「Electromigration」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a thin-film formation method capable of enhancing the electromigration resistance as well as improving adhesion with embedding metals and embedding characteristics.例文帳に追加

埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させることが可能な薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide circuit verification method and system capable of verifying electromigration by simulation of a practical speed, an integrated circuit and a method for manufacturing the integrated circuit.例文帳に追加

実用的な速度のシミュレーションによりエレクトロマイグレーションの検証をすることができる回路検証方法、回路検証システム、集積回路及び集積回路の製造方法を提供すること。 - 特許庁

From the via-hole 170, a current path to the lower part AlTi alloy layer 150 is ensured without interposing the AlCu layer 130, so that the electromigration tolerance can be made high.例文帳に追加

ビアホール１７０から、ＡｌＣｕ層１３０を介さずに下部ＡｌＴｉ合金層１５０に達する電流パスが確保されているため、エレクトロマイグレーション耐性を高くすることができる。 - 特許庁

To attain a semiconductor device which efficiently distributes current flowing to a plug for connecting wiring in an upper layer with wiring in a lower layer and is excellent in electromigration resistance as a result.例文帳に追加

上層の配線と下層の配線とを接続するプラグに流れる電流を効率的に分散させ、エレクトロマイグレーション耐性に優れた半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

By allowing a current of current density 40 mA/μm^3 or higher to flow the electrical fuse of a predetermined length, the electrical fuse is surely disconnected by electromigration and pinch effect.例文帳に追加

所定の長さの電気ヒューズに、電流密度４０ｍＡ／μｍ^3以上の電流を流すことにより、エレクトロマイグレーションとピンチ効果によって電気ヒューズが確実に切断される。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit for detecting a degradation phenomenon in an electromigration under the actual operation condition, an detecting a sign of a failure.例文帳に追加

実際の動作条件下においてエレクトロマイグレーションの劣化現象を検知すると共に、故障の兆候を検知することが可能な半導体集積回路を提供することである。 - 特許庁

To provide an electronic part having a capacitor in which it is possible to prevent an electromigration from occurring and the accuracy of a capacity value of a capacitor element is high.例文帳に追加

本発明は、コンデンサを有する電子部品に関し、エレクトロマイグレーションの発生を防止でき、かつコンデンサ素子の容量値の精度が高い電子部品を提供することを目的とする。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a wiring region 100 for valuation including second wiring 10 for electromigration test evaluation and heat radiating parts 11 arranged with a prescribed pattern.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、所定のパターンで設けられたエレクトロマイグレーション試験評価用の第２の配線部１０と、放熱部１１とを含む評価用配線領域１００を有する。 - 特許庁

Since there exists almost no step difference at the base of the source electrode 8, the occurrence of the electromigration of, the break in and the local increase in the electric resistance of the source electrode 8 is suppressed.例文帳に追加

ソース電極８の下地における段差がほとんどないので、ソース電極８のエレクトロマイグレーション，断線，電気的抵抗の局部的増大などの発生が抑制される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein the generation of electromigration is prevented between wiring where a magnetic field is necessary to be produced and a magnetic shield material layer covering the outside of the wiring.例文帳に追加

本発明は、磁界を発生する必要がある配線とその外側を覆う磁気シールド材料層との間におけるエレクトロマイグレーションの発生を抑制した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reading device which reduces a current flowing through a transfer transistor and reads a potential of a bit line without causing problems such as electromigration and hot carriers.例文帳に追加

トランスファートランジスタを流れる電流を小さくすることができ、エレクトロマイグレーションやホットキャリアの問題を生じずにビット線の電位を読み出すことができる読み出し装置を提供する。 - 特許庁

To provide a read-out device capable of reducing a current flowing through a transistor and reading a potential of a bit line without causing problems such as electromigration and hot carriers.例文帳に追加

トランジスタを流れる電流を小さくすることができ、エレクトロマイグレーションやホットキャリアの問題を生じずにビット線の電位を読み出すことができる読み出し装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a copper clad laminated body which has a high adhesive force between a conducting body and an insulating body, is excellent in electromigration resistance, can perform a micro-machining in a pitch of 30 μm or less, and is excellent in flex resistance.例文帳に追加

導体と絶縁体の間の接着力が高く、耐エレクトロマイグレーション性に優れ、 ３０μmピッチ以下の微細加工が可能で、かつ、耐屈曲性に優れる銅張積層体を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where a scoop does not occur in a via plug at manufacture, and borderless wiring structure having satisfactory electromigration resistance and being highly reliable can be obtained, and its manufacture.例文帳に追加

製造時にビアプラグにえぐれが発生せず、良好なエレクトロマイグレーション耐性を有し高信頼性のボーダレス配線構造が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device manufacturing method for producing less electromigration and stress migration by removing a reactive product after forming an aluminum wire with dry-etching.例文帳に追加

ドライエッチングによるアルミニウム配線形成後、反応生成物を除去することにより、エレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーションの少ない、信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To measure the lifetime at a contact part accurately when the reliability at the contact part is evaluated by electromigration test.例文帳に追加

エレクトロマイグレーション試験によりコンタクト部の信頼性を評価する際に、コンタクト部の寿命を正確に測定することができる半導体装置および半導体装置の試験方法を提供する。 - 特許庁

To provide multilayer wiring structure which can restrain electromigration without losing an advantage that Cu wiring has a low resistance value which is an important factor for high speed operation.例文帳に追加

高速動作に重要な要素である、Ｃｕ配線が低い抵抗値を有するという利点を損なわずに、かつエレクトロマイグレーションを抑制することができる多層配線構造を提供する。 - 特許庁

The inspection is stopped under the condition where the electromigration is formed between the measuring points to be fed back to the trouble investigation in the semiconductor maker and the semiconductor production department.例文帳に追加

これによりエレクトロマイグレーションが測定点間に形成された状態で検査停止して、半導体メーカや半導体製造部門での障害調査にフィードバックすることができる。 - 特許庁

A value of the resistor R is switched therein when the measured voltage becomes a prescribed value or less, so as to maintain the electromigration, and the impression of the voltage from the power source E is stopped under this condition to finish the inspection.例文帳に追加

そこで、測定電圧が所定値以下になっとき、抵抗器Ｒの値を切り換えて、エレクトロマイグレーションを維持させ、この状態で上記電源Ｅから電圧の印加を停止し検査を終了する。 - 特許庁

To improve resistance to electromigration, improve adhesion and reduce contact resistance, wiring resistance and the like by increasing the adhesion at an interface between copper wirings and connection plugs formed on them.例文帳に追加

銅配線とその上部に形成される接続プラグとの間の界面の密着性を高め、エレクトロマイグレーション耐性の向上、密着性の向上、およびコンタクト抵抗や配線抵抗の低減を図ること。 - 特許庁

The heat radiating parts 11 are continuously arranged at the second wiring 10, and heat generated at the time of the electromigration test for the second wiring 10 is allowed to escape by the heat radiating parts 11.例文帳に追加

放熱部１１は、第２の配線部１０に連続して設置され、放熱部１１によって第２の配線部１０に対するエレクトロマイグレーション試験の際に発生する熱を逃がすことができる。 - 特許庁

For suppressing the electromigration of silver, using copper having high production and usage track records in the industry, silver-copper alloy nanofine particles composed of a silver-copper alloy shell layer of several nm and silver core particles are produced.例文帳に追加

銀のエレクトロマイグレーションを抑制するため、産業上の生産、使用実績の高い銅を用いて、数ｎｍの銀銅合金シェル層と銀コア粒子からなる銀銅合金ナノ微粒子を作製した。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, capable of suppressing the deterioration of wiring life due to electromigration and suppressing increase in the resistance between wiring, and also to provide the semiconductor device.例文帳に追加

エレクトロマイグレーションによる配線寿命の劣化を抑えると共に、配線間の抵抗が増加するのを抑えることができる半導体素子の製造方法及び半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a low-permittivity interlayer insulation film having performance such as the reduction of permittivity, and the suppression of insulation film breakage, electromigration or stress migration, and a method of forming the same.例文帳に追加

低誘電率化と、絶縁膜破壊、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションの抑制という性能を備える低誘電率層間絶縁膜および低誘電率層間絶縁膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide silver-copper alloy nanofine particles which can be sintered at low temperature for suppressing the electromigration of silver and the prevention in the oxidization of copper, and to provide a low temperature sintered thin film thereof which exhibits satisfactory electric conductivity.例文帳に追加

銀のエレクトロマイグレーション抑制及び銅の酸化防止のため、低温焼結可能な銀銅合金ナノ微粒子と良好な導電性を発現するその低温焼結薄膜を提供する。 - 特許庁

To provide a clock layout system and method capable of achieving zero skew with a high packaging density and low power consumption while complying with restrictions on electromigration even if the number of local areas is large.例文帳に追加

ローカルエリアの数が多い場合にも、エレクトロマイグレーションの制約を守りつつ、高集積密度かつ低消費電力でゼロスキューを実現できるクロックレイアウトシステム、及びクロックレイアウト方法を提供する。 - 特許庁

In this way the wiring layer 33 has the copper wiring layer 30, so a break in wiring is hardly caused by electromigration, and reliability in large current or long-time use can be improved.例文帳に追加

したがって、配線層３３が銅配線層３０を有するため、エレクトロマイグレーションによる断線が生じ難く、大電流を流す場合や長期間使用する場合の信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

This stress value is compared with a stress value from a tension test conducted separately to estimate resistance to electromigration and estimate quantitatively the reliability of the wiring.例文帳に追加

そして、この応力値を別途に行う引っ張り試験からの応力値と比較することにより、エレクトロマイグレーション耐性を見積もることが出来、配線の信頼性を定量的に見積もることが出来る。 - 特許庁

The upper interconnection 12 and the plug 3 are connected by inducing an electromigration of an aluminum interconnection 122 of the upper interconnection 12 when the upper interconnection 12 and the lower interconnection 11 are connected in an anti-fuse mode.例文帳に追加

上層配線１２と下層配線１１をアンチヒューズ接続する際には、上層配線１２のアルミニウム配線１２２でエレクトロマイグレーションを発生させて、上層配線１２とプラグ３１とを接続する。 - 特許庁

Without effect of a barrier metal oxide 7, Al (111) orientation of an Al alloy is improved, providing a semiconductor device of high electromigration resistance in metal wiring, as well as reliability.例文帳に追加

これにより、バリアメタル酸化物７の影響がないため、Al合金のAlの（１１１）配向性を向上させることができ、金属配線のエレクトロマイグレーション耐性が高く信頼性の高い半導体装置が得られる。 - 特許庁

Herewith, an oxide formed between the Au film 33 and the Ti film 31 is reduced by the catalytic action of Pt, and adhesiveness of bump electrodes and electromigration resistance can be improved.例文帳に追加

その結果、Ｐｔの触媒作用により、Ａｕ膜３３とＴｉ膜３１との界面に形成される酸化物が還元され、バンプ電極の接着性が向上し、また、エレクトロマイグレーション耐性が向上する。 - 特許庁

A high potential electrode 4, similarly to the low potential electrode 2, has a conductive material of metal carbide or metal nitride to avoid electromigration at electron scattering (collision).例文帳に追加

高電位電極４は、低電位電極２と同様に導電性を有しており、電子の散乱（衝突）の際に、エレクトロマイグレーションを起こさない様に、金属の炭化物または窒化物から選択される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for testing the semiconductor device for accurately measuring the life of wiring at the time of evaluating the reliability of the wiring by an electromigration test.例文帳に追加

エレクトロマイグレーション試験により配線部の信頼性を評価する際に、配線部の寿命を正確に測定することができる半導体装置および半導体装置の試験方法を提供する。 - 特許庁

Since the heaters 12 are installed as a pair by dividing a resistance, a current density is reduced, the load of the heaters is reduced, the disconnection or short circuit of the heaters due to electromigration is prevented, and the gas sensor can be used stably over a long period.例文帳に追加

ヒータ１２は抵抗を分割して一対設けることにより、電流密度小さくしてヒータの負荷を低減し、エレクトロマイグレーションによる断線や短絡を防止するので長期間安定に使用し得る。 - 特許庁

When a probe for supplying a current is contacted to a wiring 13 to flow a large current in a direction of a penetrating part 11e, electromigration which causes a metallic element of the wiring 13 to move in the direction of current arises.例文帳に追加

配線１３に電流供給用のプローブを接触させて、貫通部１１ｅの方向に大電流を流すと、電流の方向に配線１３の金属元素が移動するエレクトロマイグレーションが生じる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which withstanding against stress of an insulating film, improvement of resistance to electromigration and a withstanding voltage between wirings are achieved while suppressing the influence of oxygen and moisture from the insulating film.例文帳に追加

絶縁膜のストレスに耐え、絶縁膜からの酸素や水分の影響を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションの耐性や配線間の耐圧も改善することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for electroplating a copper corelating joint part, which can keep sufficient quantity of production processing as well as reduce formation of voids, improve resistance to electromigration, and uniformity.例文帳に追加

充分な製造処理量を維持しつつ、同時に空隙の形成を軽減し、エレクトロマイグレーションに対する耐性を改善することができ、均一性を改善できる銅相互接続部の電気メッキ方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is improved in electromigration resistance without being accompanied by deterioration in stress migration resistance while keeping wiring resistance of a conductor containing Cu low, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ｃｕを含む配線について、配線抵抗を低く維持しつつ、しかも、ストレスマイグレーション耐性の劣化を伴うことなく、エレクトロマイグレーション耐性を向上し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize fine wirings of highly reliable connections, without bringing about the nonconformity state such as side etching, electromigration or the like and without needing a refined process control in a multilayer wiring board.例文帳に追加

多層配線基板において、サイドエッチングやエレクトロマイグレーション等の不都合を招くことなく、また高度な工程管理を必要とすることなく、接続信頼性の高い微細配線を実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a wiring board with electrodes of a semiconductor element being bonded with connection pads arranged on an insulation substrate via solder bumps, the wiring board inhibiting generation of voids due to electromigration of the connection pads.例文帳に追加

絶縁基板に配置された接続パッドに半導体素子の電極がはんだバンプを介して接合される配線基板において、接続パッドのエレクトロマイグレーションによる空隙が抑制された配線基板を提供する。 - 特許庁

The wiring branchpoint of a net in a semiconductor integrated circuit is acquired, and a current density value is calculated for each wiring branchpoint for comparing with a current density limit value, thus verifying electromigration.例文帳に追加

半導体集積回路のネットの配線分岐点を取得し、それらの配線分岐点毎に電流密度値を計算して、これを電流密度制限値と比較することによりエレクトロマイグレーションの検証を行う。 - 特許庁

To provide a forming method using inexpensive and electromigration-free copper to form a conductive material having high conductivity even when fired at a low temperature, and to provide the conductive material formed using the same.例文帳に追加

安価で且つエレクトロマイグレーションの生じない銅を使用して、低温焼成であっても高導電性を有する導電材を形成する方法及び該方法により形成された導電材を提供すること。 - 特許庁

To suppress increase of capability of occurrence of electromigration, and to suppress increase of power voltage drop while a degree of freedom on arrangement wiring of a power trunk and a standard cell is improved, namely, an area is made to be small.例文帳に追加

電源幹線や標準セルの配置配線の自由度を上げ、すなわち小面積化を実現しながら、エレクトロマイグレーション発生の可能性が高まることの抑制、ならびに電源電圧降下の増大を抑制する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a magneto-resistance effect element, a magneto resistance effect element, a thin film magnetic head and the like, capable of improving reproducing characteristics without causing problems such as electromigration and deformation.例文帳に追加

エレクトロマイグレーションや変形などの問題を来たすことなく、再生特性の向上を図ることができる、磁気抵抗効果素子の製造方法、並びに、磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド等を提供する。 - 特許庁

To solve problems, in the case where a design for making the frame of a liquid crystal display device narrower is realized, that resistance of partial wirings become higher, yield is lowered by disconnection of thinned parts and disconnection by the electromigration concerned to reliability and the like occurs.例文帳に追加

狭額縁化設計を実現しようとする場合の、部分的な配線抵抗の高抵抗化、細った部分の断線による歩留り低下、信頼性に関してのエレクトロマイグレーションによる断線等の課題。 - 特許庁