「CRYSTAL PLANE」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a portable electronic apparatus case structure in which the disposition plane for disposing a liquid crystal display unit and a substrate can be molded into a warpless plane without increasing the number of components, and the liquid crystal display unit and the substrate can be protected from an influence of the warp.例文帳に追加

部品点数を増やすことなく液晶表示器と基板を配置する配置面をソリの無い平面に成形することができ、液晶表示器や基板をソリの影響から守ることが可能な携帯電子機器の筐体構造を提供する。 - 特許庁

To provide an in-plane switching liquid crystal display device capable of preventing reduction of a contrast ratio by improving light leakage in a dark state and improving color inversion due to a visual field angle, in the in-plane switching liquid crystal display device including an optical compensation film.例文帳に追加

本発明は、光学補償フィルムを含む水平電界方式の液晶表示装置に関し、暗状態の光漏れを改善してコントラスト比の低下を防ぎ、かつ視野角による色の反転を改善することができる水平電界方式の液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

When the cholesteric liquid crystal layer 20 as the object has a defect, abnormality is generated in the polarization state of light at the spot where the defect is present on the plane of the cholesteric liquid crystal layer 20, and this generates difference in brightness (in-plane distribution) of the illumination light L emitted from the absorption type linearly polarizing layer 12.例文帳に追加

検査対象となるコレステリック液晶層２０に欠陥がある場合には、コレステリック液晶層２０の平面のうち欠陥が存在する箇所で光の偏光状態に異常が生じるので、吸収型直線偏光層１２から出射した照明光Ｌに明暗の差（面内分布）が生じる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an SiC single crystal substrate capable of obtaining a (000-1) carbon plane having more excellent surface roughness by reducing processing scratches in polishing the (000-1) carbon plane of the SiC single crystal substrate and reducing adhering substances on the surface after finish polishing.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶基板の（０００−１）カーボン面の研磨加工において加工傷を減少させ、かつ仕上げ研磨後の表面付着物を減少させて、より良好な表面粗さをもつ（０００−１）カーボン面を得られるＳｉＣ単結晶基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The surface emitting laser has a photonic crystal layer 130 on a substrate 105 via an active layer, wherein the photonic crystal layer has a first periodic structure that resonates at least in the direction of plane and a second periodic structure that modulates the intensity distribution of light in the direction of plane.例文帳に追加

基板１０５上に活性層を介してフォトニック結晶層１３０を有する面発光レーザであって、前記フォトニック結晶層は、少なくとも面内方向に共振させる第１の周期構造と、面内方向の光の強度分布を変調させる第２の周期構造とを有する。 - 特許庁

In front of the liquid crystal elements 43a and 43b, there are arranged: liquid crystal elements 43a and 43b which can make the position of a light beam on the scanned plane 16f variable; and half-wave plates 22a and 22b as optically rotating means which rotate the polarized plane of the light beams 21a and 21b.例文帳に追加

被走査面１６ｆ上の光ビーム位置を変えることのできる液晶素子４３ａ、４３ｂと、光ビーム２１ａ、２１ｂの偏光面を回転する旋光手段としての１／２波長板２２ａ、２２ｂを液晶素子４３ａ、４３ｂの前方に配置した。 - 特許庁

The liquid crystal display device with the active driving system uses a liquid crystal with addition of Group-III or Group-XIII metal-liquid crystal compatible particles, which is driven by an electric field applied in a plane direction of the substrate and prepared by adding liquid crystal compatible particles containing a Group-III or Group-XIII metal and at least one liquid crystal molecules to a mixture liquid crystal material.例文帳に追加

アクティブ駆動方式の液晶表示装置は、基板の面方向に印加される電界により駆動され、第３族または第１３族金属と少なくとも１種の液晶分子とを含む液晶相溶性粒子を、混合液晶材料に添加してなる第３族または第１３族金属液晶相溶性粒子添加液晶を用いる。 - 特許庁

The production method of a silicon single crystal 1 by Czochralski method by doping with carbon is disclosed, wherein the crystal 1 is grown by controlling the difference between an average growing rate of the crystal center portion 15 within a plane perpendicular to the crystal growth direction and an average growing rate of the crystal peripheral portion 16 to be within ±0.1 mm/min during growing the crystal.例文帳に追加

チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶１を製造する方法において、結晶成長時に、結晶成長方向に対して垂直面内の結晶中心部１５が成長する平均速度と結晶周辺部１６が成長する平均速度との差を±０．１ｍｍ／ｍｉｎ以内となるようにして結晶１を成長する。 - 特許庁

Further, the liquid crystal injecting method of injecting the liquid crystal material is characterized in that the method includes the steps of: providing the liquid crystal tray and a panel each including the loading surface which is the complete plane; loading the liquid crystal material on the loading surface; and injecting the liquid crystal material into the panel from the liquid crystal tray, in contact with an edge of the panel having the loading surface.例文帳に追加

また、液晶材料を注入する液晶注入方法において、完全な平面である積載面を含む液晶トレイとパネルを提供するステップ、前記積載面に前記液晶材料を載せるステップ、および前記積載面を有する前記パネルの縁部に接触し、前記液晶材料が前記液晶トレイから前記パネルの中に注入されるステップを含むことを特徴とする液晶注入方法。 - 特許庁

The monolithic photonic receiver device is provided with an optoelectronic device grown on a front face of a chip, a reflective mirror anisotropically etched in a first crystal plane of the chip on a back side opposite the chip front face, and a channel anisotropically etched in a second crystal plane on the chip back face in a manner crossing a plane of the etched reflective mirror.例文帳に追加

モノリシック光子レシーバーディバイスには、チップの前面上に成長せしめられた光電子ディバイス、チップ前面の反対側の背面上におけるチップの第一結晶面中に異方性エッチングされた反射鏡、およびチップ背面上における第二結晶面中に、上記のエッチングで形成された反射鏡の面と交差するように異方性エッチングされたチャンネルが与えられている。 - 特許庁

While a heated high-purity nitrogen gas is being sprayed on a separation plane of the single crystal semiconductor layer separated from the single crystal semiconductor substrate, laser beam irradiation is performed.例文帳に追加

単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層の分離面に加熱した高純度の窒素ガスを吹き付けながら、レーザビームを照射する。 - 特許庁

A liquid crystal panel 10 has a plurality of pixel electrodes 12 which are arrayed in a plane and a counter electrode 171 which faces the individual pixel electrodes 12 with a liquid crystal 182 interposed.例文帳に追加

液晶パネル１０は、面状に配列された複数の画素電極１２と、液晶１８２を挟んで各画素電極１２に対向する対向電極１７１とを有する。 - 特許庁

The semiconductor laser diode 10 includes a hexagonal-wurtzite single crystal substrate 12 and an active layer 15, made of InGaN formed on m-plane (1_100) of the single-crystal substrate 12.例文帳に追加

半導体レーザダイオード１０は、六方晶系ウルツ鉱型単結晶基板１２と、この単結晶基板１２のｍ面（１＿１００）上に形成されたＩｎＧａＮからなる活性層１５とを備える。 - 特許庁

Then the crystal lattice plane of a single crystal ingot 1 is positioned in the grinding reference position a by revolving the single ingot 1 up to the intersection angle (ϕ-ψ).例文帳に追加

そして、この相対角度（φ−ψ）だけ単結晶インゴット１を回転することにより、該単結晶インゴット１の結晶格子面を研削基準位置ａに位置決めする。 - 特許庁

A first imaging relay lens pair is positioned between the multilevel spatial light modulator and the photorefractive crystal to image a multibit spatial light modulator image on a plane behind the photorefractive crystal.例文帳に追加

第１画像化リレーレンズ対は、多重空間光変調器とフォトリフラクティブ結晶との間に配置され、多ビット空間光変調器画像をフォトリフラクティブ結晶の裏面で画像化する。 - 特許庁

To provide a crystal-oriented ceramic which consists of isotropic perovskite-type potassium-sodium niobate as a basic composition and has excellent piezoelectric characteristics etc., and a highly oriented specific crystal plane, and its manufacturing method.例文帳に追加

等方性ペロブスカイト型ニオブ酸カリウムナトリウムを基本組成とし、優れた圧電特性等を示し、かつ特定の結晶面が高い配向度で配向した結晶配向セラミックス及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a single crystal through which single crystal having a high oxygen concentration above a given concentration over the entire length and having a uniform in-plane oxygen concentration distribution can be obtained.例文帳に追加

全長に亘り所定濃度以上の高酸素濃度を有すると共に、面内酸素濃度分布が均一な単結晶を得ることのできる単結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

Concretely, the organic crystals 2 and 3 have each a crystal structure where a crystal plane containing the π-conjugated molecule 1 is formed parallel or perpendicular to a substrate 10 in one embodiment of the laser material.例文帳に追加

具体的には、有機結晶２・３は、π共役系分子１を含んでなる結晶面が、基板１０に対して平行又は垂直に形成された結晶構造を有している。 - 特許庁

This InP single crystal substrate is specified to have 1×1017 atoms/cm3 to 1×1018 atoms/cm3 oxygen atom concentration, <100> direction of the crystal plane and within ±0.03° off-angle degree.例文帳に追加

ＩｎＰ単結晶基板中の酸素原子濃度を、１×１０^17原子／ｃｍ^3〜１×１０^18原子／ｃｍ^3の範囲内、面方位を＜１００＞でオフアングルが±０．０３°未満とする。 - 特許庁

The sapphire single crystal substrate is characterized in that the distribution of the variation of the lattice constant in the same plane of the sapphire crystal is within 0.002 Å.例文帳に追加

上記サファイア単結晶基板はサファイア結晶の同一面内における格子定数のバラツキの分布が０．００２Å以内であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an apparatus for manufacturing a quartz crystal thin film, which can be advantageously used especially for manufacturing the quartz crystal thin film preferentially oriented in an AT cut plane in a uniform thickness.例文帳に追加

水晶結晶薄膜、特にＡＴカット面に優先的に配向した水晶結晶薄膜を均一な厚みで製造するために有利に用いることができる水晶薄膜の製造装置を提供すること。 - 特許庁

This crystal-grain-oriented ceramic product consists of a polycrystal of a perovskite compound containing at least Ba and Ti, wherein each of the constituent crystal grains of the polycrystal has an oriented pseudocubic {111} plane.例文帳に追加

本発明に係る結晶配向セラミックスは、少なくともＢａとＴｉとを含むペロブスカイト型化合物の多結晶体からなり、該多結晶体を構成する各結晶粒の擬立方｛１１１｝面が配向していることを特徴とする。 - 特許庁

The crystal-oriented ceramics is composed of a polycrystal body comprising a first perovskite type compound at least containing Na and Nb as the main phase, and the pseudo-cubic {100} plane of each crystal grain composing the polycrystal body is oriented.例文帳に追加

少なくともＮａ及びＮｂを含む第１のペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する各結晶粒の擬立方｛１００｝面が配向している結晶配向セラミックス。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor substrate on which an epitaxial crystal film uniform in a crystal mixing ratio or carrier concentration can be grown by controlling the in-plane temperature distribution to be uniform during epitaxial growth.例文帳に追加

エピタキシャル成長時の面内温度分布を均一にして、混晶比やキャリア濃度において均一なエピタキシャル結晶膜を成長させることができる窒化物半導体基板を提供する。 - 特許庁

In the mesa 15, the top face is a {100} crystal plane of the III-V compound semiconductor and the lateral faces are {110} crystal planes of the III-V compound semiconductor.例文帳に追加

メサ１５は、上面がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の｛１００｝結晶面であり、側面がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の｛１１０｝結晶面であることを特徴とする。 - 特許庁

The nitride semiconductor substrate or element structure having the anisotropic grating constant in the (0001) crystal plane is manufactured by partially reducing or applying grating distortion by periodically arraying crystal defects in the element structure.例文帳に追加

素子構造内に結晶欠陥を周期的に配列させることで、格子歪みを部分的に緩和もしくは印加して、（０００１）結晶面内の格子定数が等方的でない窒化物半導体基板もしくは素子構造を作製する。 - 特許庁

To make a nondisplay region among, for example, four liquid crystal panels invisible even when the four liquid crystal panels are arranged next to one another in a 2×2 matrix on a single plane.例文帳に追加

例えば４枚の液晶表示パネルを同一平面の左右及び上下に２×２のマトリクス状に配置しても、４枚の液晶表示パネル間の非表示領域が見えないようにする。 - 特許庁

The crystal anisotropic wet etching is known to have different etching rates depending on crystalline planes, and only a specific crystalline plane can be exhibited by crystal anisotropic etching.例文帳に追加

結晶異方性ウェットエッチングは結晶面によりエッチング速度が異なることが知られており、結晶異方性エッチングを行うことで特定の結晶面のみを表出することが出来る。 - 特許庁

Alignment treatment is performed so that arrangement directions of liquid crystal molecules on counter substrates are parallel to each other (so that arrangement directions of the liquid crystal molecules between substrates are in the same plane).例文帳に追加

配向処理は、対向基板上の液晶分子配列方向が互いに平行方向となるように（基板間の液晶分子配列方向が同一平面内にあるように）施す。 - 特許庁

In the crystal orientation measuring method for a semiconductor wafer, a preparation process is conducted for preparing a semiconductor wafer 10 having cleavability that it cracks along a crystal plane with a specific orientation and formed with an orientation flat 11.例文帳に追加

半導体ウエハの結晶方位測定方法は、特定方向の結晶面に沿って割れるへき開性を有するとともに、オリエンテーションフラット１１が形成された半導体ウエハ１０を準備する準備工程を実施する。 - 特許庁

The plane display device includes a display panel DP including a plurality of liquid crystal pixels PX each having a display color of red, green, or blue and a driving unit DU which drives the plurality of liquid crystal pixels PX.例文帳に追加

平面表示装置は表示色が赤、緑、および青のうちのいずれかである複数の液晶画素ＰＸを含む表示パネルＤＰと、複数の液晶画素ＰＸを駆動する駆動ユニットＤＵとを備える。 - 特許庁

The (111) plane of the substrate including any point on the interface between the second epitaxial crystal layer and the substrate is surrounded by the element isolation insulating film in a region deeper than the second epitaxial crystal layer.例文帳に追加

前記第２のエピタキシャル結晶層と前記基板との界面上の任意の点を含む前記基板の（１１１）面は、前記第２のエピタキシャル結晶層よりも深い領域で前記素子分離絶縁膜に囲まれる。 - 特許庁

The first underlayer includes crystal particles (15a) of Ru or a Ru alloy extended in a direction perpendicular to the substrate and a gap part (15b) separating the crystal particles from each other in the in-plane direction.例文帳に追加

第１下地層は、基板に対して垂直方向に延びるＲｕ又はＲｕ合金の結晶粒子（１５ａ）と、前記結晶粒子を面内方向で互いに隔てる空隙部（１５ｂ）を含む。 - 特許庁

The imaging component includes a vertically aligned nematic liquid crystal cell, a polarizer and the compensation film containing an aligned positive birefringent material having the optical axis tilting within a plane perpendicular to the surface of the liquid crystal cell.例文帳に追加

垂直配向ネマチック液晶セル、偏光子、および前記液晶セル面に対して垂直な平面内にティルトした光軸を有する配向された正の複屈折材料を含有する補償フィルムを含んでなる画像形成素子。 - 特許庁

The recording layer includes the magnetic crystal particles (17a) extended in a direction perpendicular to the substrate and a gap part (17b) separating the magnetic crystal particles from each other in the in-plane direction.例文帳に追加

記録層は、前記基板に対して垂直方向に延びる磁性結晶粒子（１７ａ）と、前記磁性結晶粒子を面内方向で互いに隔てる空隙部（１７ｂ）を含む。 - 特許庁

A porous layer is formed on a single-crystal semiconductor substrate made of (100) plane direction single-crystal silicon, and the heat treatment of the porous layer is carried out in a, for example, hydrogen atmosphere.例文帳に追加

（１００）面方位の単結晶シリコンからなる単結晶半導体基板に多孔質層を形成し、この多孔質層を例えば水素雰囲気中で熱処理する。 - 特許庁

To provide a structure having a photonic crystal efficiently reflecting light leaked in an in-plane direction with small size for reuse, and a surface-emitting laser having the structure having the photonic crystal.例文帳に追加

面内方向に漏れる光を、小さいサイズで効率的に反射して再利用できるようにするフォトニック結晶を有する構造体、フォトニック結晶を有する構造体を備えた面発光レーザを提供する。 - 特許庁

As for the light guide body 112, one main surface 1121 on the side opposed to the liquid crystal panel 2 is formed in a reversed square pyramid shape which is a plane of square shape parallel to the liquid crystal panel 2.例文帳に追加

導光体１１２は、液晶パネル２に対向する側の一方主面１１２１が液晶パネル２に対して平行な四角形状の平面である逆四角錐形状に形成されている。 - 特許庁

The silicon single crystal substrate 2 arranged in an almost horizontal state is rotated in a plate plane direction, and simultaneously the material gas is supplied almost parallel to the main surface of the silicon single crystal substrate 2 to carry out the vapor phase growth.例文帳に追加

略水平状態に配されたシリコン単結晶基板２を板面方向に回転させつつ、該シリコン単結晶基板２の主表面に対して略平行に原料ガスを供給することによって気相成長させる。 - 特許庁

Electrode pads 12 and 13 are formed in the bottom of a ceramic package 1, and a crystal oscillating board 2 of a plane rectangular shape of a crystal oscillating element is mounted between the electrode pads 12 and 13.例文帳に追加

セラミックパッケージ１の内部底面には電極パッド１２、１３が形成されており、前記電極パッド１２，１３間には水晶振動素子である平面視矩形形状の水晶振動板２が搭載されている。 - 特許庁

A substrate 3, being a GaN based compound substrate, includes a crystal reversal region 32 where a crystal plane orientation reverses in a region that will become multiple semiconductor elements (element region 31).例文帳に追加

ＧａＮ系化合物基板である基板３は、複数の半導体素子となる領域（素子領域３１）の間に、結晶の面方位が反転している結晶反転領域３２を含んでいる。 - 特許庁

A good crystal is stably grown by growing a crystal on the (4 4-8 m) (wherein m is 1 or -1) plane in the GaN or SiC substrates (1101).例文帳に追加

このようなＧａＮまたはＳｉＣ基板（１１０１）において、(４ ４ −８ ｍ)（ただしｍは１または−１）面上に結晶を成長させることによって、良質な結晶を安定して成長させることができる。 - 特許庁

To provide a group III nitride crystal joined substrate having an arbitrarily specified main plane of {hk-(h+k)l} (wherein h, k and l are integers) except {0001} and a group III nitride crystal.例文帳に追加

｛０００１｝以外の任意に特定される｛ｈｋ−（ｈ＋ｋ）ｌ｝（ｈ、ｋおよびｌは整数）の主面を有するＩＩＩ族窒化物結晶接合基板およびＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。 - 特許庁

In this manner, by limiting the crystal orientation state of the titanium film, the aluminum film 35 orientated preferentially on the crystal orientation (111) plane can be formed, thus obtaining wiring where the generation of hillocks has been suppressed.例文帳に追加

このようにチタン膜の結晶配向状態を限定することにより、結晶方位（１１１）面に優先配向したアルミニウム膜３５を成膜でき、ヒロック発生が抑制された配線を得ることができる。 - 特許庁

Since the end surface of the resonator is (1_100) plane, not only the ZnO single crystal substrate 12 but also the end surface of the semiconductor layer grown on the ZnO single crystal substrate can beautifully be split when the end surface is cleaved.例文帳に追加

共振器端面が（１＿１００）面になっているので、端面をへき開したときに、ZnO単結晶基板１２だけでなく、その上に成長させて形成した半導体層の端面も（１＿１００）面で綺麗に割れる。 - 特許庁