「GA in」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, in the photoelectron spectrum of the Ga_xIn_1-xN substrate by X-ray photoelectron spectroscopy with a detection angle of 10°, the peak area ratio of C_1s electron to N_1s electron (peak area of C_1s electron/peak area of N_1s electron) is ≤3.例文帳に追加

また、検出角度１０°でのＸ線光電子分光法によるＧａ_xＩｎ_1-xＮ基板の表面の光電子スペクトルにおいて、Ｃ_1s電子とＮ_1s電子のピーク面積の比（Ｃ_1s電子のピーク面積／Ｎ_1s電子のピーク面積）が３以下であるＧａ_xＩｎ_1-xＮ基板である。 - 特許庁

The method of manufacturing the continuous wave semiconductor laser diode of the N (Al, Ga, In) material system comprises a step of continuously growing a primary cladding region 4, a primary light guide region 5, an active region 6, a secondary light guide region 7 and a secondary cladding region 8.例文帳に追加

（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料系の連続波半導体レーザダイオードを製造する方法は、第１のクラッド領域（４）、第１の光ガイド領域（５）、活性領域（６）、第２の光ガイド領域（７）および第２のクラッド領域（８）を連続して成長させるステップを包含する。 - 特許庁

The light-emitting layer 103 includes a three-dimensional compound ABC_2 (wherein A=Cu or Ag, B=Al, Ga or In, and C=S, Se or Te) which is called the chalcopyrite.例文帳に追加

基板１００上に、第１の電極１０１、第１の絶縁層１０２、発光層１０３、第２の絶縁層１０４、第２の電極１０５を有し、発光層１０３は、カルコパイライトと呼ばれる三元化合物ＡＢＣ_２（但し、Ａ＝Ｃｕ、またはＡｇ、Ｂ＝Ａｌ、Ｇａ、またはＩｎ、Ｃ＝Ｓ、Ｓｅ、またはＴｅ）を含む発光素子を提供する。 - 特許庁

The device has a feature of having a Mg_zZn_1-zO (0≤z<1) film electrode doped with Ga or B in the device.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、ｎ型ＧａＮ系半導体層とｐ型ＧａＮ系半導体層とで挟まれたＧａＮ系半導体からなる発光層を含む半導体発光素子であって、Ｇａ又はＢがドープされたＭｇ_ｚＺｎ_１−ｚＯ（０≦ｚ＜１）電極膜を備える半導体発光素子である。 - 特許庁

The garnet is a substitution garnet crystal with the general expression of A3B5O12, where A is a trivalent element such as Bi, Y, or La, B is a trivalent element such as Fe, Al, Ga, Sc, or In, or part of the constituent elements of which other than oxygen is substituted with one element or more with the equivalent valence.例文帳に追加

但し、Ａ_3 Ｂ_5 Ｏ_12におけるＡは、Ｂｉ，Ｙ，Ｌａ等の３価の価数である元素、Ｂは、Ｆｅ，Ａｌ，Ｇａ，Ｓｃ，Ｉｎ等の３価の価数の元素であり、又は酸素以外の構成元素の一部を等価的な価数を有する１以上の元素で置き換えた置換型ガーネット結晶物。 - 特許庁

In the formulae, the element A is one or more elements selected from among alkali metals and alkaline earth metals; the element M is B, Na, Mg, Al, K, Ca, Sc, Ti, V, Zn, Ga, Sr, Y, Zr, Nb, Ba, La, Hf or Ta other than the element A; and the element B is a tri- or tetravalent element.例文帳に追加

なお、元素Ａはアルカリ金属およびアルカリ土類金属の１種以上の元素で、元素Ｍは元素Ａ以外のＢ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａで、Ｂ元素は３価又は４価の元素である。 - 特許庁

In electrolytic ion water 232 in which weakly acidic water or air is dissolved, the surface of the substrate 142 made of the compound semiconductor containing one of Ga, Al and In, and the surface of a polishing pad 242 having an electrically conductive member 264 in at least the portion of the surface contacting the substrate 142 are relatively moved in contact with each other to polish the surface of the substrate 142.例文帳に追加

弱酸性の水または空気が溶解した水、または電解イオン水２３２の中で、Ｇａ，Ａｌ及びＩｎのいずれかを含有する化合物半導体の基板１４２の表面と、表面の少なくとも基板１４２と接触する部位に導電性部材２６４を有する研磨パッド２４２の該表面とを互いに接触させつつ相対運動させて、基板１４２の表面を研磨する。 - 特許庁

In a p-type GaN semiconductor thin-film electrode for ohmic contact including a first electrode layer and a second electrode layer laminated in order on a p-type GaN semiconductor layer, the first electrode layer may include a Ni, Cu or Co-based alloy or solid solution which can form p-type thermoelectric oxide, or Ni oxide in which at least any one component selected from Al, Ga and In is doped.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ半導体層上に順次に積層された第１電極層および第２電極層を含むｐ型ＧａＮ半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第１電極層は、ｐ型熱電酸化物を形成できるＮｉ、ＣｕもしくはＣｏ系の合金または固溶体を含むか、またはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたＮｉ酸化物を含みうる。 - 特許庁

Even if the output of an inverter circuit 1 varies and voltage fluctuation value occurs, variation in voltages generated at a secondary side coil connected in parallel is suppressed for improved uniformity in parallel outputs on the secondary side, since primary side coils 42 and 43 (242 and 243) of two transformers GA and GB are connected in series, thanks to the DC/DC converter.例文帳に追加

このＤＣ／ＤＣコンバータによれば、インバータ回路１の出力がばらつき、その電圧値に変動等があった場合においても、２つのトランスＧＡ、ＧＢが備える１次側のコイル４２，４３（２４２，２４３）が互いに直列に接続されているため、並列接続された２次側コイルで発生する電圧ばらつきを抑制することができ、２次側の並列出力の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

The method for producing an oxide sintered compact is characterized in that raw material powder comprising one or more metallic elements selected from Zn, Sn, In, Ga and Ti and in which a part of the metallic element includes oxide solid-solution substituted with a metallic element having a valence higher than that of the metallic elements is subjected to electrifying sintering in such a manner that DC pulse current is made to flow under pressure.例文帳に追加

Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ及びＴｉから選択される１又は２以上の金属元素を含有し、金属元素の一部が、金属元素の価数よりも高い金属元素で置換固溶されている酸化物を含む原料粉末を、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。 - 特許庁

In a consumption level signaling means provided in a bathroom remote control, when energy consumption monitor data En_dat is received from a hot water supply device in STEP 1, it is judged whether a level of gas consumption Ga_c comprehended from the energy consumption monitor data En_dat is a high level LE2 or more, or a middle level LE1 or more in STEP 22, STEP 23.例文帳に追加

浴室リモコンに備えられた消費レベル報知手段は、ＳＴＥＰ１で給湯装置からエネルギー消費監視データＥn_datを受信したときに、ＳＴＥＰ２２，ＳＴＥＰ２３で該エネルギー消費監視データＥn_datから把握したガス消費量Ｇa_cのレベルが、大レベルＬＥ２以上であるか、中レベルＬＥ１以上であるかを判断する。 - 特許庁

In joining the element substrate 10 and sealing member 20 in the outer circumference side seal region 10c with a first sealing material 91 containing the gap material 95 in the organic EL device 100, a gap Ga between the element substrate 10 and the sealing member 20 in a region planarly overlapping with the pixel region 10a is larger than a particle diameter of the gap material 95.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１００において、外周側シール領域１０ｃで素子基板１０と封止部材２０とを、ギャップ材９５を含有する第１シール材９１によって接合するにあたって、画素領域１０ａと平面的に重なる領域における素子基板１０と封止部材２０との間隔Ｇａを、ギャップ材９５の粒径より大にしてある。 - 特許庁

The hot water reservoir facility in the rock for reserving hot water in a tunnel-formed reservoir 1 provided in the rock G and discharging the hot water from the reservoir 1 to use for generation of electrical energy is formed with slits 2 of a predetermined depth for releasing the thermal stress at predetermined intervals in an axial direction of the reservoir 1 on a rock Ga on a surface of the reservoir 1.例文帳に追加

岩盤Ｇ内に設けたトンネル状の貯槽１に熱水を貯蔵し、その貯槽１から熱水を払い出して発電等に利用する岩盤内熱水貯蔵施設であって、貯槽１の表層部の岩盤Ｇａに熱応力を解放するための所定深さのスリット２を貯槽１の軸方向に所定間隔おきに形成する。 - 特許庁

In a flame sensor that uses a photodetector constituted of an Al-Ga-N based semiconductor material and detects light emitted by a flame, a film for preventing the reflection of light in an ultraviolet-ray region is provided at a side where the light enters in a photodetector PS, and the photodetector PS with the reflection prevention film is provided in a sealing member C for airtightly sealing against the outside.例文帳に追加

火炎から発する光をＡｌ−Ｇａ−Ｎ系の半導体材料で構成される受光素子を用いて検出するように構成された火炎センサにおいて、受光素子ＰＳにおける入光側に、紫外線領域の光の反射を防止する反射防止膜が備えられ、その反射防止膜を備えた受光素子ＰＳが、外部に対して気密状に封止する封止部材Ｃ内に設けられている。 - 特許庁

In the memorial record he created about and in memory of his mentor, Yuzo KAWASHIMA, entitled "Sayonara dake ga jinsei da: Eiga kantoku Kawashima Yuzo no shogai" (Life is only a chorus of goodbyes: the life of director Yuzo KAWASHIMA), he chronicled Kawashima's life using a documentary style; in it, he recounted how Kawashima kept working right on to the end, filming on location without breathing a single word to anyone that he was suffering from Lou Gehrig's disease. 例文帳に追加

彼の師匠川島雄三についての追悼録、『サヨナラだけが人生だ映画監督川島雄三の生涯』では、川島の生涯を実証的に取り上げ、川島が筋萎縮性側索硬化症に侵されながらそれを一切他言せず、最後まで映画製作の現場に立っていたことを取り上げた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the method for producing the ZnTe-based compound semiconductor single crystal or an at least ternary ZnTe-based compound semiconductor single crystal containing ZnTe, at least one element selected from the group 3B elements in the Periodic Table, such as Al, Ga or In, or halogen elements, such as Cl, Br or I, is added as an impurity during the growth of the single crystal.例文帳に追加

ＺｎＴｅあるいはＺｎＴｅを含む三元以上のＺｎＴｅ系化合物半導体単結晶の製造方法において、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ等の周期表３Ｂ族元素のいずれか一種類以上の元素またはＣｌ，Ｂｒ，Ｉ等のハロゲン元素のいずれか一種類以上の元素を不純物として結晶育成中に添加するようにした。 - 特許庁

The GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point comprising an Sb-based alloy comprising 5-20% Ga in terms of atomic%, in addition, less than 5 to <20% In, and remaining part being Sb and inevitable impurities, and the target for forming the GaSb-based phase changing type recording film by sputtering, are provided.例文帳に追加

原子％でＧａ：５〜２０％を含有し、さらにＩｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなるするＳｂ基合金からなる融点の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、並びにこのＧａＳｂ系相変化型記録膜をスパッタリングにより形成するためのターゲット。 - 特許庁

The pneumatic tire is lined with an inner liner layer 8 for preventing air permeation and has main grooves 9 extending in a circumferential direction of the tire on the outer circumference of a tread 1, wherein the thickness Gt of inner liner layers 8t in regions corresponding to the main grooves 9 is greater than the thickness Ga of the inner liner layer 8 not in that regions.例文帳に追加

タイヤの内側に空気透過防止用のインナーライナー層８を内貼りし、トレッド１の外周にタイヤ周方向に延長する主溝９を配置した空気入りタイヤにおいて、主溝９に対応する領域のインナーライナー層８ｔの厚さＧｔを、この領域以外のインナーライナー層８の厚さＧａよりも大きくしたことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sealing glass which excels in water resistance, is hard to crystallize in sealing time or also in heat treatment after that, can realize a low sealing temperature and a desired thermal expansion coefficient, and has a high transmittance of visible light, even not including the oxides of Pb, Ge, Ga or the like, or halogen components such as fluorine, or even not including the oxides of Sn and Cu so much.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の熱膨張係数を実現でき、可視光の透過率が高い封止用ガラスを提供すること。 - 特許庁

After this, Saigo, Murata, and Shinzo MORIYAMA went to Kyoto to investigate the situation in each domain before the troops led by Hisamitsu SHIMAZU departed, which made Hisamitsu suspect that their actions had instigated Izumi MAKI and Shinshichi ARIMA to raise an army in Kyoto (Teradaya-sodo [oppression of Sonjo group]); after being called back from Kyoto, Saigo was sent into exile to Tokuno-shima Island (and changed to Oki-no-erabujima Island by the second order) and Murata to Kikai-jima Island (not Satuma-iojima Island [Kikai-ga-shima Island]). 例文帳に追加

この後に島津久光進発に先立って上京した西郷・村田・森山新蔵は諸藩の情勢を探っていたが、真木和泉・有馬新七らの京都挙兵（寺田屋騒動）を煽動したと久光から疑われ、呼び戻されて西郷は徳之島（再命で沖永良部島へ変更）へ、村田は喜界島（薩摩硫黄島（鬼界ヶ島）ではない）へ遠島された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The In-Ga-Zn-O-based oxide semiconductor layer includes structure including a crystal grain expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m=1) in amorphous structure expressed by InGaO_3(ZnO)_m(m>0).例文帳に追加

Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層をトランジスタのチャネル形成領域に用いた半導体装置であって、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体層は、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＞０）で表される非晶質構造中に、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍ＝１）で表される結晶粒を含む構造を有する。 - 特許庁

The In-Ga-Zn based compound oxide sintered body contains a first phase formed of ZnGa_2O_4 crystal, and a second phase formed of an In_2O_3 crystal, and the total phase area ratio of the first and second phases to the entire phase in an optional section of the sintered body is ≥70% and ≤100%.例文帳に追加

本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａ_2Ｏ_4結晶で形成される第１相と、Ｉｎ_2Ｏ_3結晶で形成される第２相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相および第２相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。 - 特許庁

The diamond field effect transistor has a P-type nitride layer containing at least one of Al, Ga, B and In on P-type diamond, and also includes: a source electrode and a drain electrode coming in electric ohmic contact with a heterojunction between the P-type diamond and P-type nitride layer; and a gate electrode on the P-type nitride layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

Ｐ型ダイヤモンド上に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎの１つを含むＰ型窒化物層を有し、Ｐ型ダイヤモンドとＰ型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のＰ型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide an inexpensive bulk type manganese silicide single crystal or polycrystal doped with Ga or Sn that is effectively used as a thermoelectric conversion material, an optical sensor, an optical element, etc., expected to have a high performance index at an intermediate temperature of approximately 300 to 600°C, and to provide a method of manufacturing the same in which the manufacture is easily and safely achieved in a short time.例文帳に追加

約３００〜６００℃の中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料や光センサ、光学素子などとして有効利用できる安価なＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体の提供および短時間でしかも安全に容易に製造できる製造方法の提供。 - 特許庁

The In-Ga-Zn based composite oxide sintered compact includes: a first phase formed by ZnGaO_2.5 crystals; a second phase formed by InGaO_3 crystals; and a third phase formed by In_2O_3 crystals, and the total phase area ratio of the first phase, the second phase and the third phase to all the phases in the optional cross section of the sintered compact is 70 to 100%.例文帳に追加

本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａＯ_2.5結晶で形成される第１相と、ＩｎＧａＯ_3結晶で形成される第２相と、Ｉｎ_2Ｏ_3結晶で形成される第３相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相、第２相および第３相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。 - 特許庁

When hypoid gear reduction units having one to three stages (or more than four stages) are contained in the series of hypoid gear reduction units, output shafts 23 are common to all of the respective hypoid gear reduction units GA, GB, GC while using different gear boxes 21A, 21B, 21C, respectively, in order to reduce the stock of components as small as possible.例文帳に追加

ハイポイド減速装置のシリーズの中に１段〜３段型（それ以上も可）のハイポイド減速装置を含める場合に、各ハイポイド減速装置ＧＡ、ＧＢ、ＧＣの間で、歯車箱２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃは互いに異なったものを用いながらも、それに取り付ける出力軸２３は全て共通化して、部品の在庫負担を極力減らした。 - 特許庁

This fluoride glass matrix preferably contains ions selected from zirconium ion, alkali ions and alkaline earth ions and also, at least 5 mol% of fluoride ion of the matrix is substituted by bromide ion and/or chloride ion, and further, at least 0.01 mol% of a cation(s) selected from transition metal ions, rare earth metal ions, In+, Ga+, Tl+ and Pb+, exists in the matrix.例文帳に追加

該ガラスマトリックスは好ましくはジルコニウムイオンならびにアルカリイオン及びアルカリ土類イオンから成る群より選ばれるイオンを含有し、少なくとも５モル％のフルオリドイオンはブロミド及び／又はクロリドイオンにより置き換えられており、少なくとも０．０１モル％の遷移金属イオン、希土類金属イオン、Ｉｎ^+、Ｇａ^+、Ｔｌ^+及びＰｂ^2+から成る群より選ばれるカチオンが存在する。 - 特許庁

In the method for producing the metal oxide particulates, a metal complex solution containing an A element complex containing the metal element A (A denotes a metal element Pd, Pt, Cu or Ag) and a B element complex containing the metal element B (B denotes a metal element Co, Fe, Ni, Cr, Rh, Al, Ga, Sc, In or Tl) is irradiated with a laser.例文帳に追加

金属元素Ａ（Ａは金属元素Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ又はＡｇを示す。）を含むＡ元素錯体と金属元素Ｂ（Ｂは金属元素Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｃ、Ｉｎ又はＴｌを示す。）を含むＢ元素錯体とを含む金属錯体溶液に、レーザー照射する金属酸化物微粒子の製造方法。 - 特許庁

For example, the red phosphor of formula (1) is produced by mixing a sulfide of Ca and/or Sr, a fluoride of at least one kind of element selected from the group consisting of Al, Ga and In, sulfur and a europium fluoride and subjecting the mixture to classifying and then calcining in an inert gas atmosphere.例文帳に追加

（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ａ，Ｆ ……(１)、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ｒｂ，Ｆ ……(２)、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ，Ａ，Ｒｂ，Ｆ ……(３)（ＡはＡｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される少なくとも１種で、０．０１〜５モル％、Ｒｂを０．０１〜２モル％含有する。）例えば、式(１)の赤色蛍光体は、Ｃａ及び／又はＳｒの硫化物、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される少なくとも１種のフッ化物、イオウとフッ化ユーロピウムを混合、分級し不活性ガス雰囲気下で焼成することにより製造される。 - 特許庁

The silver alloy sputtering target for forming a conductive film comprises a silver alloy having a composition comprising 0.1-1.5 mass% Ga and/or Sn in total and the balance being Ag and inevitable impurities, wherein the average grain size of the silver alloy crystal grains is 120-400 μm and the variation in the crystal grain size is within ≤20% of the average grain size.例文帳に追加

導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットが、Ｇａ，Ｓｎの内の１種または２種を合計で０．１〜１．５質量％を含有し、残部がＡｇおよび不可避不純物からなる成分組成を有した銀合金で構成され、銀合金の結晶粒の平均粒径が１２０〜４００μｍであり、結晶粒の粒径のばらつきが、平均粒径の２０％以下である。 - 特許庁

The sputtering target contains in atomic%, Ge of 27-45%, Sb of 5-20%, and further contains one or two or more of B, Al, C, Si and rare earth elements of 0.5-8% in total, and further contains Ga of 0.5-8%, and the remainder has the composition composed of Te and unavoidable impurities.例文帳に追加

原子％でＧｅ：２７〜４５％、Ｓｂ：５〜２０％を含有し、さらにＢ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉおよび希土類元素の内の１種または２種以上を合計で０．５〜８％を含有し、さらにＧａ：０．５〜８％を含有し、残部がＴｅおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする相変化記録膜およびその相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット。 - 特許庁

During the work processing, in a condition that at least more than two work clamping devices continue to clamp the work, a processed work Ga is clamped by other clamping device at one end of the carriage base and carried out to a product transfer device 73 installed on the lower part of one end of the carriage base by being extended in the Y-axis direction without interrupting the work processing.例文帳に追加

このワーク加工中に、少なくとも２個以上のワーククランプ装置によるワーククランプを続行している状態でキャリッジベースの一端側の他のワーククランプ装置により加工済みワークＧａをクランプし、ワーク加工を中断することなく加工済みワークをキャリッジベースの一端側の下方にＹ軸方向に延伸して設けた製品搬送装置７３へ搬出する。 - 特許庁

In the glove box 300, a reaction vessel 10A installed in an external reaction vessel 20 is replaced with a new reaction vessel 10B, and metal Na and metal Ga are put into the new reaction vessel 10B at a prescribed molar ratio, and metal Na is put between the new reaction vessel 10B and the external reaction vessel 20.例文帳に追加

そして、グローブボックス３００中で外部反応容器２０の内部に設置された反応容器１０Ａを新しい反応用器１０Ｂに交換し、新しい反応容器１０Ｂに金属Ｎａと金属Ｇａとを所定のモル比率で入れるとともに、新しい反応容器１０Ｂと外部反応容器２０との間に金属Ｎａを入れる。 - 特許庁

A vapor concentration correcting coefficient FGPG at fuel injection time TAU is calculated on the basis of changes in an air/fuel ratio if gas in the air chamber 46 is purged toward an intake passage 50 of an internal combustion engine, with keeping an engine speed NE and intake air amount Ga of the internal combustion engine 20 at a constant value.例文帳に追加

内燃機関２０の機関回転数ＮＥおよび吸入空気量Ｇａを共に一定値に維持した状態で、空気室４６内のガスを内燃機関の吸気通路５０に向けてパージした場合の空燃比の変化に基づいて、燃料噴射時間ＴＡＵにおけるベーパ濃度補正係数ＦＧＰＧを算出する。 - 特許庁

In the particle detector where sample gas G to be detected is introduced to a particle detecting region M being formed by irradiating with laser light La and particles contained in the sample gas G are detected by receiving the scattered light Ls from the particles, the sample gas G is admixed with clean gas Ga having a low polarizability before being introduced to the particle detecting region M.例文帳に追加

レーザ光Ｌａを照射して形成される粒子検出領域Ｍに検出対象となる試料気体Ｇを導き、この試料気体Ｇに含まれる粒子を、レーザ光Ｌａが粒子に照射されて生じる散乱光Ｌｓを受光することによって検出する粒子検出装置において、試料気体Ｇに分極率の低い清浄気体Ｇａを混合して粒子検出領域Ｍに導くようにした。 - 特許庁

A phosphor layer of this plasma display panel is formed by attaching at least one of metal oxide fine particles containing at least one of Al, Zn, In, Ga, Ge, and Bi and diamond fine particles as modifying material for improving luminance on a surface of a phosphor particle or by mixing with the phosphor particle in a matrix of the phosphor layer.例文帳に追加

Ａｌ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｇａ，ＧｅおよびＢｉの少なくとも一種を含む金属酸化物微粒子、およびダイヤモンド微粒子から選ばれる少なくとも一つを輝度改善修飾材料として蛍光体粒子の表面に付着させるか、もしくは蛍光体層のマトリックス中に蛍光体粒子と共に混在させて、プラズマディスプレイパネルの蛍光体層を構成する。 - 特許庁

Since the group III-V compound semiconductor layer 21 is formed of a material containing Al elements, Ga elements and In elements as group III elements and containing As elements as group V elements, band offsets in a conduction band of the embedded semiconductor layer 19, that of the second clad layer 23 and that of the group III-V compound layer 21 are small.例文帳に追加

III−Ｖ族化合物半導体層２１は、III族元素としてＡｌ元素、Ｇａ元素及びＩｎ元素を含むと共にＶ族元素としてＡｓ元素を含む材料からなるので、埋込半導体層１９の伝導帯及び第２クラッド層２３の伝導帯とIII−Ｖ族化合物半導体層２１の伝導帯とにおけるバンドオフセットは小さい。 - 特許庁

The first grid part GA having a gauge resistance Rga is arranged at a first predetermined distance DA in the longitudinal direction from one end LE of the gauge base 11 in longitudinal direction, and the second grid part GB having a gauge resistance Rgb is arranged at a second predetermined distance DB from the one end LE longer than the first predetermined distance DA.例文帳に追加

ゲージベース１１の長手方向の一端ＬＥから長手方向について第１の所定距離ＤＡに配置されるゲージ抵抗Ｒｇａの第１のグリッド部ＧＡ、並びに一端ＬＥから第１の所定距離ＤＡよりも長い第２の所定距離ＤＢに配置されるゲージ抵抗Ｒｇｂの第２のグリッド部ＧＢを有する。 - 特許庁

The light control device includes a thin film transistor; and a light control element including an electrode 104 electrically connected to the thin film transistor, in which a semiconductor region 102 of the thin film transistor and a pixel electrode 104 are composed of the same semiconductor layer, and the same semiconductor layer is an amorphous oxide layer including at least one of In, Ga, and Zn.例文帳に追加

薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタと電気的に接続される電極１０４を有する光制御素子と、を備えた光制御装置であって、薄膜トランジスタの半導体領域１０２と画素電極１０４とが同一の半導体層からなり、同一の半導体層はＩｎ，Ｇａ，Ｚｎから選択される元素の少なくとも一つを含む酸化物からなる非晶質層である。 - 特許庁

To provide glass which has excellent water resistance, is less liable to crystalize even in sealing or subsequent heat treatment, achieves a low sealing temperature and a desired expansion coefficient, and is suitable for sealing or the like with a Tg of 450°C or lower, without containing oxides of Pb, Ge, Ga, etc., or a halogen component such as fluorine, or without containing oxides of Sn and Cu in large quantities.例文帳に追加

Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の膨張係数を実現でき、Ｔｇが４５０℃以下の封着等に適したガラスを提供する。 - 特許庁

When displaying a text in classical Chinese, in accordance with display setting data for setting "display" or "non-display" of the respective Chinese characters and their attached information, a regular text (classical Chinese) displaying screen Ga for displaying the Chinese characters and their attached information together, and an unmarked text displaying screen Gb for displaying only the Chinese characters and not their attached information, are switchably displayed.例文帳に追加

漢文テキストを表示する際には、各漢字およびその付属情報の表示／非表示を設定する表示設定データに従い、各漢字とその付属情報を併せて表示する本文（漢文）表示画面Ｇａまたは各漢字だけでその付属情報を表示しない白文表示画面Ｇｂを切り替え自在に表示させる。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁

p-GaN11 is grown in condition that the surface potential (relative to the electron) at a growth surface 13 drops and the energy band is bent largely, so as to make p-GaN11 which has ionized Ga voids 14 in the vicinity of the growth surface 13, and a metal is accumulated on the growth face 13 to constitute a low-resistance ohmic electrode.例文帳に追加

成長表面１３における（電子に対する）表面電位が下がり、エネルギーバンドが大きく曲がっている状態でｐ-ＧａＮ１１を成長させ、成長表面１３の近傍にイオン化したＧａ空孔１４を有するｐ-ＧａＮ１１とし、成長表面１３に金属を堆積して低抵抗なオーミック電極を構成する。 - 特許庁

The light-emitting element 100 has a stuck structure in which the first main surface of the second sticking layer 90 composed of the semiconductor or metal is stuck to the second main surface of the first sticking layer 40, having the light-emitting layer 24 and composed of the III-V compound semiconductor via a metallic sticking layer 11 containing In or Ga as the main component.例文帳に追加

発光素子１００は、発光層部２４を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第一被貼り合わせ層４０の第二主表面に、半導体又は金属からなる第二被貼り合わせ層９０の第一主表面が、Ｉｎ又はＧａのいずれかを主成分とする貼り合わせ金属層１１を介して貼り合わされた貼り合わせ構造部を有してなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film transistor, wherein an In-Ga-Zn-O group homologous oxide semiconductor is used as an active layer, damage in the active layer is suppressed without forming an etching stopper layer, and resistance of source-drain electrodes can be reduced; and to provide a method for manufacturing an electro-optical device.例文帳に追加

活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ホモロガス酸化物半導体を用い、エッチングストッパー層を形成することなく活性層のダメージを抑制するとともに、ソース・ドレイン電極の低抵抗化を図ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。 - 特許庁