 3 consisting of the organic compound overlie in order at least one surface of the polymer film base material 1, and characterised in that these layers contain an organosilane expressed by general formula R^1_nSi(OR^2)_4-n.例文帳に追加

高分子フィルム基材１の少なくとも一方の面に、金属または無機化合物からなる層２、及び有機化合物からなる層３を真空蒸着により順次積層してなるガスバリア性積層体であって、これらの層に、一般式Ｒ^1_nＳｉ（ＯＲ^2）_4-nで表されるオルガノシランを含有することを特徴とする。 - 特許庁

To obtain a polyester-based resin composition having good release from a metal roll and taking-off property in a cooling roll and rotating property of a bank, not rolling air in the bank, reduced in load on a processing machine in calendering and capable of obtaining films and sheets having small shrinkage and excellent in transparency, rigidity, a gas barrier property and a wetting property.例文帳に追加

金属ロールからの剥離や冷却ロールでの引き取り性、バンクの回転性が良好で、バンクにエアーを巻き込まず、カレンダー成形時の加工機の負荷が低減され、しかもカレンダー成形によって、収縮が小さく、透明性、剛性、ガスバリア性、濡れ性に優れたフィルムやシートを得ることが可能なポリエステル系樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

In a laminated film provided with an organic layer, an inorganic barrier layer and a transparent conductive thin film layer on at least one side of a transparent polymer film having ≥120°C glass transition temperature, being essentially amorphous and having ≤15 nm retardation value at 200 μm film thickness, the organic layer has an isocyanulate structure and a hydrolyzed metal alkoxide or organic silicon compound.例文帳に追加

ガラス転移温度が１２０℃以上で実質的に非晶質であり、フィルム厚み２００μｍでのリターデーション値が１５ｎｍ以下である透明な高分子フィルムの少なくとも片側に有機層、無機バリア層、透明導電薄膜層を設けた積層フィルムにおいて、上記有機層がイソシアヌレート構造と、金属アルコキシドまたは有機珪素化合物の加水分解物を有する積層フィルムである。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method capable of improving polishing processing efficiency by continuously polishing a conductor film and a barrier metal film on the same polishing table.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程において、バリア金属膜と、該バリア金属膜上に設けられた導体膜とを有する被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法であって、導体膜とバリア金属膜とを同じ研磨定盤上で連続的に研磨することができ、研磨処理の効率が向上しうる化学的機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

A device comprises the capacity element 18 composed of the capacitive insulating film 16 which is formed on a semiconductor substrate 10 made of silicon and composed of a bottom electrode 15 and top electrode 17 made of platinum and the insulating metal oxide sandwiched between them, and a barrier layer 21B which is made of titanium oxide having an interface with the top electrode 17.例文帳に追加

シリコンからなる半導体基板１０の上に形成され、白金からなる下部電極１５及び上部電極１７並びにそれらの間に挟まれた絶縁性の金属酸化物からなる容量絶縁膜１６により構成された容量素子１８と、上部電極１７と界面を持つ窒化チタンからなるバリア層２１Ｂとを備えている。 - 特許庁

In the transparent gas barrier film constituted by successively forming a metal oxide thin film layer and the topcoating layer on one side of a plastic film, the topcoating layer is composed of a polyester resin, a polyurethane resin and an isocyanate and the weight ratio of the polyester resin and the polyurethane resin is 100:2-30.例文帳に追加

プラスチックフイルムの片面に、金属酸化物薄膜層、トップコート層が順次形成されている透明ガスバリアフイルムにおいて、トップコート層がポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、及びイソシアネートからなり、かつポリエステル系樹脂とポリウレタン系樹脂の重量比が、１００：２〜３０であることを特徴とする透明ガスバリアフイルム。 - 特許庁

To provide a microlens substrate capable of cutting a DC component which is an offset parts and preventing contamination of a liquid crystal layer by elution of impurity such as metal in a microlens formation layer in liquid crystal by providing a barrier layer with DC cut function and a liquid crystal display device using the same.例文帳に追加

バリア層にＤＣカットの機能を持たせ、オフセット分である直流成分をカットすることができると共に、マイクロレンズ形成層中の金属などの不純物が液晶中に溶出して液晶層を汚染するのを防止することができるマイクロレンズ基板及びこれを用いた液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

To prevent disconnection of a transmission electrode by suppressing a cell reaction generated between a reflection electrode composed of Al or an Al alloy film and a transmission electrode composed of an ITO film in a transflective liquid crystal display wherein a barrier metal film is disposed between the transmission electrode and the reflection electrode provided in each pixel region.例文帳に追加

各画素領域に設けられた透過電極と反射電極の間にバリアメタル膜が配置されている半透過型液晶表示装置において、ＡｌまたはＡｌ合金膜からなる反射電極とＩＴＯ膜からなる透過電極の間で生じる電池反応を抑制して、透過電極の断線を防止する。 - 特許庁

Since the interlayer dielectric being formed with a groove for forming an interconnect and a contact hole having a relatively high aspect ratio for the groove has a multilayer structure composed of a porous low permittivity material and a nonporous low permittivity material, diffusion of the barrier metal into the interlayer dielectric being formed with the contact hole is reduced.例文帳に追加

本発明によれば、配線が形成される溝と、溝に対して比較的アスペクト比が高い接続孔とが形成される層間絶縁膜を多孔質な低誘電率材料と非多孔質を有する低誘電率材料とからなる多層構造とすることにより、接続孔が形成される絶縁膜にバリアメタルが拡散することを低減することができる。 - 特許庁

An anchor coat layer 2, a gas-barrier coat layer 3 containing an alkali metal polysilicate expressed by formula of M_2O.nSiO_2 as a main component, and an overcoat layer 4 are laminated in turn at least on one side of a base material 1 of a plastic material.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材１の少なくとも片面に、アンカーコート層２、一般式Ｍ_2Ｏ・ｎＳｉＯ_2で表されるアルカリ金属ポリシリケートを主成分とするものからなるガスバリア性被膜層３，水酸基を持つ水溶性高分子を主成分とするものからなるオーバーコート層４を順次積層したことを特徴とする。 - 特許庁

The method for forming fine circuit wiring comprises forming a first plating layer by plating including the metal diffusible into the copper (provided that alloy plating with the copper is precluded) and a second plating layer by copper plating on a substrate for electronic circuits which is provided with fine circuit patterns and is formed with a barrier layer and a seed layer at need.例文帳に追加

微細な回路パターンが設けられ、バリア層および必要によりシード層が形成された電子回路用基板上に、銅の中に拡散可能な金属を含むめっき（但し、銅との合金めっきを除く）による第１めっき層と、銅めっきによる第２めっき層を形成することを特徴とする微細回路配線の形成方法。 - 特許庁

A barrier metal thin film 14 is included between a second thermoelectric thin film 8, that is made of bismuth and an electrode pad 13 containing aluminum, thus preventing the electrode pad 13 from being oxidized without having to directly bring the second heat-conducting thin film 8 into contact with the electrode pad 13 and stabilizing element structure over a long period.例文帳に追加

ビスマスからなる第２熱電性薄膜８とアルミニウムを含有する電極パッド１３との間にバリアメタル薄膜１４を介在させるようにして、第２熱電性薄膜８と電極パッド１３とを直接接触させずに電極パッド１３の酸化を防止して長期にわたって素子構造を安定させるようにしたもの。 - 特許庁

In this surface acoustic wave element, an electrode 6 serving as an inter-digital transducer is formed on a piezoelectric substrate 1, and the electrode 6 includes the laminate structure of a conductive layer 2 made of metal, and an electronic diffusion suppressing layer 3 constituted of a semiconductor whose potential barrier should be formed on its interface with the conductive layer 2.例文帳に追加

本発明に係る弾性表面波素子は、圧電基板１上にインターディジタルトランスデューサとなる電極６が形成されており、該電極６は、金属からなる導電層２と、該導電層２との界面にポテンシャル障壁を形成すべき半導体からなる電子拡散抑制層３の積層構造を有している。 - 特許庁

To realize compatibility of a head matching function with a barrier function by making a protective layer contain a disk-like stearic acid metal salt as a slip additive, in a thermal recording material constituted by sequentially providing on a substrate an undercoat layer, a thermal development layer developing color with heat and the protective layer constituted mainly of a resin and a pigment.例文帳に追加

感熱記録材料において、支持体上にアンダーコート層と、熱により発色する感熱発色層と、樹脂と顔料を主成分とする保護層を順次設けた感熱記録材料の、前記保護層が滑剤として、ディスク状のステアリン酸金属塩を含有させて、ヘッドマッチング性機能とバリアー性機能の両立を実現すること。 - 特許庁

A semiconductor device 100 includes: a first insulating film 103 formed on a semiconductor substrate 101; a contact 110 including a conductive film 109 buried in the first insulating film 103 and reaching the semiconductor substrate 101; and a first barrier layer 107 containing a high-melting-point metal and formed between the conductive film 109 and each of the semiconductor substrate 101 and the first insulating film 103.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０３と、第１絶縁膜１０３に埋め込まれた導電膜１０９を含み且つ半導体基板１０１に達するコンタクト１１０と、半導体基板１０１及び第１絶縁膜１０３のそれぞれと、導電膜１０９との間に形成され、高融点金属を含む第１バリア層１０７とを備える。 - 特許庁

A first copper thin film 5 is formed by a CVD process on an insulating film 2, having connection grooves therein and covering a semiconductor substrate 1 via a barrier metal film 4 and having such a thickness as not to cause practical generation of its rough surface resulting from crystalline grains, and then subjected to a reflow process to fluidize the surface of the film 5.例文帳に追加

半導体基板１を覆う接続溝３を含む絶縁膜２上にバリア金属膜４を介して、ＣＶＤ法により表面に結晶粒子に起因する凹凸が実質的に生じない程度の膜厚の第１銅薄膜５を形成した後、リフロー処理を施して同銅薄膜５の表面を流動させる。 - 特許庁

An outer electrode is installed on the outer surface of the glass tube bulb, and an inner electrode is painted or made a conductive metal tape on the inner surface of the above glass tube bulb, and by the dielectric barrier discharge between the both electrodes and by making small the loss by dielectric (bulb), the discharge starting voltage and lamp voltage are reduced and the pressure of filling gas is increased.例文帳に追加

ガラス管バルブの外面に外部電極を設け前記ガラス管バルブの内面に内部電極を塗布又は、導電性の金属テープとしてその電極間の誘電体バリア放電により、誘電体（バルブ）によるロスを小さくすることで、放電開始電圧／ランプ電圧を低減させ封入ガス圧をアップさせる。 - 特許庁

In a laminate in which a vapor-deposited thin film layer 2 of an aluminum oxide and a gas barrier coating layer 3 are sequentially laminated on at least one surface of the base film 1 made of a polymer material, the vapor-deposited thin film of the aluminum oxide is formed by a reactive vapor- depositing method of a metal vapor and an oxidative gas.例文帳に追加

高分子材料からなる基材フイルム１の少なくとも一方の面に、酸化アルミニウムの蒸着薄膜層２、ガスバリア性被膜層３を順次積層した積層体において、該酸化アルミニウムの蒸着薄膜が金属蒸気と酸化性ガスとの反応性蒸着法で形成されたものからなることを特徴とする。 - 特許庁

The gas barrier laminate is constituted by forming the inorganic film and the organic film on one side or both sides of a transparent resin film base material, and the polymer molecule of the surface layer part of the base material contains a fluorine atom and the fluorine compound polymer film containing an element or a metal compound is used as the organic film.例文帳に追加

透明樹脂フィルム基材の片面または両面に形成された無機膜と有機膜の積層体であって、該基材の表層部の重合体分子がフッ素原子を含有しており、有機膜が元素あるいは、金属化合物を含んでいるフッ素化合物重合体膜を用いることによるガスバリア積層体。 - 特許庁

The magnetic tunnel junction comprises an upper electrode, a tunnel barrier layer formed between a first ferromagnetic layer having a first magnetization direction and a second ferromagnetic layer having a second magnetization direction adjustable to the first magnetization direction, a front end layer, and a magnetic layer or a metal layer, on which the second ferromagnetic layer is accumulated.例文帳に追加

磁気トンネル接合が、上部電極と、第１磁化方向を有する第１強磁性層と第１磁化方向に対して調節可能な第２磁化方向を有する第２強磁性層との間に形成されたトンネル障壁層と、前端層と、第２強磁性層が上に堆積された磁性層又は金属層とから構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method by which the problem of high on-voltage and high switching loss which occurs when a molybudenum silicide (MoSi) film of a conventional structure is used as a barrier metal can be changed to low on-voltage and low switching loss without deteriorating the resistance to wire bonding.例文帳に追加

本発明の目的は、従来構造であるモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）膜をバリアメタルとして用いた場合に問題となる高オン電圧と高スイッチィング損失を、耐ワイヤボンディング性を損なわずに、低オン電圧、低スイッチィング損失にできる半導体装置及びその製造法を提供することにある。 - 特許庁

A transparent primer layer comprising an aq. polyurethane resin or an aq. polyurethane resin in which colloidal silica is dispersed and a gas barrier film based on alkali metal polysilicate represented by M2O.nSiO2 and a water-soluble polymer are successively laminated to the single surface or both surfaces of a base material comprising a plastic material.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材の片面もしくは両面に、水系ポリウレタン樹脂またはコロイダルシリカを分散させた水系ポリウレタン樹脂からなる透明プライマー層、Ｍ_2 Ｏ・ｎＳｉＯ_2 で表されるアルカリ金属ポリシリケートと水溶性高分子を主成分とするガスバリア性被膜を順次積層したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a high-accuracy polycrystalline silicon resistor which is restrained from varying in resistance due to the fact that hydrogen is diffused from polycrystalline silicon in a thermal treatment or hydrogen contained in polycrystalline silicon is absorbed by Ti or the like which is used as a barrier metal of an Al wiring and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｌ系配線のバリアメタルとして用いられるＴｉ等による多結晶シリコン中の水素の吸収や、熱処理の際の多結晶シリコンからの水素の拡散に起因する多結晶シリコン抵抗素子の抵抗値の変動が抑制された高精度の多結晶シリコン抵抗素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

More specifically, after a protective film is formed, heat treatment is performed while providing an overcoat film of metal as the diffusion barrier of hydrogen in order to prevent the desorption of hydrogen desorbed from the protective film to the outside of a thin film semiconductor element and hydrogen is supplied sufficiently to the polysilicon semiconductor film, thus accelerating the termination of the dangling bond.例文帳に追加

具体的には、保護膜を成膜後、水素の拡散バリヤとして金属からなるオーバーコート膜を設けた状態で熱処理を行い、保護膜から脱離した水素が薄膜半導体素子の外へ脱離することを防止し、多結晶シリコン半導体膜へ十分な水素を供給して、ダングリングボンドの終端を促進する。 - 特許庁

To provide a fluorescent X-ray analyzer which analyzes hafnium and tantalum on a semiconductor substrate in a semiconductor integrated circuit manufacturing process for forming hafnium oxide film being a high dielectric gate insulating film and tantalum nitride film being a barrier metal film with high sensitivity and high precision, with one iridium X-ray tube, and also to provide an fluorescent X-ray analyzing method.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜である酸化ハフニウム膜、バリアメタル膜としてタンタル窒化膜を製膜する半導体集積回路製造プロセスにおける半導体基板上のハフニウム、タンタルを１本のイリジウムＸ線管で高感度、高精度に分析することができる蛍光Ｘ線分析装置およびその方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

This method for producing a III group metal nitride thin film comprises carrying out chemical vapor deposition of activated nitrogen atom, especially activated nitrogen atom generated by dielectric barrier discharge and one or more kinds of organometallic compounds of III group metals on a substrate heated to 700°C to 1,000 which is a temperature lower than that in conventional MOCVS method.例文帳に追加

化学蒸着反応器内で、活性化窒素原子、特に誘電体障壁放電により発生させた活性化窒素原子およびIII族金属の有機金属化合物１種以上を、従来のＭＯＣＶＤ法におけるよりも低温の７００℃〜１，０００℃に加熱した基板上に化学蒸着させる製造方法である。 - 特許庁

A second layer is formed by a non-magnetic metallic film or a metal oxide film being a barrier layer 4, a third layer is constituted of a non-magnetic glass film being a joining layer 5, the gap is formed by being joined by the glass film of the third layer by heat treatment, and the magnetic head having high quality and high gap width precision can be manufactured.例文帳に追加

第２層がバリア層４となる非磁性の金属膜または金属酸化物膜で形成され、第３層が接合層５である非磁性ガラス膜より構成され、熱処理により第３層のガラス膜により接合されることでギャップが形成され、高品質且つ、ギャップ幅精度の高い磁気ヘッドが作成できる。 - 特許庁