「Barrier metal」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

This semiconductor device including a capacitive element includes: metal wiring 200a and a lower electrode 200b each including an aluminum alloy film 102 and an upper-layer barrier film 103 including a high-melting-point metal film; a capacitance insulating film 104 formed on the lower electrode 200b; and an upper electrode 105 formed on the capacitance insulating film 104.例文帳に追加

本発明は、容量素子を有する半導体装置であって、アルミニウム合金膜１０２と、高融点金属膜を含む上層バリア膜１０３とを含む金属配線２００ａおよび下部電極２００ｂと、下部電極２００ｂ上に形成された容量絶縁膜１０４と、容量絶縁膜１０４上に形成された上部電極１０５とを有する。 - 特許庁

The laminate at least comprises a construction made by an extrusion-lamination process comprising laminating an adhesive resin consisting of a polyolefin resin or an olefinic copolymer resin modified with a composite having an isocyanate group on a barrier base material such as a thermoplastic film, a metal vapor deposition film, an inorganic compound vapor deposition film, or a metal foil.例文帳に追加

熱可塑性樹脂フィルム、金属蒸着フィルム、無機化合物蒸着フィルム、金属箔等のバリア性基材上に、イソシアナート基を有する複合体により変性されたポリオレフィン樹脂あるいはオレフィン系共重合体樹脂からなる接着性樹脂を押出ラミネート法により積層させた構成を少なくとも含むことを特徴とする積層体である。 - 特許庁

To reduce remaining metal and its oxide in a wiring and to suppress an increase in wiring resistance when a seed layer is formed along a top surface of an insulating film and a recessed portion of an insulating film to bury a copper wiring in the recessed portion, then a barrier film is formed by heating, and a surplus of the metal forming the seed layer is removed.例文帳に追加

絶縁膜の表面および絶縁膜の凹部に沿ってシード層を成膜し、凹部に銅配線を埋め込んだ後、加熱によりバリア膜を形成すると共にシード層を構成する金属の余剰分を配線から除去するにあたって、配線中における前記金属およびその酸化物の残留を抑えて、配線抵抗の上昇を抑えること。 - 特許庁

The invention relates to the method for producing the gas barrier film comprising a process coating a solution of a polyvalent metal salt of an unsaturated carboxylic acid compound with less than 20 of degree of polymerization and a process irradiating the coating with an anodeless type or anode type UV lamp in the presence of a solvent for the polyvalent metal salt of the unsaturated carboxylic acid compound.例文帳に追加

基材層に重合度が２０未満の不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩溶液を塗工した後、不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩に溶媒の存在下、無電極または有電極タイプの紫外線ランプを用いて、紫外線を照射することを特徴とするガスバリア性膜の製造方法。 - 特許庁

To provide a polishing liquid capable of reducing the polishing speed for conductive metal wirings (particularly copper oxide formed in an interface) represented by copper wirings on a substrate consisting of a barrier layer containing manganese and manganese alloy on its surface, and an insulating layer, and reducing a step between conductive metal wirings and the insulating layer, and to provide a polishing method using the same.例文帳に追加

表面にマンガン及びマンガン合金を含むバリア層と絶縁層から成る基板上の銅配線に代表される導電性金属配線（特に界面に生成する酸化銅）に対する研磨速度を低下させ、導電性金属配線と絶縁層との間の段差が小さい研磨液、及び、これを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the gas barrier film is characterized by holding a film obtained by polymerizing a polyvalent metal salt of an unsaturated carboxylic acid compound, after coating a base material layer with the polyvalent metal salt solution of the unsaturated carboxylic acid compound having a polymerization degree of less than 20, for 0.1 second to 60 minutes in a temperature range of 60-300°C.例文帳に追加

基材層に重合度が２０未満の不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩溶液を塗工した後、不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩を重合することにより得られる膜を、６０℃から３００℃の温度範囲に、０．１秒から６０分間保持することを特徴とするガスバリア性膜の製造方法。 - 特許庁

This semiconductor device has a contact 103 and a buried metal wiring 106 which penetrate a film 105 having a hydrogen barrier property and is electrically connected between interlayers, and in a region other than a part just under the metal wiring, an opening 104 is provided, and a hydrogen diffusion route to a lower layer of a second insulation film 102 is provided.例文帳に追加

水素バリア性を有する膜１０５を貫通し、層間を電気的に接続するコンタクト１０３及び埋め込み金属配線１０６を有する半導体装置であって、金属配線直下の部分以外の領域において、開口１０４が設けられており、第２の絶縁膜１０２の下層への水素拡散経路が設けられている。 - 特許庁

A laminated structure excellent in gas barrier properties is constituted by applying a metal oxide sol to the vapor deposition surface of a vapor deposition plastic film wherein a membrane comprising metal oxide is formed on at least one surface of a base material film to provide a coating layer and laminating a sealnt layer on the coating layer.例文帳に追加

金属酸化物から成る薄膜を基材フィルムの少なくとも一方の面に形成した蒸着プラスチックフィルムの蒸着面上に、金属酸化物ゾルをコーティングしてなるコーテイング層を設け、該コーティング層上にシーラント層を積層してなることを特徴とするガスバリア性に優れた積層構造体。 - 特許庁

In the metal barrier rib for the plasma display formed of a metal substrate with a large number of through holes, an insulating layer-an Al layer-a reaction preventive layer is formed from the surface side.例文帳に追加

多数の貫通孔を有する金属基板を用いてなるプラズマディスプレイ用隔壁において、表面側から絶縁層—Al層—反応防止層が形成されているプラズマディスプレイ用金属隔壁であり、好ましくは、絶縁層が、Al_2O_3、SiO_2、ZrO__2、MgO、TiO_2、ガラスのうちの少なくとも一種を主体とし、更に好ましくは絶縁層の厚みが、0.5〜10.0μmであるプラズマディスプレイ用金属隔壁である。 - 特許庁

This pressure container is formed of a container body 1 having the multiple layered structure formed of an inner cylinder 2 made of the synthetic resin having the gas barrier characteristic and an outer cylinder 3 made of the synthetic resin showing the pressure resistant strength, a metal port member 4 provided at an end of the container body, a metal container valve fitting member 5 installed in the port member or a container valve.例文帳に追加

耐圧容器であって、ガスバリア性を有する合成樹脂からなる内筒（２）及び耐圧強度を発揮する合成樹脂製の外套（３）から成る多層構造の容器本体（１）と、当該容器本体の端部に設けられた金属製のポート部材（４）と、当該ポート部材に装着された金属製の容器弁取付部材（５）又は容器弁とから構成される。 - 特許庁

To provide a metal polishing solution which is capable of quickly polishing tantalum, tantalum alloys, tantalum nitrides, and other tantalum compounds used as a barrier layer of copper or a copper alloy and has a low abrasive concentration to be free of polishing flaws and is capable of forming a buried metal film pattern of less thinning and high reliability, and to provide a polishing method using the same.例文帳に追加

銅または銅合金のバリア層として用いられるタンタル、タンタル合金、窒化タンタル、その他のタンタル化合物の高速研磨を可能にし、低砥粒濃度で研磨キズがなく、シニングの少ない信頼性の高い金属膜の埋め込みパターン形成を可能とする金属用研磨液およびそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing a metal-ceramic composite material having the treated surface includes, making a preform without coating the barrier material on the surface, from ceramic powder or ceramic fiber of reinforcement, manufacturing a composite material by infiltrating aluminum or an aluminum alloy into the preform as matrix, until it seeps to the surface, and forming a metal film on the surface of the composite material.例文帳に追加

強化材であるセラミックス粉末またはセラミックス繊維で表面にバリア材の塗布のないプリフォームを形成し、そのプリフォームにマトリックスであるアルミニウムまたはアルミニウム合金を表面に染み出すまで浸透させて複合材料を作製し、その複合材料の表面に表面処理して金属膜を形成することとした表面処理した金属−セラミックス複合材料の製造方法。 - 特許庁

The heat radiation reflecting arrangement structure with an improved high heat resistance to the temperature of 500°C or lower includes a substrate, a heat reflecting layer (A) on at least one side of the substrate which contains indium tin oxide (ITO), and a barrier layer (B) that covers the heat reflecting layer (A), which contains at least one metal oxide and at least one metal nitride.例文帳に追加

５００℃以下の温度に対して高耐熱性である熱反射配列構造体を、基板と、基板の少なくとも片面上に設けられるインジウム酸化錫（ＩＴＯ）含有熱反射層(Ａ)と、熱反射層（Ａ）を被覆するためであって、少なくとも１種の金属酸化物及び少なくとも１種の金属窒化物を含有するバリア層（Ｂ）から構成する。 - 特許庁

The barrier film at least one side of its backing member is laminated with one or more layers of metal oxide and the outermost metal oxide is covered with a chemical-resistant layer comprising mainly organic materials wherein said chemical-resistant layer has a thickness of from 0.05 μm to 5 μm and contains a water repellent compound such as a silicone compound, a fluorinated compound or the like.例文帳に追加

基材の少なくとも片側に、金属酸化物層が１層以上積層されており、最表面の金属酸化物上に有機物を主成分とする耐薬品層を設けたバリアフィルムにおいて、該耐薬品層の厚さが０．０５μｍ以上５μｍ以下の範囲内であり、かつシリコーン系化合物、フッ素系化合物などの撥水性化合物を含むことを特徴とするバリアフィルム。 - 特許庁

The method for removing the metal element comprises the steps of forming a barrier layer 105 on a first semiconductor film 104 having a crystal structure provided on a substrate and a second semiconductor film 106 including a rare gas element, passing the metal element included in the film 104 through the layer 105 by heat treating, and conducting gettering for moving the element to the film 106.例文帳に追加

本発明は基板上に設けられた結晶構造を有する第１の半導体膜１０４上にバリア層１０５と、希ガス元素を含む第２の半導体膜１０６とを形成し、第１の半導体膜１０４に含まれる金属元素を加熱処理によりバリア層１０５を通過させて前記第２の半導体膜１０６に移動させるゲッタリングを行う。 - 特許庁

To provide a formation method of a copper metal wiring of a semiconductor element which can improve burying of copper, by maximizing the suction site of chemical reinforcing agent on the surface of a diffusion barrier layer by carrying out a plasma treatment after chemical reinforcing agent deposition when a copper metal wiring is formed by using a CECVD method.例文帳に追加

ＣＥＣＶＤ法を用いて銅金属配線を形成する場合、化学的強化剤蒸着後プラズマ処理を行うことにより、拡散障壁層の表面に化学的強化剤の吸着サイトを極大化させ、これにより銅の埋込み特性を向上させることができる半導体素子の銅金属配線形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a reflection electrode in which a metal layer constituting the reflection electrode is directly connected to an oxide conductive film constituting a transparent electrode not through a barrier metal layer, and which has high reflectance and low contact resistance even when being subjected to a low temperature heat treatment of about ≥100°C and ≤300°C, for example, and also has excellent heat resistance without causing any defects such as a hillock.例文帳に追加

反射電極を構成する金属層が、バリアメタル層を介さずに、透明電極を構成する酸化物導電膜と直接接続された反射電極であって、例えば、約１００℃以上３００℃以下の低い熱処理を施しても、高い反射率および低い接触抵抗を有しており、しかも、ヒロックなどの欠陥を生じることのない耐熱性にも優れた反射電極を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a gate insulating film constituted of a two-layer film of a silicon oxide film 111 containing a deuterium and a silicon nitride film 121 containing a deuterium sequentially arranged on a silicon substrate 1; and a gate electrode constituted of three-layer film of a doped polysilicon film 13, a barrier metal layer 14, and a metal film 15 of tungsten or the like sequentially arranged on a silicon nitride film 121.例文帳に追加

シリコン基板１上に順に配設された重水素を含む酸化シリコン膜１１１および重水素を含む窒化シリコン膜１２１の２層膜で構成されるゲート絶縁膜と、窒化シリコン膜１２１上に順に配設されたドープトポリシリコン膜１３、バリアメタル層１４、タングステン等の金属膜１５の３層膜で構成されるゲート電極とを備えている。 - 特許庁

The article 10 comprises a substrate 12 formed of a silicon-comprising material, and further comprises an environmental barrier layer 16, e.g., an alkaline earth metal aluminosilicate, and a top coat 18 comprising zirconia or hafnia stabilized with up to about 10 mol% of an oxide of a metal selected from the group consisting of magnesium, calcium, scandium, yttrium, and lanthanide metals, and mixtures thereof.例文帳に追加

ケイ素含有材料からなる基材１２を含み、さらに、環境バリヤー層１６（例えば、アルカリ土類金属アルミノケイ酸塩）と、マグネシウム、カルシウム、スカンジウム、イットリウム及びランタニド金属及びこれらの混合物からなる群から選択される金属の酸化物１０モル％以下で安定化したジルコニア又はハフニアを含むトップコート１８とを含む物品１０。 - 特許庁

The intermediate barrier layer 2 is formed using a metal laminated film (A) wherein a hot melt layer is laminated on one side or both sides of a metal foil and the hot melt layer is formed of an alloy material prepared by dispersing an island phase (domain) comprising a modified high density polyethylene resin in a sea phase (matrix) comprising an ethylene/vinyl alcohol copolymer.例文帳に追加

（Ａ）金属箔の片面もしくは両面にホットメルト層が積層されてなる金属ラミネートフィルムであって、上記ホットメルト層が、エチレン−ビニルアルコール共重合体からなる海相（マトリクス）中に変性高密度ポリエチレン樹脂からなる島相（ドメイン）が分散されたアロイ材料により形成されている、金属ラミネートフィルム。 - 特許庁

The electric circuit board on which a circuit is provided by etching a metal foil but components, such as a semiconductor chip or the like, are not soldered yet, wherein a water absorption barrier layer is provided on at least a surface of the outermost portion of the electric circuit board and/or inside the metal foil circuit formed at the outermost portion.例文帳に追加

金属箔がエッチングにより回路加工されているが、未だ半導体チップ等の部品がハンダ付けされていない電気回路基板において、該電気回路基板の最外の少なくとも一面及び／又は最外に形成されている金属箔回路の内側に吸水バリア層が設けられていることを特徴とする電気回路基板。 - 特許庁

The manufacturing method of the decoration sheet for water transfer printing includes: preparing the printing layer or coating layer by using the ink or coating material which includes the metal powder pigment on the water-soluble film; arranging the magnet under the water-soluble film and orienting the metal powder pigment according to the arrangement of the magnet; and thereafter preparing the activator barrier layer on the printing layer or coating layer.例文帳に追加

また、水圧転写用化粧シートの製造方法は、水溶性フィルムの上に金属粉顔料を含むインキ又は塗料により印刷層又塗層を設けること、前記水溶性フィルムの下に磁石を配置して前記金属粉顔料に該磁石の配置に従った配向を生じさせること、その後、前記印刷層又は塗層の上に活性剤バリヤー層を設けることを含む。 - 特許庁

To provide a laminate by joining a film useful as electric and electronic materials of a flexible printed wiring board and the like to a metal by raising adhesive strength to the metal while distinguishing characters of excellent moisture proof resistance, gas barrier property, heat resistance, chemical resistance, high dimensional stability and the like inherent in a thermoplastic liquid crystal polymer are retained.例文帳に追加

熱可塑性液晶ポリマーに由来する優れた耐湿性、ガスバリアー性、耐熱性、耐薬品性、高寸法安定性などの特長を保持したままで、金属との接着力を高めて、フレキシブルプリント配線板などの電気・電子材料として有用なフィルムと金属とを接合してなる積層体を提供する。 - 特許庁

A buffer layer comprising a metal element which is lower in a specific resistance of oxide and, easier to be oxidized than a contact layer or wiring layer is provided, so that the oxygen dissociated from an ferroelectric oxide and a contact layer contacting it is surely adsorbed, and a barrier layer of metal wiring is assuredly prevented from being oxidized.例文帳に追加

コンタクト層や配線層よりも酸化されやすく、酸化物の比抵抗が低い金属元素から構成される緩衝層を設けることにより、酸化物強誘電体やこれに接触するコンタクト層から解離される酸素を確実に受け止め、金属配線のバリア層などの酸化を確実且つ容易に防ぐことができる。 - 特許庁

The conductive particulates, in which a metal layer containing copper, a barrier layer, and the solder layer containing tin are sequentially formed on the surface of resin particulates, have nickel adhered to the surface of the solder layer, with a nickel content to the sum of metal contained in the solder layer and the nickel adhered to the surface of the solder layer of 0.0001 to 5.0 wt.%.例文帳に追加

樹脂微粒子の表面に、銅を含有する金属層、バリア層、錫を含有するハンダ層が順次形成された導電性微粒子であって、前記ハンダ層の表面にニッケルが付着しており、前記ハンダ層に含有される金属と前記ハンダ層の表面に付着しているニッケルとの合計に占めるニッケルの含有量が０．０００１〜５．０重量％である導電性微粒子。 - 特許庁

In a barrier film wherein a composite film 2 containing an inorg. laminar compd. and a water-soluble polymer as main constituents is arranged on at least the single surface of a base material 1 comprising a plastic material, an alkali metal or alkaline earth metal cabonate or hydroxide is added to the composite film 2.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材１の少なくとも片面に、無機層状化合物と水溶性高分子を主たる構成成分とする複合被膜２を配したバリアフィルムにおいて、上記複合被膜２に炭酸塩または水酸化物のアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属化合物を添加することを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁

The article (10) further comprises an environmental barrier layer (16), e.g. an alkaline earth metal aluminosilicate, and a top coat (18) comprising hafnia stabilized with 0.5-10 mole% of an oxide of a metal selected from the group consisting of magnesium, calcium, scandium, yttrium, and lanthanide metals, and mixtures thereof.例文帳に追加

物品（１０）はさらに、環境バリヤー層（１６）（例えば、アルカリ土類金属アルミノケイ酸塩）と、マグネシウム、カルシウム、スカンジウム、イットリウム及びランタニド金属及びこれらの混合物からなる群から選択される金属の酸化物０．５〜１０モル％で安定化したハフニアを含むトップコート（１８）とを含む。 - 特許庁

By configuring the metal deposition film capacitor in this way, when the capacitor is used in a lighting circuit, or the like, of a flash lamp, even in tens of thousands of charging and discharging cycles, a dielectric barrier electric discharge generated between the metal deposition films of the capacitor element formed by wounding a metal deposition film arranged inside the metal deposition film capacitor is suppressed, and thus the electrostatic capacitance can be prevented from attenuating.例文帳に追加

金属蒸着フィルムコンデンサーをこのように構成することによって、フラッシュランプの点灯回路等に使用した際、数万回といった充放電の繰り返しによっても、金属蒸着フィルムコンデンサー内部に配置された金属蒸着フィルムを巻回し形成したコンデンサー素子の金属蒸着フィルム間に生じる誘電体バリア放電を抑制し、静電容量の減衰を防止することができる。 - 特許庁

The multilayer structure comprises an oxygen absorbing layer containing the oxidizing organic component and a transition metal catalyst and an odor barrier layer containing a deodorant or an absorbent positioned at the outside of the oxygen absorbing layer further more the odor barrier layer comprises at least one resin selected from the group consisting of an ethylene-vinyl alcohol copolymer, polyamide resin, polyester resin, cyclic olefine resin, polypropylene and a reground resin.例文帳に追加

本発明は、酸化性有機成分及び遷移金属触媒を含む酸素吸収性層と、酸素吸収性層の外側に位置する脱臭剤又は吸着剤を含有する臭気バリヤー層を有し、且つ該臭気バリヤー層が、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、環状オレフィン系樹脂、ポリプロピレン、リグラインド樹脂よりなる群から選択される樹脂の少なくとも１種を含むことを特徴とする多層構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a laminated packaging material which has an antistatic function and the same transparency as a usual transparent laminated material using EVOH and is not accompanied by a cost increase, but usable enough on a commercial basis, by a constitution using a metal oxide vapor deposition film and which is more excellent in gas barrier properties, particularly in water vapor barrier properties, than a constitution using the EVOH and is transparent.例文帳に追加

金属酸化物蒸着フィルムを用いた構成で、静電防止作用があり、従来のＥＶＯＨを用いた透明積層材料と同様の透明性を有し、しかもコストが高くならず、商業的にも充分使用可能な積層包装材料を提供することを課題とし、またＥＶＯＨを用いた構成よりも、ガスバリア性、特に水蒸気バリア性が優れた透明な積層包装材料を提供することを課題とする。 - 特許庁

To improve a barrier property for ion implantation, to avoid the ion implanting to an unwanted part and to prevent the peeling of a film, even when a heating process is present thereafter in the case of performing the ion injection, after forming high melting point metal silicide.例文帳に追加

高融点金属シリサイドの形成後に、イオン注入した場合に、そのイオン注入に対するバリア性が優れており、不要な部分へのイオン注入を回避できると共に、その後に加熱工程が存在しても膜の剥離を防止できる高融点金属ポリサイド構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In this case, the substrate is heated in a hydrogen-containing atmosphere, after the step of forming the interlayer insulating film and prior to the step of forming the metallic wiring in which the barrier metal layer contains titanium.例文帳に追加

シリコン基板上に、層間絶縁膜を形成する工程と、バリアメタル層にチタンを含む金属配線を形成する工程有する半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜を形成する工程の後で、かつ前記バリアメタル層にチタンを含む金属配線を形成する工程の前に、水素を含む雰囲気での熱処理を行うこととした。 - 特許庁

In the case a material with large relative permittivity is used for the conductor 2, apparent nuclear Coulomb barrier height can be made low and so nuclear reaction between hydrogen nuclei on the surface of the cathode 5 and the nuclear reaction between hydrogen nuclear and metal atom nuclear of cathode 5 can be generated at a high probability.例文帳に追加

伝導体２に比誘電率の大きな材質を用いた場合，見かけ上の原子核クーロン障壁の高さを低くできるため，カソード電極５の表面上で水素原子核同士の核反応，及び水素原子核とカソード電極５の金属原子原子核との核反応を，高い確率で発生させることができる。 - 特許庁

Before the wire bonding is performed on an electrode forming nickel plating on a thin film metal barrier used as the uppermost surface layer on a substrate such as an IC board, acid radical and hydroxyl group forming oxidation product of nickel being a trace quantity on the surface layer of the electrode are reduced and removed.例文帳に追加

ＩＣ基板等のサブストレート上の最表層としてなる薄膜金属のバリアにニッケルめっきを形成して成る電極にワイヤボンディングを行なうに先立ち、前記電極の表層部に微量なるニッケルの酸化生成物を形成する酸基および水酸基を還元して取り除くことを特徴とするワイヤボンディング前処理方法。 - 特許庁

The lower electrode 4 is patterned and the dielectric layer 5 is shaped to project therefrom and an insulation barrier layer 3 of more than one kind of composite metal oxide containing silicon or silicon nitride compound is interposed between the dielectric layer 5 projecting from the lower electrode 4 and the silicon oxide film 2.例文帳に追加

そして、下部電極４がパターニングされて誘電体層５がその下部電極４よりはみ出して形成されており、かつ、下部電極４よりはみ出した部分の誘電体層５と前記シリコン酸化膜２との間にＳｉを含む２種以上の複合金属酸化物またはシリコンチッ化物系化合物からなる絶縁バリア層３が介在されている。 - 特許庁

In a semiconductor hetero junction corresponding to the N channel and the P channel, a difference in height ϕB of a Schottky barrier formed between a source and drain formed of metal or intermetallic compound and a semiconductor layer used for each channel of a semiconductor is used for enabling selectively injecting the carriers into each channel.例文帳に追加

本発明はｎチャネル及びｐチャネルに相当する半導体へテロ接合において、金属もしくは金属間化合物で形成されたソース及びドレインと前記半導体の各チャネルに用いた半導体層との間に形成されるショットキー障壁の高さφ_Bの違いを用いて各チャネルに選択的にキャリア注入をできるようにする。 - 特許庁

A transparent gas barrier packaging material is produced by using at least one compd. selected from silane and disilane as a reactive gas and forming a metal oxide-containing thin film on at least one surface of the polymeric film by a method selected from a plasma CVD method and an ion plating method.例文帳に追加

一方、その製造方法は、反応性ガスとしてシランおよびジシランから選ばれた少なくとも一種を使用し、プラズマＣＶＤ法およびイオンプレーティング法から選ばれた方法により、高分子フィルムの少なくとも一面に前記金属酸化物含有薄膜を形成することを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a method for enhancing the removal rate of a metal barrier layer without affecting on the removal rate of a conductive layer from a semiconductor wafer during a CMP(chemical-mechanical polish) process.例文帳に追加

ＣＭＰプロセス中半導体ウェーハからの金属障壁バリヤ層及び導電層の除去を等化し、ウェーハの表面に亘っての金属及び絶縁体領域から成るフラットな表面を形成するか、又は、前述の２ステップＣＭＰプロセスにて金属障壁バリヤ層の除去レートを高める方法を創出すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor element that can naturally implement a cut-off state of a transistor and increase driving current by selecting the Fermi level of a source region so that the Schottky barrier can be substantially reduced with suppressing the generation of a depletion layer in the neighborhood of the interface with a metal region in a semiconductor region, and a semiconductor element structure having the semiconductor element.例文帳に追加

本発明は、かかる事情に鑑み、トランジスタの遮断状態を自然に実現し、半導体領域に金属領域との界面近傍の空乏層の形成を抑制しつつ、ショットキー障壁を実質的に下げることができるようにソース領域のフェルミ準位を選択することにより、駆動電流を増加させる半導体素子及び該半導体素子を備える半導体素子構造を提供することを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes: a substrate; a lower layer wiring 12 with a graphene nano-ribbon layer 121 that is provided in an upper substrate and composed of a multiple graphene nano-ribbon sheet 122 laminated; and a via 14 and barrier metal 15 that penetrate at least one of multiple graphene nano-ribbon sheets 122 and connect the lower layer wiring 12 with an upper layer wiring 13.例文帳に追加

本発明の一態様に係る半導体装置１００は、基板と、基板の上方に設けられ、積層された複数のグラフェンナノリボンシート１２２からなるグラフェンナノリボン層１２１を含む下層配線１２と、複数のグラフェンナノリボンシート１２２の少なくとも１枚を貫通し、下層配線１２と上層配線１３とを接続するビア１４およびバリアメタル１５と、を有する。 - 特許庁

To provide a polishing medium for CMP capable of suppressing the occurrence of dishing, thinning and polishing flaws in copper or copper alloy wiring, achieving high speed polishing for a barrier layer of tantalum, tantalum alloy, tantalum compound or the like in low concentration of abrasive particles, and forming an embedded pattern of a metal film having high reliability, and a method for polishing a substrate by using the same.例文帳に追加

銅又は銅合金配線におけるディシング、シニング及び研磨キズの発生を抑制し、低砥粒濃度においてタンタル、タンタル合金又はタンタル化合物等のバリア層の高速研磨を実現し、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターンを形成することができるＣＭＰ用研磨剤と、それを用いる基板の研磨方法とを提供する。 - 特許庁

According to one embodiment, the method has steps of: providing a substrate containing a metal-containing barrier layer having the oxidized surface layer; exposing the oxidized surface layer to a flow of a first process gas containing plasma-excited argon gas to activate the oxidized surface layer; and applying substrate bias electric power during the step of exposing the oxidized surface layer to the flow of the first process gas.例文帳に追加

一の実施例によると、当該方法は、酸化表面層を有する金属含有バリア層を含む基板を供する工程、前記酸化表面層を活性化させるために、プラズマ励起されたアルゴン気体を含む第1処理気体流へ前記酸化表面層を曝露する工程、及び、前記の第1処理気体流へ酸化表面層を曝露する工程中に基板バイアス電力を印加する工程を有する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 having the Cu wiring 10, a sectional structure of the Cu wiring 10 has side parts and a lower part in contact with a barrier metal 20, and an upper part in contact with an insulating film 30, and a the upper part of the Cu wiring 10 which comes into contact with the insulating film 30 is smaller in grain size than a center part of the Cu wiring 10.例文帳に追加

Ｃｕ配線１０を備える半導体装置１において、 Ｃｕ配線１０の断面構造は、側部及び下部をバリアメタル２０に接し、上部を絶縁膜３０に接し、絶縁膜３０に接するＣｕ配線１０の上部のグレインサイズが、Ｃｕ配線１０の中央部のグレインサイズより小さ。 - 特許庁

The semiconductor storage device 80 includes memory transistors TR1 and TR2 which are disposed adjacently in the same element formation region and have a pair of source/drain layers 5, and ferroelectric capacitors CAP1 and CAP2 connected through a via and a barrier metal film 13 to the other one of source/drain layers 5 of the memory transistors and one of the source/drain layers 5 of the memory transistor TR2.例文帳に追加

半導体記憶装置８０は、同一素子形成領域に隣接配置される、一対のソース／ドレイン層５を有するメモリトランジスタＴＲ１及びＴＲ２と、メモリトランジスタのソース／ドレイン層５の他方とメモリトランジスタＴＲ２のソース／ドレイン層５の一方に、ビア及びバリアメタル膜１３を介して接続される強誘電体キャパシタＣＡＰ１及びＣＡＰ２とを有する。 - 特許庁

The integrated circuit further has conductive wiring with which the first groove is filled, and the conductive wiring has a surface lower than the upper side surface of the side wall of the diffusion barrier layer, and a metal cap is substantially directly formed only on an area on the conductive wiring.例文帳に追加

前記集積回路は、さらに、前記第１の溝が充たされた導電体配線を有し、前記導電体配線が、前記拡散バリア層の前記側壁部分の上側表面よりも低い表面を有し、かつ、金属キャップを、実質的に前記導電体配線上の領域にのみに直接形成することを特徴とする。 - 特許庁