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Center Gateの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 311件
PORTABLE TERMINAL APPARATUS, CENTER SERVER, AND TICKET GATE MACHINE例文帳に追加
携帯端末機器、センターサーバ、及び、改札機 - 特許庁
Suzaku-mon Gate was the main gate and stood at the center of the south wall. 例文帳に追加
南の中央の門が正面玄関に当たる朱雀門(すざくもん)である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
WIRELESS PORTABLE TERMINAL DEVICE, AUTOMATIC TICKET GATE, MANAGEMENT DEVICE, AND CENTER DEVICE IN AUTOMATIC TICKET GATE SYSTEM例文帳に追加
自動改札システムにおける無線携帯端末装置、改札機、管理装置、センター装置 - 特許庁
An apparatus is equipped with an advance gate processing part 1 and a delay gate processing part 3 for setting an advance gate and a delay gate which are adjacent on the front and rear sides, separated by the center of a gate position of a sample gate processing part 2 for catching a target.例文帳に追加
目標をとらえるサンプルゲート処理部2のゲート位置の中心を境に前後に隣り合う進みゲート及び遅れゲートを設定する進みゲート処理部1及び遅れゲート処理部3を備える。 - 特許庁
A gate 4 is provided at a center of a cavity side opposed to the core 3.例文帳に追加
コア3と対向するキャビティサイドの中央部にゲート4を設ける。 - 特許庁
A manned ticket gate and a shop (service center) are located on the north side of the station. 例文帳に追加
駅の北側に有人改札口があり売店(サービスセンター)もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
This system comprises a ticket issuing center connected via a network, a payment center and an entrance gate.例文帳に追加
ネットワークで接続された発券センター、決済センター、および入場ゲートからなるシステムを提供する。 - 特許庁
In the gate insulating film 2, the film thickness of thick film portions 2a of the gate insulating film 2, which are located under both end parts of the gate electrode 3, is thicker than the film thickness of a center portion 2b of the gate insulating film 2, which is located under the center part of the gate electrode 3.例文帳に追加
ゲート絶縁膜2では、ゲート絶縁膜2におけるゲート電極3の両端部下に位置する厚膜部分2aの膜厚は、ゲート絶縁膜2におけるゲート電極3の中央部下に位置する中央部分2bの膜厚よりも厚い。 - 特許庁
The gate of a metallic mold is connected to the upper surface center of the hub 15 in molding.例文帳に追加
成形時には金型のゲートが、ハブ15の上面中央に接続される。 - 特許庁
In a center part of a columnar semiconductor 14, a gate insulating film 9 is formed so as to surround the center part, and a gate layer 6 is formed so as to surround the gate insulating film 9.例文帳に追加
柱状半導体14の中央部には、その周囲を囲むように、ゲート絶縁膜9が形成され、さらに、ゲート絶縁膜9の周囲を囲むように、ゲート層6が形成されている。 - 特許庁
A MIS structure is constituted by the center part of the columnar semiconductor 14, the gate insulating film 9, and the gate layer 6.例文帳に追加
この柱状半導体14の中央部、ゲート絶縁膜9、ゲート層6により、MIS構造が形成されている。 - 特許庁
To firmly mount a center beam by relieving the concentration of stress applied to a fixing part of the center beam and gate-shaped frames.例文帳に追加
センタービームと門形フレームとの固定部にかかる応力集中を緩和して、センタービームの取付を強固にすること。 - 特許庁
A center position in the gate width direction of the first active region is aligned with the center position in the gate width direction of the second active region with the well boundary as reference.例文帳に追加
第1の活性領域のゲート幅方向の中心位置は、ウエル境界を基準として第2の活性領域のゲート幅方向の中心位置と揃えられている。 - 特許庁
INFORMATION ANNOUNCEMENT SYSTEM, TICKET GATE MACHINE AND CENTER DEVICE USABLE IN THE SYSTEM, AND PROGRAM例文帳に追加
情報通知システム、同システムで使用可能な改札機、同センター装置、及びプログラム - 特許庁
A gate can be arranged on the center line on one surface of the mold.例文帳に追加
1つのゲートが金型の一面13に中心線上に配置されていても良い。 - 特許庁
The measuring gate 9 of each aggregate storage bin 7 is provided closer to the radial center.例文帳に追加
各骨材貯蔵ビン7の計量ゲート9を放射状の中心寄りに設ける。 - 特許庁
The gate door 400 is rotated with the fixing shaft 140 as a center and is opened and closed to the front and back.例文帳に追加
門扉400は、固定軸140を中心として回転し、前後に開閉する。 - 特許庁
This allows the gate 2a to be shifted toward the center of the memory cell region C.例文帳に追加
これにより、ゲート2aをメモリセル領域Cの中心方向にシフトさせることができる。 - 特許庁
An opening 21 is formed in the center of gate rotors 5, 6 of a screw compressor 1.例文帳に追加
スクリュー圧縮機1におけるゲートロータ5、6は、中央に開口21が形成されている。 - 特許庁
The gate part 72 is located at the center face 66 of the adhesive placement recess 70.例文帳に追加
接着剤充填用凹部70の中央面66に、ゲート部72が位置している。 - 特許庁
An overflow section 9 is formed in the side face center of the opposite gate side of the cavities 5.例文帳に追加
キャビティ5の反ゲート側の側面中央にはオーバーフロー部9が形成されている。 - 特許庁
Three states of a state of using only the center gate unit 3, a state of using the center unit 3 and one of the front units 4, 5, and a state of using the center gate unit 3 and the two front units 4, 5 can be selected.例文帳に追加
センターゲートユニット3のみを使用する態様、センターゲートユニット3と一方のフロントユニット4,5とを使用する態様、センターゲートユニット3と前後2つのフロントユニット4,5を使用する態様、の三態様を選択できる。 - 特許庁
Otherwise a gate insulating film of MISFETQs forming a light oxidation film 11a on the side wall of a gate electrode G is formed so that a ratio of the film thickness of a gate insulating film under the end of the gate electrode to the film thickness of the gate insulating film under the center part of the gate electrode is 1.15 or greater.例文帳に追加
もしくは、ゲート電極Gの側壁にライト酸化膜11aが形成されたMISFETQsのゲート絶縁膜を、ゲート電極の中央部の下のゲート絶縁膜の膜厚に対する、ゲート電極の端部下のゲート絶縁膜の膜厚の比が、1.15以となるよう形成する。 - 特許庁
That is, the gate electrode 14 includes a first gate electrode 14N having a small first gate width W1 at the center, and second gate electrodes 14W with large second gate widths W2 at both sides.例文帳に追加
即ち、ゲート電極14は、その中央部に、小さい第1のゲート幅W1を持った第1のゲート電極部分14Nと、その両側に、大きい第2のゲート幅W2を持った第2のゲート電極部分14Wを有して構成されている。 - 特許庁
The width in gate length direction of a gate electrode 18 in a memory cell is less than a half of a cell pitch C which is the length form the center of a source line connect 31 to the center of a drain contact 32.例文帳に追加
メモリセル内のゲート電極18のゲート長方向の幅を、ソース線コネクト31の中心からドレインコンタクト32の中心までの長さであるセルピッチCの1/2未満とする。 - 特許庁
As the name shows, the station is the nearest one to Kyoto Seika University, and it is a shorter distance from the station to the center of the campus than it is from the center of the university campus to its front gate. 例文帳に追加
駅名の通り、京都精華大学の最寄り駅であり、キャンパスの中心部は大学の正門からよりも近い。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
A gate opening 29 for injection molding is formed on the middle center line of the arms 12a and 12b.例文帳に追加
射出成型のゲート口29はアーム12a、12bの中間中心線上に設ける。 - 特許庁
At the center of the south side there were a remainder of the gate and tower-like building at the southwest and west corners. 例文帳に追加
南辺中央部には門跡、南西隅および西辺の2ヶ所で櫓状建物があった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The film thickness of the gate oxide film at the end is set to 1.4-3.0 times as large as the thickness of a center part.例文帳に追加
端部におけるゲート酸化膜の膜厚は、中央部の厚みの1.4〜3.0倍とする。 - 特許庁
On the center line of the central monastery, from the south, are the chokushi-mon gate (gate for imperial envoys which is a Chinese style gate); Mie-do; and Shingyo-den, to the east of Mie-do is Godai-do, to the west is Shinden, and to the north of Shinden is Shoshin-den. 例文帳に追加
伽藍の中軸線上には南から勅使門(唐門)、御影堂、心経殿が建ち、御影堂の東に五大堂、西に宸殿、宸殿の北側に正寝殿が建つ。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The resistance value of the gate electrode 14 is reduced, as going toward the center part 16, starting from both the ends 15 of the gate electrode.例文帳に追加
ゲート電極14の抵抗値が、ゲート電極の両端15から中央部16に向かうに従って減少することを特徴とする。 - 特許庁
The gate device 1 is separated into a center gate unit 3 having a regulator (stopper) 7 and front units 4, 5 arranged before and after it.例文帳に追加
ゲート装置1は、規制体(ストッパー)7を有するセンターゲートユニット3とその前後に配置されるフロントユニット4,5とに分離構成されている。 - 特許庁
This is provided with a gate and a center pillar 3 pivoted to an under carriage 1, a coupling device 6 for the gate 2 and the center pillar 3, a stopper 4 pivoted to the center pillar 3 for supporting the center pillar 3 in a standing condition, and a mechanism engaged with a hook 23 on the under carriage 1 for locking the stopper 4 in a standing condition.例文帳に追加
車台1に枢支のあおり2及び中柱3、あおり2と中柱3の連結装置6、中柱3に枢支され起立して中柱3を支えるストッパ4、車台1上のフック23と係合してストッパ4を起立状態でロックする機構5を含む。 - 特許庁
The polysilicon gate electrode 20 located on the gate oxide film 14 is composed of three components, ends 20a adjacent to the STI 18 and a center 20b, where the ends 20a are of P-type, and the center 20b is of N-type.例文帳に追加
そして、ゲート酸化膜14上のポリシリコンゲート電極20の導電形式は、STI18近傍すなわち端部20aがP型であり、端部20a以外の中央部20bがN型である。 - 特許庁
A lower edge of a center constituting part 23 of a rear bumper 16 is supported by the gate 34 via a bumper hinge 121, and an upper edge 123 of the center constituting part 23 is moved to the gate 34 side.例文帳に追加
このとき、リヤバンパー16の中央構成部23の下縁部は、バンパーヒンジ121を介してゲート34に支持されており、この中央構成部23の上縁部123をゲート34側へ移動する。 - 特許庁
At Kawara-dera Temple the corridors from the left and right of the middle gate cut the center of the temple into squares, and Chukon-do Hall is located at the center of the northern area. 例文帳に追加
川原寺では中門左右から出た廻廊が伽藍中心部を方形に区切り、廻廊の北辺中央に中金堂が位置する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The shield area and the extension area are exposed while covering the center area with the gate layer and the gate insulating layer and the shield area are made thicker than the extension area by etching.例文帳に追加
エッチングで、センターエリアをゲート層で覆い、遮蔽エリアと延伸エリアを露出させ、ゲート絶縁層遮蔽エリアの厚さを延伸エリアのそれよりも厚くする。 - 特許庁
In the underground path connecting the north entrance/exit gate and south entrance/exit gate, located outside these gates, there is a Kyoto City center for certificate issuance and a commuter ticket sales office of the Transportation Bureau. 例文帳に追加
北改札口と南改札口を結ぶ改札外の地下通路には、京都市証明書発行センターと交通局定期券販売所がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The thickness of the gate insulating film on the inclination part 16A of the semiconductor film is larger than that of a gate insulating film on the center 16B of the semiconductor film.例文帳に追加
半導体膜の傾斜部16A上におけるゲート絶縁膜の厚みは、半導体膜の中央部16B上におけるゲート絶縁膜の厚みより大きい。 - 特許庁
A gate signal generation circuit 29 outputs a gate signal for performing peak photometry at a center part and average photometry at a periphery part in an image pickup range.例文帳に追加
ゲート信号発生回路29は、撮像範囲中央部でピーク測光を行い、周辺部で平均測光を行うためのゲート信号を出力する。 - 特許庁
To provide a portable terminal apparatus, a center server, and a ticket gate machine capable of suppressing an unauthorized use in a ticket gate system using a two-dimensional code.例文帳に追加
二次元コードを利用した改札システムにおいて、不正使用を抑制することが可能な携帯端末機器、センターサーバ、及び、改札機を提供する。 - 特許庁
Brake-down occurs in the center of the cell and the damage of a gate oxide layer due to the generation of the hot carrier is prevented.例文帳に追加
セル中央でブレークダウンが生じ、ホットキャリア発生によるゲート酸化層の損傷を防止する。 - 特許庁
In front of the main entrance of the Hirosaki Culture Center, near the east gate of Hirosaki-jo Castle, there is a bronze statue of Tamenobu TSUGARU. 例文帳に追加
弘前城東門近くの弘前文化センター正面入口前には、津軽為信の銅像がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
In 1787, he became Naidaijin (Minister of the Center); In 1788, he took the position of "Toka no sechie Naiben" (Kugyo who supervised inside Jomei gate at Toka no sechie [Imperial Court ceremony]). 例文帳に追加
天明7年(1787年)に内大臣となり、天明8年(1788年)には踏歌節会内弁をつとめた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
To provide a manufacturing method for a semiconductor device having an isolated charge accumulating layer, which suppresses the collapse of a gate electrode when a gate insulating film is formed under the center of the gate electrode.例文帳に追加
分離した電荷蓄積層を有する半導体装置において、ゲート電極中央下にゲート絶縁膜を形成する際のゲート電極の倒れ込みを抑制する製造方法を提供する。 - 特許庁
A U-shaped groove whose periphery is high and gate-lengthwise center is low is formed at least on either the first gate electrode 14T1 or the second gate electrode 14T2.例文帳に追加
第1のゲート電極14T1及び第2のゲート電極14T2の少なくとも一方の上部には、周縁部が高く且つゲート長方向の中央部が低い凹状溝が形成されている。 - 特許庁
At first, an effective layer is formed on a substrate, a gate insulating layer having a center area, a shield area and an extension area defined on the surface is formed on the effective layer, and a gate layer is formed on the gate insulating layer.例文帳に追加
まず基板上に有効層を形成し、有効層上に、表面上にセンターエリア、遮蔽エリア、延伸エリアが定義されたゲート絶縁層を形成し、そのゲート絶縁層上にゲート層を形成する。 - 特許庁
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