「DRAM」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

In this information processor, a cache memory 11, DRAM (dynamic random access memory) 20 and a flash memory 30 are connected to respective system buses.例文帳に追加

キャッシュメモリ１１と、ＤＲＡＭ（ダイナミックランダムアクセスメモリ）２０と、フラッシュメモリ３０とを各々システムバスに接続する。 - 特許庁

To provide a large-capacity DRAM reduced in data holding current and capable of stably supplying an operation power supply voltage.例文帳に追加

データ保持電流が低減された安定に動作電源電圧を供給することのできる大容量ＤＲＡＭを提供する。 - 特許庁

During the moving picture reproduction, image parts needed for display among expanded image data are stored in a DRAM 106.例文帳に追加

動画再生中は、伸長された画像データのうち、表示に必要な画像部分をＤＲＡＭ１０６に格納する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of reducing resistance of a gate electrode of a logic device regarding a DRAM/ logic consolidated type semiconductor device.例文帳に追加

ＤＲＡＭ・ロジック混載型の半導体装置に関して、ロジックデバイスのゲート電極を低抵抗化し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

To smoothly and efficiently inspect a semiconductor integrated circuit device provided with a DRAM and a system LSI.例文帳に追加

ＤＲＡＭおよびシステムＬＳＩを備える半導体集積回路装置の円滑かつ効率的な検査を可能とする。 - 特許庁

An A/D converter converts a video signal from a CCD 1 into a digital signal, and a memory controller 4 stores the digital signal to a DRAM 3.例文帳に追加

ＣＣＤ１からの映像信号をＡ／Ｄ変換器２によりデジタル化し、メモリコントローラ４によりＤＲＡＭ３に格納する。 - 特許庁

In a twin cell 101# constituted out of two DRAM cells, a cell plate 130# is separated electrically from every other twin cell 101#.例文帳に追加

２つのＤＲＡＭセルによって構成されるツインセル１０１♯において、各ツインセル１０１♯ごとにセルプレート１３０♯を電気的に分離する。 - 特許庁

To obtain a dynamic random access memory(DRAM) circuit using a test system and a method for deciding sensitivity of a sense amplifier.例文帳に追加

センスアンプの感度を決定するテストシステム及び方法を使用するダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）回路を提供する。 - 特許庁

A DRAM cell transistor 302, a first interlayer film 303, and a first contact plug 304, are formed on a silicon substrate 301.例文帳に追加

シリコン基板３０１の上にＤＲＡＭセルトランジスタ３０２、第１の層間膜３０３及び第１のコンタクトプラグ３０４が形成されている。 - 特許庁

To provide a synchronous semiconductor memory in which read can be performed with access time comparable to that of a synchronous DRAM.例文帳に追加

シンクロナスＤＲＡＭと同程度のアクセスタイムで読み出しができる同期式半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Data areas for storing the respective programs for the plurality of communication systems are previously determined in the DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭ内に、複数の通信方式それぞれのプログラムを保持するデータ領域を、予め決定しておく。 - 特許庁

To provide an integrated circuit device and a technique for detecting and monitoring a temperature particularly for dynamic random access memory (DRAM).例文帳に追加

集積回路装置、特に動的ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）のための温度検知および監視の技術を提供する。 - 特許庁

To enable the stacked capacitor lower electrodes of a dynamic semiconductor memory device(DRAM) to be reduced in insulating properties between them.例文帳に追加

ダイナミック型半導体記憶装置（ＤＲＡＭ）のスタックキャパシタ下部電極間の絶縁性を改善する。 - 特許庁

When the erasure and reading of the memory in the DRAM end, image processing or image conversion is performed.例文帳に追加

ＤＲＡＭ内のメモリ消去と読み出しが終了したら画像加工処理又は画像変換処理を行うようにする。 - 特許庁

To provide a DRAM and a refreshing method performing successively normal access and refreshing in one operation cycle of a SRAM.例文帳に追加

本発明は、ＳＲＡＭの１動作サイクル内に、通常のアクセスとリフレッシュを逐次行うＤＲＡＭ及びリフレッシュ方法を提供することにある。 - 特許庁

A P-MISFET 151, an N-MISFET 152, a memory cell transistor 153 for a DRAM and a capacitor 154 are formed on a semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１上に、ＰＭＩＳＦＥＴ１５１，ＮＭＩＳＦＥＴ１５２，ＤＲＡＭのメモリセルトランジスタ１５３，キャパシタ１５４を形成する。 - 特許庁

A decoder 11 generates and outputs various control signals needed to place a 64M DRAM in operation.例文帳に追加

デコーダ１１は、６４Ｍ ＤＲＡＭを動作させるのに必要な各種の制御信号を生成して出力する。 - 特許庁

Frame images are selected from a DRAM in a storing order (S201), and a feature amount of the selected frame images is calculated (S202).例文帳に追加

ＤＲＡＭから記憶された順序でフレーム画像を選択し（Ｓ２０１）、この選択したフレーム画像の特徴量を算出する（Ｓ２０２）。 - 特許庁

When a dram washing machine is transported, a bolt 52 for fastening a tank 4 to an outer box 1 is screwed with a fixing plate attached to the tank 4.例文帳に追加

ドラム式洗濯機の輸送時に水槽４を外箱１に固定するためのボルト５２を水槽４に取り付けた板状の固定具と螺合した。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a DRAM which can prevent overetching of polysilicon forming a storage node.例文帳に追加

ストレージノードを形成するポリシリコンの過エッチングを防止できるＤＲＡＭの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device such as a DRAM, having a capacitor capable of obtaining large capacitance in a restricted occupied area.例文帳に追加

限られた占有面積の中で大きな容量値が得られるキャパシタを有するＤＲＡＭ等の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the case of confirmation reproduction and of the reproduction, the number of lines is converted by interleaving read addresses from the DRAM 9.例文帳に追加

確認再生時および再生時では、ＤＲＡＭ９の読出しアドレスの間引きによりライン数を変換する。 - 特許庁

The memory part 12 is constituted by DRAM or FROM and memorizes a reference value ΔT to be the reference for temperature control.例文帳に追加

記憶部１２は、ＤＲＡＭやＦＲＯＭなどであり、温度制御の基準となる値である基準値ΔＴなどを記憶する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of freely changing a DRAM memory cell array into a nonvolatile memory cell array.例文帳に追加

ＤＲＡＭメモリセルアレイを自在に不揮発性メモリセルアレイに変更可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor element that comprises a contact plug having a sufficient process margin, and a method of manufacturing a DRAM.例文帳に追加

工程上十分な余裕を有するコンタクトプラグを備える半導体素子の製造方法及びＤＲＡＭの製造方法を提供する。 - 特許庁

This memory device is provided with at least two DRAM memory modules, at least one external ECC module and a memory controller.例文帳に追加

メモリーデバイスは、少なくとも２つのＤＲＡＭメモリーモジュールと、少なくとも１つの外部ＥＣＣモジュールと、メモリーコントローラとを備えている。 - 特許庁

To prevent mutual interference between noises from a circuit cell and a DRAM a microprocessor which is built into a single integrated circuit device.例文帳に追加

一個の集積回路装置に回路セルとして内蔵したマイクロプロセッサとＤＲＡＭとのノイズの相互干渉を防止する。 - 特許庁

A refreshing interval counting means 4 outputs a timing signal indicating timing of refreshing for a DRAM 2.例文帳に追加

リフレッシュ間隔計時手段４はＤＲＡＭ２に対するリフレッシュのタイミングを示すタイミング信号を出力する。 - 特許庁

A surface of a semiconductor substrate 1 is divided into a region D, in which a DRAM is formed and a region P, in which a photodiode is formed.例文帳に追加

半導体基板１の表面がＤＲＡＭが形成される領域Ｄと、フォトダイオードが形成される領域Ｐとに区画される。 - 特許庁

To improve the characteristic of MISFET by reducing leak current of MISFET constituting a memory cell such as a DRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭ等のメモリセルを構成するＭＩＳＦＥＴのリーク電流を低減し、ＭＩＳＦＥＴの特性を向上させる。 - 特許庁

A DRAM 10 is equipped with the power down mode to suspend the refresh operation for the memory holding while the internal current is kept active.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１０は、内部電源を活性化しつつ、記憶保持のためのリフレッシュを停止するパワーダウンモードを備える。 - 特許庁

To prevent resistance of an embedded strap of a DRAM cell from changing by the overlapping manner of a deep trench and an active region.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルの埋め込みストラップの抵抗が、深いトレンチと、能動領域との重なりかたにより、変動することを解決する。 - 特許庁

A distortion aberration correction processing apparatus 14 includes a DRAM 4 and an SRAM 5 for storing an object image from the optical system 1.例文帳に追加

歪曲収差補正処理装置１４は、光学系１からの被写体象を格納するための、ＤＲＡＭ４と、ＳＲＡＭ５と、を備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a satisfactory structure suitable for microfabrication and capable of suppressing a cell leakage of a DRAM cell.例文帳に追加

ＤＲＡＭセルのセルリークを抑制し、微細化にも好適な構造を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Test interface circuits TIC0-TIC2 are arranged respectively corresponding to DRAM cores MCR0-MCR2.例文帳に追加

ＤＲＡＭコアＭＣＲ０〜ＭＣＲ２にそれぞれ対応して、テストインターフェイス回路ＴＩＣ０〜ＴＩＣ２が配置される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a DRAM to operate at high speed with less power consumption and a logic circuit are mounted together on a single chip.例文帳に追加

この発明は、高速で低消費電力のＤＲＡＭとロジック回路を１チップで混載できる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

This dynamic random access memory(DRAM) has a pair of bit lines provided with first bit lines and second bit lines.例文帳に追加

本発明のダイナミックランダムアクセスメモリ (ＤＲＡＭ)は第一ビット線と第二ビット線とを具備するビット線対を有している。 - 特許庁

A memory device changes a shape of a logic address map of a DRAM core in accordance with a page length specifying signal outputted from a mode register.例文帳に追加

メモリデバイスは、モードレジスタから出力されるページ長指定信号に応じて、ＤＲＡＭコアの論理アドレスマップ形状を変更する。 - 特許庁

Also, when a DRAM is operated during an entry or exit mode of DPD, an erroneous trigger of a circuit can be prevented.例文帳に追加

そして、ＤＰＤ進入または退出モード中にＤＲＡＭが動作する時に回路の誤ったトリガを防止できる。 - 特許庁

To provide a DRAM and its manufacturing method whereby the layout area of its memory cells is saved to make increasable the integration density of its memory cells.例文帳に追加

メモリセルのレイアウト面積を節約して、集積度を増加させることができるＤＲＡＭおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the difference is less than the threshold value, the average false black pixel data of the data level of the minimum is used as noise data and is stored in a DRAM 27.例文帳に追加

差が閾値未満の場合、最小値のデータレベルの平均擬似黒色画素データをノイズデータとしてＤＲＡＭ２７に格納する。 - 特許庁

From the viewpoint of design, it is desirable to use a DRAM-based alpha particle sensing apparatus as an accelerated on-chip SER test vehicle.例文帳に追加

ＤＲＡＭベースのアルファ・イオン粒子感知装置の設計は、高速化されたオン・チップＳＥＲテスト装置として使用されることが望ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device including a DRAM section in which current consumption can be reduced at the time of standby while holding data.例文帳に追加

データを保持したまま、待機時において消費電流を低減させることが可能なＤＲＡＭ部を含む半導体装置を提供する。 - 特許庁

To separate a DRAM part into a texture buffer for storing texture data and a frame buffer for storing pixel data.例文帳に追加

本発明は、ＤＲＡＭ部を、テクスチャデータを記憶するテクスチャバッファとピクセルデータを記憶するフレームバッファとに分離したことを特徴とする。 - 特許庁

The correlation value operating device is composed of a DRAM memory cell array 10, a word line driver 12 and a sense amplifier 14.例文帳に追加

相関値演算装置は、ＤＲＡＭメモリセルアレイ１０と、ワード線ドライバ１２と、センスアンプ１４とで構成される。 - 特許庁