「CRYSTAL PLANE」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The liquid crystal polymer film includes an array of pixels, each pixel encoded with a fixed liquid crystal director such that each liquid crystal director is aligned in a common plane perpendicular to the liquid crystal polymer film and provides a predetermined pattern of out-of-plane tilts.例文帳に追加

液晶重合体膜は、複数のピクセルのアレイを備えており、ピクセルの各々は、固定された液晶配向子で、該液晶配向子の各々が液晶重合体膜に対して直角の共通面内に配向され、予め決められた面外傾斜パターンを提供するように符号化されている。 - 特許庁

The semiconductor substrate comprises a β-Ga_2O_3 single crystal having the (100) plane as a given plane direction, in which oxygen is removed from the surface layer of the (100) plane.例文帳に追加

所定の面方位である（１００）面を有し、この（１００）面の表面層の酸素が除去されたことを特徴とするβ—Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶からなる半導体基板とする。 - 特許庁

To provide an a-plane nitride semiconductor single crystal substrate having flat side-surfaces in crystallographic orientations (orientation flats) as a marker of a plane orientation to facilitate discrimination of a plane orientation.例文帳に追加

面方位の判別が容易にできるように、面方位の印として、結晶方向において扁平な側面（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ ｆｌａｔ）を有するａ面窒化物半導体単結晶基板を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal spacer 1 has a flat basal plane 11 and a mountain-shaped convex portion 12 projecting along a perpendicular line of the basal plane 11 and in a direction parting from the basal plane 11.例文帳に追加

平面状の底面１１と、底面１１の垂線に沿って底面１１から離れる方向に向けて隆起した山形の凸部１２とを有する液晶スペーサ１。 - 特許庁

The rare earth silicate single crystal has at least one or more planes and the plane nearest the (100) plane inclines at ≥5° from the (100) plane and is polished.例文帳に追加

少なくとも１面以上の平面を有する希土類珪酸塩単結晶であって、（１００）面に最も近い平面が（１００）面から５°以上傾いており、研磨されていることを特徴とする希土類珪酸塩単結晶。 - 特許庁

To provide a GaN single crystal substrate which has a large diameter, and a small photoelasticity strain in the principal plane except plane directions of the principal plane of (0001) and (000-1).例文帳に追加

大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内における光弾性歪み値が小さいＧａＮ単結晶基板を提供する。 - 特許庁

To provide a large diameter GaN single crystal substrate, in which the plane orientation of a main plane is other than (0001) and (000-1) and the dislocation density in the main plane is substantially uniform, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内における転位密度が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a large diameter GaN single crystal substrate, in which the plane orientation of a main plane is other than (0001) and (000-1) and the carrier concentration distribution in the main plane is substantially uniform, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The projected direction of the direction of the principal incident light on the observation plane and the tilt direction of the mid-plane liquid crystal molecules under an applied electric field are made to mutually be opposite with respect to the normal of the substrate on the observation plane.例文帳に追加

光の主たる入射方向の観察平面への射影方向と電界印加時のミッドプレーンの液晶分子のティルト方向が観察平面上で基板法線に関し互いに反対側とする。 - 特許庁

(2) A main direction having the plurality of sub-growth planes is present in an arbitrary direction from the uppermost part of the {0001} plane on the main growth plane of the SiC seed crystal 12 toward the outer periphery of the main growth plane.例文帳に追加

（２）ＳｉＣ種結晶１２の主成長面上にある｛０００１｝面最上位部から主成長面の外周に向かう任意の方向の中に、複数個の副成長面を有する主方向が存在する。 - 特許庁

This single crystal superabrasive grain is constituted by a plurality of crystalline planes, minute projections are formed on 111 plane and 100 plane among a plurality of crystalline planes, respectively, and the crystalline plane forming the minute projection has surface roughness obtained by a PV value of 0.1-5 μm.例文帳に追加

複数の結晶面で構成される単結晶超砥粒であって、複数の結晶面のうち（１１１）面と（１００）面に微小突起を形成し、微小突起を形成した結晶面はＰＶ値が０．１〜５μｍの表面粗さとする。 - 特許庁

Further, in a region of the surface of the single-crystal silicon substrate 101 which is present just under the gate electrode 107, there are provided its principal plane and its inclined plane 133 so inclining to its principal plane as to be along the extended direction of the gate electrode 107.例文帳に追加

ゲート電極１０７の直下の領域におけ単結晶シリコン基板１０１の表面に、主面と、ゲート電極１０７の延在方向に沿って主面に対して傾斜した傾斜面１３３と、を設ける。 - 特許庁

Besides projected direction of the line of sight of an observer on the observation plane and the tilt direction of the mid-plane liquid crystal molecules under the applied electric field are made to mutually be on the same side concerning to the normal of the substrate on the observation plane.例文帳に追加

また、観察者の視線の観察平面への射影方向と電界印加時のミッドプレーンの液晶分子のティルト方向が観察平面上で基板法線に関し互いに同じ側とする。 - 特許庁

The semiconductor layer, which is constituted of the semiconductor having the hexagonal crystal structure and has (11-22) or (10-13) plane direction, is grown on the (1-100) plane of a substrate constituted of a material having the hexagonal crystal structure while exposing (1-100) plane facet, (0001) plane facet, and (10-13) plane facet.例文帳に追加

六方晶系の結晶構造を有する物質からなる基板の（１−１００）面上に、六方晶系の結晶構造を有する半導体からなり、（１１−２２）面方位または（１０−１３）面方位を有する半導体層を（１−１００）面ファセット、（０００１）面ファセットおよび（１０−１３）面ファセットを出しながら成長させる。 - 特許庁

Further, a liquid crystal layer includes a liquid crystal molecule which rotates parallel to an electrode plane when a potential difference is generated between two electrodes of a liquid crystal element provided below the liquid crystal layer.例文帳に追加

さらに、液晶層には、液晶層よりも下方に設けられた二つの液晶素子の電極の間に電位差が生じたときに電極面と平行な方向に回転する液晶分子を含んでいる。 - 特許庁

A non-crystal semiconductor layer is formed on the isolating plane of the first single crystal semiconductor layer and heat treatment is conducted to form a second single crystal semiconductor layer through solid phase growth of the non-crystal semiconductor layer.例文帳に追加

第１単結晶半導体層の分離面上に非晶質半導体層を形成し、熱処理を行い、非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

The protective film has a crystal plane whose crystal axis is at 90 angle from that of the crystal surface of the nitride semiconductor crystal constituting the end face of the resonator to which the protective film is provided.例文帳に追加

保護膜は、保護膜が設けられている共振器の端面を構成する窒化物半導体結晶の結晶面とは結晶軸が互いに９０度をなす結晶面を有している。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a crystal vibration chip, which can advance wet etching without being affected by a crystal plane 5 of crystal having anisotropy, and to provide a method for manufacturing a crystal device.例文帳に追加

異方性を有する水晶の結晶面５に影響されることなく、ウェットエッチングが進行することが可能な水晶振動片の製造方法および水晶デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal tray for injecting liquid crystal material into a panel is disclosed and the liquid crystal tray is characterized in that the liquid crystal tray includes a main body which has a loading surface and four side faces, the loading surface being a complete plane adjacent to the side faces.例文帳に追加

パネルの中に液晶材料を注入する液晶トレイであって、積載面と４つの側面を含み、前記積載面は、前記側面に隣接した完全な平面である本体を含むことを特徴とする液晶トレイ。 - 特許庁

The polarization dependency dissolving device 3 comprises a first multiple imager 10 which is a parallel plane crystal plate having double refractivity, and a second multiple imager 20 for which the crystal optical axis of the incidence plane is rotated at the angle of 180 degrees with the normal of the incidence plane as an axis to the crystal optical axis of the incidence plane of the first multiple imager.例文帳に追加

偏光依存性解消装置３は、複屈折を有する平行平面結晶板である第一複像子１０と、前記第一複像子と同じ複屈折を有する平行平面結晶板であり、その入射面の結晶光軸が、前記第一複像子の入射面の結晶光軸に対して入射面の法線を軸にして１８０度の角度で回転してなる第二複像子２０とを備える。 - 特許庁

Alternatively, oxygen is doped into the gallium nitride crystal through a facet-plane by preparing a C-plane gallium nitride seed crystal, generating the facet-plane of a reverse hexagonal or dodecagonal pyramid while supplying the material gases including gallium, nitrogen and oxygen to be doped, and performing the vapor-phase growth of the gallium nitride crystal while maintaining the facet-plane.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながら逆六角錐、十二角錐ファセット面を発生させファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させファセット面を通して酸素をドーピングする。 - 特許庁

The plane antenna of a liquid crystal display device 130 provided with the plane antenna having a microstrip structure is integrally formed with the color TFT(thin film transistor) liquid crystal display of the device 130.例文帳に追加

平面アンテナを備えた液晶表示装置１３０は、カラーＴＦＴ（thin film transistor）液晶ディスプレイに、マイクロ・ストリップ構造の平面アンテナを一体に設けたものである。 - 特許庁

A crystal having a {100} plane orientation is newly grown between a silicon oxide film 13 and liquid phase silicon and probabilistically combined to newly formed crystal grains having a {100} plane orientation, which is repeated.例文帳に追加

シリコン酸化膜１３と液相シリコンの間で｛１００｝面方位を有する結晶が新たに発生し、この発生したシリコンの結晶が確率的に結合し｛１００｝面方位を有する結晶粒が新たに形成されることが繰り返される。 - 特許庁

A semiconductor layer is grown which is constituted of a semiconductor having hexagonal crystal structure and has 11-22 or 10-13 plane direction on the 1-100 plane of a substrate constituted of a material having hexagonal crystal structure.例文帳に追加

六方晶系の結晶構造を有する物質からなる基板の（１−１００）面上に、六方晶系の結晶構造を有する半導体からなり、（１１−２２）面方位または（１０−１３）面方位を有する半導体層を成長させる。 - 特許庁

The liquid crystal panel 1 is directly stuck to a metal holding plate 3 which is attached to the prism 2 so as to place a light emitting plane of the liquid crystal panel 1 opposite to an incident plane of the prism 2.例文帳に追加

液晶パネル１は直に金属製の保持板３に接着されており、液晶パネル１の出射面がプリズム２の入射面に対面する様に、保持板３がプリズム２に取り付けられている。 - 特許庁

To provide an in-plane switching liquid crystal display device with which widening of a viewing angle with the same level as that of the conventional in-plane switching liquid crystal display device or superior thereto and improvement of the picture quality are achieved.例文帳に追加

従来の横電界方式の液晶表示装置と同程度ないしはより優れた広視野角化及び画質の向上化を図ることができる横電界方式の液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

A growth main surface of the GaN-based single crystal substrate 1 is an (m) plane and a growth main surface of the GaN-based semiconductor layer 2 formed on the GaN-based single crystal substrate 1 is also an (m) plane.例文帳に追加

ＧａＮ系単結晶基板１の成長主面はｍ面となっており、ＧａＮ系単結晶基板１上に形成されたＧａＮ系半導体層２の成長主面もｍ面となる。 - 特許庁

The condensing waveguide 105 is substantially perpendicular to the principal plane of the photonic crystal 101 and has a tapered form of which the section increases toward the principal plane of the photonic crystal 101.例文帳に追加

集光導波路１０５は、フォトニック結晶１０１の主面に概ね垂直であり、フォトニック結晶１０１の主面に向かって断面積が大きくなるテーパ形状を有している。 - 特許庁

To provide a cutting processing method capable of subjecting a single crystal sapphire substrate to cutting processing of high precision in the direction parallel to a (11-20) plane (a-plane) in the cutting processing of the single crystal sapphire substrate due to a super-abrasive particle wire saw, and a cutting device therefor.例文帳に追加

単結晶サファイヤ基板の超砥粒ワイヤソーによる切断加工において、（１１−２０）面（ａ面）と平行な方向に高精度な切断加工を可能にする切断加工法と、その切断装置を提供することである。 - 特許庁

To obtain an alignment layer useful to produce a liquid crystal alignment layer and a phase difference layer for a liquid crystal display, having an in-plane switching mode for performing display by the in-plane rotation of a liquid crystalline compound.例文帳に追加

液晶性化合物の面内回転により表示を行う、インプレーンスイッチングモードの液晶表示装置用の液晶配向膜および、位相差膜の作製に有用な配向膜に関する。 - 特許庁

A crystalline structure observed in the surface side of the electrophotographic photoreceptor by X-ray diffraction analysis exhibits a ≤0.8 ratio of the reflection intensity in a 101 direction of crystal plane to the peak reflection intensity in a 110 direction of crystal plane.例文帳に追加

電子写真用感光体表面がわからみた結晶構造のＸ線回折で得られる面方位１１０の反射強度のピーク値に対する、面方位１０１の反射強度の比率が０．８以下とする - 特許庁

To reduce in-plane dispersion of the particle size of magnetic crystal particles in a perpendicular magnetic recording medium having a recording layer where the magnetic crystal particles are separated from each other by a gap in an in-plane direction.例文帳に追加

磁性結晶粒子が互いに面内方向で空隙により分離された構成の記録層を有する垂直磁気記録媒体において、磁性結晶粒子の粒子サイズの面内分散を低減する。 - 特許庁

Also, the fork contains a pair of inside parts that fork parts in a tooth base position are placed in a crystal plane of the piezoelectric material and a pair of outside parts that extends between the inside parts paired and the tooth in another crystal plane of the piezoelectric material.例文帳に追加

歯のベース位置にある股の部分が、圧電材料の結晶面内にある一対の内側面と、圧電材料の別の結晶面内にあって上記一対の内側面と歯との間に延びる一対の外側面とを有する。 - 特許庁

Whisker-like crystalline silicon grows while forming a twin crystal (introducing stacking faults), and an initial nucleus is arranged so that the normal direction <111> of the twin crystal plane is always included in the plane perpendicular to the growth direction of whisker-like crystalline silicon and in the perpendicular plane (in a transverse cross section).例文帳に追加

ウィスカ状結晶性シリコンは、双晶を形成しながら（積層欠陥を導入しながら）成長し、ウィスカ状結晶性シリコン成長方向と垂直な面内（輪切り面内）に双晶面の法線方向＜１１１＞が必ず含まれるように初期核が配置される。 - 特許庁

The hexagonal ferrite is soft-magnetic, and has: ferrite crystal grains having the c-plane as an easily magnetized plane; the orientation such that the c-plane of the crystal grains becomes parallel at least with one direction; and a form such that the one directional demagnetization coefficient becomes greater than zero.例文帳に追加

軟磁性フェライトであって、ｃ面を磁化容易面とするフェライトの結晶粒を有し、前記結晶粒のｃ面が少なくとも一の方向に平行になるような配向性を有し、前記一の方向の反磁界係数が０より大きくなるような形状を有することを特徴とする。 - 特許庁

The method of manufacturing the a-axis oriented Bi-based oxide superconductor thin film involves an epitaxial growth process using an LaSrAlO_4 single crystal substrate of a (110) plane or an LaSrGaO_4 single crystal substrate of a (110) plane, for which the lattice constant matches well with the (100) plane of the Bi-based oxide superconductor film.例文帳に追加

a軸配向したBi系酸化物超電導薄膜の作製方法は、Bi系酸化物超電導薄膜の(100) 面と格子定数の整合性の良い（110）面のLaSrAlO_4単結晶基板又は（110）面のLaSrGaO_4単結晶基板を用いてエピタキシャル成長することにある。 - 特許庁

To reduce machining errors and further quickly perform machining by making it possible to continuously perform a series of works from a measurement of a crystal lattice plane up to machining, that is, machining of a reference plane, for instance, in a machining device for machining monocrystal ingot in a fixed relation with respect to the crystal lattice plane.例文帳に追加

単結晶インゴットを結晶格子面に対して一定の関係をもって加工する加工装置において、結晶格子面の測定から加工、例えば基準面の加工に至る一連の作業を連続的に行うことを可能にして、加工誤差が少なく、しかも迅速な加工を行えるようにする。 - 特許庁

The silicon carbide single crystal ingot, with which the high quality silicon carbide single crystal wafer is manufactured at high yield by using silicon carbide single crystal having ≥40 mm diameter and the plane orientation making a prescribed off angle with {0001} plane as the seed crystal in the growth of silicon carbide single crystal by a sublimation re-crystallization method using the seed crystal, is obtained.例文帳に追加

種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶として口径４０ｍｍ以上を有し、｛０００１｝面から所定のオフ角度のついた面方位の炭化珪素単結晶を用いることにより、高品質な炭化珪素単結晶ウェハを高歩留りで製造できる炭化珪素単結晶インゴットを得る。 - 特許庁

In the case of 0°, the incident linear polarization advances straight through a birefringent crystal 3 to be made incident on a second polarization plane rotating means 4 to synchronize with polarization plane switching timing of the first polarization plane rotating means 2 and to receive temporally 0° or 90° polarization plane rotation.例文帳に追加

０°の場合、入射直線偏光は複屈折性結晶３で直進して第２の偏光面回転手段４に入射し、第１の偏光面回転手段２の偏光面切替タイミングに同期して時間的に０°もしくは９０°の偏光面回転を受ける。 - 特許庁

The method for manufacturing the wafer is carried out as follows: a langasite single crystal is grown; the plane index [113] or [225] of the langasite single crystal is specified by means of X-ray diffraction measurement; and the langasite single crystal is worked into the langasite single crystal wafer, making the plane index [113] or [225] an orientation reference for a wafer plane.例文帳に追加

およびランガサイト単結晶ウエーハの製造方法であって、ランガサイト単結晶を育成し、Ｘ線回折測定により前記ランガサイト単結晶の面指数{１１３}または{２２５}を特定し、該面指数{１１３}または{２２５}をウエーハ面の方位基準として、前記ランガサイト単結晶をウエーハに加工するランガサイト単結晶ウエーハの製造方法。 - 特許庁

The jig comprises; a jig body of which at least a part of its periphery is formed assimilating the single crystal ingot, and a crystal plane check mark such as the orientation flat or the notch is assimilated on the periphery; and a crystal plate attached on the periphery, aligned to the crystal plane mark in the periphery and able to rotate in the plane.例文帳に追加

同治具は、単結晶インゴットに模して外周面の少なくとも一部を形成するとともに、該外周面にオリフラまたはノッチ等の結晶面指標を擬似的に形成した治具本体と、結晶面指標に周方向の位置を合わせ、かつ面内回転可能に治具本体の外周面に取り付けた結晶板と、を備えている。 - 特許庁

When the surface layer is subjected to X-ray diffraction, a diffraction peak corresponding to a (111) crystal plane and a diffraction peak other than the diffraction peak corresponding to the (111) crystal plane are observed as diffraction peaks corresponding to polycrystalline silicon carbide whose crystal polymorph is 3C.例文帳に追加

表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した回折ピークと、（１１１）結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察される。 - 特許庁

Oxygen is doped into a gallium nitride crystal through a non-C-plane by using a seed crystal having the non-C-plane on its upper surface and performing the vapor-phase growth of the gallium nitride crystal while supplying material gases including gallium, nitrogen and oxygen to be doped.例文帳に追加

非Ｃ面を上面にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながら窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより非Ｃ面を通して酸素をドーピングする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate for suppressing the generation of any crystal defect in the case of creating a region having different crystal plane orientation on the substrate surface by using a semiconductor substrate where a semiconductor layer having the different crystal plane orientation is laminated.例文帳に追加

異なる結晶面方位を有する半導体層が積層された半導体基板を用いて、基板表面に異なる結晶面方位を有する領域を作成する場合に、結晶欠陥の発生を抑制することを可能にする半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The temperature at this time is high enough to partially melt crystal grains of silicon having a {100} plane orientation in the vertical direction to a substrate 11 and also melt amorphous crystal grains or crystal grains of silicon having plane orientations other than {100}.例文帳に追加

このときの温度は、非晶質膜１４において、基板１１の垂直方向に対して｛１００｝面方位を有するシリコンの結晶粒が部分的に溶融すると共に、シリコンの非晶質または｛１００｝以外の面方位を有する結晶粒が溶融するものである。 - 特許庁