「GA in」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Hydrogen chloride is introduced into a Ga reservoir 8, in which gallium is arranged, and is jetted from a jetting port 10 arranged in the vicinity of the top part of the group V gas diffusing part 7.例文帳に追加

一方、塩化水素はガリウムを配置したＧａ溜め８に導かれ、Ｖ族ガス拡散部７の頂点部付近に配置された噴射口１０より噴射される。 - 特許庁

The method for producing a biodegradable aliphatic polyester carbonate uses at least one metallic compound selected from Ga, Mn, Co, Mg, In, and Ti compounds as a catalyst in reacting the aliphatic polyester oligomer with the carbonate compound.例文帳に追加

脂肪族ポリエステルオリゴマーとカーボネート化合物を反応させる際、触媒としてＧａ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｍｇ，Ｉｎ，及びＴｉ化合物から選ばれる少なくとも１種の金属化合物を使用する。 - 特許庁

The n-side clad layer 3 in the semiconductor laser 1 has a four element material of In, Ga, As and P lattice matched to InP and has a composition wavelength of 0.96-0.98 μm.例文帳に追加

この半導体レーザ１におけるｎ側クラッド層３は、ＩｎＰに格子整合したＩｎ，Ｇａ，Ａｓ，Ｐの４元材料を有し、その組成波長が０．９６〜０．９８μｍである。 - 特許庁

In addition, in the growth suppression layer of the electrode orientation, etc., at least one material selected from Ga, Mo, W, Ta, Si, Ti, Cr, Ni-Cr, nitrides or acid nitrides of these materials is used.例文帳に追加

また、該電極配向等成長抑制層は、Ｇａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｎｉ−Ｃｒ及びこれら材料の窒化物又は酸窒化物から選ばれる少なくとも一つの材料を使用することを特徴とする。 - 特許庁

The A/D conversion is performed after subtracting correction signals (GD, GA) set so that the output signal of the imaging device (3) is settled in the dynamic range of an A/D converter (5) from an imaging signal (IN).例文帳に追加

撮像素子（３）の出力信号がＡ／Ｄ変換器（５）のダイナミックレンジ内に収まるように設定した補正信号（ＧＤ、ＧＡ）を撮像信号（ＩＮ）から差し引いてからＡ／Ｄ変換する。 - 特許庁

Two or more profile lines differed in length are set in a prediction subject area GA where the ground is predicted to be unstable, electrodes 1 are set on both sides thereof, and the ground potential difference is measured between the electrodes 1 and 1, respectively.例文帳に追加

地盤が不安定になると予想される予測対象領域Ｇ_Ａに、互いに長さの異なる複数の測線を設定してその両端に電極１を設置し、各電極１，１間で地電位差を測定する。 - 特許庁

Since the final alloy layer 9 of the Ga-Au alloy and the In-Au alloy is solid at room temperature, a liquid part is not present in the joining structure, making handling easy.例文帳に追加

また、最終的に構成されるＧａ−Ａｕ合金とＩｎ−Ａｕ合金の合金層９が常温個体のものであるため、接合構造中に液状の部分が残らず、取り扱い易いものとすることが可能である。 - 特許庁

A boat for growth wherein a prescribed number of semiconductor wafers are arranged statically so as to face upward is dipped in Ga melt in a quartz cassette 5 whose temperature is increased up to almost 1000°C.例文帳に追加

所定数の半導体ウエハを上向きに静置した成長用ボ−トを、１０００℃程度に昇温した石英カセット内のＧａメルト中に浸漬する。 - 特許庁

Since the droplets 14 exist on the layer 12, the percentage composition of Ga and Al in the undoped AlGaN layer 16 fluctuates and spatial fluctuations occur in band gaps.例文帳に追加

ドロップレット１４の存在により、アンドープＡｌＧａＮ層１６中のＧａとＡｌの組成比が変動し、バンドギャップに空間的ゆらぎが生じる。 - 特許庁

Intake air quantity Ga is adjusted by adjusting a throttle valve opening in an approximation range value in which fuel injection time approximates target value TAU1 next.例文帳に追加

次に、燃料噴射時間ＴＡＵがその目標値ＴＡＵ１に近似する近似領域値となるようにスロットル開度を調整することで吸入空気量Ｇａを調整する。 - 特許庁

In the phase change optical recording medium, a phase change recording material constituting a recording layer is formed from a phase change alloy containing at least Ga or In and Sb, Zr, and Mg.例文帳に追加

（１）記録層を構成する相変化記録材料が、少なくともＧａ又はＩｎと、Ｓｂ、Ｚｒ、Ｍｇを含む相変化合金である相変化型光記録媒体。 - 特許庁

In the process shown in (i), the three-dimensional microfabrication structure is fabricated on which a dent is formed by performing etching and by detaching Ga preferably from the exposed portion of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

（ｉ）に示す工程では、エッチング処理を行って、ＧａＡｓ基板１の露出部分からＧａを優先的に剥離させることで窪み等が形成された三次元微細構造を作製する。 - 特許庁

The method for manufacturing a fluorescent material for use in a scintillator which uses Ce as a light-emitting element and has a garnet structure containing Gd, Ga, Al and O, is characterized by using as an Al raw material an alumina powder which is heat-treated in vacuum.例文帳に追加

Ｃｅを発光元素とし、Ｇｄ、Ｇａ、Ａｌ、Ｏを含有するガーネット構造のシンチレータ用の蛍光材料の製造方法であって、Ａｌ素原料に真空中で熱処理したアルミナ粉末を用いることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a transistor using an oxide layer containing Zn, while not containing rare metals, such as In and Ga, and to stabilize electrical properties by reducing an off-state current in the transistor that uses the oxide layer containing the Zn.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａなどのレアメタルを含まず、Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタを提供し、Ｚｎを含む酸化物層を用いたトランジスタにおいて、オフ電流を低減し、電気特性を安定させることを課題の一とする。 - 特許庁

A display driving circuit 35 applies either on-voltage or off-voltage on the liquid crystal device 324 in each of a plurality of sub-fields SF in each field F, according to a grayscale data GA.例文帳に追加

表示駆動回路３５は、オン電圧およびオフ電圧の何れかを各フィールドＦ内の複数のサブフィールドＳFの各々にて階調データＧAに応じて液晶素子３２４に印加する。 - 特許庁

The element further comprises a nitride semiconductor layer group constituted of, for example, a conductive layer 3 or the like containing at least one selected from the group consisting of Al, Ga and In on the layer 2 in addition to performing function as an element.例文帳に追加

そして、下地層２上に、素子としての機能を果たし、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一つを含む、例えば導電層３などから構成される窒化物半導体層群を形成する。 - 特許庁

To form homogenous crystal film by controlling the distribution of composition in the vapor growth method of compound semiconductor, containing In and As and also at lest either of Ga or Al.例文帳に追加

ＩｎおよびＡｓを含むとともにＧａあるいはＡｌの少なくとも一方を含む化合物半導体の気相成長方法において、組成分布を抑制して均質な結晶膜を形成させる。 - 特許庁

The gate electrode G has a first part Ga extending in a first direction on the first gate insulating film, and a second part Gb extending from the first part in a second direction different from the first direction.例文帳に追加

ゲート電極Ｇは、第１ゲート絶縁膜の上で第１方向に延在する第１部分Ｇａと、第１部分から第１方向と異なる第２方向に延在する第２部分Ｇｂと、を具備する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a GI superior in the adhesiveness and uniformity of a plated film, and further a GA which does not cause alloying ununiformity and is superior in powdering resistance.例文帳に追加

本発明は、メッキ皮膜の密着性および均一性に優れたＧＩ、およびさらに合金化ムラが生じず耐パウダリング性に優れたＧＡの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, annealing processing is carried out to form an interface bond state in which the Ga-N bond is dominant in a nitriding layer 5, thereby the interface level density can be made to be much lower.例文帳に追加

また、アニール処理することにより、窒化処理層５においてＧａ−Ｎ結合が支配的となった界面結合状態を形成し、界面準位密度を一段と低減させることができる。 - 特許庁

To provide a sintered compact which is usable for a sputtering target having a unitary crystal structure as a principal component in the region where the content of Ga is lower compared with the content of In.例文帳に追加

Ｇａの含有量がＩｎの含有量に比べ低い領域において、単一の結晶構造を主成分として有するスパッタリングターゲットに使用できる焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an electronic device, which can suppress thickness reduction of an oxide semiconductor film containing In, Ga, and Zn as a base film, and suppress deterioration in device characteristics due to the film thickness reduction when wet-etching a metal film.例文帳に追加

金属膜をウェットエッチングする際、下地膜である、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜の膜減りを抑制でき、該膜減りによる素子特性の劣化を抑制できる電子素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-strength Cu-Ga-based sputtering target material for use in manufacturing a light-absorbing thin layer of a solar cell, which can be highly densified by preventing the powder from being melted in a molding process at high temperature, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A solid Ga source 8 is provided in the low temperature zone T_1, and a seed crystal of GaN or a substrate 13 of a GaN single crystal is provided in the high temperature zone T_2.例文帳に追加

低温領域Ｔ_1に固体のＧａ源８、高温領域Ｔ_2にＧａＮの種結晶またはＧａＮ単結晶の基板１３をそれぞれ設置する。 - 特許庁

The Ga_xIn_1-xN substrate is characterized in that the number of particles each having a particle diameter of ≥0.2 μm and existing on the surface thereof is ≤20 pieces when the diameter of the substrate is 2 in.例文帳に追加

Ｇａ_xＩｎ_1-xＮ基板の表面上に存在する粒径０．２μｍ以上のパーティクルの数がＧａ_xＩｎ_1-xＮ基板の口径を２インチとしたときに２０個以下であるＧａ_xＩｎ_1-xＮ基板である。 - 特許庁

The fastening hardware 25a is attached in such a position as to form a gap Ga between a side face of the substrate 11 and the fastening hardware 25a, in consideration of the thermal expansion of the substrate 11 because the fastening hardware 25a has been tightened with the bolt 26a when the substrate 11 has not yet been expanded by heat.例文帳に追加

固定金具２５ａ，…の取付け位置は、基板１１に熱膨張がない時にボルト２６ａ，…を締付けた時、基板１１側面と固定金具２５ａ，…間に熱張を考慮したギャップＧａが形成さる位置である。 - 特許庁

Combined addition of Ga+In or Sn+In is applied to a Pd-Ag-Au-Cu-based alloy to lower the melting point of the alloy and regulate a thermal expansion coefficient to <14.9×10^-6K^-1.例文帳に追加

Ｐｄ−Ａｇ−Ａｕ−Ｃｕ系合金にＧａ＋ＩｎもしくはＳｎ＋Ｉｎの複合添加を行うことにより合金の融点を下げ、かつ熱膨張係数が１４．９×１０^−６Ｋ^−１未満とする。 - 特許庁

In the initial crack forming step, at a longitudinal end Ga of the glass film G, an initial crack group Cg is formed by assembling and arranging a plurality of initial cracks C in a width direction.例文帳に追加

初期クラック形成工程では、ガラスフィルムＧの長手方向端部Ｇａに、複数の初期クラックＣを幅方向に集合して配置させてなる初期クラック群Ｃｇを形成する。 - 特許庁

The grouped objects Ga to Gc are moved in a grouped object unit so as to pass in the display area, according to movement information.例文帳に追加

そして、移動用情報に基づいて表示領域内を通過するように、グループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをグループ化オブジェクト単位で移動させる。 - 特許庁

A potting resin 12 is filled in only the gap Ga1 between the core 2 and an outer periphery of the coil 4, and in only the gap Ga between the core 2 and the coil 4, and the bottom wall 5a.例文帳に追加

コア２とコイル４の外周との間の隙間Ｇａ１、並びに、コア２及びコイル４と底壁５ａとの間の隙間Ｇａのみにポッティング樹脂１２が充填される。 - 特許庁

The element further comprises a nitride semiconductor layer group constituted of, for example, a conductive layer 3 or the like containing at least one selected from among a group, consisting of Al, Ga and In on the layer 2 in addition to performing function as an element.例文帳に追加

そして、下地層２上に、素子としての機能を果たし、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎの少なくとも一つを含む、例えば導電層３などから構成される窒化物半導体層群を形成する。 - 特許庁

The well layer 106 is mixed with an appropriate quantity of crystallized In as a group III element whose covalent bond radius is larger than Ga, so that the crystallinity of the semiconductor laser device 100 becomes superior, and an oscillation threshold current is reduced, resulting in improving light emission efficiency.例文帳に追加

この井戸層１０６には、Ｇａよりも共有結合半径が大きなＩＩＩ族元素であるＩｎが適量混晶化されているので、結晶性に優れたものになって、発振閾値電流が低減し、発光効率が向上する。 - 特許庁

In the state that the electro-optical panel 10 is fixed, the element array surface 122 of the electro-optical elements E in the substrate 12 opposes a bottom surface Ba of the groove Ga.例文帳に追加

電気光学パネル１０が固定された状態において、基板１２における電気光学素子Ｅの素子配列面１２２は溝部Ｇaの底面Ｂaと対向する。 - 特許庁

Thus, when the molten glass lump GA is arranged on the receiving surface 31 and molded by pressing with the receiving surface 31 and the molding surface 33, a gas in places surrounded by the receiving surface 31 and the molding surface 33 is escaped in the fine pores.例文帳に追加

これにより、溶融ガラス塊ＧＡを受け面３１に配置し、受け面３１及び成形面３３で押圧して成形するときに、受け面３１及び成形面３３で囲まれる箇所の気体が細孔へと逃避する。 - 特許庁

In this write-once type optical recording medium, on which information is recorded through light irradiation, its recording layer has Te, at least one element selected from the group consisting of {Al, Ga and In} and Zr.例文帳に追加

光を照射することにより情報を記録するライトワンス型光記録媒体であって、その記録層は、Ｔｅと、｛Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ｝の中から選ばれた少なくとも１つの元素Ｍ_1 と、Ｚｒとを有する。 - 特許庁

This light emitting diode is provided with a light emitting element in which nitride semiconductor having Ga is used at least as a light emitting layer, and a semiconductor protecting element which is connected in parallel with the light emitting element and used for electrically protecting the light emitting element.例文帳に追加

少なくとも発光層にＧａを有する窒化物半導体を用いた発光素子と、発光素子と並列接続され発光素子を電気的に保護するための半導体保護素子とを有する発光ダイオードである。 - 特許庁

In this example, the Ga_xIn_1-xAs is used as the base material and amount of increase in the GaAs composition ratio is excessively increased only on the region near to the emitter end.例文帳に追加

例ではＧａ_ｘＩｎ_１−ｘＡｓをべース材料に用いており、ＧａＡｓ組成比の増加量をエミッタ端に近い領域のみ過剰に大きくしている。 - 特許庁

Preferably, the aluminum foil comprises 1 to 20 ppm Zn and 1 to 50 ppm Zr, and in which the total content of Mn, Mg, Cr, Ti, B, V and Ga in the inevitable impurities is controlled to ≤10 ppm.例文帳に追加

好適には、Ｚｎ：１〜２０ｐｐｍ、Ｚｒ：１〜５０ｐｐｍを含有し、不可避不純物中のＭｎ、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｂ、Ｖ、Ｇａの総和量を１０ｐｐｍ以下とする。 - 特許庁

In this display device, a switching part driving circuit 5 which drives a data line selecting TFT (thin film transistor) by outputting a data line selection signal to gate lines Ga, Gb is mounted in a gate line driving circuit 2 which drives gate lines GL1 to GLM being scanning lines.例文帳に追加

データ線選択信号をゲート線Ｇａ・Ｇｂに出力してデータ線選択ＴＦＴを駆動するスイッチ部駆動回路５は、走査線であるゲート線ＧＬ１〜ＧＬＭを駆動するゲート線駆動回路２に搭載されている。 - 特許庁

The gas diffusing layers 5 have channel regions GA overlapping the channels 23, 33, 25, or 35 and channel wall regions WA overlapping parallel channel walls 29 and 39 in the laminating direction in the fuel cell system 100.例文帳に追加

ガス拡散層５は、燃料電池１００の積層方向に沿って見たときに、流路溝２３，３３，２５，３５と重なる流路溝領域ＧＡと、並列流路隔壁２９，３９と重なる流路壁領域ＷＡとを有する。 - 特許庁

A turning body 48 capable of turning freely around a shaft axis 47A in the lateral direction crossing the direction A of conveyance path orthogonally is provided, and a holding means 60 for the plate-like bodies Ga, Gb is provided in the turning body 48.例文帳に追加

搬送経路方向Ａに対して直交状の横方向軸心４７Ａの周りに回動自在な回動体４８を設け、回動体４８に板状体Ｇａ，Ｇｂの保持手段６０を設けた。 - 特許庁

When a user uses the remote controller 300 and displays a screen for setting image quality on the television 100, the user operates the numeric key corresponding to each of three kana characters of "ga", "shi", and "tsu" each in Japanese, each once, only three times in total.例文帳に追加

ユーザがリモコン３００を使用して、テレビ１００に画質の設定を行う画面を表示する場合、ユーザは「が」、「し」、および「つ」の３つの仮名文字のそれぞれに対応する数字キーをそれぞれ１回、合計３回だけ操作する。 - 特許庁

There is provided a thin film transistor including an oxide, as an active material layer, comprising elements In, Ga and Zn in the ranges of atomic ratios of the following regions 1, 2 or 3, and has an electron field-effect mobility of 25 cm^2/Vs or greater.例文帳に追加

元素Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを下記領域１、２又は３の原子比の範囲で含む酸化物を活性層とし、電界効果移動度が２５ｃｍ^２／Ｖｓ以上である薄膜トランジスタ。 - 特許庁

A Ga impurity level in the doped region of the light emitting layer 3 is excited by exciton emission that is preferentially generated in the non-doped region to induce emission of light through an impurity level for carrying out multiple emission of light.例文帳に追加

このノンドープ領域に優先的に生成される励起子発光によって、発光層３のドープ領域のＧａ不純物準位を励起し、不純物準位を介した発光を誘導して、多段階発光を行なう。 - 特許庁

In the substrate (17), glass (1) where an Mo conductive film (2) is formed on the top is used, and an In layer (3) and a Cu-Ga layer (4) are alternately repeated on the glass (1) to form the precursor thin film (5).例文帳に追加

基板（１７）は表面にＭｏ導電膜（２）を形成したガラス（１）を用い、その上にＩｎ層（３）とＣｕ−Ｇａ層（４）とが交互に繰り返して前駆体薄膜（５）を形成している。 - 特許庁