「GA in」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A molar amount of B is 0.0001 or more to 0.01 or less when total molar amount of Zn, Al, Ga and B is 1, in the thermoelectric transducing material.例文帳に追加

Ｚｎ、Ａｌ、ＧａおよびＢの総モル量を１としたときの、Ｂのモル量が０．０００１以上０．０１以下である前記熱電変換材料。 - 特許庁

For example, Ga_5 is substituted with Ga_4.8 and Al_0.2 to form La_3Ga_4.8Al_0.2SiO_14, and the amount of the Ga is reduced thereby, in the single crystal of the LGAS.例文帳に追加

例えばＬＧＡＳ単結晶はＧａ_５をＧａ_４．８とＡｌ_０．２で置換しＬａ_３Ｇａ_４．８Ａｌ_０．２ＳｉＯ_１４としてＧａの量を減らしている。 - 特許庁

Moreover, the mixing ratio of In:Ga:N is adjusted to decide three basic hues of a red color, a green color and a blue color.例文帳に追加

また、前記インジウムの混合比を調節して、赤色、緑色及び青色の３基本色相を決定する。 - 特許庁

In the case of the both side printing, whether the glossiness Ga and Gb of the respective sides of the paper sheet are equal or not is judged (S 3).例文帳に追加

両面の光沢度が等しい場合（Ｇａ＝Ｇｂ）にはＳ７に進んで通常の画像形成を行う。 - 特許庁

In the case of the equal glossiness of the respective sides (Ga=Gb), the operation is progressed to S 7 and ordinary image formation is performed.例文帳に追加

各面の光沢度が異なる場合にはＳ４にてａ面の光沢度Ｇａがｂ面の光沢度Ｇｂより低いかどうかが判断される。 - 特許庁

The gap Ga, Gb serves as a thermal insulator for cutting off the heat radiation of a hot cathode fluorescent lamp mounted in the main body casing 1X.例文帳に追加

空隙Ｇａ、Ｇｂは断熱材として作用し、本体ケ−ス１Ｘに取り付けられる熱陰極蛍光ランプからの放射熱を遮断する。 - 特許庁

In the device 1, a gap Ga is formed between the screw 5 and the nut 35 at the edge part 13 of the screw 5.例文帳に追加

フォーカス調整装置１は、リードスクリュー５の先端部１３にリードスクリュー５とナット３５と間に空隙Ｇａを形成する。 - 特許庁

The Ga or the In irradiated to the plate 12 is bound with an oxygen on the surface of the plate 12 and evaporates.例文帳に追加

電磁鋼板１２に照射されたＧａ又はＩｎは電磁鋼板１２の表面の酸素と結合して、気化する。 - 特許庁

The actual deviation Da between the actual gap Ga and reference gap GR in the entire coating application region is calculated by a controller 15 prior to starting the coating application.例文帳に追加

塗布開始前に、全塗布領域における実ギャップＧａと基準ギャップＧ_Rの実偏差Ｄａを制御装置１５で演算する。 - 特許庁

In the magnetic material, the coercive force lowers depending upon the content of Ga, and the value of saturation magnetization level has a maximum.例文帳に追加

この磁性材料はＧａの含有量に応じて保磁力が低下し、飽和磁化量は極大値を示す。 - 特許庁

The concentration of Ga, when it is contained, is 5 to 10,000 ppm, and that of In, when it is contained, is 5 to 10,000 ppm.例文帳に追加

またＧａを含むときＧａの濃度は５〜１００００ｐｐｍであり、Ｉｎを含むときＩｎの濃度が５〜１００００ｐｐｍである。 - 特許庁

POWDER, SINTERED BODY AND SPUTTERING TARGET, EACH CONTAINING ELEMENTS Cu, In, Ga AND Se, AND METHOD FOR PRODUCING THE POWDER例文帳に追加

Ｃｕ、Ｉｎ、ＧａおよびＳｅの元素を含有する粉末、焼結体およびスパッタリングターゲット、並びに上記粉末の製造方法 - 特許庁

In the method for preparing the oxidation catalyst, the precursor of the Ce-Ga composite oxide containing a manganese nitrate or an iron nitrate, after being exposed to a solution in which alkaline metal ions are dissolved, is dried and baked to form the Ce-Ga composite oxide.例文帳に追加

酸化触媒の製造方法は、Ｍｎ硝酸塩又はＦｅ硝酸塩を含むＣｅ−Ｇａ複合酸化物の前駆体を、アルカリ金属イオンが溶解した溶液に曝し、次いで、乾燥及び焼成することにより、上記Ｃｅ−Ｇａ複合酸化物を形成する。 - 特許庁

The metal which becomes liquid at room temperature is preferably Ga or a Ga-In alloy, its content is 3-10 wt.%, and the metal which becomes liquid at room temperature is a solid solution in which particles of the metal which becomes liquid at room temperature are present between Sn particles.例文帳に追加

常温で液体になる金属はＧａ又はＧａ−Ｉｎ合金であることが好ましく、その含有量は３乃至１０重量％であり、更にＳｎ粒子の間に常温で液体になる金属粒子が存在する固溶体である。 - 特許庁

This is the metal halide lamp in which in a light-emitting tube provided with a pair of electrodes, at least halides of Na (sodium), Sc (scandium), and Ga (gallium) as the main light-emitting material are sealed together with a rare gas, and which substantially contains no mercury.例文帳に追加

一対の電極を具えた発光管の内部に、希ガスと共に主たる発光物質として少なくとも、Na（ナトリウム）のハロゲン化物と、Sc（スカンジウム）のハロゲン化物と、Ga（ガリウム）のハロゲン化物を封入し、実質的に水銀を含まない構成のメタルハライドランプとする。 - 特許庁

An alloy layer 9 of Ga-Au alloy and In-Au alloy having high electric conductivity and high heat conductivity is formed by forming a Ga-In alloy layer 7 on one of conductors 1, 2, and an Au plating layer 8 on the other, and reacting them by pressure welding.例文帳に追加

導電体１、２の一方にＧａ−Ｉｎ合金層７を設けると共に、他方にＡｕメッキ８を設け、これらを圧接して反応させることで、高い電気伝導性と熱伝導性を有するＧａ−Ａｕ合金とＩｎ−Ａｕ合金の合金層９を形成する。 - 特許庁

The oxide sintered body which is made of indium oxide whose crystal structure is substantially a bixbyite structure, has a gallium atom solid-dissolved in the indium oxide and has an atomic ratio Ga/(Ga+In) of 0.10 to 0.15, is used as a target material for sputtering.例文帳に追加

結晶構造が、実質的にビックスバイト構造を示す酸化インジウムからなり、前記酸化インジウムにガリウム原子が固溶しており、原子比Ｇａ／（Ｇａ＋Ｉｎ）が０．１０〜０．１５である酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲット材とする。 - 特許庁

The manufacturing method has a step of receiving the molten glass gob GA into the recessed surface 11 so that the upper end part 114 of the second surface 112 is positioned below the widest part S where the width in the horizontal direction in the molten glass gob GA is widest.例文帳に追加

本発明の製造方法は、溶融ガラス塊ＧＡのうち水平方向に関する幅が最も大きい最広部Ｓの下方に、第２面１１２の上端部１１４が位置するように、溶融ガラス塊ＧＡを凹面１１に受ける工程を有する。 - 特許庁

There is provided the amorphous oxide semiconductor material including an amorphous oxide semiconductor including In, Ga and Zn, wherein when In:Ga:Zn=a:b:c denotes an element composition ratio of the oxide semiconductor, the element composition ratio is defined by the range of a+b=2 and b<2 and c<4b-3.2 and c>-5b+8 and 1≤c≤2.例文帳に追加

Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含有する非晶質の酸化物半導体からなり、前記酸化物半導体の元素組成比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ａ：ｂ：ｃとした場合、前記元素組成比が、ａ＋ｂ＝２、かつｂ＜２、ｃ＜４ｂ−３．２、かつｃ＞−５ｂ＋８、かつ１≦ｃ≦２の範囲で規定される非晶質酸化物半導体材料とする。 - 特許庁

To provide a process for producing III-N layer, wherein III denotes at least one element from group III of the periodic table selected from among Al, Ga and In, having suitable properties which is substantially free of impurities from uncontrolled incorporation, and to provide a free-standing III-N substrate.例文帳に追加

実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。 - 特許庁

The surface of the ingot obtd. by casting the Cu-Ga alloy in which the compsn. of Ga is controlled to 15 to 70% by a melting method is provided with an In part insularly formed by melting by 0.1 to 60 wt.% to the ingot.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇａ合金であってそのＧａの組成が１５重量％乃至７０重量％として溶解法により鋳造したインゴットの表面に、インゴットに対する組成が０．１重量％〜６０重量％で溶解により島状に形成されたＩｎ部分を設ける。 - 特許庁

In a low load and low speed range where engine speed NE of the internal combustion engine is not greater than a given engine speed NE0 (Step 200) and an intake air quantity Ga is not greater than a given quantity Ga0 (Step 204), the solenoid-driven valve is driven in a braking drive mode (Step 206).例文帳に追加

内燃機関の回転数NEが所定回転数NE_０以下であり（ステップ２００）、かつ、吸入空気量Gaが所定量Ga_０以下である（ステップ２０４）低負荷低回転領域では、制動駆動モードで電磁駆動弁を駆動する（ステップ２０６）。 - 特許庁

Thereafter, a GaN single crystal is synthesized by evaporating Ga from the low temperature zone T_1, then forming a GaN forming gas by reacting the evaporated Ga with a nitrogen component in the gas, and allowing the GaN forming gas to reach the seed crystal or the substrate 13 of the GaN single crystal in the high temperature zone T_2.例文帳に追加

低温領域Ｔ_1からＧａを蒸発させ、その蒸発させたＧａをガス中の窒素成分と反応させてＧａＮ形成ガスを形成し、ＧａＮ形成ガスを高温領域Ｔ_2の種結晶またはＧａＮ単結晶の基板１３に到達させてＧａＮ単結晶を合成する。 - 特許庁

A protein code area is discovered by using the facts that GA appears in the leading 2 bases of codon with the highest frequency (N1), that TG appears with the lowest frequency (N3), that TG appears in the tail 2 bases with the highest frequency (N4), and that the GA appears with the lowest frequency (N2).例文帳に追加

タンパク質コード領域を発見するため、コドンの先頭２塩基にはＧＡがもっとも高い頻度（Ｎ１）で出現し、ＴＧがもっとも低い頻度（Ｎ３）で出現し、後尾２塩基にはＴＧがもっとも高い頻度（Ｎ４）で出現し、ＧＡがもっとも低い頻度（Ｎ２）で出現することを利用する。 - 特許庁

In the case of ΔP/GA≥Dp (Yes in S128), a state of having deviation between the estimated deposit amount PMsm and the actual deposit amount is determined, and PMsm is increase-corrected with an increase correction amount PMadd (S132) obtained from an increase correction amount map MAPadd(ΔP/GA) (S134).例文帳に追加

そしてΔＰ／ＧＡ≧Ｄｐである場合には（Ｓ１２８でＹＥＳ）、推定堆積量ＰＭｓｍと実堆積量とに乖離を生じた状態であるとして、増加補正量マップＭＡＰａｄｄ（ΔＰ／ＧＡ）から求めた増加補正量ＰＭａｄｄ（Ｓ１３２）にてＰＭｓｍを増加補正している（Ｓ１３４）。 - 特許庁

The semiconductor light-emitting element H has AlGaInP group compound semiconductor, a double heterolayer 10 as a light emitting layer and interlayer 9, and a window layer 8 including InGaP group compound semiconductor, at least part of which is comprised of In_(X)Ga_(1-X)P (0.02≤X≤0.04).例文帳に追加

AlGaInP系化合物半導体よりなり、発光層としてのダブルヘテロ層１０および中間層９と、InGaP系化合物半導体よりなる窓層８とを備え、窓層の少なくとも一部が、その組成をIn_(X)Ga_(1-X)P（0.02≦X≦0.04）としてなる半導体発光素子H。 - 特許庁

Additionally, the worked surface Wa is polished and worked by the working surface Ga under a state causing a flow of pressure fluid in the grinding cavity through the pores and the worked surface Wa is polished and worked by the working surface Ga under a state of causing a flow of negative pressure fluid in the grinding cavity through the pores.例文帳に追加

さらに、気孔を介して研磨空隙内に加圧流体の流れを発生させた状態のもとで被加工面Ｗａを加工面Ｇａにより研磨加工し、気孔を介して研磨空隙内に負圧流体の流れを発生させた状態のもとで被加工面Ｗａを加工面Ｇａにより研磨加工する。 - 特許庁

This controller performs air-fuel ratio control (sub feedback control) aiming at a theoretical air-fuel ratio based on the output Voxs of the oxygen concentration sensor since the entry of air due to leakage in the oxygen concentration sensor on the downstream side of the catalyst cannot occur in a high load (Ga>A) (SUB=1).例文帳に追加

この装置は、高負荷時（Ga＞A）では、触媒下流の酸素濃度センサ内部での漏れによる空気進入が発生し得ないから同酸素濃度センサ出力Voxsに基づく理論空燃比を目標とする空燃比制御（サブフィードバック制御）を行う（SUB=1）。 - 特許庁

The concentration of the Al in a Ga solution can be lowered by a simple method of adding GaAs to the used Ga solution having the residual Al, melting the same by temperature rising in an electric furnace and lowering the temperature to deposit the residual Al as AlGaAs, then removing the same.例文帳に追加

残留Ａｌを有する使用済みのＧａ溶液にＧａＡｓを添加して電気炉内で昇温させて溶解し、降温させて残留ＡｌをＡｌＧａＡｓとして析出させた後除去する簡単な方法によりＧａ溶液中のＡｌの濃度を低下させることができる。 - 特許庁

The Cu-Ga alloy powders are subjected to heat treatment in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 250-1,000°C, and the heat-treated Cu-Ga alloy powders are sintered by a hot-press method in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 250-1,000°C and a pressing pressure of 5-30 MPa.例文帳に追加

Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度で熱処理し、熱処理したＣｕ−Ｇａ合金粉末を、真空又は不活性ガス雰囲気中で２５０℃〜１０００℃の温度と、５ＭＰａ〜３０ＭＰａのプレス圧力とでホットプレス法により焼結する。 - 特許庁

The absorption layer comprises Cu, In, Ga and Se elements as constitutional ingredients thereof and such elements are formed by coating or printing an ink that contains Cu_2Se nanoparticles and (In,Ga)_2Se_3 nanoparticles on the rear electrode, and then heating them.例文帳に追加

前記光吸収層は、構成成分としてＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｅ元素を含有し、これらの元素は、少なくともＣｕ_２Ｓｅナノ粒子及び（Ｉｎ、Ｇａ）_２Ｓｅ_３ナノ粒子を含有するインクを前記背面電極上に塗布又は印刷した後、これを熱処理して形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for producing a Ga-containing nitride semiconductor with high productivity in which, by preventing the accompanying adhesion of a Ga-containing nitride to portions other than a substrate in a growth chamber of a vapor phase deposition apparatus, particularly the accompanying adhesion of the Ga-containing nitride when thick film formation is desired, various problems due to the adhesion is solved, without inhibiting the growth of the Ga-containing nitride semiconductor onto the substrate.例文帳に追加

気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a Cu-Ga alloy sputtering target which enables the formation of a Cu-Ga sputtering film having excellent uniformity in film component composition (film uniformity), enables the reduction of occurrence of arcing during sputtering, has high strength, and rarely undergoes cracking during sputtering.例文帳に追加

膜の成分組成の均一性（膜均一性）に優れたＣｕ−Ｇａスパッタリング膜を形成でき、かつ、スパッタリング中のアーキング発生を低減できると共に、強度が高くスパッタリング中の割れを抑制できるＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

In the field emission electron source composed of ZnO protrusion form material, by containing Ga for Ga mol% ratio of 0.02 to 0.4 mol% to Zn, the field electron emission element which consumes the lower electric power and has the longer repetition lifetime can be obtained.例文帳に追加

ＺｎＯ突起形状物からなる電界放出電子源において、ＺｎＯ突起形状物中にＧａを、Ｚｎに対するＧａモル％比で０．０２モル％から０．４モル％含むことで、低消費電力で繰り返し寿命の長い電界放出型電子放出素子を得る。 - 特許庁

The nitride semiconductor device comprises: well layers composed of a nitride semiconductor containing In and Ga: barrier layers composed of the nitride semiconductor including Al and Ga with a higher band-gap energy than that of the well layers, which sandwiches the well layer: and thin film layers each provided between the well layer and the barrier layer.例文帳に追加

窒化物半導体装置は、ＩｎとＧａを含む窒化物半導体からなる井戸層と、井戸層を挟み、井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きいＡｌとＧａを含む窒化物半導体からなる障壁層と、井戸層と障壁層との間に設けられた薄膜層とを備えている。 - 特許庁

The single crystal substrate for growing a thin film of In_1-(x+y)Ga_xAl_yN being based on indium nitride (InN) consists of a single crystal represented by chemical formula of REBGeO_5 (where RE represents a rare earth element) that belongs to a trigonal system having a stillwellite structure, and has a substrate face in a crystallographic orientation {0001}.例文帳に追加

窒化インジウム（InN）を基とするIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN薄膜を成長させる単結晶基板は、stillwellite型構造を持つ三方晶系に属する化学式REBGeO_5（REは希土類元素）で標記される単結晶からなり、結晶学的方位{0001}を基板面とする。 - 特許庁

The light-receiving device includes an InP substrate, and a superlattice light-receiving layer formed by alternatively laminating a sink layer of a group third-fifth compound semiconductor containing In, Ga, As, and N and a raised layer of a group third-fifth compound semiconductor containing Ga, As, and Sb to form a type 2 junction.例文帳に追加

ＩｎＰを基板とし、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｎを含む３−５族化合物半導体の沈降層と、Ｇａ、Ａｓ、Ｓｂを含む３−５族化合物半導体の隆起層とを交互に積層し、タイプ２の接合を形成した超格子を受光層とする。 - 特許庁

A group III nitride ground layer 2 and a group III nitride layer 3 containing at least Ga are sequentially laminated on a prescribed base material 1, and a group III nitride intermediate layer formed at 600-950°C and containing Ga is included in the group III nitride layer 3 to produce an epitaxial substrate 10.例文帳に追加

所定の基材１上において、III族窒化物下地層２と、少なくともＧａを含むIII族窒化物層３とを順次に積層し、III族窒化物層３中に６００℃〜９５０℃で形成されるとともにＧａを含むIII族窒化物中間層を介在させてエピタキシャル基板１０を作製する。 - 特許庁

A flow of fluid is formed in a grinding cavity formed between a working surface Wa and a worked surface Ga through pores of the grinding wheel while relatively sliding the grinding wheel G and the work W under a state of making the working surface Ga and the worked surface Wa of porous grinding wheel G contact with each other.例文帳に追加

多孔質の砥石Ｇの加工面Ｇａと被加工面Ｗａとを接触させた状態のもとで、砥石Ｇと被加工物Ｗとを相対的に摺動させながら、被加工面Ｗａと加工面Ｇとの間に形成される研磨空隙に、砥石Ｇの気孔を介して流体の流れを形成する。 - 特許庁

In the magnet composition composed of three element system of Mn-B-Ga, the magnet composition has an Mn-B phase having both the phases or one phase of either an α-MnB phase or a β-MnB phase, and an Mn-Ga phase having both phases or one phase of either an MnGa phase or an Mn3Ga phase.例文帳に追加

Ｍｎ−Ｂ−Ｇａの３元系による磁石組成物であって、α−ＭｎＢ相とβ−ＭｎＢ相の双方又はいずれか一方の相を有するＭｎ−Ｂ相とＭｎＧａ相とＭｎ_３Ｇａ相の双方又はいずれか一方の相を有するＭｎ−Ｇａ相を有する磁石組成物である。 - 特許庁

Mixed powder including Cu powder and Ga mixed at a mass ratio of 85:15 to 55:45, and having an oxygen content of ≤0.2 wt.% is alloyed in an atmosphere of an oxygen partial pressure of ≤20 Pa, and the resulting Cu-Ga alloy powder is sintered by a hot pressing method.例文帳に追加

Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合され、酸素含有量が０．２ｗｔ％以下である混合粉末を酸素分圧が２０Ｐａ以下の雰囲気中で合金化し、得られたＣｕ−Ｇａ合金粉末をホットプレス法により焼結する。 - 特許庁

In preparing a catalyst comprising a combination represented by general formula Cu/Zn/M (wherein, M is at least one kind of a metal selected from the group consisting of Al, Cr, Ga, Fe, Mn, Ce, Pd and Au), the spherical fine particle catalyst precursor is prepared using a precipitative sedimentation method.例文帳に追加

一般式：Cu/Zn/M(但し、M は任意成分であり、Al, Cr, Ga, Fe, Mn, Ce, Pd及びAuからなる群から選ばれた少なくとも一種の金属）からなる組み合わせの触媒を調製するに当たり、尿素を用いた析出沈殿法による球状微粒子触媒前駆体を調製する。 - 特許庁

To provide a high-quality GaN semiconductor light-emitting element which can be improved in electrical characteristics and optical characteristics by reducing defects such as Ga voids or the like by doping Al when growing GaN and reducing defects by lattice mismatch such as dislocation or the like, and also to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明はGaN成長時AlをドープすることによりGa空孔のような欠陥を減少させると共に転位などのような格子不整合による欠陥を減少させ、電気的特性及び光学的特性を向上させられる高品質GaN半導体発光素子及びその製造方法に関するものである。 - 特許庁

In a step 108, it is determined whether a condition where time during which state of high intake air quantity under which intake air quantity Ga is high continues is X sec or longer and reduction quantity of intake air quantity is Y g or more is satisfied or not.例文帳に追加

ステップ１０８では、吸入空気量Gaが高い高吸入空気量の状態が継続した時間がＸ（ｓｅｃ）以上であり、かつ吸入空気量の減少量がＹ（ｇ）以上である、という条件をみたしているか否かが判別される。 - 特許庁

Then, in accordance with the above (5) expression into which the latest model parameter all is substituted, the Ga(t), the Fi(t), and the Sa(t) are calculated (Step 104) and a throttle valve 22, fuel injection and ignition control are executed to develop the Ga(t), etc., (Step 106).例文帳に追加

次いで、最新のモデルパラメータａ１１等が代入された上記（５）式に従って、Ｇａ（ｔ）、Ｆｉ（ｔ）、およびＳａ（ｔ）を算出し（ステップ１０４）、これらのＧａ（ｔ）等となるように、スロットルバルブ２２、燃料噴射、および点火の制御を実行する（ステップ１０６）。 - 特許庁