「Barrier metal」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

The gas barrier film is prepared by forming a mixed layer including at least two kinds of binders and a metal layer made of metal or metal oxide in the order on a transparent base material, wherein a difference between the maximum value and the minimum value of each surface tension of at least two kinds of binders is 5 mN/m or more and 50 mN/m or less.例文帳に追加

透明基材上に、少なくとも２種類以上のバインダーを含む混合層と、金属または金属酸化物からなる金属層と、を順次形成してなるガスバリアフィルムであって、前記２種類以上のバインダーの各表面張力の最大値と最小値との差が５ｍＮ／ｍ以上５０ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁

In the polishing method of polishing a target surface to be polished by supplying the metal polishing solution to a polishing pad on a platen to bring the metal polishing solution into contact with the target surface and relatively moving the target surface and the polishing pad, the barrier layer containing tantalum, tantalum nitrides, tantalum alloys, and other tantalum compounds is polished using the metal polishing solution.例文帳に追加

金属用研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する研磨方法において、上記の金属用研磨液を用いて、タンタル、窒化タンタル、タンタル合金、その他のタンタル化合物からなるバリア層を研磨する研磨方法。 - 特許庁

To provide a resin composition excellent in impact strength, chemicals resistance, moldability, heat resistance, gas barrier properties, adhesiveness with metals, and odorlessness and coating film uniformity, and to provide resin film made of the resin, a coated metal plate with the resin film, and a resin coated metal container made of the resin coated metal plate.例文帳に追加

耐衝撃性、耐薬品性、成形性、耐熱性、ガスバリア性及び金属との密着性に優れ、特にフレーバー性、被膜均一性が良好な樹脂組成物、そのような樹脂組成物からなる樹脂フィルム、樹脂フィルムを被覆した樹脂被覆金属板、及び樹脂被覆金属板からなる樹脂被覆金属容器を提供すること。 - 特許庁

To provide a metal insulator metal capacitor which can prevent surface etching damage to a capacitor electrode by avoiding the generation of a large amount of a polymer and the lifting of a film formed on the upper portion of the capacitor electrode by etching a barrier metal film for capacitor electrode by using a hard mask, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ハードマスクを利用してキャパシタ電極用バリアー金属膜をエッチングすることにより、多量のポリマー発生を防ぎキャパシタ電極の表面エッチング損傷を防ぐことと、キャパシタ電極上部に形成される膜質のリフティングを防ぐことのできるＭＩＭキャパシタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for processing a semiconductor substrate includes a first processing step for polishing the metal layer on a barrier layer, a second processing step for oxidizing the metal layer left on the insulating layer by supplying an oxidizing processing liquid after the first processing step, and a third processing step for polishing the oxidized metal layer with a chemical/mechanical water system dispersing element after the second processing step.例文帳に追加

本発明の半導体基板の処理方法は、バリア層上の金属層を研磨する第１の処理工程と、前記第１の処理工程後において、前記絶縁層の上に残留する金属層を、酸化性の処理液を供給することにより酸化させる第２の処理工程と、前記第２の処理工程後において、酸化処理された金属層を、化学機械研磨用水系分散体を用いて研磨する第３の処理工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a high purity W silicide material for obtaining a high reliability semiconductor element by employing a film composed of a high melting point metal, an alloy of high melting point metal, a silicide of high melting point metal, or a nitride of Ti, Ta, W silicide, or Ti-W alloy in a contact barrier layer, a gate electrode or the like thereby suppressing leak current of a semiconductor element.例文帳に追加

高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗシリサイド，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。 - 特許庁

The method for manufacturing a printed wiring board with a via hole for interlayer connection includes a process of making a barrier metal layer at least on the front side of the wiring circuit and/or the metal foil formed on the outer layer of an insulator substrate to prevent the wiring circuit and/or the metal foil from being etched by etching treatment during a following circuit formation process in the via hole.例文帳に追加

層間接続用のビアホールを備えたプリント配線板の製造方法であって、当該ビアホール形成のためのめっき処理工程前に、少なくとも絶縁基板の外層に形成された配線回路及び／又は金属箔の表側面に、後のビアホール部の回路形成の際のエッチング処理により当該外層配線回路及び／又は金属箔がエッチングされることを防止するバリア金属層を設ける。 - 特許庁

In the inner circuit region of the logic circuit on the semiconductor substrate 100, there is provided a second MOSFET having a second gate insulating film 115 comprising a second silicon oxide film with a relatively small film thickness, a barrier metal 116 comprising a first metal film and a second gate electrode 117 comprising a second metal film.例文帳に追加

半導体基板１００のロジック内部回路領域においては、相対的に小さい膜厚を持つ第２のシリコン酸化膜からなる第２のゲート絶縁膜１１５と、第１の金属膜からなるバリアメタル１１６と、第２の金属膜からなる第２のゲート電極１１７とを有する第２のＭＯＳＦＥＴが設けられている。 - 特許庁

The elemental wire comprises: a plurality of superconducting primary elemental wires including superconducting filaments; and a plurality of metal composite barrier wires including low-resistance metal wires which are each covered with a high-resistance metal material and are continuously disposed on the periphery of the entire superconducting primary elemental wires along a circumferential direction thereof.例文帳に追加

超電導フィラメントを含む複数本の超電導一次素線と、前記複数本の超電導一次素線の外周であって、周方向に連続的に配置された、高抵抗金属材により表面が被覆された低抵抗金属線を含む複数本の金属複合バリア線を具備することを特徴とする。 - 特許庁

To provide metal polishing composition, having quick polishing speed and being capable of improving wiring metal/barrier metal selectivity in polishing, while capable of suppressing the generation of erosion in a surface to be polished, upon employing for chemical mechanical polishing, in the manufacturing process of a semiconductor device, and to provide a chemical mechanical polishing method that uses the composition.例文帳に追加

半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨に用いた際に、研磨速度が迅速であり、研磨における配線メタル／バリアメタル選択性を向上でき、且つ、被研磨面におけるエロージョンの発生を抑制しうる金属研磨用組成物、及びそれを用いた化学的機械的研磨方法の提供。 - 特許庁

To provide a metallized biaxially oriented polypropylene film of superior gas barrier performance free from the defect what is called pick-off, in which a metal film is transferred to an opposite face of superior bonding properties because of the superior bonding properties of the metal film with a metallized opposite face, although the superior bonding properties of the metal film with a base are also provided.例文帳に追加

優れたガスバリア性能を有し、金属薄膜と基材との接着性に優れているために、金属化された反対の面が接着性に優れているものの、金属薄膜が接着性に優れた反対の面に転写する、いわゆるピックオフと呼ばれる欠点のない金属化二軸配向ポリプロピレンフィルムを提供すること。 - 特許庁

A seed layer 31 having a flat surface shape is formed by coating a liquid metal compound on a barrier layer 30 that has been formed for electrical connected with a pad 7 formed of a conductive film of the same layer as the uppermost wiring layer, and then reducing this liquid metal compound to a single metal film.例文帳に追加

最上層配線と同一層の導体膜からなるパッド７と電気的に接続するバリア層３０を形成した後、バリア層３０上に液体金属化合物を塗布し、さらに熱処理または化学反応処理によりこの液体金属化合物を単体金属膜に還元して平坦な表面形状を有するシード層３１を形成する。 - 特許庁

The image display device is provided with a plurality of phosphor films arranged two-dimensionally on a substrate, lattice-like barrier ribs formed on the substrate for partitioning the phosphor films, a plurality of metal-backs each of which covers at least one phosphor film, and a resistance wiring which electrically connects a plurality of metal-backs and has higher sheet resistance than the metal-back.例文帳に追加

画像表示装置が、基板上に二次元的に配置された複数の蛍光体膜と、蛍光体膜の間を仕切るために基板上に形成された格子状の隔壁と、各々が少なくとも１つの蛍光体膜を覆う複数のメタルバックと、複数のメタルバック同士を電気的に接続する、メタルバックよりも高いシート抵抗を有する抵抗配線と、を備える。 - 特許庁

This device comprises a dielectric barrier discharge lamp 1 provided with an electrode 5 on an outer surface of a discharge container in which discharge gas to radiate vacuum UV-light by dielectric barrier discharge is filled, a metal block 13 for supporting the dielectric barrier discharge lamp 1 at a groove part 14, and cooling the dielectric barrier discharge lamp 1, and a means 16 to cool the metal block 13.例文帳に追加

誘電体バリヤ放電によって真空紫外光を放射する放電用ガスが充填された放電容器の外面に一方の電極（５）が設けられた誘電体バリア放電ランプ（１）と、この誘電体バリア放電ランプ（１）を溝部（１４）において支持するとともに当該誘電体バリア放電ランプ（１）を冷却するための金属ブロック（１３）と、この金属ブロック（１３）を冷却する手段（１６）とよりなり，前記誘電体バリア放電ランプ（１）と前記金属ブロック（１３）の溝部（１４）との間には、両者に接触して挟まれ、かつ、誘電体バリア放電ランプ（１）側の表面が真空紫外光に対する反射特性を有する反射ミラー（２０）が着脱可能に配置していることである。 - 特許庁

The electrode contact structure includes an epitaxial layer 100, a contact metal electrode 120 formed on the epitaxial layer 100, an interlayer insulating film 140 having a contact hole, a first Al wiring 160 formed on the contact metal electrode 120, a diffusion barrier layer 180 formed on the first Al wiring 160, and a second Al wiring 200 formed on the diffusion barrier layer 180.例文帳に追加

電極コンタクト構造は、エピタキシャル層１００と、エピタキシャル層１００上に形成されたコンタクトメタル電極１２０と、コンタクトホールを有する層間絶縁膜１４０と、コンタクトメタル電極１２０上に形成された第１のＡｌ配線１６０と、第１のＡｌ配線１６０上に形成された拡散障壁層１８０と、拡散障壁層１８０上に形成された第２のＡｌ配線２００を有する。 - 特許庁

The polishing method of a semiconductor device continuously polishes using a single polishing solution a barrier metal film formed over the entire surface of a substrate, having recesses or an interlayer insulating film and a conductive film made of copper or a copper alloy, formed on the surface of the barrier metal film, such that the recessed parts are embedded.例文帳に追加

凹部を有する基板或いは層間絶縁膜の表面に一面に形成されたバリア金属膜と、該バリア金属膜の表面に前記凹部が埋まるように形成された銅又は銅合金からなる導体膜とを連続的に一つの研磨液で研磨する半導体デバイスの研磨方法であって、上記研磨液が、下記一般式（Ｉ）で表わされるバリア金属膜研磨速度調整剤、アミノ酸、酸化剤および研磨粒子を含有することを特徴とする半導体デバイスの研磨方法。 - 特許庁

The chemical mechanical polishing method is used to polish a workpiece having a barrier metal film and a conductor film provided on the barrier metal film in a process of manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

バリア金属膜と、該バリア金属膜上に設けられた導体膜とを有する被研磨体を研磨する化学的機械的研磨方法であって、研磨液Ａを用いて前記導体膜を研磨する第１の研磨工程と、研磨液Ｂを用いて前記バリア金属膜を研磨する第２の研磨工程と、を研磨パッドが配置された同一の研磨定盤上で連続的に行い、且つ、前記研磨液Ａ及び前記研磨液Ｂが下記の（１）〜（３）の成分を含むことを特徴とする化学的機械的研磨方法。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a semiconductor substrate, having a source/drain region, a gate electrode formed on the semiconductor substrate, a first IMD formed on the semiconductor substrate and having a first damascine pattern, a first barrier layer formed inside the damascine pattern, a first metal wiring formed on the first barrier layer, and a first metal cap layer formed inside the first damascine pattern.例文帳に追加

本発明による半導体素子は、ソース／ドレーン領域を有する半導体基板、前記半導体基板上に形成されたゲート電極、前記半導体基板上に形成されて，第１ダマシンパターンを有する第１のＩＭＤ、前記ダマシンパターン内に形成される第１バリア層、前記第１バリア層上に形成される第１金属配線、前記第１ダマシンパターン内に形成される第１メタルキャップ層、が含まれる。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a groove 16 cut in a second insulating film 15, a barrier metal 17 formed on the inner wall of the groove 16, and a groove wiring 18 embedded in the groove 16 through the intermediary of the barrier metal layer 17, where a recess 19 is formed continuously or intermittently in the second insulating film 15 along the groove 16 within a prescribed distance from the groove wiring 18.例文帳に追加

基板１１上の第２の絶縁膜１５に形成した溝１６と、その溝１６の少なくとも内壁に形成したバリアメタル層１７と、そのバリアメタル層１７を介して溝１６の内部に埋め込まれてなる溝配線１８とを有する半導体装置において、溝配線１８から所定間隔以内の第２の絶縁膜１５にかつその溝１８にそって連続的もしくは断続的に凹部１９が形成されているものである。 - 特許庁

Thereby the ions are implanted into the silicon layer by using an ion implantation method, and the metal-silicide is formed by annealing, so that the schottky barrier tunnel transistor having stable characteristics and high performance can be manufactured.例文帳に追加

これにより、イオン注入法を用いてシリコン層にイオンを注入し、熱処理して、金属−シリサイドを形成することによって、特性が安定で且つ高性能を有するショットキー障壁トンネルトランジスタを製造することができる。 - 特許庁

The physical barrier layer (20) comprises zirconia or hafnia stabilized with an oxide of a metal selected from the group consisting of magnesium, calcium, scandium, yttrium, and lanthanide metals; and a low CTE oxide selected from the group consisting of niobia and tantala, and mixtures thereof.例文帳に追加

物理バリヤー層（２０）は、マグネシウム、カルシウム、スカンジウム、イットリウム及びランタニド金属からなる群から選択される金属の酸化物で安定化したジルコニア又はハフニアと、ニオビア及びタンタラ及びこれらの混合物からなる群から選択される低ＣＴＥ酸化物とを含む。 - 特許庁

A polysilicon film 12, a titanium nitride barrier metal layer 13 richer in titanium than the stoichiometric composition ratio and a tungsten film 14 are laminated via a silicon oxide film-made gate insulation film 11 on a semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板１０の上に、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１１を介して、ポリシリコン膜１２、化学量論組成比よりもチタンがリッチな窒化チタンからなるバリアメタル層１３、及びタングステン膜１４が順次堆積されている。 - 特許庁

A barrier layer (14B) comprising a compound semiconductor including Al as group III element so as to cover the quantum dot and having electron affinity smaller than that of the quantum dot is formed by organic metal chemical vapor growth by the use of triethylaluminum as an Al raw material.例文帳に追加

量子ドットを被覆するように、ＩＩＩ族元素としてＡｌを含み、量子ドットよりも電子親和力の小さな化合物半導体からなるバリア層(14B)を、Ａｌ原料としてトリエチルアルミニウムを用いた有機金属化学気相成長により形成する。 - 特許庁

The high barrier films or precursor fibers for the meso pore carbon materials are obtained by treating films or fibers using a polyvinylidene chloride or a copolyvinylidene chloride as whole or a part, with a solution containing an alkaline metal hydroxide and/or an amine solution to carry out a dehydrochlorination treatment.例文帳に追加

ポリ塩化化ビニリデンまたは塩化ビニリデン共重合体を一部または全部用いたフィルムまたは繊維を、アルカリ金属水酸化物を含む溶液及び／またはアミン溶液を用いて脱塩化水素反応（脱塩酸）処理して高バリアフィルムまたはメソ孔炭素前駆体繊維を得る。 - 特許庁

In a method for forming a transparent gas barrier layer by means of a sputtering method, a target including at least one carbide selected from a metal carbide and a metalloid carbide is used, and hydrogen-containing gas is used as reaction gas.例文帳に追加

スパッタリング法により透明ガスバリア層を形成する透明ガスバリア層の製造方法であって、炭化金属および炭化半金属から選択される少なくとも１種の炭化物を含むターゲットを用い、反応ガスとして水素含有ガスを用いる。 - 特許庁

To improve mechanical strength of a lower electrode when precious metal materials such as ruthenium and the like are used for the lower electrode, and to overcome problem on oxidation resistance and sputtering resistivity required for barrier film.例文帳に追加

ルテニウム等貴金属材料を下部電極に用いた場合の、下部電極の機械的強度を向上し、下部電極加工の際、あるいは、キャパシタ絶縁膜形成の際のバリア膜に要求される耐酸化性、耐スパッタリング性の問題を回避する。 - 特許庁

The source electrode 7 and the drain electrode 8 are formed of copper and a barrier metal layer 9 is provided only in a region on the lower surface of the source electrode 7 and the drain electrode 8 located above the upper surface of the ohmic contact layers 6.例文帳に追加

そして、ソース電極７およびドレイン電極８が銅で形成され、これらソース電極７、ドレイン電極８の下面のうち、各オーミックコンタクト層６の上面上に位置する領域にのみバリアメタル層９が設けられている。 - 特許庁

An emitter electrode 16 is formed on the surface of a semiconductor substrate 2 having a semiconductor circuit formed thereon, and is constituted of a circuit wiring electrode 13, a barrier metal layer 14, and an element surface protective film 15.例文帳に追加

半導体回路が形成された半導体基板２の表面に、エミッタ電極１６が形成されており、このエミッタ電極１６は、回路配線用電極１３と、バリアメタル層１４と、素子表面保護膜１５とを備えて構成されている。 - 特許庁

To provide a thin film capable of retaining metal ion barrier performance even when heated at a high temperature, a glass article with the thin film formed on a glass substrate, and a method for stably and efficiently manufacturing the glass article.例文帳に追加

高温に加熱したときにも金属イオンバリア性能を保持できる薄膜、その薄膜をガラス基板の表面に形成されたガラス物品およびそのガラス物品を効率よく、安定して製造するガラス物品の製造方法を提供する。 - 特許庁

An aluminum layer or an aluminum alloy layer 3 is formed on a semiconductor substrate 10 via a barrier metal layer 2, and a surface layer 3a having uniform irregularities is formed on the surface of the aluminum alloy layer 3 by using a dry etching gas.例文帳に追加

半導体基板１０上にアルミニウム層もしくはアルミニウム合金層３をバリアメタル層２を介して形成し、アルミニウム合金層３の表面にドライエッチングガスを用いて均一な微細凹凸を有する表面層３ａを形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the like which has a structure where a barrier metal film containing nitrogen is formed on a connection surface between copper alloy wiring and vias and suppresses the increase of electric resistance between the copper alloy wiring and the vias.例文帳に追加

本発明は、銅合金配線とビアとの接続面に、窒素を含むバリヤメタル膜が形成されている構造を有する半導体装置であって、銅合金配線とビアとの間における電気抵抗の上昇を抑制することができる半導体装置等を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film capable of maintaining gas barrier properties and conductivity after alkali immersion by installing an alkali resistant layer between a metal-oxide thin film layer and a transparent conductive thin film, and to provide a method for production thereof.例文帳に追加

金属酸化物薄膜層と透明導電性薄膜との間に、アルカリ耐性のある層を設けることにより、アルカリ浸漬後も良好なガスバリア性と導電性とを保持する透明導電性フィルム及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The gas barrier layer 2 is formed from a layer obtained by crosslinking a synthetic polymer-natural polymer compsn. layer, which is formed from a compsn. of a carboxyl group-containing vinyl alcohol polymer and a carboxyl group- containing natural polymer, by polyvalent metal ions.例文帳に追加

前記防気層(2) として、カルボキシル基含有ビニルアルコール系ポリマー(a_1)とカルボキシル基含有天然高分子(a_2)との組成物(a) から形成された合成高分子−天然高分子組成物層(A) であって、その合成高分子−天然高分子組成物層(A) が多価金属イオン(i) により架橋されているものを用いる。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device having a buried wiring structure employing copper in which barrier metal is removed from the contact hole portion of a Cu buried interconnect line and resistance is reduced sufficiently between an upper layer interconnect line and a lower interconnect line.例文帳に追加

この発明は、銅を用いた埋め込み配線構造を有する半導体装置に関し、Ｃｕ埋め込み配線の接続孔部分からバリアメタルを排除し、かつ、上層配線と下層配線との間の抵抗値を十分に小さくすることを目的とする。 - 特許庁

By forming electroplated alloys of copper with metals that form continuous solid solutions therewith, a deposition layer of such an alloy on the surface of a barrier metal layer allows for lowering of the selectivity of the slurry polish used during the CMP process toward the alloy.例文帳に追加

銅とともに一連の均一な固溶体を形成する金属による電気めっきされた銅合金を形成することにより、空乏金属層の表面上にあるかかる合金の堆積層により、合金に対してＣＭＰ処理を行っている間に使用されるスラリー研磨の選択性を低めることが可能となる。 - 特許庁

The Schottky metal/semiconductor barrier is formed on the emitter electrode and electrically coupled to the extractor electrode such that, when an electric potential is placed between the emitter electrode and the extractor electrode, an electron is emitted from the surface of an exposed semiconductor layer into the electric field.例文帳に追加

ショットキー金属−半導体障壁は、放出電極と抽出電極との間に電位がかけられるときに、半導体層の露出された表面から電子の電界放出が生成されるように、放出電極上に形成され、かつ抽出電極に電気的に接続される。 - 特許庁

In the composite film, an ultra-high gas-barrier layer 6 comprising a thin film layer 4 of a metal oxide and an overcoat layer 5 is laminated on A base material film 2 as required through a primer layer 3.例文帳に追加

基材フィルム２上に、必要に応じてプライマー層３を介し、金属酸化物の薄膜層４およびオーバーコート層５からなる超高ガスバリア性層６を積層した複合フィルムとすることにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

To provide a vapor deposition biodegradable film material having regeneration recyclability, generating no environmental pollution, having gas barrier properties and metal gloss and usable in various packaging materials or the like, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

再生リサイクル性並びに環境汚染を生ずることがないフィルム材料であって、ガスバリア性、金属光沢を有して各種包装材料等に用いることができる蒸着生分解性フィルム材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A system 1 or forming the film comprises a chamber 10 for forming the Ti thin film on a semiconductor wafer W by PVD and heat-treating the Ti thin film, and chambers 20, 30 for successively forming a barrier layer and a metal wiring layer on the heat-treated Ti thin film.例文帳に追加

成膜システム１は、半導体ウェハＷ上にＰＶＤ法によりＴｉ薄膜を成膜し且つそのＴｉ薄膜を加熱処理するためのチャンバ１０と、加熱処理されたＴｉ薄膜上に、順次バリア層及び金属配線層を形成するためのチャンバ２０，３０を備えるものである。 - 特許庁

Next, a metal barrier layer without any plating defects of the front plate for the field emission type display is formed by performing the electro plating.例文帳に追加

めっき用フォトレジスト現像後の基板を、めっき前に一定時間、減圧下で処理液中に浸漬することによりレジストパタ−ンの開口部内の気泡を除去し、次に電気めっきを行うことにより、めっき欠陥のない電界放出型ディスプレイ用前面板の金属製障壁層を形成する。 - 特許庁

This is a manufacturing method for the two-layer wiring semiconductor device which includes a process of forming barrier metal and a conductor wiring layer by electrolytic plating, with a conductive frame as a lead for electrolytic plating, and a process of etching off the conductive frame.例文帳に追加

導電性フレームを電解めっき用リードとして、バリア金属および導体配線層を電解めっきにより形成する工程と、導電性フレームをエッチングにより除去する工程を含む２層配線半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Since the barrier metal layer 5 made of the TiWN is formed between the Al-containing ohmic electrode 2 and the Au wire electrode 7, the reaction can be prevented between the Al in the Al-containing ohmic electrode 2 and the Au in the Au wire electrode 7.例文帳に追加

この場合、Ａｌ含有オーミック電極２とＡｕ配線電極７との間にＴｉＷＮからなるバリアメタル層５が形成されていることから、Ａｌ含有オーミック電極２中のＡｌとＡｕ配線電極７中のＡｕとの反応を防止することができる。 - 特許庁

To provide technology for suppressing the oxidation of a copper film and the raise of wiring resistance in forming a barrier film and the copper film along the recessed part of an insulating film by utilizing an alloy film of copper and additional metal, and then embedding the copper wiring.例文帳に追加

絶縁膜の凹部に沿って成膜した銅及び添加金属の合金膜を利用してバリア膜と銅膜とを形成し、その後銅配線を埋め込むにあたって、前記銅膜の酸化を抑え、配線抵抗の上昇を抑える技術を提供すること。 - 特許庁

The epoxy resin composition, which uses a specific epoxy resin and a specific epoxy resin curing agent and in which a specified metal atom is present, has high gas barrier properties in addition to the excellent performance which the epoxy resin possesses, and the coating material and the adhesive can be obtained from this epoxy resin composition.例文帳に追加

特定のエポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤を使用し、特定の金属原子が存在するエポキシ樹脂組成物がエポキシ樹脂の優れた性能に加え、高いガスバリア性を有し、該エポキシ樹脂組成物から優れた塗料および接着剤が得られる。 - 特許庁

A shield layer is formed by winding metal foil tape which includes magnesium as a main component with high electromagnetic wave barrier performance, vibration absorbability, heat divergence, etc. so as to draw a counterclockwise (left turn) spiral from the IN side toward the OUT side of a cable.例文帳に追加

高い電磁波遮断性、振動吸収性、熱発散性等を備えるマグネシウムを主成分とする金属箔テープを、ケーブルのＩＮ側からＯＵＴ側に向って、反時計回り（左回り）の螺旋を描くように巻き付けてシールド層を形成する。 - 特許庁