「FIELD RESISTANCE」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

FRICTIONAL RESISTANCE REDUCED SHIP USING MAGNETIC FIELD例文帳に追加

磁場を利用した摩擦抵抗低減船 - 特許庁

ORGANIC FIELD LIGHT EMITTING ELEMENT PROVIDED WITH LOW RESISTANCE WIRING例文帳に追加

低抵抗配線を備える有機電界発光素子 - 特許庁

STABLE RESISTANCE LAYER FOR FIELD EMISSION DEVICE, FIELD EMISSION DEVICE AND DISPLAY例文帳に追加

電界放出装置のための安定抵抗層、電界放出装置およびディスプレイ - 特許庁

The emitter forms an increasing/decreasing resistance based on a magnetic field as a magnetic resistance device.例文帳に追加

そのエミッタは、磁気抵抗デバイスであって、それは磁界に基づいた加減抵抗を形成している。 - 特許庁

MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT, MAGNETIC FIELD DETECTOR USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETO-RESISTANCE EFFECT ELEMENT例文帳に追加

磁気抵抗効果素子、これを用いた磁界検出器、および磁気抵抗効果素子の製造方法 - 特許庁

FORMING METHOD OF CATHODE CURRENT LIMITING HIGH RESISTANCE VALUE RESISTANCE IN FIELD EMISSION DISPLAY例文帳に追加

フィ—ルドエミッションディスプレイにおけるカソ—ド電流制限用の高抵抗値抵抗の形成方法 - 特許庁

In the positional relation shown in Fig. (b), the resistance of the element A is increased by the imposition of the magnetic field while the resistance of the element B is decreased by the imposition of the magnetic field.例文帳に追加

図（ａ）の位置では、素子Ａの抵抗値が磁界の印加で増大し、素子Ｂの抵抗値は磁界の印加で減少する。 - 特許庁

To a GMR element(gross magnetic field resistance) element 11, bias magnetic field of 2 values is impressed to linearize the variation for the magnetic field.例文帳に追加

ＧＭＲ素子１１には、被測定磁界が印加されると共に、磁界に対する変化を線形化するために２つの値のバイアス磁界が印加される。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor and a method of manufacturing the same capable of reducing an on resistance of the field-effect transistor while enhancing a withstanding voltage of the field-effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタとその製造方法において、電界効果トランジスタの耐圧を高めつつそのオン抵抗を低減すること。 - 特許庁

the resistance of a material to the establishment of a magnetic field in it 例文帳に追加

物質の中に磁界を確立するときの物質の抵抗率 - 日本語WordNet

RICE BLAST FIELD RESISTANCE GENE Pi35(t) AND USE THEREOF例文帳に追加

イネいもち病圃場抵抗性遺伝子Ｐｉ３５（ｔ）とその利用 - 特許庁

The field-effect transistor and the resistance varying material 4 configure a memory cell.例文帳に追加

電界効果トランジスタ及び抵抗変化材４はメモリセルを構成する。 - 特許庁

RADIATION-FIELD RESISTANCE CALCULATION DEVICE AND PROGRAM RECORDING MEDIUM例文帳に追加

放射電磁界耐性算出装置及びプログラム記録媒体 - 特許庁

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH LOW ON-RESISTANCE USING MERGED METAL LAYERS例文帳に追加

融合金属層を使用しているオン抵抗の低い電力用ＦＥＴ - 特許庁

To provide a low on-resistance field effect transistor at low cost.例文帳に追加

低オン抵抗の電界効果トランジスタを低コストで実現する。 - 特許庁

To provide an organic field light emitting element provided with low resistance wiring.例文帳に追加

低抵抗配線を備える有機電界発光素子を提供する。 - 特許庁

RESISTANCE BULB FOR THERMOMETER UNAFFECTED BY MAGNETIC FIELD UNDER VERY LOW TEMPERATURE例文帳に追加

極低温下で磁場に感応しない温度計用測温抵抗体 - 特許庁

To measure insulation resistance of a field circuit, and recover the insulation resistance in the case where the insulation resistance is less than a determined value.例文帳に追加

界磁回路の絶縁抵抗を測定し、絶縁抵抗が既定値未満であった場合に絶縁抵抗の回復を図る。 - 特許庁

To restrain dispersion of parasitic resistance in a field effect transistor on a product lot basis, and to restrain dispersion of resistance of a resistance element.例文帳に追加

製品ロット毎の電界効果トランジスタにおける寄生抵抗のばらつきを抑制すると共に、抵抗素子における抵抗のばらつきを抑制する。 - 特許庁

The field-effect transistor 5 for variable resistance is turned on and off to vary the parallel resistance determined with the resistance 6, thereby varying the gain of the amplifier.例文帳に追加

可変抵抗用電界効果トランジスタ５をＯＮ、ＯＦＦし、抵抗６との並列抵抗値を可変させることで増幅器の利得を可変させる。 - 特許庁

According to a field current and a field voltage which is detected by a field current detector 91 and an initial excitation voltage detector 92, respectively, field resistance is obtained by field resistance function equipment 93, and the lower limit value of an ignition angle of the silicon control rectifying element of a power converter 31 is obtained by a limiter 94 based on the field resistance.例文帳に追加

界磁電流検出器９１及び初期励磁電圧検出器９２によって夫々検出された界磁電流及び界磁電圧から、界磁抵抗関数器９３によって界磁抵抗を求め、これに基づいてリミッタ９４によって電力変換器３１のシリコン制御整流素子の点弧角の下限値を求める。 - 特許庁

When the magnetic field sensor 10 is arranged in the ambient of the static magnetic field and the variation magnetic field, the strength of the magnetic field in the coiled carbon fiber 11 is changed due to the influence of the static magnetic field and the variation magnetic field, the voltage and electric resistance that are generated by it vary, and the variation value can be measured by the voltmeter 13.例文帳に追加

磁場センサ１０を静磁場及び変動磁場の雰囲気中に配置すると、静磁場及び変動磁場に影響されてコイル状炭素繊維１１の磁場の強さが変化し、これに生ずる電圧及び電気抵抗が変動し、その変動値が電圧計１３で測定可能となる。 - 特許庁

The varistor VR varies a resistance value between the gate of an electric field causes transistor Tr1 for generating negative resistance and the inductor L to adjusting the resistance between the drain/source of an field effect transistor Tr2.例文帳に追加

バリスタＶＲは、電界効果トランジスタＴｒ２のドレインソース間抵抗の調整によって、負性抵抗発生用の電界効果トランジスタＴｒ１のゲートとスパイラルインダクタＬの間の抵抗値を、変化させる。 - 特許庁

The field emitter electrode manufactured by the method shows an excellent field emission effect and low contact electric resistance.例文帳に追加

上記方法により製造された電界放出エミッタ電極は優れた電解放出効果と低い接触電気抵抗を示す。 - 特許庁

Potentials obtained by dividing VdacH and VdacL through the resistance linearly drop to LCCOM in the negative field and linearly rise to LCCOM in the positive field.例文帳に追加

ＶｄａｃＨ，ＶｄａｃＬを抵抗分割した各電位が負フィールドでＬＣＣＯＭに対しリニアに低下し、正フィールドでＬＣＣＯＭに対しリニアに上昇する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic field modulation head wherein shock resistance is increased by realizing low inductance and high magnetic field strength.例文帳に追加

低インダクタンス、高磁界強度を実現し、耐衝撃性を高めた磁界変調ヘッドの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Each magnetic resistance sensor outputs an electric signal of a level corresponding to the direction of the magnetic field regardless of the intensity of the magnetic field in the saturated region.例文帳に追加

飽和領域では、各磁気抵抗センサは磁界の強さに関わらず磁界の向きに応じたレベルの電気信号を出力する。 - 特許庁

A resistance value of the magnetic field coil 10 of the motor 4 is detected, and a temperature of the magnetic field coil 10 is estimated on the basis of the detection result.例文帳に追加

モータ４の界磁コイル１０の抵抗値を検出し、その検出結果に基づいて界磁コイル１０の温度を推定するようにした。 - 特許庁

The slits 111, 112 function as magnetic resistance with respect to the tube magnetic field, which passes in the internal magnetic shield, and reduce generation of magnetic field By.例文帳に追加

スリット１１１，１１２が内部磁気シールド内を通過する管軸磁界に対して磁気抵抗として作用して、磁界Ｂｙの発生を少なくする。 - 特許庁

A characteristic of a resistance value in the magnetoresistance effect element 2 is, therefore, shifted by the bias magnetic field Hb, with respect to the external magnetic field Hex.例文帳に追加

したがって、外部磁界Ｈｅｘに対する磁気抵抗効果素子２の抵抗値の特性は、バイアス磁界Ｈｂだけシフトする。 - 特許庁

To provide a head for perpendicular magnetic recording, that can generate a sufficient recording magnetic field and has resistance against an external magnetic field.例文帳に追加

十分な記録磁界を発生でき、且つ外部磁界に対する耐性を有する垂直磁気記録用ヘッドを実現する。 - 特許庁

When an external magnetic field is applied to a sensor part 12 by various causes, a characteristic curve is shifted, without having to pass a coordinate intersection point between a resistance (voltage) and the magnetic field.例文帳に追加

種々の原因でセンサ部１２に外部磁場が加わると、特性曲線は抵抗（電圧）と磁界の座標の交点を通らずにずれる。 - 特許庁

A characteristic of a resistance value in the magnetoresistance effect element 2 is thereby shifted by the bias magnetic field Hb, with respect to the external magnetic field Hex.例文帳に追加

したがって、外部磁界Ｈｅｘに対する磁気抵抗効果素子２の抵抗値の特性は、バイアス磁界Ｈｂだけシフトする。 - 特許庁

To provide a magneto-resistance effect element which has a high MR ratio and has a high exchange coupling magnetic field Hex and a high coupling magnetic field Hua.例文帳に追加

ＭＲ比が高く、交換結合磁場Ｈｅｘ及びカップリング磁場Ｈｕａが高い磁気抵抗効果素子を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device comprising a field plate for a higher breakdown resistance and eliminating the electric field concentration at a step part.例文帳に追加

段差部での電界集中をなくし、より高耐圧が得られるフィールドプレートを有する半導体装置を提供することを主要な目的とする。 - 特許庁

To optimize the ratio of maximum electric field strength at the time of an avalanche to the average electric field of a strong electric field area and the gradient of impurity concentration around the strong electric field area in order to reduce the operation resistance of an electrostatic protection diode, and to prevent the destruction of a semiconductor element due to negative resistance.例文帳に追加

静電気保護ダイオードの動作抵抗を低減すると共に負性抵抗による半導体素子の破壊を防止するため、アバランシェ時の最大電界強度と強電界領域の平均電界の比率や強電界領域周辺の不純物濃度勾配を最適化する。 - 特許庁

In order to sharpen the field emitter tip and to remove the contaminant absorbed from the surface of the field emitter tip, a film resistance heating element (502) is arranged toward the bottom of the field emitter tip and resistance heating of the field emitter tip is made possible.例文帳に追加

電界エミッタチップを先鋭化し、かつ、電界エミッタチップの表面から吸収された汚染物質を除去するために、薄膜抵抗性加熱素子(502)を電界エミッタチップの下方に配置して電界エミッタチップの抵抗性加熱を可能にする。 - 特許庁

In the field effect transistor model for performing simulation of AC characteristic and noise characteristic of the field effect transistor, a resistance circuit in which a first resistance generating thermal noise is serially connected to a second resistance generating no thermal noise is connected as a gate resistor of the field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタのＡＣ特性及び雑音特性のシミュレーションを行うための電界効果トランジスタモデルにおいて、熱雑音を発生する第一抵抗と熱雑音を発生しない第二抵抗とを直列に接続した抵抗回路を電界効果トランジスタのゲート抵抗として接続する。 - 特許庁

To provide a hetero junction field effect transistor with large electrostatic resistance, and its manufacturing method.例文帳に追加

静電気耐量が大きいヘテロ接合型電界効果トランジスタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

MEASURING APPARATUS OF ELECTRIC RESISTANCE IN MAGNETIC FIELD USING MPMS MAGNETIZATION MEASURING APPARATUS AND HALL EFFECT例文帳に追加

ＭＰＭＳ磁化測定装置を用いた磁場中電気抵抗、ホール効果測定装置 - 特許庁

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH GATE SPACER STRUCTURE AND LOW-RESISTANCE CHANNEL COUPLING例文帳に追加

ゲートスペーサー構造と低抵抗チャネル連結部とを備えた電界効果トランジスタ - 特許庁

To provide a hetero-junction compound semiconductor field-effect transistor having less parasitic resistance.例文帳に追加

寄生抵抗を低減できるヘテロ接合型化合物半導体電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

Resistance elements 6 and 7 are connected in between the electric field probes 1 and 2 and the composite voltage separating circuit 3.例文帳に追加

電界プローブ１，２と合成電圧分離回路３との間に、抵抗素子６，７を接続した。 - 特許庁

Contact resistance at 4.2 K in zero-applied-magnetic field is within a range of 1.5x10^-8 to 8.5x10^-8 Ω.例文帳に追加

４．２Ｋでの接触抵抗は零印加磁場で１．５ｘ１０^−８〜８．５ｘ１０^−８Ωの範囲である。 - 特許庁

To obtain a resin useful in the field of semiconductor, having excellent heat resistance, electric characteristics and low water absorption properties.例文帳に追加

半導体分野に有用な耐熱性、電気特性、低吸水性の優れた樹脂を提供する。 - 特許庁