「Electromigration」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a magnetic field sensor that can prevent reduction in the resistance change of a magnetoresistive element by suppressing the electromigration on the electrode material at high temperatures.例文帳に追加

高温下での電極材料のエレクトロマイグレーションを抑制して磁気抵抗効果素子の磁気抵抗変化率の低下を防止できる磁界センサーを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having copper wiring which has excellent resistance to both an electromigration (EM) and a stress migration (SM), and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

エレクトロマイグレーション（ＥＭ）およびストレスマイグレーション（ＳＭ）両耐性に優れた銅配線を備える半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To reliably ensure an insulating property due to an intershield gap while effectively preventing electromigration by suppressing the temperature rise of an MR (magnetoresistance) element.例文帳に追加

ＭＲ素子の温度上昇を抑制して、エレクトロマイグレーションの発生を有効に防止しながら、シールド間ギャップによる絶縁性の確保を確実なものとする。 - 特許庁

The first interconnection is decreased in crystal grain diameter because of the corner portions, but improved in electromigration resistance since they are sectioned short by a certain number of corner portions.例文帳に追加

第１配線はコーナー部により結晶粒径が減少するが、一定のコーナー部数で短く区切られるためエレクトロマイグレーション耐性が向上する。 - 特許庁

To provide a wiring structure capable of ensuring a stress-migration resistance and an electromigration resistance while reducing resistances among wiring lines or between the wiring and a plug.例文帳に追加

配線間または配線とプラグとの間の抵抗を低減しつつストレスマイグレーション耐性、エレクトロマイグレーション耐性を確保できる配線構造を提供する。 - 特許庁

A 2nd file 6 stores the information of maximum capacity allowed for a clock buffer in each operation frequency found out from the limitation of electromigration.例文帳に追加

第２のファイル６はエレクトロマイグレーションの制限から求められた各動作周波数ごとのクロックバッファーに許される最大容量の情報を格納している。 - 特許庁

The porous silicon can be coated with a Raman active metal, for instance, a thin film made of gold or silver by cathodic electromigration or any known method.例文帳に追加

多孔質シリコンには、陰極エレクトロマイグレーションまたは任意の公知の方法で、ラマン活性金属、たとえば金または銀の薄い皮膜をコーティングすることができる。 - 特許庁

To provide an interconnect structure having electromigration resistance enhanced by lining the inside of a lower portion of a via opening inside with a multi-layered liner.例文帳に追加

ビア開口の下部分を多層ライナで内側を覆うことにより強化したエレクトロマイグレーション耐性を有する相互接続構造体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for preventing electromigration in an MRAM, and to prevent such destruction of the MRAM performance.例文帳に追加

従って、本発明の課題は、ＭＲＡＭにおいて電気移動の阻害をするための方法を提供し、ＭＲＡＭの性能のそのような破壊を妨害することである。 - 特許庁

To prevent broken wire defects due to electromigration which occurs in fine wiring of copper by forming a pattern for compensation which supplies copper.例文帳に追加

銅の微細配線で発生することが判ったエレクトロマイグレーションによる断線不良を銅を供給する補償用パターンを形成することで解決を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device excellent in stress migration resistance and electromigration resistance, and having high connection reliability of lower wiring and upper wiring.例文帳に追加

ストレスマイグレーション耐性およびエレクトロマイグレーション耐性に優れ、下部配線と上部配線との接続信頼性の高い半導体装置を提供すること。 - 特許庁

Since a maximum current amount flowing through the logic circuit can be reduced in this way, the problem of wiring breakage due to the electromigration can be solved.例文帳に追加

これにより、論理回路に流れる最大電流量を低減することができるので、エレクトロマイグレーションによる配線断線の問題を解決することができる。 - 特許庁

To provide a magnetic resistance effect element or the like which prevents the generation of electromigration at the end of an electrode film in a reed overlay structure.例文帳に追加

リードオーバレイ構造において電極膜の端部におけるエレクトロマイグレーションの発生を防止することができる、磁気抵抗効果素子等を提供する。 - 特許庁

To improve the electromigration resistance of an embedded wiring in a semiconductor integrated circuit device with the embedded wiring composed of a copper-based conductive material.例文帳に追加

銅系の導電材料からなる埋め込み配線を有する半導体集積回路装置における埋め込み配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。 - 特許庁

After etching processing, an overcoat 55 for preventing electromigration is covered for the etching prevention overcoats, the exposed part of the electrode layer, and the magneto-resistance effect film.例文帳に追加

エッチング加工後に、エッチング防止用保護膜、電極膜の露出した部分及び磁気抵抗効果膜に対してエレクトロマイグレーション防止用保護膜５５を被覆する。 - 特許庁

The copper silicide suppresses Cu diffusion and electromigration and serves as a barrier material in the regions where contact to further conductive material is made.例文帳に追加

ケイ化銅は、Ｃｕ拡散およびエレクトロマイグレーションを抑制し、後続導体材料との接触が行われる領域内でバリア材として機能する。 - 特許庁

The transition layer has resistivity higher than pure copper and is strongly adhered to copper and the barrier layer, and reliability of electromigration resistance is improved.例文帳に追加

該遷移層は、純銅よりも高い抵抗率を有し、銅とバリア層に強力に接着させ、エレクトロマイグレーション耐性の信頼性を向上させる。 - 特許庁

To reduce the resistance variation of Cu wiring and to improve the electromigration resistance of the wiring by improving the embeddability of the wiring in groove patterns.例文帳に追加

Ｃｕ配線の溝パターンへの埋め込み性を向上することによって、配線抵抗のばらつきを低減し、またエレクトロマイグレーション耐性を向上する。 - 特許庁

To realize a multilayer wiring structure which can make the micronization of metallic wiring and the suppression of electromigration compatible, without incurring increase in the number of processes.例文帳に追加

金属配線の微細化とエレクトロマイグレーションの抑制との両立を図ることができる多層配線構造を工程数の増加を招くことなく実現する。 - 特許庁

The method comprises steps of processing current information obtained from a result of circuit simulation to a current component; determining and appropriately changing the wiring width or the number of vias using information on an allowable current value to electromigration of wiring and vias; and detecting and correcting a place which tends to cause errors for electromigration.例文帳に追加

回路シミュレーションの結果から得た電流情報から電流成分に加工する工程と、配線、ビアのエレクトロマイグレーションに対する許容電流値に関する情報を使って、配線幅やビアの個数を決定、適宜変更する工程と、エレクトロマイグレーションに関するエラーが起きやすい場所を検出・修正する工程を有する。 - 特許庁

In this case, since the part where the five wiring parts 7c are parallel to one another is a region where short-circuit caused by electromigration is easy to generate, if only the region is covered with the second protective film 10, the short-circuit caused by electromigration is made hard to generate in the region.例文帳に追加

この場合、当該５本の引き回し線部７ｃの互いに平行とされた部分がエレクトロマイグレーションに起因するショートが発生しやすい領域であるので、この領域のみを第２の保護膜１０で覆えば、当該領域でエレクトロマイグレーションに起因するショートが発生しにくいようにすることができる。 - 特許庁

Hereby, since the added value of a potential difference in each unit measuring part can be measured and sensitivity is multiplied by the number of added stages, it becomes easier to evaluate the electromigration.例文帳に追加

これにより、前記単位測定部の電位差を合算して測定でき、感知機能は合算倍に拡大されるので、エレクトロマイグレーションの評価が一層容易である。 - 特許庁

To reduce electromigration within an aluminum inter-element connec tion by depositing an aluminum layer successively on three layers Ti/TiN/TiNx, having an initial Ti layer formed thereon in a high density plasma.例文帳に追加

優れたエレクトロマイグレーション特性を有するアルミニウム素子間配線を可能にする多数の異なるウエッティング・レイヤーあるいはウエッティング／バリヤー・レイヤーを提供する。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor that is used in a circuit handling signals in a millimeter waveband, is capable of reducing electromigration errors, and has superior high-frequency characteristics.例文帳に追加

ミリ波帯の信号を扱う回路で使用可能であり、かつエレクトロマイグレーションエラーを低減することが可能な高周波特性に優れた電界効果型トランジスタを提供する。 - 特許庁

The surface of the wiring 8 and the outer circumferential surface of the columnar electrode 11 are covered by an electromigration-preventing film 12 made of polyimide based resin, poly benzo oxysazole (PBO) based resin, or the like.例文帳に追加

配線８の表面および柱状電極１１の外周面は、ポリイミド系樹脂、ＰＢＯ系樹脂等からなるエレクトロマイグレーション防止膜１２によって覆われている。 - 特許庁

The single crystallization of the metal nanowire 4 is performed by supplying current generating electromigration of the nanowire from a current source 5 to the metal nanowire 4 interposed between electrodes 2, 3.例文帳に追加

電極２と３に挟まれた金属ナノワイヤー４に、電流源５からエレクトロマイグレーションを生じる電流を所定時間供給すると、金属ナノワイヤーは単結晶化する。 - 特許庁

To decrease an initial fraction defective and to prevent a decrease in resistance to electromigration by preventing cap metal from being fused during a washing stage in formation of a wiring groove and a through hole.例文帳に追加

配線溝とスルーホール形成時の洗浄でキャップ金属が溶解して初期不良率の低下、エレクトロマイグレーション耐性の低下を防止することを目的とする。 - 特許庁

In order to improve electromigration, and to strongly obtain an intermediate layer 18 with texture, the titanium lower layer 14 is not relatively contaminated, and contains a contaminant of at most 5 wt.%.例文帳に追加

チタン下層１４は、エレクトロマイグレーションを改善し、強くテクスチャ付きの中間層１８を得るために、比較的汚染が少なく、５重量％以下の汚染物質を含む。 - 特許庁

To provide a power MOS transistor which is hard to be restricted by electromigration, lower in wiring resistance and power loss, and has a little restriction on arrangement of a pad.例文帳に追加

エレクトロマイグレーションの制約を受け難く、配線抵抗が小さくトランジスタの電力損失が少ない、パッド配置の制約の少ないパワーＭＯＳトランジスタを提供する。 - 特許庁

The maximum length of the conductive connection layer is so decided as to prevent occurrence of electromigration of a conductive material constituting the conductive connection layer by using a Blech constant.例文帳に追加

導体接続層の最大長さは、その導体接続層を構成している導体材料のエレクトロマイグレーションの発生を防止するようにBlech定数を使用して決定される。 - 特許庁

The variation of reproducing performance becomes difficult to happen due to the fact that the magnetoresistance effect is reinforced and electromigration becomes difficult to occur by making use of a high-spin polarization.例文帳に追加

高スピン偏極を利用して磁気抵抗効果が増強されると共に、エレクトロマイグレーションが生じにくくなることにより再生性能がばらつきにくくなる。 - 特許庁

Accordingly, a high voltage more than 36 V and the leak current which particularly increases due to high temperature at usage are restrained, and the electromigration of the heater can be suppressed.例文帳に追加

これによって、３６Ｖ以上の高電圧や、使用時の高温で特に大きくなるリーク電流を抑制し、ヒータのエレクトロマイグレーションを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a structure for housing a desiccant in which malfunctions of microelectronics/electronic circuits are not caused by electromigration.例文帳に追加

本発明は、エレクトロマイグレーションによって超小型電子技術／電子回路の障害が引き起こされることのない、乾燥剤の収容構造を提供しようとするものである。 - 特許庁

To suppress deterioration in electromigration resistance and to reduce via resistance while making good use of characteristics of a barrier metal needed when, for example, Cu is used as a wiring material.例文帳に追加

配線材料に例えばＣｕを用いる場合に要求されるバリアメタルの特性を活かしながらも、エレクトロマイグレーション耐性の劣化の抑制及びビア抵抗の低減を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing it in which increase of resistance between layouts is suppressed, even when electromigration(EM) occurs.例文帳に追加

エレクトロマイグレーション（ＥＭ）現象が生じた場合であっても，配線間の抵抗値の増加が抑えられた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Moreover, a copper sulfide film 18 is formed on the surface of the wiring 17, whereby the surface diffusion of copper in the wiring 17 is inhibited and the electromigration resistance of the wiring 17 is also improved.例文帳に追加

また、金属配線１７の表面に銅の硫化物１８が形成されることにより銅の表面拡散が抑制され、エレクトロマイグレーション耐性も向上する。 - 特許庁

To provide a wiring board with high reliability on electric insulation between adjacent wiring conductors without causing electromigration between the wiring conductors.例文帳に追加

隣接する配線導体間にエレクトロマイグレーションが発生することがなく配線導体間における電気的な絶縁信頼性の高い配線基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a design method for a semiconductor integrated circuit capable of obtaining an optimum circuit satisfying restriction of electromigration (EM) in a range satisfying circuit restriction.例文帳に追加

回路制約を満足する範囲で、かつエレクトロマイグレーション（ＥＭ）の制約を満足する最適な回路を得ることができる半導体集積回路の設計方法を提供する。 - 特許庁

The surface of wiring 8 and the outer peripheral surface of the columnar electrodes 11 are covered with an electromigration prevention film 12 comprising a polyimide-based resin, a PBO-based resin, or the like.例文帳に追加

配線８の表面および柱状電極１１の外周面は、ポリイミド系樹脂、ＰＢＯ系樹脂等からなるエレクトロマイグレーション防止膜１２によって覆われている。 - 特許庁

To improve electric characteristics and electromigration when fine wiring patterns are formed on a wiring board for a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は半導体装置用配線基板に関し、微細配線パターンが形成された場合の電気特性の改善及びエレクトロマイグレーションの改善を図ることを課題とする。 - 特許庁

This structure causes Joule heating from each wiring 1, 3 to become complementary, thereby enabling stabilization of the temperature inside the electromigration evaluating device.例文帳に追加

このように構成することにより、各配線１，３からのジュール発熱が相補的になり、ひいては、エレクトロマイグレーション評価装置内の温度を一定化させることができる。 - 特許庁

The heat dissipating part 11 is disposed continuously to the contact part 12 in order to release heat generated therefrom at the time of electromigration test.例文帳に追加

放熱部１１は、第２の配線部１０に連続して設置され、放熱部１１によってコンタクト部１２に対するエレクトロマイグレーション試験の際に発生する熱を逃がすことができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, which has a multilayered wiring structure, capable of decreasing in wiring capacitance and possessing high electromigration resistant-properties, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

多層配線構造において、配線容量を低減しつつ、高いエレクトロマイグレーション耐性を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Concerning the electromigration evaluating device having evaluation wiring for electromigration evaluation composed of a metal film formed on a silicon substrate and a pad composed of the same metal as evaluation wiring formed at both the terminals of test wiring, the pad is covered with the metal film of a small thermal expansion coefficient.例文帳に追加

本発明のエレクトロマイグレーション評価装置は、シリコン基板上に形成された金属膜からなるエレクトロマイグレーション評価用の評価配線と、この試験配線の両端部に形成された評価配線と同一金属からなるパッドとを有するエレクトロマイグレーション評価装置に関して、前記パッドを熱膨張係数の小さい金属膜で被覆する。 - 特許庁

To solve problems in layout design of a custom core such as memory core or analog core, in which it is difficult to recognize current information during manual layout design, and layout design based on electromigration becomes further difficult, resulting in increased man-hours for correction after layout design since a rule for electromigration is complicated due to segmented processes.例文帳に追加

メモリやアナログなどのカスタムコアのレイアウト設計では、人手によるレイアウト設計が多く、レイアウト設計中に電流情報の認識が困難であり、またエレクトロマイグレーションに関するルールがプロセスの微細化により複雑化するため、エレクトロマイグレーションを守ったレイアウト設計がより困難となり、レイアウト設計後の修正工数が大きい。 - 特許庁