「Barrier metal」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polishing composition that reduces the possibility of scratch or corrosion on the top surface of a wiring metal and residual wiring metal on an inter-layer insulating film and a barrier film, and that ensures sufficient polishing speed and protects dishing or erosion to achieve high flatness.例文帳に追加

配線金属の表面における傷や腐食が生じにくく、層間絶縁膜及びバリヤ膜上の配線金属残りが生じにくく、しかも、充分な研磨速度を確保でき、ディッシングやエロージョンを防止して高い平坦性が得られる研磨組成物を提供する。 - 特許庁

The barrier layers 131, 133 containing the material having the melting point higher than the glass transition temperature of the insulation substrate 101 is formed to cover the metal layers 111, 131, thereby preventing the diffusion in a high-temperature process and preventing deterioration of the metal wiring.例文帳に追加

絶縁基板１０１のガラス転移点より高い融点を有する物質を含む障壁膜１３１、１３３を金属膜１１１、１３１を覆うように形成することで、高温プロセスでの拡散を防止し、金属配線の劣化を防止する。 - 特許庁

A multi-metal layer is formed over the second barrier layer for coupling to a solder ball, wherein the multi-metal layer has an extending part that extends outside a second opening covering an upper part of a second dielectric layer to prevent tin infiltration from the solder ball to the redistribution layer.例文帳に追加

多重金属層が、半田ボールとの結合のために第２の障壁層の上に形成され、多重金属層は、半田ボールから再分配層への錫浸潤を防止するために第２の誘電体層の上部を覆って第２の開口部の外側に延びる延長部を有する。 - 特許庁

A lower end part of the plug 112 is connected to a side face exposed to the contact hole 111 in the metal film 106, a side face exposed to the contact hole 111 in the barrier metal layer 105, and an upper face of the polysilicon film 104.例文帳に追加

プラグ１１２の下端部は、金属膜１０６におけるコンタクトホール１１１に露出する側面、バリアメタル層１０５におけるコンタクトホール１１１に露出する側面及びポリシリコン膜１０４の上面とそれぞれ接続している。 - 特許庁

The metal member of a flat shape used for the image display device is a rear-face plate or a rear-face plate with barrier ribs partitioning luminous spaces equivalent to pixels, and is a metal member for the image display device having unevenness on a rear face of the face corresponding to the pixels.例文帳に追加

画像表示装置に用いられる平板状金属部材であって、該金属部材は背面板、もしくは、画素に相当する発光空間を仕切る隔壁を有する背面板であり、画素に相当する面の裏面に凹凸を有する画像表示装置用金属部材である。 - 特許庁

Further, the barrier film 74 prevents Ge from diffusing to the surface of the cap silicon film 75, and aggregating of the metal silicide layer 12 formed on the surface of the cap silicon film 75 is prevented, thereby forming a uniform and low-resistance metal silicide layer.例文帳に追加

また、バリア膜７４によってＧｅがキャップシリコン膜７５の表面にまで拡散することが防止でき、キャップシリコン膜７５の表面に形成する金属シリサイド層１２の凝集を防止し、均一でかつ低抵抗な金属シリサイド層が形成可能となる。 - 特許庁

The strong adhesive gas-barrier laminate film has a vapor-deposited layer 2 of a film thickness of 5-100 nm made of a metal or a metal oxide, on at least one side of a plastic substrate 1 composed of a polymer resin composition having good tear resistance.例文帳に追加

引裂性を有する高分子樹脂組成物からなるプラスチック基材上の少なくとも一方の面に、膜厚５〜１００ｎｍの金属、又は金属酸化物の蒸着層を設けることを特徴とする強密着ガスバリア性積層フィルムを提供する。 - 特許庁

A titanium film 101 is formed in a contact hole 22 exposing a desired part of a semiconductor substrate 1 and after a titanium silicide film 102 is formed in that region by heat treatment, a TiN film (barrier metal film) 104 is formed and the contact hole is filled with a high melting point metal 105.例文帳に追加

半導体基板１の所望の領域を露出させた接続孔２２内にチタン膜１０１を形成し、この領域に熱処理によりチタンシリサイド膜１０２を形成した後に、ＴｉＮ膜（バリアメタル膜）１０４を形成し、高融点金属１０５を接続孔内に充填する。 - 特許庁

Then, when an insulation failure which may conduct the positive electrode wiring 1 and the metal film (negative electrode wiring 2 in Fig.1 (B)) occurs at a plurality of places in the region P, the plurality of positive electrode wiring 1 are not conducted through the metal film owing to existence of the barrier rib 71.例文帳に追加

すると、領域Ｐにおいて、陽極配線１と金属膜（図１（Ｂ）における陰極配線２）とを導通させるような絶縁不良が複数箇所で生じた場合、隔壁７１の存在によって、複数の陽極配線１は、金属膜を介して導通することはない。 - 特許庁

As a result, direct mixing of the first gas containing silicon compound, and the second gas containing a metal in the silicificated nitrided metal in gas phase can be prevented whereby the generation of particles can be prevented, and the barrier film 7 consisting of TaSiN with good coverage can be formed.例文帳に追加

その結果、シリコン化合物を含む第１のガスとケイ化窒化金属膜中の金属を含む第２のガスとが気相中で直接混合されるのを防ぐことが出来るため、パーティクルの発生を防ぎ、カバレッジのＴａＳｉＮからなるバリア膜７を形成することが出来る。 - 特許庁

The oxide semiconductor super-lattice comprises an oxide barrier layer (LiGaO_2 barrier layer 12 for example) containing a zinc oxide base semiconductor well layer (ZnO well layer 11, for example) and an LA base alkaline metal while at least either phosphorus or boron is added into the zinc oxide base semiconductor well layer.例文帳に追加

本発明にかかる酸化物半導体超格子は、酸化亜鉛系半導体井戸層（たとえばＺｎＯ井戸層１１）とＩＡ族アルカリ金属を含有する酸化物障壁層（たとえばＬｉＧａＯ_２障壁層１２）を含むものであり、該酸化亜鉛系半導体井戸層中にリン、ホウ素の少なくともいずれかが添加されていることを特徴とする。 - 特許庁

In the laminate having a barrier layer comprising an inorganic oxide and a metal vapor deposition layer on one side, on the opposite side to the barrier layer of a base material comprising one material of a polyester, a polyamide, or a polyolefin, an adhesive layer and a sealant layer are formed in turn, and the adhesive layer comprises a polyurethane containing a urea bond.例文帳に追加

片側に無機酸化物や金属蒸着層からなるバリア層を有するポリエステル、ポリアミドまたはポリオレフィンのいずれか１つの材料からなる基材のバリア層と反対の側に、接着剤層、シーラント層がこの順序で設けられていて、接着剤層が尿素結合を含むポリウレタンで構成されている特徴とする積層体。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes: an insulating film 11; a barrier layer 16 formed on the insulating film 11; an aluminum wiring 12 arranged on the barrier layer 16; a cap metal 18 or preservative treatment part 21 that is provided on an upper part of the aluminum wiring 12; and sidewalls 17 provided on lateral parts of the aluminum wiring 12.例文帳に追加

本発明による半導体装置１は、絶縁膜１１と、絶縁膜１１上に形成されるバリア層１６と、バリア層１６上に配されるアルミ配線１２と、アルミ配線１２の上部に設けられるキャップメタル１８又は防腐処理部２１と、アルミ配線１２の側部に設けられるサイドウォール１７と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the deposition film, on a thin film resin layer, at least two kinds of metal oxide different in deposition film characteristics, preferably alumina indicating deposition film characteristics of high barrier properties and silica indicating deposition film characteristic of so-called barrier properties enduring stretching are deposited multi-dimensionally, and the deposition film characteristics are developed synergistically.例文帳に追加

樹脂薄膜層に、２種以上のそれぞれ蒸着膜特性の異なる金属酸化物、好ましくは高バリア性の蒸着膜特性を示すアルミナと、伸びに耐えるバリア性と言う蒸着膜特性を示すシリカとを多元蒸着し、各金属酸化物の蒸着膜特性を相乗的に発現させた蒸着膜。 - 特許庁

Thereby, a Schottky barrier diode composing the SBD thermistor for detecting a change of a current flowing into the Schottky barrier diode configured by bringing a metal into contact with a semiconductor as a temperature change is driven by voltage in a range of ±0.1 V to be voltage in a voltage area of a non-saturation characteristic area.例文帳に追加

そのため、半導体に金属を接触させたショットキーバリアダイオードに流れる電流の変化を温度の変化として検出するショットキーバリアダイオード・サーミスタを構成するショットキーバリアダイオードを、非飽和特性領域の電圧領域の電圧である、±０.１Ｖの範囲内の電圧で駆動する。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor device using the ferroelectric film includes: the conductive barrier film 17 formed on a semiconductor substrate 10 and composed of a conductive metal oxide film; and a capacitative element 22 which is obtained by sequentially forming a lower electrode 18, a capacitive insulating film 20 having a bismuth layer perovskite-type structure, and an upper electrode 21, arranged in this order on the conductive barrier film 17.例文帳に追加

強誘電体膜を用いた不揮発性の半導体装置は、半導体基板１０上に形成され、導電性金属酸化膜からなる導電性バリア膜１７と、導電性バリア膜１７の上に、下部電極１８、ビスマス層状ペロブスカイト型構造を有する容量絶縁膜２０及び上部電極２１が順に形成されてなる容量素子２２とを備える。 - 特許庁

The laminated structure for metal wiring includes a substrate, the barrier layer formed directly or indirectly on the substrate for preventing copper from being diffused over the substrate, and the copper layer mainly composed of copper as a base layer of a copper layer for wiring, and the barrier layer contains at least either TaSiN or WSiN.例文帳に追加

金属配線のための積層構造は、基板と、該基板上に直接又は間接的に形成された、前記基板への銅の拡散を防止するためのバリア層と、該バリア層上に形成された、配線用銅層の下地層としての銅層であって銅を主成分とする銅層とを含み、前記バリア層はＴａＳｉＮ及びＷＳｉＮの少なくとも一方を含む。 - 特許庁

The method for filling a structure includes the steps of: depositing a barrier layer 52 on one or more surfaces of the substrate; depositing a seed layer 58 on the barrier layer 52; removing a portion of the seed layer 58; and electrochemically depositing a metal to fill a structure.例文帳に追加

基体上の構造を充填する方法は、基体上の１つ以上の表面上にバリヤー層５２を堆積させるステップと、このバリヤー層５２上にシード層５８を堆積させるステップと、このシード層５８の少なくとも一部を除去するステップと、金属を電気化学的に堆積させて構造を充填するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a rust-proofing film which has a flexible and durable barrier layer, is furthermore easy to be laminated, excellent in workability and economic efficiency and free from the generation of a delamination defect where the barrier layer can prevent a vapor phase corrosion inhibitor that functions as rust-proofing from discharging out of package and exterior water vapor and oxygen from permeating when a metal part etc. is packed.例文帳に追加

金属部品などを包装した時に、発錆防止機能を発現させる気化性防錆剤の包装外への放出と外部からの水蒸気及び酸素の浸入を抑制できる柔軟で耐久性のあるバリア層を備え、かつ、積層が容易で加工性・経済性に優れ、デラミネーション不良の発生しない防錆フィルムを提供する。 - 特許庁

A vessel of gas barrier property is manufactured by applying a gas barrier property resin layer (2) formed of a mixed composition consisting of a poly-carboxylic polymer (A), a multivalent metal compound (B), a volatile base (C) and water as a solvent, and a water-resistant resin layer (3) as necessary to a surface of a base material (1) in this order.例文帳に追加

基材（Ｉ）の表面に、ポリカルボン酸系重合体（Ａ）、多価金属化合物（Ｂ）、揮発性塩基（Ｃ）、及び溶媒として水からなる混合組成物から形成されたガスバリア性樹脂層（ＩＩ）、必要に応じて耐水性を有する樹脂層（ＩＩＩ）を、この順序で塗工することを特徴とするガスバリア性を有する容器の製造方法。 - 特許庁

The thermal head comprises a plurality of heating resistors generating heat upon conduction, an insulating barrier layer covering each heating resistor entirely, and an electrode layer conducting to the opposite ends of each heating resistor in the longitudinal direction thereof wherein a metal film for transmitting heat generated from the heating resistor is provided on the insulating barrier layer without touching the electrode layer.例文帳に追加

通電により発熱する複数の発熱抵抗体と、各発熱抵抗体を全面的に覆う絶縁バリア層と、各発熱抵抗体の抵抗長方向の両端部に導通する電極層とを備えたサーマルヘッドにおいて、絶縁バリア層の上に、発熱抵抗体が発生した熱を一様に伝える伝熱金属膜を電極層とは非接触で設ける。 - 特許庁

The method of forming the laminated structure for metal wiring includes a barrier layer formation step for forming the barrier layer containing at least either TaSiN or WSiN for preventing copper from being diffused over the substrate directly or indirectly on the substrate, and a copper layer formation step for forming the copper layer mainly composed of copper as the base layer of the copper layer for wiring.例文帳に追加

金属配線のための積層構造の形成方法は、基板上に直接又は間接的に、該基板への銅の拡散を防止するためのＴａＳｉＮ及びＷＳｉＮの少なくとも一方を含むバリア層を形成するバリア層形成ステップと、前記バリア層上に、配線用銅層の下地層としての銅層であって銅を主成分とする銅層を形成する銅層形成ステップとを含む。 - 特許庁

The magnetic random access memory for making the inverted magnetic field drop includes a first antiferromagnetic layer, a fixed layer formed on the first antiferromagnetic layer, a tunnel barrier layer formed on the fixed layer, a ferromagnetic free layer formed on the tunnel barrier layer, and a metal multilayer formed on the ferromagnetic free layer.例文帳に追加

本発明に係る、反転磁場を降下させる磁気抵抗メモリは、第一反強磁性層と、第一反強磁性層上に形成される固定層と、固定層上に形成されるトンネルバリア層と、トンネルバリア層上に形成される強磁性自由層及び、強磁性自由層上に形成される多層構造金属層とを含む。 - 特許庁

To provide a barrier rib forming material for a plasma display panel which can be fired at a temperature equal to that of the conventional barrier rib forming material even without incorporating PbO therein, further suppresses the reduction in the peelability of a dry film resist film to realize its formation by a sand blast process even if alkali metal oxide is incorporated therein, and to provide a glass composition.例文帳に追加

ＰｂＯを含有しなくても、従来の隔壁形成材料と同等の温度で焼成でき、しかも、アルカリ金属酸化物を含有しても、ドライフィルムレジスト膜の剥離性の低下を抑え、サンドブラスト法で形成可能なプラズマディスプレイパネル用隔壁形成材料及びガラス組成物を提供することである。 - 特許庁

This method for producing the gas barrier laminate is characterized by coating and forming a gas barrier coat layer prepared by coating at least one surface of a plastic substrate with an aqueous solution or a water/ alcohol mixed solution containing a water-soluble polymer and at least one of (a) one or more kinds of metal alkoxides and hydrolyzates thereof or (b) tin chloride by the gravure printing method.例文帳に追加

プラスチック基材の少なくとも片面に、水溶性高分子と、（ａ）１種以上の金属アルコキシド及びその加水分解物又は、（ｂ）塩化錫の少なくとも一方を含む水溶液或いは水／アルコール混合溶液をコーティングしてなるガスバリア性被膜層を、グラビア印刷法により塗布形成することを特徴とするガスバリア性積層体の製造方法。 - 特許庁

At least a gas barrier coating film layer 2 is laminated on one face or both faces of a base material 1 comprising a plastic material and the coating film layer 2 is a gas barrier coating film layer in which at least one kind of metal alkoxides or a hydrolyzate thereof, a hydroxyl group- containing water-soluble polymer and a poly(meth)acrylic acid are mixed.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材１の片面もしくは両面に、少なくともガスバリア性被膜層２が積層され、該被膜層２は１種類以上の金属アルコキシドあるいはその加水分解物と水酸基を有する水溶性高分子、ポリ（メタ）アクリル酸を混合したガスバリア性被膜層である。 - 特許庁

A barrier laminated film is obtained by successively laminating a gas barrier film layer 3, which is based on an alkali metal polysilicate represented by M2O.nSiO2 (wherein M is lithium or a plurality of alkali metals including lithium and n is a molar ratio of 2-10), and an overcoat layer 4 on the single surface or both surfaces of a base material comprising a plastic material.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材１の片面もしくは両面に、Ｍ_2 Ｏ・ｎＳｉＯ_2 （Ｍはリチウムまたはリチウムを含む複数のアルカリ金属、ｎはモル比で２〜１０の範囲内）で表されるアルカリ金属ポリシリケートを主成分とするガスバリア性被膜層３、オーバーコート層４を順次積層したバリア性積層フィルム。 - 特許庁

The solar cell module backsheet laminate is characterized in that an anchor coat later, a vapor deposition thin film layer of inorganic oxide and a gas barrier coating layer are sequentially laminated on one side or both sides of a fluororesin base layer, and the gas barrier coating layer is constituted of a water-soluble polymer and at least one kinds of metal alkoxide and/or hydrolyzate thereof.例文帳に追加

フッ素系樹脂基材層の片面もしくは両面にアンカーコート層、無機酸化物の蒸着薄膜層、ガスバリア性被膜層が順次積層された積層体において、ガスバリア性被膜層が、水溶性高分子と一種以上の金属アルコキシド及び／またはその加水分解物からなることを特徴とする、太陽電池モジュールバックシート用積層体 - 特許庁

The plated product having the penetration silicon via is made by forming an alloy thin film of tungsten and a metal (A) having barrier property to copper when alloyed with tungsten on a based material as a barrier layer, the copper seed layer thereon by electroless substitution copper plating and the copper wiring layer by electrolytic copper plating using a plating solution as same as that in the electroless substitution copper plating in this order.例文帳に追加

基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属（Ａ）との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。 - 特許庁

A barrier layer is formed on the surface of a metal on which a transparent anodic oxidation coating film is to be formed by anodically oxidizing an a weak acidic or a weak alkaline electrolytic solution, a thin film of a light reflecting layer having 0.5-100 nm film thickness is formed on the barrier layer and if necessary, a transparent or translucent protective coating film layer is formed thereon.例文帳に追加

透明な陽極酸化皮膜を形成し得る金属表面に、弱酸性又は弱アルカリ性の電解液中で陽極酸化処理を施してバリヤー層を形成し、該バリヤー層上に膜厚０．５〜１００ｎｍの光反射性層の薄膜を形成し、必要に応じてさらに透明もしくは半透明の保護皮膜層を形成する。 - 特許庁

A magnetoresistive element 10 includes: a first electrode layer 12; a fixed layer 14 provided on the first electrode layer 12 and having a fixed magnetization direction; a tunnel barrier layer 15 provided on the fixed layer 14 and made of a metal oxide; a free layer 16 provided on the tunnel barrier layer 15 and having a variable magnetization direction; and a second electrode layer 17 provided on the free layer 16.例文帳に追加

磁気抵抗素子１０は、第１の電極層１２と、第１の電極層１２上に設けられ、かつ磁化方向が固定された固定層１４と、固定層１４上に設けられ、かつ金属酸化物からなるトンネルバリア層１５と、トンネルバリア層１５上に設けられ、かつ磁化方向が変化可能である自由層１６と、自由層１６上に設けられた第２の電極層１７とを含む。 - 特許庁

A gas barrier film is obtained by laminating a gas barrier film based on alkali metal polysilicate represented by M2O.nSiO2 (wherein M is lithium or a plurality of alkali metals containing lithium and n is a molar ratio of 1-20) and a water soluble polymer or/and a nitrogen compd. on the single surface or both surfaces of a base material comprising a plastic material.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材の片面もしくは両面に、Ｍ_２Ｏ・ｎＳｉＯ_２（Ｍはリチウムまたはリチウムを含む複数のアルカリ金属、ｎはモル比で１〜２０の範囲内）で表されるアルカリ金属ポリシリケートと、水溶性高分子または／および窒素化合物を主成分とするガスバリア性被膜を積層することを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁

To a second insulating film 6 in an MIM capacitor forming region A, a MIM capacitor 15 is formed including a lower electrode 12 formed of a barrier film such as Ta/TaN, a capacity insulating film 13 formed of a metal oxide film such as Al_2O_3, and an upper electrode 14 formed of a barrier film such as TiN.例文帳に追加

ＭＩＭキャパシタ形成領域Ａの第２の絶縁膜６には、Ｔａ／ＴａＮのようなバリア膜からなる下部電極１２とＡｌ_2Ｏ_3のような金属酸化膜からなる容量絶縁膜１３とＴｉＮのようなバリア膜からなる上部電極１４とを有するＭＩＭキャパシタ１５が形成されている。 - 特許庁

To provide a composition for polishing metals which has the high selecting ratio of the polishing speed of a titanium barrier layer to the polishing speed of a conductive metal, and provide a chemical mechanical polishing method using the composition for polishing metals, in the chemical mechanical polishing process for semiconductor devices which suppresses effectively the occurrence of dishing and uses the titanium barrier layer while achieving a high polishing speed.例文帳に追加

高い研磨速度を達成しつつ、ディッシングの発生を効果的に抑制するとともに、チタンからなるバリア層を用いた半導体デバイスの化学的機械的研磨工程において、チタンからなるバリア層と導電性金属との研磨速度の選択比が高い金属研磨用組成物および該金属研磨用組成物を用いた化学的機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

In a chemical mechanical polishing process for a semiconductor device comprising a barrier layer containing manganese and manganese alloy on the surface, conductive metal wirings and an insulating layer, a polishing liquid is for polishing mainly the barrier layer containing manganese and manganese alloy and the insulating layer, and contains colloidal silica particles having a surface indicating a positive ζ potential, a corrosion inhibitor and an oxidizer.例文帳に追加

表面にマンガン及びマンガン合金を含むバリア層と、導電性金属配線と、絶縁層とを有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程において、主としてマンガン及びマンガン合金を含むバリア層と絶縁層とを研磨するための研磨液であって、表面が正のζ電位を示すコロイダルシリカ粒子と、腐食抑制剤と、酸化剤とを含有する研磨液である。 - 特許庁

In the organic EL element 100 composed of sequentially laminating the color filter layer 13, the gas barrier layer 20, and the organic EL structure 30 on the substrate 11, the gas barrier layer 20 is an amorphous thin film composed of AlxTiyOz which is a metal oxide of Al and Ti, and the ratio of the number of atoms of Ti to Al in a composition ratio of this AlxTiyOz is 10 atom% or more.例文帳に追加

基板１１上にカラーフィルタ層１３、ガスバリア層２０、および有機ＥＬ構造体３０が順次積層されてなる有機ＥＬ素子１００において、ガスバリア層２０は、ＡｌとＴｉの金属酸化物であるＡｌｘＴｉｙＯｚからなるアモルファス薄膜であり、且つこのＡｌｘＴｉｙＯｚの組成比におけるＡｌに対するＴｉの原子数比率が１０ａｔｏｍ％以上のものである。 - 特許庁

To provide a gas barrier packaging material in which transparency is excellent, the content is visible, a metal detector can be used, any source substance destroying environment is not used, and high gas barrier properties under a condition of high temperature and high humidity is avoidable, while the material is the most suitably usable as a boiling and retort sterilization material.例文帳に追加

透明性に優れ、内容物が透視可能で、且つ金属探知器が使用でき、環境を破壊するような原因物質を使用しないことは無論のこと、高温高湿下での高いガスバリア性を持ち、ボイル、レトルト殺菌包材としての使用も可能な包装材料として最適なガスバリア包材を提供する。 - 特許庁

To provide a gas-barrier film which has an inorganic vapor deposition layer of a metal or an inorganic oxide on at least one side of a plastic film substrate, is improved in bending resistance and oxygen-barrier properties of an inorganic vapor deposition film, prevents the improved properties from being deteriorated by moisture, and has moisture resistance and a method for producing the film.例文帳に追加

本発明は、プラスチックフィルム基材の少なくとも一方の面に金属または無機酸化物からなる無機蒸着層を有する無機蒸着フィルムの耐屈曲性と耐酸素透過性を向上させると共に、向上した諸特性が水分によっても低下しないようにした、耐湿性を有するガスバリア性フィルムとその製造方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a polishing slurry, easy to use and having high polishing selectivity to a tantalum barrier film and high surface planarity of a semiconductor material, which is a polishing composition for CMP favorably used for removing an extra barrier metal film when wiring is formed by a damascene method at manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造に当たってダマシン法により配線を形成する際に、剰余バリアメタル膜の除去に好ましく使用されるＣＭＰ用研磨組成物で、タンタル系バリア膜に対する高い研磨選択性および半導体材料の高い表面平坦性を有し、取扱いにも優れる研磨用スラリーを提供すること。 - 特許庁

A first oxide layer 4 is provided on a substrate 1, a capacitor having a metal oxide containing capacitor material layer 32 separated on a downside electrode and upside electrodes 31, 33 is formed thereon, and the first oxide layer 4 is doped prior to forming the capacitor, and a barrier substance forming a hydrogen diffusion barrier 7A is doped in the first oxide layer under the use of a plasma doping method.例文帳に追加

サブストレート１の上に第一の酸化物層４を設け、その上に下側電極及び上側電極３１、３３及びこれらの間に析出した金属酸化物含有コンデンサー材料層３２を有するコンデンサーを形成させ、コンデンサーの形成の前に、第一の酸化物層４を、プラズマドープ法の使用下に、第一の酸化物層中で水素拡散バリア７Ａを形成するバリア物質をドープする。 - 特許庁

A barrier metal layer 21, a protection layer 20, a free ferromagnetic layer 18b, a nonmagnetic intermediate layer 18a, a tunnel barrier layer 17, a pinned ferromagnetic layer 14b, a nonmagnetic intermediate layer 15, a pinned ferromagnetic layer 14a, an anti-ferromagnetic layer 13, and an alignment control film 12 are patterned by ion milling.例文帳に追加

イオンミリングを行うことにより、バリアメタル層２１、保護層２０、フリー強磁性層１８ｂ、非磁性中間層１９、フリー強磁性層１８ａ、トンネルバリア層１７、ピンド強磁性層１４ｂ、非磁性中間層１５、ピンド強磁性層１４ａ、反強磁性層１３及び配向制御膜１２をパターニングする。 - 特許庁

To easily detect pinholes of a waterstop sheet and to make the water barrier sheet hardly damaged to make easy its laying when between the waterstop sheet and a substrate, a conductive sheet is interposed to perform flaw detection of the barrier sheet by using the conductive sheet in such a form that metal foil, a vapor-deposited film, or the like is covered with a synthetic resin film.例文帳に追加

遮水シート１２と下地１０との間に導電性シート１１を介在させて遮水シートの探傷を行う際、金属箔や蒸着膜等を合成樹脂フィルムで被覆した形で使用することにより、遮水シート１２のピンホールを容易に検出し、かつ導電性シート１１の損傷を受け難く、その敷設を容易にする。 - 特許庁

To provide a packaging material enhanced in stiffness strength and excellent in impact resistance by forming a sandwich structure from resin layers and to provide gas barrier laminate excellent in shading properties, friendly to environment and excellent in gas barrier properties by applying metal vapor deposition to at least the single surface of an intermediate layer constituting the sandwich structure.例文帳に追加

樹脂層でサンドイッチ構造を形成させることにより腰強度が高く、しかも耐衝撃性に優れた包装材料を提供し、さらにサンドイッチ構造を構成する中間層の少なくとも片面に金属蒸着を施すことにより遮光性優れ環境に易しいと共にガスバリア性に優れる積層体を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method of depositing a SiC-based film of low dielectric constant having excellent characteristic as a barrier film or the like for preventing diffusion of metal of a wiring layer into an interlayer dielectric, and also to provide a manufacturing method of semiconductor device using the SiC deposited with the method as a barrier film.例文帳に追加

配線層の金属の層間絶縁膜中への拡散を防止するバリア膜等として優れた特性を有する低誘電率のＳｉＣ膜を成膜することができるＳｉＣ系膜の成膜方法、及びその成膜方法により成膜されるＳｉＣ膜をバリア膜として用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flexible base material for preventing the generation of ion migration due to the dissolution or elution of the metal components of a barrier layer in a cover lay or moisture or the like containing chlorine components, and for preventing the generation of etching residue by surely dissolving the barrier layer in etching solution with hydrochloric acid as main components in the case of forming a pattern.例文帳に追加

バリア層の金属成分が塩素成分を含有するカバーレイや水分などに溶解あるいは溶出することによるイオンマイグレーションの発生を防止でき、その一方で、バリア層をパターン形成の際に塩酸を主成分とするエッチング液に確実に溶解させて、エッチング残渣の発生も防止できるフレキシブル基材を提供する。 - 特許庁