「Barrier metal」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetic recording medium wherein a gas barrier layer, the base layer and the magnetic layer are formed in this order on at least one surface of a flexible polymer substrate is characterized in that the magnetic layer has a granular structure consisting of a ferromagnetic metal alloy and a non-magnetic oxide and the base layer and the magnetic layer have 10 to 45 nm total thickness.例文帳に追加

可とう性高分子支持体の少なくとも一方の面に、ガスバリヤ層、下地層および磁性層をこの順に形成した磁気記録媒体であって、上記磁性層は強磁性金属合金と非磁性酸化物からなるグラニュラ構造をもち、上記下地層と磁性層の総厚が１０ｎｍ以上４５ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device comprises: a connection electrode 7 formed on a semiconductor element substrate 5 provided on a semiconductor element 4 at a position facing the bump 3; a surface protection layer 8 formed around the connection electrode 7 and on the semiconductor element substrate 5; and a barrier metal layer 10 that is formed on the connection electrode 7 and the surface protection layer 8 and is electrically connected to the bump 3.例文帳に追加

半導体素子４に設けられた半導体素子基板５におけるバンプ３と対向する位置に形成された接続電極７と、接続電極７の周縁部及び半導体素子基板５の上に形成された表面保護層８と、接続電極７及び表面保護層８の上に設けられ、バンプ３と電気的に接続するバリア金属層１０とを備えている。 - 特許庁

To provide an ingot for ceramic coating capable of realizing a ceramic-coated member having excellent heat resistance, firm adhesiveness with a metal base material, and heat cycle characteristic of long service life, a ceramic-coated member and its manufacturing method, and a thermal barrier coated high-temperature component using the ceramic-coated member.例文帳に追加

耐熱性に優れ、金属基材との密着性が強固で長寿命の熱サイクル特性を有するセラミックス被覆部材を実現することを可能とするセラミックス被覆用インゴット、セラミックス被覆部材およびその製造方法、ならびにセラミックス被服部材を用いた遮熱コーティング高温部品を提供する。 - 特許庁

An insulating film having an opening is provided below a region of the Schottky barrier diode where at least an external connection means is fixed, to form a Schottky metal layer, and the diode characteristics are prevented from deteriorating owing to the mechanical damage when the anode electrode made of, for example, aluminum and an aluminum wire are connected to each other.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの少なくとも外部接続手段を固着する領域の下方に開口部を有する絶縁膜を設けショットキー金属層を形成し、例えばアルミニウムからなるアノード電極とアルミニウムワイヤの接合時の機械的ダメージによるダイオード特性の劣化を防止することができる。 - 特許庁

A film forming device is used to attain high directivity sputtering using a titanium target for forming the barrier metal layer, and includes a substrate bias mechanism for applying a high frequency voltage as a bias voltage to a semiconductor substrate to allow the semiconductor substrate to attract sputter particles from the titanium target, thereby allowing the titanium nitride film 11 to include an amorphous metallic film.例文帳に追加

このバリアメタル層の形成に際しては、チタンターゲットを用いた高指向性スパッタリングが可能で、かつ、高周波電圧を半導体基板にバイアスする基板バイアス機構を備え、チタンターゲットからのスパッタ粒子を半導体基板に引き付けることで、窒化チタン膜１１をアモルファス金属膜とすることが可能となる。 - 特許庁

This method of making protective coating forming a thermal barrier on the superalloy substrate comprises, forming the bonding underlayer which is constituted by intermetallic compounds consisting of at least aluminum and a metal from the platinum group, on the superalloy substrate, and forming a ceramic outer layer which is anchored on a film of alumina present on the surface of the bonding underlayer.例文帳に追加

熱障壁を形成する保護コーティングは、少なくともアルミニウムおよびプラチナ系金属から成る金属間化合物によって構成される結合下地層を超合金基板上に形成するとともに、結合下地層の表面上に存在するアルミナ膜上に固定されるセラミック外層を形成することによって、超合金基板上に作られる。 - 特許庁

To provide an electrode film/silicon carbide structure whose structure is easy and its manufacturing process is simple and short preventing an electrode film from peeling, to provide a silicon carbide schottky barrier diode, to provide a field effect transistor of a metal-silicon carbide semiconductor structure, to provide the optimum method for forming an electrode film, and to provide a method for manufacturing an electrode film/silicon carbide structure.例文帳に追加

電極膜の剥離を防止しつつ、構造が容易で製造工程が簡易で短い電極膜／炭化珪素構造体、炭化珪素ショットキバリアダイオード、金属−炭化珪素半導体構造電界効果トランジスタ、電極膜の成膜最適化方法および電極膜／炭化珪素構造体の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a tubular container with a virgin seal material which contains no aluminum foil, and is excellent in the barrier properties of gaseous oxygen, steam, fragrance retaining properties, etc., excellent in printability, strength, rigidity, heat-sealability and easy-unsealability, capable of inspecting foreign matters by a metal finder or the like, easily disposed as combustible refuse and further excellent in environmental suitability.例文帳に追加

アルミニウム箔を含まず、かつ、酸素ガス、水蒸気、保香性等のバリア性に優れ、更に、印刷適性、強度、剛性、ヒートシール性、易開封性に優れ、また、金属探知機等による異物検査が可能であると共に燃焼ゴミとして廃棄処分が容易であり、更に、環境適性に優れたバ−ジンシ−ル材付チューブ容器を提供することである。 - 特許庁

In the spin device 1, since a sub-tunnel barrier wall F blocks the flow of electrons flowing from a non-magnetic metal layer D to a ferroelectric layer E and having a specific polarized spin, spin magnetic moments of electrons of the specific polarized spin to be absorbed in a free layer C increases, the magnetization direction of the free layer C by spin implantation at a low current can be controlled.例文帳に追加

スピンデバイス１においては、副トンネル障壁Ｆが、非磁性金属層Ｄから強磁性層Ｅに流れる特定の偏極スピンを有する電子の流れを阻止するため、フリー層Ｃ内で吸収される特定の偏極スピンの電子のスピン磁気モーメントが増加し、低電流でのスピン注入によるフリー層Ｃの磁化の向きの制御を行うことが可能となる。 - 特許庁

To provide a heat-sealable polypropylene film which inexpensively satisfying excellent slip properties, both antiblocking characteristics and heat sealability while restricting an organic and/or inorganic lubricant and an antiblocking agent in the heat-sealing layer provided at least on one side of a polypropylene film, is excellent in the grade of a vapor deposition film especially in a case that a metal vapor deposition film is constituted and can develop high barrier characteristics.例文帳に追加

ポリプロピレンフイルムの少なくとも片面に設けたヒートシール層において、有機及び／または無機の滑り剤、アンチブロッキング剤を制限しながら、優れた滑り性、アンチブロッキング特性とヒートシール性を安価に両立することを課題とし、特に金属蒸着フイルムを構成した場合、蒸着膜の品位に優れ、高いバリア特性を発揮できるヒートシール性ポリプロピレンフイルムを提供する。 - 特許庁

To provide a source drain electrode in which a barrier metal layer of a lower part can be eliminated, a production process can be simplified without increasing the number of processes, an Al based alloy film can be connected to a semiconductor layer of a thin film transistor directly and surely, and an electrical resistivity between transparent pixel electrodes can be lowered even in the case of applying a low thermal process temperature to an Al alloy film.例文帳に追加

下部バリアメタル層の省略を可能にすると共に、工程数を増やすことなく簡略化し、Ａｌ系合金膜を薄膜トランジスタの半導体層に対し直接かつ確実に接続することができ、しかも、Ａｌ合金膜に対して低い熱プロセス温度を適用した場合でも、透明画素電極間の低電気抵抗率化を達成し得るソース−ドレイン電極を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device with a bonding pad 130 on a semiconductor substrate 10 includes an upper Cu layer 100 formed on a lower surface of the bonding pad 130 via a barrier metal and having a larger Cu area ratio than a layer on which circuit wiring is formed, and a lower Cu layer 200 electrically insulated from the upper Cu layer 100 and formed on the side of the semiconductor substrate 10 from the upper Cu layer 100.例文帳に追加

半導体基板１０上にボンディングパッド１３０を有する半導体装置であって、ボンディングパッド１３０の下面にバリアメタルを介して形成され、回路配線が形成される層よりもＣｕ面積率が大きな上部Ｃｕ層１００と、上部Ｃｕ層１００と電気的に絶縁され、上部Ｃｕ層１００よりも半導体基板１０側に形成された下部Ｃｕ層２００とを有する。 - 特許庁

To provide a polishing agent for CMP capable of suppressing occurrence of dishing, thinning, and polishing flaws in copper or copper alloy wiring, achieving high speed polishing for a barrier layer of tantalum, tantalum alloy, tantalum compound, or the like in low concentration of abrasive particles, and forming an embedded pattern of a metal film having high reliability, and to provide a method for polishing a substrate by using the agent.例文帳に追加

銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。 - 特許庁

To improve the metal diffusion preventing function of a nitrogen- containing layer which is used as a barrier layer between two metallic layers in a semiconductor device which is constituted in such a structure that electrodes, wiring, and bump electrodes are connected to each other, and, at the same time, to improve the closely adhering functions between the metallic layers and nitrogen-containing layer.例文帳に追加

電極、配線、バンプ電極をそれぞれ互いに接続する構造を有する半導体装置に関し、２つの金属層の間でバリア層として用いられる窒素含有層による金属拡散防止機能を高くするとともに、それらの金属層と窒素含有層との密着機能を高くすることことを目的とする。 - 特許庁

The valve metal seat 1 wherein a through-hole electrode 7 is provided at its specified position or the connection terminal 11 formed on the through-hole electrode 7 is formed of more than two layers of a base layer 9 and a barrier layer 10, and a connection bump 12 is formed on the connection terminal 11.例文帳に追加

弁金属シート体１の所定の位置にスルホール電極７を設けた固体電解コンデンサの弁金属シート体１またはスルホール電極７の上の接続端子１１を下地層９とバリア層１０の２層以上の構成とし、この接続端子１１の上に接続バンプ１２を設ける構成とする。 - 特許庁

This gas barrier film is formed by successively laminating 0.5 to 5 g/m2 coating layer containing 100 pts.wt. poly(vinyl alcohol) containing 0.5 to 10 mol% and 0.1 to 10 pts.wt. hydrazine compound and a metal oxide thin film layer by an ion plating method on at least one surface of a polyolefin film.例文帳に追加

ポリオレフィンフィルムの少なくとも一方の表面に、ジアセトン基を０．５〜１０モル％有するポリビニルアルコール１００重量部と、ヒドラジン系化合物０．１〜１０重量部を含有する塗工層０．５〜５ｇ／ｍ^2と、イオンプレーティング法による金属酸化物薄膜層が順次積層されていることを特徴とするガスバリヤーフィルム。 - 特許庁

In the laminated material having barrier properties, a thin metal or inorganic substance film layer is formed on at least one side of a plastic film, and a coating layer of a resin composition comprising a polyester resin or a polyurethane resin and a melamine resin, an adhesive layer, and a heat-sealing resin layer are laminated in turn on the thin inorganic film layer.例文帳に追加

プラスチックフイルムの少なくとも一方の表面に金属あるいは無機薄膜層を設け、該無機薄膜層上にポリエステル系樹脂もしくはポリウレタン系樹脂とメラミン樹脂を含む樹脂組成物からなるコーティング層、接着剤層、ヒートシール性樹脂層を順次積層してなる バリアー性積層材料。 - 特許庁

A hydrogen barrier layer 32, wherein a capacitor 14 provided with an upper part electrode 28 comprising an electrostatic capacity film 26 of a PZT film and a laminated metal film of IrO2 film/Ir film is coated so that a hydrogen is prevented from approaching the capacitor 14 for contact, is an SiON film of thickness 600 Å which is film-formed by a plasma CVD method.例文帳に追加

ＰＺＴ膜からなる静電容量膜２６及びＩｒＯ_2 膜／Ｉｒ膜の積層金属膜からなる上部電極２８を有するキャパシタ１４を被覆して、水素がキャパシタ１４に近接し、接触するのを防止する水素バリヤ層３２が、プラズマＣＶＤ法で成膜した、膜厚６００ÅのＳｉＯＮ膜である。 - 特許庁

Thus, the boundary face of Cu and a barrier metal is not exposed, and the grain growth of Cu is not carried out in the introduction stage of Si so that the deposition of Si can be prevented even when Si is added with high concentration, and that the migration of the whole wiring or via can be suppressed since Si is uniformly introduced to the wiring or via.例文帳に追加

これにより、Ｓｉの導入段階ではＣｕとバリアメタルとの界面が露出しておらずＣｕのグレイン成長も行われていないため、Ｓｉを高濃度に添加してもＳｉの析出を防止することができ、配線やビア中に均一にＳｉが導入されているため配線やビア全体のマイグレーションを抑制することができる。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor element 12 formed on a semiconductor substrate, a plurality of insulating films 107, 112, 117, and 122 laminated on the semiconductor substrate, a plurality of wiring layers 108, 113, 118, and 123 respectively formed within a plurality of insulating films, and a barrier metal continuously covering the upper surface and both side surfaces of each wiring layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成された半導体素子１２と、前記半導体基板上に積層された複数の絶縁膜１０７，１１２，１１７，１２２と、前記複数の絶縁膜内にそれぞれ形成された複数の配線層１０８，１１３，１１８，１２３と、前記各配線層の上面及び両側面を連続的に覆うバリアメタルとを具備する半導体装置。 - 特許庁

To prevent misoperations or thermal breakdowns of a semiconductor element, by rapidly externally radiating a large heart at operation time of the element, when housing a high output semiconductor element, such as a Schottky barrier field effect transistor made of a compound semiconductor, as the material in a package for housing the element which has a metal base and a ceramic frame.例文帳に追加

金属基体とセラミック枠体を具備する半導体素子収納用パッケージにおいて、化合物半導体を素材としたショットキーバリア型電界効果型トランジスタなどの高出力の半導体素子を収納する場合において、半導体素子の作動時の大きな発熱を速やかに外部に放熱させて、半導体素子の誤作動や熱破壊を防ぐこと。 - 特許庁

The optical information recording medium is characterized by preparing a barrier layer made of the materials composed of mixture of carbonized materials and oxide including at least one metal chosen from Ti, Zr, V, Nb, Ta, Cr, Mo and W at a side contacting the reflective layer of the second dielectric layer.例文帳に追加

透明な基板上に第一誘電体層、記録層、第二誘電体層、反射層を順次有する光情報記録媒体であって、第二誘電体層の反射層に接触する側にＴｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも一つの金属を含む炭化物と酸化物の混合物により構成された材料で形成されているバリア層を設けることを特徴とする光情報記録媒体。 - 特許庁

To provide a polishing composition capable of keeping high flatness of a metal surface polished by chemical mechanical polishing (CMP) and a polishing composition for two-stage polishing achieving high polishing speed ratio between the copper layer in the first stage polishing and the barrier layer in the second stage polishing to enable the selective polishing of the copper layer.例文帳に追加

ＣＭＰによる研磨後の金属表面の平坦性を高度に保持することができる研磨組成物、さらには高度の表面平坦性を与え、しかも２段研磨において、第１段研磨における銅層と第２段研磨におけるバリア層との研磨速度の比が高く、銅層を選択的に研磨することのできる研磨組成物を提供すること。 - 特許庁

A contact hole 29 which exposes a source region 27 is formed in an interlayer insulating film 28 covering a gate electrode 25 and a source region 27 on an n^+ type semiconductor substrate 21 wherein a plurality of longitudinal MOSFETs 210 are formed, and the contact hole 29 is filled with a conductor plug 31 via a barrier metal film 30.例文帳に追加

複数の縦型ＭＯＳＦＥＴ２１０が形成されたｎ^＋型半導体基板２１上のゲート電極２５およびソース領域２７を覆う層間絶縁膜２８にソース領域２７を露出するコンタクト孔２９が形成され、コンタクト孔２９の内部にバリアメタル膜３０を介して導電体プラグ３１が充填されている。 - 特許庁

A barrier layer 2 and metal layers 3 and 4 are successively laminated on at least one side of a film-shaped base material 1, and a nickel/chromium/molybdenum alloy whose molybdenum content is equal to or more than 0.3 wt.% and less than 1 wt.%, and preferentially whose chromium content is equal to or more than 15 wt.% and less than 30 wt.%.例文帳に追加

フィルム状の基材１の少なくとも片面に、バリア層２と金属層３、４とを順に積層し、かつこのバリア層としてモリブデン含有量が０．３ｗｔ％以上、１ｗｔ％未満、さらに好ましくは、上記クロム含有量が１５ｗｔ％以上３０ｗｔ％未満のニッケル−クロム−モリブデン合金を用いた。 - 特許庁

An oxide superconducting cable 10 is formed by winding a tape-like barrier material 4 on the outer periphery of a stranded conductor formed by stranding three superconducting wires 3 of multicore structure where a large number of oxide superconducting filaments 2 are arranged in silver or a silver matrix 1, and then containing it in a metal tube 5.例文帳に追加

酸化物超電導ケーブル１０は、銀又は銀マトリックス１中に多数本の酸化物超電導フィラメント２を配置した多芯構造の超電導線３の３本を撚り合わせて形成した撚線導体の外周をテープ状のバリア材４で巻回し、これを金属管５内に収容して形成される。 - 特許庁

For example, a specific cured resin layer and a metal oxide layer are used on a film, which comprises polycarbonate containing 10-90 mol% of a fluorene skeleton as a copolymer component, in a contact state to obtain the gas barrier polymer laminated film characterized in that the absorbance originating from four specific bonds of the cured resin layer is within a specific range.例文帳に追加

例えば、共重合成分としてフルオレン骨格を１０〜９０モル％含有するポリカーボネートフィルム上に、特定の硬化樹脂層と金属酸化物層とを接して使用しなおかつかかる硬化樹脂層の特定の４つの結合に由来する吸光度が特定の範囲であるガスバリア性高分子積層フィルム。 - 特許庁

The obscure gas barrier film is characterized by giving a thin film layer of inorganic oxide to at least one side surface of white polymer film with total light line reflectance of ≥70% and further by preparing at least more than one kind of protective layers comprising metal alkoxide, or its hydrolysate on a thin film layer of the inorganic oxide.例文帳に追加

全光線反射率が７０％以上の白色高分子フィルムの少なくとも一方の面に無機酸化物の薄膜層を施すこと、更には、前記無機酸化物の薄膜層の上に少なくとも一種以上の金属アルコキシド或いはその加水分解物からなる保護層を設けることを特徴とする隠蔽性ガスバリアフィルムである。 - 特許庁

In the method for producing a metal-ceramic composite material, a preform is formed using a ceramic powder or ceramic fibers being a reinforcing material, the surface of the preform is coated with a barrier material comprising a graphitic powder, and molten aluminum or aluminum alloy as a matrix is infiltrated into the preform in an atmosphere of nitrogen under normal pressure.例文帳に追加

強化材であるセラミックス粉末またはセラミックス繊維でプリフォームを形成し、そのプリフォームの表面にグラファイト系粉末からなるバリア材を塗布した後、そのプリフォームにマトリックスである溶融したアルミニウムまたはアルミニウム合金を窒素雰囲気中で非加圧で浸透させることとした金属−セラミックス複合材料の製造方法。 - 特許庁

To provide a display device using a Cu alloy film having a lower electrical resistivity than that of Al alloys for connection with a transparent electrode film (pixel electrode), capable of direct connection at a lower electrical resistivity for the transparent electrode without forming a barrier metal and capable of ensuring high display quality when being applied, for example, to liquid crystal panels.例文帳に追加

透明電極膜（画素電極）との接続にＡｌ合金よりも電気抵抗の低いＣｕ合金膜を使用し、且つ、バリアメタルを形成せずとも透明電極との間で低抵抗の直接接続を実現し、液晶パネルなどに適用した場合に高い表示品質を与える表示デバイスを提供すること。 - 特許庁

A p-type ohmic electrode is provided with an Se layer to maximally lower a barrier Φb of an Se Fermi level Ef and a wide band gap p-type semiconductor valence, so that the wide band gap p-type semiconductor can have an ohmic contact with a resistance far lower than that of a conventional ohmic electrode provided with a metal layer having a high work function.例文帳に追加

ｐ型オーミック電極にＳｅ層を有することにより、ＳｅのフェルミレベルＥｆとワイドバンドギャップｐ型半導体の価電子帯との障壁Φｂが最も低い構成となり、ワイドバンドギャップのｐ型半導体に従来の高い仕事関数を有する金属層を設けたものよりもはるかに低い抵抗を有するオーミックコンタクトを実現することが可能となる。 - 特許庁

To provide a laminate having high lamination strength which is not lowered by being affected by the contents even when the laminate, in which an adhesive resin is laminated on a base material having barrier properties such as various thermoplastic resin film base materials, and metal foil is processed into various packaging forms, and strongly permeable substances are packed as the contents.例文帳に追加

本発明は、各種熱可塑性樹脂フィルム基材や金属箔等のバリア性基材に接着性樹脂を積層した積層体を、各種包装形態に加工して、内容物として強浸透性物質を充填した場合であっても、その内容物の影響でラミネート強度が低下することのない優れたラミネート強度を有する積層体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The patterned medium has: a magnetic film worked in patterns of a track and a servo part or a data part; and a non-magnetic embedded material embedded between the patterns of the magnetic film of the track and the servo part or the data part and including a base material and a barrier material formed of metal which does not constitute the base material.例文帳に追加

トラック、サーボ部またはデータ部のパターンに加工された磁性膜と、前記トラック、サーボ部またはデータ部の磁性膜のパターン間に埋め込まれた、母材と前記母材を構成しない金属で形成されたバリア材とを含む非磁性埋め込み材とを有することを特徴とするパターンド媒体。 - 特許庁

Since the photosensitive resin 20 is exfoliated before the fusion process of the solder layer 24; the photosensitive resin 20 is not exposed to a high temperature atmosphere, the photosensitive resin 20 can be exfoliated with exfoliation liquid, the etching remainder of the electrode base film 18 and the barrier metal 17 are not generated, and thus the adjoining bump electrodes are not short-circuited mutually.例文帳に追加

半田層２４の溶融工程前に感光性樹脂２０を剥離しているため、感光性樹脂２０は高温雰囲気にさらされず、感光性樹脂２０を剥離液で剥離でき、電極下地膜１８とバリアメタル１７のエッチング残りが生じることはなく、隣接する突起電極どうしが短絡することは発生しない。 - 特許庁

A gate electrode 7P of the PMOS transistor consists of a lower layer film comprising an a-Si film 71 and a SiGe film 72, an upper layer film comprising a polysilicon film 73, a barrier film (SiO) 74 and a cap silicon film (a-Si) 75 thereover, and a metal silicide layer 12 formed on the surface of the cap silicon film 75.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極７Ｐはａ−Ｓｉ膜７１及びＳｉＧｅ膜７２からなる下層膜と、その上のポリシリコン膜７３、バリア膜（ＳｉＯ）７４、キャップシリコン膜（ａ−Ｓｉ）７５からなる上層膜と、キャップシリコン膜７５の表面に形成された金属シリサイド層１２とを備えている。 - 特許庁

The gas barrier film is formed from a composition containing a polyalcohol polymer (A), a vinyl polymer (B) containing polyitaconic acid as the main constituent, and an at least divalent metal compound (C) and has an oxygen gas permeability at 25°C at a relative humidity of 80% of 100 cc/(m^2×24h×atm) or lower.例文帳に追加

ポリアルコール系ポリマー（Ａ）、及びポリイタコン酸を主たる構成成分とするビニルポリマー（Ｂ）、及び２価以上の金属化合物（Ｃ）を含有する組成物から形成され、２５℃、８０％相対湿度の条件下で測定した酸素透過度が１００ｃｃ／ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ／μｍ以下であることを特徴するガスバリア性フィルム。 - 特許庁

The gas sealing back-up ring has a back-up ring body formed of a resin or metal having high gas barrier performance for preventing gas from leaking therethrough and the rubber layer provided in the wall contact portion for sealing gas leakage such as gap leakage occurring in the single back-up ring body.例文帳に追加

このガスシール用バックアップリングは、バックアップリング本体を、ガスバリア性の高い樹脂または金属製とすることで、ガスの透過洩れを防ぐと共に、それの機壁接触部に設けられたゴム層によって、バックアップリング本体単体では生じていた隙間洩れなどのガス洩れをシールすることができる。 - 特許庁

Bonding pads 13 of a logic chip 2 which is flip-flop mounted on a main surface of a wiring board 1 by a face-down method and lands 5a of the wiring board 1 are connected to barrier metal layers 14 and solder layers 15 which are formed on the bonding pads 13 through stud bumps 16s formed on respective lands 5a.例文帳に追加

配線基板１の主面上にフェイスダウン方式でフリップチップ実装されたロジックチップ２のボンディングパッド１３と配線基板１のランド５ａは、ボンディングパッド１３上に形成されたバリアメタル層１４および半田層１５と、ランド５ａ上に形成されたスタッドバンプ１６ｓとを介して接続されている。 - 特許庁

A second base film 44b is patterned to form a first hole 92a, a barrier wall 46 defining the outline of the first hole, and a concave 93a, and thereon a film of a metal material such as aluminum having conductivity and light reflectivity is formed by using a CVD method to form a conductive reflective material 73a before a flattening step.例文帳に追加

第２下地膜４４ｂをパターニングすることによって、第１穴部９２ａ、第１穴部の輪郭を規定する隔壁４６、及び凹部９３ａとを形成し、その上面にＣＶＤ法を用いて導電性及び光反射性を有するアルミニウム等の金属材料を成膜することによって、平坦化前の導電性反射材料７３ａを形成する。 - 特許庁

To provide a charge injection material for an organic device, allowing metal ions having a work function according to the purpose to be selected, capable of improving the charge injection efficiency, and of forming superior charge injection layer for lowering a charge injection barrier between an electrode and an organic layer, to provide an organic device having high charge injection efficiency, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

目的に応じた仕事関数を持つ金属イオンを選択でき、電荷注入効率が向上し、電極と有機層との電荷注入障壁の低下に優れた電荷注入層を形成可能な有機デバイス用電荷注入材料、高電荷注入効率の有機デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To improve a semiconductor device in wiring reliability by a method, wherein an organic insulating material is deformed by the compressive stress of a barrier metal layer of tantalum nitride or the like used for a groove wiring to deform a wiring groove, and troubles such as a failure in embedding a conductor by electrolytic plating due to the formation of a seed layer becoming insufficient in the groove is solved.例文帳に追加

溝配線で用いる窒化タンタル等のバリアメタル層の圧縮応力により有機絶縁体材料が変形され、溝配線で用いる溝が変形して、溝内へのシード層の形成が不十分となるために生じる電解めっきでの導電体の埋め込み不良を解決して、配線信頼性の向上を図ることを課題としている。 - 特許庁

This is the fluorescent material for a low-speed electron beam composed of inorganic particles, and an electroconductive oxide layer having gas barrier property is coated on the surface of the inorganic particles, and binder resin and organic metal alcoholate are contained in a printing paste to produce the fluorescent material, and as for the fluorescent display tube, the fluorescent material for the low-speed electron beam is used.例文帳に追加

無機物粒子からなる低速電子線用蛍光体であって、該無機物粒子の表面に導電性およびガスバリヤー性酸化物層が被覆されてなリ、蛍光体を製造するための印刷ペーストにはバインダー樹脂および有機金属アルコラートを含有し、蛍光表示管は上記低速電子線用蛍光体を用いる。 - 特許庁

In the medium to be ink-jet-recorded, in which a primer coating layer including an alkaline-earth metal salt and an adhesive is provided on a base paper and, in addition, an ink accepting layer including ultrafine inorganic particles is coated on the primer coating layer, a barrier layer including a pigment and the adhesive is provided between the base paper and the primer coating layer.例文帳に追加

基紙上に、アルカリ土類金属の塩と接着剤を含有する下塗り層を設け、その上に無機超微粒子を含有するインク受容層を塗工してなるインクジェット被記録媒体において、該基紙と該下塗り層の間に顔料と接着剤を含有するバリア層を設けたインクジェット被記録媒体である。 - 特許庁

After a plurality of trenches 111 for wiring are formed in an FSG film 109 and an ARL film 110 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 112) and conducting films for wiring (copper films 113 and 114) are deposited in sequence on the ARL film 110, in such a manner that each of the trenches 111 is completely filled.例文帳に追加

基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。 - 特許庁

After a plurality of trenches 111 for wiring are formed in an FSG film 109 and an ARL film 110 formed on a substrate 100, a barrier metal film (tantalum nitride film 112) and conducting films for wiring (copper films 113 and 114) are deposited in sequence on the ARL film 110, in such a manner that each of the trenches 111 is completely filled.例文帳に追加

基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。 - 特許庁