「GA in」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The light emitting element is constituted by laminating nitride semiconductors containing at least Ga upon a substrate in p- and n-type.例文帳に追加

少なくともＧａを含む窒化物半導体が基板上にｐ型及びｎ型に積層された有する発光素子である。 - 特許庁

An inflow Gin of engine cooling water to the refrigerant heater 50 is limited to small inflow Ga in low load.例文帳に追加

低負荷時には、冷媒加熱器５０へのエンジン冷却水の流入量Ｇｉｎを、微小流入量Ｇａに制限する。 - 特許庁

A standard sample having a known In or Ga concentration distribution is prepared according to the irradiation angle and irradiation energy of the oxygen ion 3.例文帳に追加

酸素イオン３の照射角及び照射エネルギーにより、既知のＩｎ又はＧａ濃度分布を有する標準試料が作製される。 - 特許庁

The Cu alloy film 8 contains 0.3-2.0 atom% of one kind or more metals of Sn, In, and Ga.例文帳に追加

Ｃｕ合金膜８は、０．３〜２．０原子％のＳｎ、Ｉｎ、Ｇａの金属のうち１種以上を含有する。 - 特許庁

The clathrate compound has a composition having Ca substituted for some of atoms in a composition expression Ba_8(Ga, Sn)_46.例文帳に追加

本発明のクラスレート化合物は、組成式Ｂａ_8（Ｇａ、Ｓｎ）_46 において、一部の原子がＣａで置換されている組成を有する。 - 特許庁

The clathrate compound has a composition having Mg substituted for some of atoms, in a composition expression Ba_8(Ga, Sn)_46.例文帳に追加

本発明のクラスレート化合物は、組成式Ｂａ_8（Ｇａ、Ｓｎ）_46 において、一部の原子がＭｇで置換されている組成を有する。 - 特許庁

An Sn-Ga alloy having a composition having the atomicity % of Sn of 15% or less is housed in a heated tank 4.例文帳に追加

加熱されたタンク４内には、Ｓｎの原子数％が１５％以下の組成を有するＳｎ−Ｇａ系合金が収納されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well, heterostructure material, and a nitride semiconductor device.例文帳に追加

非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。 - 特許庁

In the clathrate compound, the composition ratio (Cu×100/(Ba+Ga+Sn+Cu)) of the copper represents from more than 0 to 0.061 or less.例文帳に追加

クラスレート化合物におけるＣｕの組成比（Ｃｕ×１００／（Ｂａ＋Ｇａ＋Ｓｎ＋Ｃｕ））は０より大きく０．０６１以下である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an oxide monocrystal cheap and good in quality by using metal Ga without breaking Pt crucible.例文帳に追加

金属Ｇａを用いて、白金るつぼを破損させることなく、安価で良好な酸化物単結晶の作製方法を提供する。 - 特許庁

The mixing step may be a step of dissolving the dopant elements in the liquid Ga.例文帳に追加

前記混合工程は、前記液状Ｇａ中に前記ドーパント元素を溶解させる工程とすることができる。 - 特許庁

A calculation means 12 calculates an image characteristic value Ng from pixel values of a plurality of pixels included in the original images Ga acquired by the acquisition means 11.例文帳に追加

算定手段１２は、取得手段１１が取得した原画像Ｇａに含まれる複数の画素の画素値から画像特性値Ｎgを算定する。 - 特許庁

Inside the solid-state imaging device, pixels are disposed in a honeycomb array, and one block is composed of four pixels provided with color filters R, B, Ga, Gb.例文帳に追加

固体撮像素子内において、各画素をハニカム配列で配置し、色フィルタＲ，Ｂ，Ｇａ，Ｇｂが設けられた４画素で１ブロックを構成する。 - 特許庁

In the transparent conductive film, the quantity (mol) of Ti is 0.02-0.98 with respect to the total quantity (mol) of Ga and Ti.例文帳に追加

ＧａおよびＴｉの合計量（モル）に対し、Ｔｉの量（モル）が０．０２以上０．９８以下である前記の透明導電膜。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a continuous wave semiconductor laser diode of an N (Al, Ga, In) material system.例文帳に追加

（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料系の連続波半導体レーザダイオードを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

In addition, by containing Ge and/or Ga, oxidation-resistant characteristic of the solder and suppression of elution of Co can be enhanced.例文帳に追加

さらに、Ｇｅ及び／又はＧａを含有させることによって、はんだの耐酸化特性とＣｏの溶出抑制を向上させることができる。 - 特許庁

In the sintered body, the quantity (mol) of Ti is 0.02-0.98 with respect to the total quantity (mol) of Ga and Ti.例文帳に追加

ＧａおよびＴｉの合計量（モル）に対し、Ｔｉの量（モル）が０．０２以上０．９８以下である前記の焼結体。 - 特許庁

To simply and efficiently agitate a molten mix of Ga and Na in a production of a group III nitride semiconductor crystal by a Na flux method.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によるIII 族窒化物半導体結晶の製造において、ＧａとＮａの混合融液を簡易かつ効率的に攪拌すること。 - 特許庁

A growth temperature of the aluminum nitride crystal is set in the range of ≥1,000°C and ≤1,500°C, to thereby decompose GaN into metal Ga and nitrogen gas.例文帳に追加

窒化アルミニウム結晶の育成温度を１０００℃以上１５００℃以下の範囲とすることにより、ＧａＮを金属Ｇａと窒素ガスに分解させる。 - 特許庁

Using the mask 20a, on the InP layer 24, a group III-V compound semiconductor layer 26a including Ga, In, and As is formed.例文帳に追加

マスク２０ａを用いて、ＩｎＰ層２４上にＧａ、Ｉｎ、及びＡｓを含むIII−Ｖ族化合物半導体層２６ａを形成する。 - 特許庁

An acquisition means 11 successively acquires a plurality of original images Ga constituting the content by being arrayed in time series.例文帳に追加

取得手段１１は、時系列的に配列されてコンテンツを構成する複数の原画像Ｇａを順次に取得する。 - 特許庁

To provide a novel In-Ga-Zn-based oxide useful as a semiconductor material etc., and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

半導体材料等として有用な新規なＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sputtering target includes: an alloy phase, which includes one or more of Ga, In, and Se, and Cu; and a pure Se phase.例文帳に追加

スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金相と、純Ｓｅ相とで構成されている。 - 特許庁

A gallate composite oxide of perofskite structure ABO_3-δ, including Ga in a B site is used as a solid electrolyte.例文帳に追加

固体電解質として、ペロブスカイト型構造ＡＢＯ３−δを示し、ＢサイトにＧａを含むガレート複合酸化物を用いる。 - 特許庁

It is preferable that Sb/(Ba+Ga+Sn+Sb), which is an atomic ratio of Sb in the clathrate compound, is larger than 0 and smaller than or equal to 0.06.例文帳に追加

本発明のクラスレート化合物におけるＳｂの原子比率であるＳｂ／（Ｂａ＋Ｇａ＋Ｓｎ＋Ｓｂ）は、０より大きく、０．０６以下であることが好ましい。 - 特許庁

An AlYGa1-YAs (0≤Y≤1) layer, in which ethyl Ga is set to be a raw material, is arranged between the superstructure buffer layer and a GaInAs-channel layer.例文帳に追加

また、超格子構造緩衝層とＧａＩｎＡｓチャネル層との中間に、エチルＧａを原料としたＡｌ_YＧａ_1-YＡｓ（０≦Ｙ≦１）層を配置する。 - 特許庁

A nitride semiconductor shown in general formula Al_xGa_yIn_1-x-yN (where 0≤x≤1, 0≤y≤1 and 0≤1-x-y≤1) is used for the semiconductor region 12.例文帳に追加

半導体領域１２には、一般式がAl_x Ga_y In_1-x-yＮ（但し、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦1-x-y≦1）で表される窒化物半導体が用いられている。 - 特許庁

The group IIIA elements are preferably Al, Ga and In and the group VA elements are preferably nitrogen.例文帳に追加

前記周期律表におけるIIIＡ族元素が、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎであり、前記ＶＡ族元素が窒素である態様が好ましい。 - 特許庁

A part or the whole of the oxide layer contains any element of In, Ga, Zn, Sn, Sb, Ge or As.例文帳に追加

前記酸化物層の一部又は全部が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、又はＡｓのいずれかの元素を含有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a high purity Ga-sputtering target in which impurities such as oxygen are removed.例文帳に追加

酸素等からなる不純物を除去した、純度の高いＧａスパッタターゲットの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

An antenna element 31 is disposed at a position away from a ground area GA as far as possible in a non-ground area UA by surface mount.例文帳に追加

アンテナ素子３１は、非グランド領域ＵＡ内でグランド領域ＧＡから極力離れた位置に表面実装により配設される。 - 特許庁

In a frame period, the writing of picture data to the pixels is performed by successive selection of first scanning lines GA by a first scanning line driving part 3a.例文帳に追加

１フレーム期間において、画像データの書込みは、第１の走査線駆動部３ａによる第１の走査線ＧＡの順次選択によって行う。 - 特許庁

To provide semiconductor material, a method, and a device and, more specifically, a nonpolar (Al, B, In, Ga) N quantum well, heterostructure material, and a device.例文帳に追加

半導体材料、方法、およびデバイス、より具体的には、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを提供すること。 - 特許庁

The conductive oxide contains In, Zn and Ga, and crystalline In_2Zn_4O_7.例文帳に追加

導電性酸化物は、Ｉｎ、ＺｎおよびＧａを含み、かつ結晶質Ｉｎ_２Ｚｎ_４Ｏ_７を含むことを特徴としている。 - 特許庁

The etching stopper layer is constituted by an amorphous oxide containing In, Ga, and An with a Zn concentration lower than 20%.例文帳に追加

エッチングストッパ層はＺｎ濃度が２０％未満のＩｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物で構成されている。 - 特許庁

A crucible 10 holding a mixed melt 290 of Na metal and Ga metal is disposed in an internal reaction vessel 20.例文帳に追加

金属Ｎａと金属Ｇａとの混合融液２９０を保持する坩堝１０は、内部反応容器２０内に配置される。 - 特許庁

From a paste of the chalcogen compound powder, a thin film containing Cu, In, Ga and Se and having a low resistance can be obtained.例文帳に追加

カルコゲン化合物粉のペーストによりＣｕ・Ｉｎ・Ｇａ・Ｓｅを含み低抵抗の薄膜を得られる。 - 特許庁

The metal 21 is preferably a metal element of Ga, In, Zn, Cd, Sn, Pb or Bi or an alloy thereof.例文帳に追加

また、金属２１がＧａ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉの金属元素、及びこれらの金属元素の合金であることが好ましい。 - 特許庁

The polygon-meshed product surface is divided into regions, and a texture GA is mapped in an initial region A.例文帳に追加

ポリゴンメッシュ化した製品表面を領域分けし、初期領域ＡにテクスチャＧＡをマッピングする。 - 特許庁

The total amount of Mn, Mg, Cr, Ti, B, V and Ga in the unavoidable impurities is desirably controlled to 50 ppm or less.例文帳に追加

不回避不純物中におけるＭｎ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｂ、Ｖ、Ｇａの総和量を５０ｐｐｍ以下とするのが望ましい。 - 特許庁

This CMP method is applied usefully in order to emphasize the crystal defect on the Ga side of the Al_xGa_yIn_zN wafer.例文帳に追加

このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 - 特許庁

As the group III element, at least one selected from, for example, Ga, Al and In can be used.例文帳に追加

前記III族元素は、例えば、Ｇａ、ＡｌおよびＩｎから選択される少なくとも一つを使用することができる。 - 特許庁

The solder alloy may contain one or more kinds of elements selected from Fe, Ni, Co, Ru, Al, P and Ga by ≤0.1% in total.例文帳に追加

Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｐ、Ｇａのうちから選ばれる１種または２種以上の元素を合計で０．１％以下含んでもよい。 - 特許庁

The position of a gravity center Ga of the recording layer 3 in its thickness direction is located at a position of the interior of the recording layer 3 biased by 1/2 of the layer thickness toward the fixed layer 1.例文帳に追加

記録層３の膜厚方向における磁化の重心Ｇａの位置が記録層３の膜厚の１／２よりも固着層１側に位置している。 - 特許庁

The target containing In, Zn, and Ga as its constituent has a relative density of 75% or higher and a resistivity ρ of 50 Ωcm or less.例文帳に追加

このターゲットは、その組成にＩｎ、Ｚｎ、Ｇａを含み、相対密度が７５％以上、且つ抵抗値ρが５０Ωｃｍ以下である。 - 特許庁