「Barrier metal」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a via line barrier and an etching stop structure for compensating difference in selectivity or etching rate based on the sizes of respective via holes and via line regions, so that a metal or metallized layer in a semiconductor device is connected in vertical direction.例文帳に追加

半導体装置内の金属又は金属化された層を垂直方向において接続するためにビアホールおよびビアライン領域のそれぞれのサイズに基づいたエッチングレートまたは選択性の違いを埋め合わせるビアラインバリア及びエッチストップ構造を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent electrode for display device that can suppress dispersion in contact resistance small while maintaining low contact resistance even when a barrier metal layer normally provided between an aluminum alloy film and a pixel electrode made of a transparent conductive film is omitted, and has superior light transmission characteristics.例文帳に追加

アルミニウム合金膜と透明導電膜からなる画素電極との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても、低い接触抵抗を維持しつつ、その分散を小さく抑えることができ、しかも、光透過特性にも優れた表示デバイス用透明電極を提供する。 - 特許庁

At the time of electroless plating of copper on a barrier layer 5 formed on the surface of the connection hole 6, a salt of a metal such as gold, nickel, palladium, cobalt and platinum is added as a plating accelerating agent in the quantity of ≤1 mol% to the salt of copper in the electroless plating liquid composition.例文帳に追加

接続孔６の表面に形成されたバリア層５上に銅の無電解めっきを行うに際し、めっき促進剤として金、ニッケル、パラジウム、コバルト及び白金などの金属の塩を、この無電解めっき液組成中の銅の塩に対して１モル％以下の量で添加する。 - 特許庁

The gas barrier laminated film includes a layer (Y) containing a polymer (a) composed of an unsaturated carboxylic acid compound polyvalent metal salt on at least one surface of a base material layer (X), and a solvent-based polyester is coated on the layer (Y).例文帳に追加

基材層（Ｘ）の少なくとも片面に不飽和カルボン酸化合物多価金属塩の重合体（ａ）を含有する層（Ｙ）を有し、当該層（Ｙ）上に、溶剤系ポリエステルが被覆されてなることを特徴とするガスバリア性積層フィルムに関する。 - 特許庁

To polish an extra metal film or an extra barrier film formed on the surface of a substrate while maintaining a polishing rate and its uniformity in the substrate surface, and preventing the occurrence of dishing or erosion even in a semiconductor device having a very fine wiring structure of 65 nm or later generation.例文帳に追加

たとえ６５ｎｍ乃至それ以降のより微細な配線構造を有する半導体デバイスであっても、基板の表面に形成した余剰な金属膜やバリア膜を、研磨速度及びその基板表面内での均一性を維持し、かつディッシングやエロージョンの発生を抑制しつつ研磨できるようにする。 - 特許庁

In an organic EL element in which a positive electrode, a luminous layer, and a negative electrode are formed in this order on a substrate, an electron barrier layer made of a specific alkaline metal-containing pyridine derivative is comprised between the luminous layer and the negative electrode.例文帳に追加

基板上に、陽極、発光層、陰極をこの順で構成してなる有機ＥＬ素子において、発光層と陰極との間に、特定のアルカリ金属含有ピリジン誘導体からなる電子障壁層を構成されてなることを特徴とする有機ＥＬ素子により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

Since a barrier layer 37 is interposed between polycrystalline silicon layers 36a, 36b and a high-melting point metal silicide layer 38, impurities in the polycrystalline silicon layers 36a, 36b can be prevented from diffusing each other in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

多結晶シリコン層３６ａ、３６ｂと高融点金属シリサイド層３８との間に、バリア層３７を設けるようにしたので、製造工程において、多結晶シリコン層３６ａ、３６ｂ内の不純物が相互に拡散するのを防止できる。 - 特許庁

The test sample is left, as it is, in iodine gas; and when a defective part exists in the transparent gas barrier film, having the metal oxide evaporation layer, the defective part is specified, by observing density difference in coloring by the iodine generated by the contact of the iodine with the adhesive agent through the defective part.例文帳に追加

この試験試料を沃素ガス中に放置し、前記金属酸化物蒸着層を有する透明ガスバリアフィルムに欠陥個所が存在するとき、この欠陥個所を通して沃素が粘着剤に接触して生じる沃素による発色の濃度差を観察することで、前記欠陥個所の特定を行う。 - 特許庁

The gas barrier film has at least one inorganic layer and at least one organic layer alternatively formed on a substrate with a glass transition temperature of ≥250°C and the said organic layer is formed by applying a liquid containing a polymer with a hydrogen boding group and a metal alkoxide and then by drying at a temperature of 150-350°C.例文帳に追加

ガラス転移温度が２５０℃以上である基材上に、少なくとも１層の無機層と少なくとも１層の有機層とを交互に有し、前記有機層を、水素結合性基を有するポリマーと金属アルコキシドとを含有する液を塗布した後、１５０〜３５０℃で乾燥することにより形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method where an interlayer insulating resin and the barrier metal of a plated wiring uppermost layer can obtain high adhesiveness, for a method for obtaining the adhesiveness between a fine wiring surface and the interlayer insulating resin especially in the wiring transfer method of a multilayer interconnection board.例文帳に追加

多層配線板の、特に配線転写工法における微細配線表面と層間絶縁樹脂の密着性を得る方法に関する問題に鑑み、層間絶縁樹脂とメッキ配線最上層のバリアメタルとが高い密着性を得ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

The gas barrier polymer laminated film has a specific cured resin layer and a metal oxide layer both being in contact with other and both being arranged on both sides of for example a polyester-based polymer film wherein absorbance coming from specific four bonds of the cured resin layer is in the specific range.例文帳に追加

例えば、ポリエステル系高分子フィルムの両面上に、特定の硬化樹脂層と金属酸化物層とを接して使用しなおかつかかる硬化樹脂層の特定の４つの結合に由来する吸光度が特定の範囲であるガスバリア性高分子積層フィルム。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method, capable of improving the reliability and electrical property of a Cu film accompanied with a barrier metal film and to provide a efficient and easy manufacturing method of the semiconductor device with improved reliability and electrical characteristics.例文帳に追加

バリアメタル膜を伴うＣｕ膜の信頼性や電気的特性などを向上し得るとともに、信頼性や電気的特性などが向上された半導体装置を効率良く、かつ、容易に製造できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

After a wiring trench 7 corresponding to the contact hole 6 is formed in the third interlayer insulation film 11, a second barrier metal film 8 is formed on the third interlayer insulation film 11 to cover the inner surface of the contact hole 6 and the wiring trench 7.例文帳に追加

また、第３の層間絶縁膜１１に接続孔６に対応する配線溝７を形成した後、接続孔６および配線溝７の内面を被覆するようにして、第３の層間絶縁膜１１の上に第２のバリアメタル膜８を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a Cu buried wiring of low contact resistance and which is applied to a logic system LSI requiring high speed operation by forming a Cu diffusion preventing barrier metal of low resistance before a wiring connecting hole and a wiring groove are filled with Cu.例文帳に追加

配線接続用ホールおよび配線溝にＣｕを埋め込む前に低抵抗のＣｕ拡散防止用バリアメタルが形成でき、Ｃｕ埋め込み配線のコンタクト抵抗が低く、高速動作が要求される論理系ＬＳＩに適用し得る半導体装置を提供する。 - 特許庁

In the chemical mechanical polishing method in a manufacturing process of a semiconductor device, the object to be polished with an embedded interconnection formed in the low relative permittivity insulation film via the barrier metal is polished, by using a polishing solution containing colloidal silica, with a part of the surface covered with aluminum atoms.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨方法であって、低比誘電率の絶縁膜にバリアメタル層を介して埋め込み配線を形成してなる被研磨体を、表面の一部がアルミニウム原子で覆われたコロイダルシリカを含有する研磨液を用いて研磨する。 - 特許庁

To provide a composition for polishing that has practical polishing speed, also has high polishing selectivity to copper that is a metal wiring material, tantalum used as a barrier layer, and an insulation film that is an underlayer, suppresses the occurrence of erosion, and is used suitably for a semiconductor CMP process.例文帳に追加

実用的な研磨速度を有しつつ、金属配線材料である銅と、バリヤ層として用いられるタンタルと、下地層である絶縁膜に対して高い研磨選択性を有し、エロージョンの発生を抑制する、半導体ＣＭＰ工程に好適に用いられる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

The method for forming the semiconductor conductive layer comprises steps of forming a first metal film (2) made of copper on a semiconductor substrate (1), then laminating a resist barrier layer (3) chemically stable for an acid, and forming a chemical amplification resist film (4) in a state brought into contact with the layer (3).例文帳に追加

本発明による半導体導電層の形成法は、半導体基板(1)上に銅から成る第１の金属膜(2)を形成後、酸に対し化学的に安定なレジストバリア層(3)を積層し、レジストバリア層(3)に接触する状態で化学増幅型レジスト膜(4)を形成する。 - 特許庁

The Al-Cu film 12 of a lower layer side wiring layer and the TiN film 13 of a barrier metal are formed on a silicon substrate 11 and the d-TEOS film 15 of an interlayer insulating film is formed thereon as an interlayer wiring layer 14 to bury W plugs 16a, 16b and flatten them.例文帳に追加

シリコン基板１１上に下層側配線層のＡｌ−Ｃｕ膜１２、バリアメタルのＴｉＮ膜１３を形成し、この上に層間配線層１４として層間絶縁膜のｄ−ＴＥＯＳ膜１５を形成してＷプラグ１６ａ，１６ｂを埋め込み平坦化する。 - 特許庁

To provide a film having superior gas barrier properties when imparting the vapor-deposited layer comprising a heat resistance property, heat sealability, silence, the metal or the inorganic oxide by a film combined with the acrylic resin and the polylactic acid resin, and extending in the biaxial direction.例文帳に追加

アクリル系樹脂とポリ乳酸系樹脂とを配合して、二軸方向に延伸したフィルムによって、耐熱性、ヒートシール性、静音性、及び金属または、無機酸化物からなる蒸着層を付与した際のガスバリア性に優れたフィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and manufacturing method thereof, comprising first and 2p contact holes in which the phenomenon of a connecting wiring material in the first contact holes pierce a barrier metal layer diffusing to into impurity diffused regions is suppressed.例文帳に追加

第１のコンタクト孔内の接続配線材料がバリアメタル層を突き抜けて不純物拡散領域の内部に拡散する現象が抑制された第１及び第２のコンタクト孔を具備する半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A TEOS(tetraethylorthosilicate) oxide film 2 is formed on an Si wafer 1, a Ti film 3 and a TiN film 4 of barrier metal are formed thereon, and then an Al/Cu alloy layer 5 is deposited thereon, e.g. by magnetron sputtering method.例文帳に追加

Ｓｉウェハ１上にＴＥＯＳ酸化膜２が形成された後、その上にＴｉ膜３およびＴｉＮ膜４からなるバリアメタルが形成され、さらにその上にたとえばマグネトロンスパッタ法によってＡｌ・Ｃｕ合金膜５が堆積される。 - 特許庁

In a detection element 1, protective films 30a, 30b and 31a: insulating films 31b and 30c; a heating resistor 3; a temperature sensing resistor 4; a contact part 33; a drawn wiring part 34; a contact barrier metal film 36; and a strength reinforcing protective film 37 are formed in a flat substrate 32.例文帳に追加

検出素子１は平板基板３２に保護膜３０ａ、３０ｂ、３１ａ、絶縁膜３１ｂ、３０ｃ、発熱抵抗体３、温度検出抵抗体４、コンタクト部３３、引き出し配線部３４、コンタクトバリアメタル膜３６、強度補強保護膜３７を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a semiconductor substrate 1; an insulating layer 19 on the semiconductor substrate 1; a plurality of contact plugs 16 and 66 in the insulating layer 19; an insulating layer 30; and a capacitor 82, a plurality of contact plugs 25 and 75, barrier metal layers 27 and 87, and copper interconnect lines 29 and 88 provided in the insulating layer 30.例文帳に追加

半導体基板１と、半導体基板１上の絶縁層１９と、絶縁層１９内の複数のコンタクトプラグ１６，６６と、絶縁層３０と、絶縁層３０内に設けられた、キャパシタ８２、複数のコンタクトプラグ２５，７５、バリアメタル層２７，８７及び銅配線２９，８８とを備えている。 - 特許庁

A part (part causing shorting), exposed by removing the surface of DD wiring 7 in a TiN film (barrier metal film) 6, is oxidized in an oxygen atmosphere of a low temperature not higher than 300°C, and is selectively changed into a TiO2 film 8 (insulating film).例文帳に追加

ＴｉＮ膜（バリアメタル膜）６のうち、ＤＤ配線７の表面を除去することで露出した部分（ショートの原因となる部分）を、３００℃以下の低温の酸素性雰囲気で酸化処理してＴｉＯ_2 膜８（絶縁膜）に選択的に変える。 - 特許庁

In this manufacturing method, after a wiring groove 3 is formed in an interlayer insulation film 2 on a semiconductor substrate 1, a Cu layer 5 and a Cu alloy layer 7 are laminated by a sputtering method via a barrier metal layer 4, thereby burying into a Cu groove by a plating film forming methods.例文帳に追加

半導体基板上の層間絶縁膜に配線用の溝を形成した後、バリアメタル層を介してスパッタ法によりＣｕ層と、次いでＣｕ合金層を積層して、めっき成膜法によってＣｕの溝への埋め込みを行う。 - 特許庁

To provide a film having high gas barrier properties by easily and stably forming a vapor-deposited thin film layer of a gradient metal oxide composition from a front surface of the film toward the outside of a thickness of the thin film at the time of forming the thin film layer on the front surface of a base film.例文帳に追加

基材フイルムの表面に蒸着薄膜層を形成させる時に、フイルム表面から蒸着薄膜の膜厚の外側に向けて傾斜型の金属酸化物組成の蒸着薄膜層を、容易に、かつ、安定して形成させることにより、高いガスバリア性を有するフイルムを提供するものである。 - 特許庁

A barrier film 9 composed of a silicon nitride film is not formed on the upper surface and the side wall of a metal semiconductor alloy layer 8 composed of a cobalt silicide film, and formed along the side wall surface of a polycrystal silicon film of a control gate electrode 6, an integrate insulating film 5 and a floating gate electrode 4.例文帳に追加

シリコン窒化膜からなるバリア膜９はコバルトシリサイド膜からなる金属半導体合金層８の上面および側壁には形成されておらず浮遊ゲート電極４およびゲート間絶縁膜５並びに制御ゲート電極６の多結晶シリコン膜の側壁面に沿って形成されている。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for cleaning the contact holes of a semiconductor substrate, polymer residues inside the via holes after ashing, and an oxide layer on a barrier metal surface, without the use of a halogen gas, which is chemically active or a plasma generating apparatus which is expensive and gives plasma damage to an element.例文帳に追加

半導体基板のコンタクトホール、ビアホール内部のアッシング後のポリマーかすやバリアーメタル表面の酸化層を、化学的に活性なハロゲン系のガスや高価で素子にプラズマダメージを与えるプラズマ発生装置を使わずにクリーニングする方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To produce an electroless plating bath capable of depositing a film to form into a barrier metal layer uniformly and also at a film deposition rate higher than the conventional case even in wiring and connecting holes fined or whose aspect ratio is made high and to provide a method for depositing an electrically conductive film using the same.例文帳に追加

微細化や高アスペクト比化した配線や接続孔においても均一に、かつ従来よりも速い成膜レートでバリアメタル層となる膜を成膜できる無電解メッキ浴およびそれを用いた導電層の形成方法を提供する。 - 特許庁

A copper oxide film 5, including an ammonia complex on the surface, is formed by exposing the surface of a copper wire 3 to a mixed liquid of an ammonia liquid adjusted at pH=8 to 10 and a hydrogen peroxide liquid, which is embedded in a wiring of an insulating film 1 and is enclosed by a barrier metal layer 2.例文帳に追加

ｐＨ＝８〜１０に調整したアンモニア水と過酸化水素水の混合液に絶縁膜１の配線溝に埋め込まれバリアメタル層２に囲まれた銅配線３の表面を曝すことにより表面にアンモニア錯体を含む銅酸化膜５を形成する。 - 特許庁

To provide a polishing method of a semiconductor device, capable of continuously polishing a substrate containing an insulating film, a conductor film, and a barrier metal film with the same polishing solution, resulting in proper planarity of a surface to be polished after polishing, and is capable of reducing generation of scratches.例文帳に追加

絶縁膜、導体膜及びバリア金属膜を有する基板を、同一の研磨液で連続的に研磨することが可能であり、研磨後の被研磨面の平坦性が良好で、且つ、スクラッチの発生を低減できる半導体デバイスの研磨方法を提供することにある。 - 特許庁

In this case, the Schottky barrier diode comprising the junction of a diffusion layer used in the formation of the circuit element to a metal wiring layer is used in the latch-up-operation preventing circuit of the parasitic thyristor so that with a smaller area, higher protective effect for the circuit than that of the conventional cases can be obtained.例文帳に追加

そして、回路素子の形成に用いられる拡散層と金属配線層の接合からなるショットキーバリアダイオードを寄生サイリスタラッチアップ動作防止用回路に用い、従来のものよりもより小面積で、より高い保護効果を得ることができるようにしてている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method and a manufacturing apparatus of a new semiconductor device without using any plasma as a means for eliminating a high-resistance layer at the bottom of a via before film-forming a barrier metal on a low-permittivity insulating film having a void for solving the above problems.例文帳に追加

本発明は上記問題を解決するためになされたもので、空孔を有する低誘電率絶縁膜上にバリアメタルを成膜する前におけるビア底の高抵抗層の除去手段として、プラズマを用いない新規な半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することにある。 - 特許庁

The vacuum heat insulation material 1 has a low heat conductive laminated material 30 made of resin such as PET provided for an end part (a sealing part) 1b for a vacuum heat insulation material 1 of a conventional structure wherein a heat insulative core material 10 is covered by a metal laminated material 20 having gas barrier properties and its inner part is decompressed and vacuum-sealed.例文帳に追加

断熱性のある芯材１０をガスバリア性を有する金属ラミネート材２０で覆って内部を減圧して真空封入してなる従来構造の真空断熱材１の端部（シール部）１ｂにＰＥＴ等の樹脂よりなる低熱伝導ラミネート材３０を設けている。 - 特許庁

After a lower wire 6 including a lower barrier metal film 4a and a lower metallic film 5a embedded is formed in the low dielectric constant film 2 on a silicon substrate 1, the damaged layer 7 of a predetermined thickness is formed on the surface of the film 2 by plasma processing.例文帳に追加

シリコン基板１上の低誘電率膜２に下層バリアメタル膜４ａおよび下層金属膜５ａを埋め込んだ下層配線６を形成した後、プラズマ処理により低誘電率膜２の表面に所定厚さのダメージ層７を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device includes an insulating film formed on a cap insulating film 1d, a wiring groove formed in the insulating film, a via hole formed in a bottom surface of the wiring groove, and a barrier metal film covering at least a sidewall of the via hole.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、キャップ絶縁膜１ｄ上に形成された絶縁膜と、絶縁膜に形成された配線溝と、配線溝の底面に形成されたビア孔と、少なくともビア孔の側壁を覆うバリアメタル膜と、を有する。 - 特許庁

This copper diffusion-preventing barrier film includes one or more constituents of metal elements selected from between tantalum or titanium, one or more constituents of metal elements selected from among platinum, gold, silver, palladium, ruthenium, rhodium and iridium, and nitrogen included in the form of a nitride with tantalum or titanium.例文帳に追加

タンタル又はチタンから選択した１成分以上の金属元素、無電解めっきに対する触媒能を持つ白金、金、銀、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選択した１成分以上の金属元素及び前記タンタル又はチタンとの窒化物の形態で含有する窒素からなる銅拡散防止用バリア膜。 - 特許庁

The gas barrier coating composition comprises in a specific ratio an ethylene-vinyl alcohol copolymer obtained by saponifying an ethylene-vinyl acetate copolymer, a transition metal-containing inorganic layered compound, and at least one metal compound selected from oxides, hydroxides and carbonates of alkaline earth metals, and oxides, hydroxides and carbonates of amphoteric metals.例文帳に追加

エチレン−酢酸ビニル系共重合体をケン化して得られるエチレン−ビニルアルコール系共重合体、遷移金属含有無機層状化合物、およびアルカリ土類金属の酸化物、水酸化物、および炭酸塩、両性金属の酸化物、水酸化物および炭酸塩から選ばれる少なくとも1種の金属化合物を特定比率で含有するガスバリヤ性コーティング組成物。 - 特許庁

By using a magnesium metal as a base metal and mixing and dissolving calcium ions, provitamins, etc. into aqueous solution drops to be supplied to a humidifier, a metallic ion and vitamins necessary for recovering and promoting the barrier function of the skin horny layer can be penetrated and supplied directly to the deep corium layer from a skin outside.例文帳に追加

卑な金属の陰電極としてマグネシウム金属を用い、加湿器に加える水溶液液滴にカルシウム・イオンやプロビタミン等を混入溶解することで、皮膚角質層のバリア機能を回復促進するに必要な金属イオンやビタミン類を、皮膚外部から直接皮膚の深部真皮部分まで浸透供給することができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the gas barrier film comprises applying a solution of a polyvalent metal salt of unsaturated carboxylate compound of a polymerization degree of less than 20 to a base layer, preliminarily polymerizing the polyvalent metal unsaturated carboxylate compound, and polymerizing the same, preferably polymerizing the same after partly drying the applied liquid.例文帳に追加

基材層に重合度が２０未満の不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩溶液を塗工した後、不飽和カルボン酸化合物の多価金属塩を溶媒の存在下で予備重合し、次いで本重合、好ましくは塗工液を一部乾燥後、本重合することを特徴とするガスバリア性膜の製造方法に関する。 - 特許庁

In the transparent gas barrier film, at least a metal oxide thin film layer and a top coat layer are formed on one surface of a plastic film in order, the metal oxide thin film layer is an aluminum oxide thin film layer, and the top coat layer includes at least a polyurethane-based resin and polyvinyl alcohol.例文帳に追加

本発明の透明ガスバリアフイルムはプラスチックフイルムの片面に、少なくとも金属酸化物薄膜層、トップコート層が順次形成されている透明ガスバリアフイルムにおいて、金属酸化物薄膜層を酸化アルミニウム薄膜層とし、トップコート層が少なくともポリウレタン系樹脂、及びポリビニルアルコールを含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor substrate, capable of preventing a dry etching rate of a source electrode and a drain electrode from deteriorating, preventing etching residues from occurring, and eliminating a barrier metal between a semiconductor layer and wiring metal, such as the source electrode or the drain electrode, and to provide a display device.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極のドライエッチングレートの低下や、エッチング残さを引き起こすことがなく、半導体層と、ソース電極やドレイン電極といった配線金属の間からバリアメタルを省略することができる薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する課題とする。 - 特許庁

The semiconductor device is configured, such that a metal wiring formed in a predetermined wiring pattern on an insulating film 20, formed on a circuit layer 10 on which a semiconductor circuit is formed, includes a plurality of divided wiring 34A-34D divided to a predetermined length having back-flow effects, and barrier metals 36 are formed between divided metal wiring, respectively.例文帳に追加

半導体素子は、半導体回路が形成された回路層１０上に形成された絶縁膜２０上に予め定めた配線パターンで形成された金属配線が、バックフロー効果を有する予め定めた長さに分割された複数の分割配線３４Ａ〜３４Ｄから成り、かつ、各分割金属配線間にバリアメタル３６が形成された構成となっている。 - 特許庁

To provide a gas-barrier polyimide film which has high dimensional stability, hardly allows oxygen and water vapor to pass therethrough, therefore, hardly causes the deterioration of peel strength between the polyimide film and a metal layer and is suitable for a fine pitch circuit substrate in which the high dimensional accuracy is required, and to provide a metal layered product using the polyimide film.例文帳に追加

高寸法安定性で酸素や水蒸気を通過させにくく、そのため高温下においてもポリイミドフィルムと金属層との剥離強度の低下が小さく、高寸法精度を要求されるファインピッチ回路用基板に好適なガスバリアー性ポリイミドフィルムおよびこのポリイミドフィルムを用いた金属積層体を提供する。 - 特許庁

A capacitor element is formed by laminating a first electrode with at least the upper surface comprising a first metal nitride, a capacitance insulating film comprising a zirconium oxide film, a first barrier film comprising a zinc oxide film doped with one of boron, aluminum and gallium as an impurity, and a second electrode with at least the lower surface comprising a second metal nitride in this order.例文帳に追加

本発明のキャパシタ素子は、少なくとも上面が第一の窒化金属からなる第一電極と、酸化ジルコニウム膜からなる容量絶縁膜と、ボロン、アルミニウム、ガリウムのいずれかが不純物としてドープされた酸化亜鉛膜からなる第一のバリア膜と、少なくとも下面が第二の窒化金属からなる第二電極と、がこの順で積層されてなることを特徴とする。 - 特許庁