「GA in」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, the position of a held substrate G in the direction (Y direction) orthogonal to the advancing/retracting direction of the pincette is calculated from the timing for receiving reflected light when the sensor 9 moved through one side Ga and the number of rotational pulses of a motor.例文帳に追加

これにより、保持された基板Ｇの、ピンセットの進退方向と直交する方向（Ｙ方向）に関する位置は、センサ９が一辺Ｇａを通過移動したときの反射光を受光するタイミングと、モータの回転パルス数とにより算出さる。 - 特許庁

It is preferable that the negative electrode 4 has at least one kind of a first negative electrode active material selected from a group of In, Ga, and Sn, and at least one kind of a second negative electrode active material selected from a group of C, Si, Zn, and Al.例文帳に追加

また、負極４は、Ｉｎ、ＧａおよびＳｎよりなる群から選択される少なくとも１種からなる第１の負極活物質と、Ｃ、Ｓｉ、ＺｎおよびＡｌよりなる群から選択される少なくとも１種からなる第２の負極活物質とを有するのが好ましい。 - 特許庁

The Zn solder alloy, which contains 1-7 wt.% of Al, 0.5-6 wt.% of Mg, 0.1-20 wt.% of Ga, and 0.001-0.5 wt.% of P and is composed of the balance Zn and inevitable impurities, is used in the high-temperature brazing filler metal.例文帳に追加

本発明による高温ろう材は、Ａｌを１〜７重量％、Ｍｇを０．５〜６重量％、Ｇａを０．１〜２０重量％およびＰを０．００１〜０．５重量％含み、残部がＺｎおよび不可避不純物からなるＺｎ系はんだ合金を用いる。 - 特許庁

An address marker AD for allocating order numbers and a 1st spot marker SP1 are arranged in the front of an intersection part K along guide lines GA, GB,... for guiding a traveling route and a 2nd spot marker SP2 is arranged on a position passing the intersection part K.例文帳に追加

走行経路を案内するガイドラインＧＡ、ＧＢ、・・にそって交差部Ｋの手前に順位番号を与えるアドレスマーカＡＤと第１のスポットマーカＳＰ１が配置され、交差部を通過した位置には第２のスポットマーカＳＰ２が配置される。 - 特許庁

A local group LG composed of players belonging to the same team is generated in each parlor, and next, the local groups LG are combined by team to generate groups G (a group Ga of a team A and a group Gb of a team B) of the teams.例文帳に追加

また、店舗毎に、所属軍が同じプレーヤから構成されるローカルグループＬＧが生成され、次いで、軍毎にローカルグループＬＧを組み合わせて該軍のグループＧ（Ａ軍のグループＧａ及びＢ軍のグループＧｂ）が生成される。 - 特許庁

The purification filter comprises a whisker formed on a raw material substrate made of an alloy or a ceramic containing Mn, Al, Cr, In, Ag, Ga, Sn, Cu, Sc, Ge, Ti, Si, and the like.例文帳に追加

原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターであって、 上記原料基体が、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＳｉなどを含む合金やセラミックスより成る原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターである。 - 特許庁

The method of growing Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) crystal includes: preparing a foundation substrate 10; and bringing a solution 7 prepared by dissolving 5 nitrogen in a Ga-molten liquid 3 containing Al into contact with the foundation substrate 10 to grow at least one layer of Al_xGa_1-xN crystal 20 on the foundation substrate 10.例文帳に追加

本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程と、Ａｌを含有したＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を下地基板１０に接触させて、下地基板１０上に少なくとも１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 - 特許庁

The low melting point alloy contains 20-55 wt.% Sn, 40-55 wt.% In, 0.05-1.5 wt.% Ga, 0.05-26 wt.% Bi, 0.05-1.2 wt.% Zn, 0.05-1.5 wt.% Ag and 0.05-1.0 wt.% Sb.例文帳に追加

Ｓｎが２０〜５５重量％、Ｉｎが４０〜５５重量％、Ｇａが０．０５〜１．５重量％、Ｂｉが０．０５〜２６重量％、Ｚｎが０．０５〜１．２重量％、Ａｇが０．０５〜１．５重量％、Ｓｂが０．０５〜１．０重量％含まれる低融点合金。 - 特許庁

On such a portion of the n-type GaN substrate 11, which is not covered with the insulating film mask 16, a GaN-based semiconductor layer 25 containing an active layer 19 made of a nitride-based group III-V compound semiconductor containing In and Ga is grown.例文帳に追加

この絶縁膜マスク１６で覆われていない部分のｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させる。 - 特許庁

The La.Sr.Ga.Mg.Ox-based sintered body contains at least one selected from Ga and In, a transition metal element of Group I of Periodic Table, a divalent metal element, or trivalent metal element at the amount of 1 to 6 parts by weight relative to 100 parts by weight of a La.Sr.Ga.Mg.Ox- based oxide.例文帳に追加

ランタンガレート系酸化物１００重量部に対して、ＧａとＩｎのうち少なくとも１種、第一系列主要遷移金属元素、二価金属元素、または三価金属元素を、酸化物換算で１重量部以上６重量部以下含有することを特徴とするランタンガレート系焼結体。 - 特許庁

The metal salt of an 8-quinolinol derivative is formed by coordination with a metal selected from the group consisting of Cu, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Yt, La, Pb, Sb, Bi, Cr, Mo, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Ce, and Pr.例文帳に追加

８−キノリノール誘導体の金属塩は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｙｔ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 - 特許庁

When the arithmetic processing of neither the BBM nor GA is not ended in a valid period, the planning processing monitoring part 13 interrupts the two processing, and compares the values of the target functions just before the processing is interrupted, and outputs the lower value as the optimal planned value.例文帳に追加

また、計画処理監視手部１３は、ＢＢＭ及びＧＡの演算処理が予め定められた有効期間内に終了しない場合は、２つの処理を中断し、中断直前の目的関数の値を比較し、値の低い方を最適計画値として出力させる。 - 特許庁

Those are compared respectively with a target spring constant K_0 and a target attenuation coefficient C_0; and each deviation (▵K, ▵C) are input in a controller 7d, assist gain Ga and damping gain Gd as control parameters are optimized and EPS is controlled by them.例文帳に追加

それらを目標ばね定数Ｋｏ及び目標減衰係数Ｃｏとそれぞれ比較し、各偏差（ΔＫ、ΔＣ）をコントローラ７ｄに入力し、制御パラメータとしてのアシストゲインＧａ及びダンピングゲインＧｄの最適化を行い、それによりＥＳＰを制御する。 - 特許庁

Based on the amount (passage air intake amount GA) of air passing through the upstream side of a connection portion of the fresh air guide passage in the air intake passage, a throttle opening TA, and an air intake pressure PM, an estimated PCV flow rate MP is calculated (S102 and S103).例文帳に追加

吸気通路における新気導入通路の接続部分より上流側部分を通過する空気の量（通路吸気量ＧＡ）とスロットル開度ＴＡと吸気圧力ＰＭとに基づいて推定ＰＣＶ流量ＭＰを算出する（Ｓ１０２，Ｓ１０３）。 - 特許庁

One of a compound including indium, a compound including tin and a compound including tantalum is included in a compound oxide represented by LiNi_1-xM_xO_2 (M is a metallic element selected from Co, Mn, Fe, Cu, Zn, Mg, Ti, Al and Ga, and 0.2>x≥0).例文帳に追加

ＬｉＮｉ_1-xＭ_xＯ_2（但し、ＭはＣｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、ＡｌおよびＧａからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の金属元素で、０．２＞ｘ≧０）で表される複合酸化物に、インジウムを含む化合物、スズを含む化合物およびタンタルを含む化合物のいずれかが含まれる。 - 特許庁

On a projection plane P substantially perpendicular to the central axial line of the cylinder, axial lines Ha-Hh of injection holes of the main fuel injection valve 10 extend outward in the radial direction from the main fuel injection valve 10 and intersect an inner wall surface 5a of a concave groove so as to form main fuel collision points Ga-Gh.例文帳に追加

シリンダ中心軸線にほぼ垂直な投影面Ｐ上において、主燃料噴射弁１０の噴孔軸線Ｈａ−Ｈｈは主燃料噴射弁１０から半径方向外向きに放射状に延び、凹溝内壁面５ａと交差してそれぞれ主燃料衝突点Ｇａ−Ｇｈを形成する。 - 特許庁

In the arrangement, an edge 6a of each top plate 6 projects from an inner surface of the raceway 3, and a gap Ga between the edge 6a and an outer periphery of a roller 7 is smaller than a gap Gb between the inner surface of the raceway 3 and the outer periphery of the roller 7.例文帳に追加

各上板６のエッジ６ａは軸受溝３の内部表面から突出し、エッジ６ａとロール７外周との間の間隙Ｇａが、軸受溝３の内部表面とロール７外周との間の間隙Ｇｂよりも小さくなる配置となっている。 - 特許庁

To provide a method for forming a free-standing (Al, Ga, In)N article which is of superior morphological character, and suitable for use as a substrate, e.g. for fabrication of microelectronic and/or optoelectronic devices and device precursor structures.例文帳に追加

非常に優れた形態的特徴を有し、例えばマイクロエレクトロニクスおよび／またはオプトエレクトロニクスデバイスおよびデバイス前駆体構造体を製作するための基板として使用される（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the point Ga where the gravity center is projected is located in the center of the region surrounded by the plurality of external connection pads 5, when centrifugal force acts, stress can be suppressed to act disproportionately to a portion of the external connection pads 5, the connection reliablity to the external electric circuit can be made high.例文帳に追加

重心を投影した点Ｇａが複数の外部接続パッド５で囲まれた領域の中央に位置しているので、遠心力が作用したときに、一部の外部接続パッド５に応力が偏って作用することを抑えることができ、外部電気回路に対する接続信頼性を高くすることができる。 - 特許庁

In the formula, R is one kind or more of element selected from lathanoid series of Pr-Lu, Y or Sc, X is one kind or more of group VIII element of Ni, Pd and Pt, Z is one kind or more of group IIIB element of B, Al or Ga.例文帳に追加

ただし、式中、ＲはＰｒ〜Ｌｕまでのランタノイド系列及び、Ｙ或いはＳｃより選ばれる１種又は２種以上の元素、ＸはＮｉ、Ｐｄ、Ｐｔよりなる１種又は２種以上のＶＩＩＩ族元素、ＺはＢ、Ａｌ或いはＧａよりなる１種又は２種以上のＩＩＩＢ族元素を示している。 - 特許庁

In an advertisement effect check system, a register terminal 7 is connected to a host device 19 for managing the terminal 7 so as to communicate with each other and advertisement effect of an advertisement target commodity Ga selected from a plurality of commodities G is inspected by using commodity code information C for specifying the names and prices of the commodities G.例文帳に追加

広告効果検査システムは、レジ端末７とレジ端末７を管理するホスト装置１９とが相互に交信可能に接続され、商品Ｇの商品名及び価格を特定する商品コード情報Ｃを用いて、商品Ｇの中から選ばれた広告対象商品Ｇａの広告効果を検査する。 - 特許庁

Thus, texture data quantity is compressed and registered and registration performance to a memory is improved in the case of registering texture data with the memory between the system 20 and the accelerator (GA) 40 provided with the memory internally storing texture data for graphic display acceleration.例文帳に追加

これにより、図形処理システム20と、描画の高速化用にテクスチャデータを内部に保持するメモリを備えるグラフィックスアクセラレータ(ＧＡ)40との間において、メモリへのテクスチャデータの登録の際に、テクスチャデータ量を圧縮して登録させ、メモリへの登録性能を向上させる。 - 特許庁

The cathode catalyst for the fuel cell consists of an alloy which contains at least one element of the platinum group and at least one element selected from the group consisting of B, C, Be, Si, P, S, Ga, As and Se and the crystal structure of which is in an amorphous state.例文帳に追加

少なくとも一つの白金族元素と、Ｂ、Ｃ、Ｂｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ｓ、Ｇａ、Ａｓ及びＳｅからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素とを含み、その結晶構造が非晶質状態である合金からなる燃料電池用カソード電極触媒。 - 特許庁

The sintered oxide is obtained by mixing a zinc oxide, a tin oxide, and an oxide of at least one metal (metal M) selected from a group composed of Al, Hf, Ni, Si, Ga, In, and Ta and sintering the mixture, the sintered oxide having a Vickers hardness of 400 Hv or higher.例文帳に追加

本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、ビッカース硬度が４００Ｈｖ以上である。 - 特許庁

The solar battery 10 consists of a transparent conductive substrate 1, a p-layer 2 made of Cu_2O and an amorphous In-Ga-Zn-O n-layer 3 formed on the substrate 1 by sputtering, and a metallic electrode 4 provided on the n-layer 3.例文帳に追加

太陽電池１０は、透明導電性基板１と、基板１上にスパッタリングによって形成された、Ｃｕ_２Ｏよりなるｐ層２及びアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏｎ層３と、このｎ層３上に設けられた金属電極４とからなる。 - 特許庁

A conductive mayenite type compound wherein a part of a free oxygen ion of a mayenite type compound wherein a part of Al is substituted with M (M is Ga or In) is substituted with an electron, and having an electron density of ≥1×10^15 cm^-3, having a high oxidation resistance and chemically stable is provided.例文帳に追加

Ａｌの一部がＭ（ＭはＧａまたはＩｎ）で置換されたマイエナイト型化合物のフリー酸素イオンの一部が電子で置換されており、１×１０^１５ｃｍ^−３以上の電子密度を有する、耐酸化性が高く化学的に安定した導電性マイエナイト型化合物を提供する。 - 特許庁

A GaN single crystal 20 is grown on a crystal growth surface of a seed crystal (GaN layer 13) on the basis of the flux method in a nitrogen (N_2) atmosphere at 3.7 MPa and 870°C employing a flux mixture including Ga, Na and Li at about 870°C.例文帳に追加

フラックス法に基づいて、３．７ＭＰａ、８７０℃の窒素（Ｎ_2 ）雰囲気下において、略同温のＧａ，Ｎａ及びＬｉの混合フラックスの中で、ＧａＮ単結晶２０を種結晶（ＧａＮ層１３）の結晶成長面から成長させる。 - 特許庁

The filling auxiliary member 14 is a protruded member for pushing the rubbery elastic material Ga in a region where the filling with a material is insufficient at the time of molding of the annular member Wa and attached so as to inclined toward the lower sides of the molding plate 11 and the annular reference member Q.例文帳に追加

充填補助部材１４は、環状部材Ｗａの成形時に材料の充填に不十分な部位に、前記ゴム状弾性材料Ｇａを押し込む突起状の部材であり、成形プレート１１と円環状基準部材Ｑの下部側に向かって傾斜させて取付けてある。 - 特許庁

The metal salt of 8-quinolinol or an 8-quinolinol derivative is formed by coordinating, such metals as selected from among Cu, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Al, Ga, In, Tl, Yt, La, Pb, Sb, Bi, Cr, Mo, Mn, Fe, Co, Ni, Pd, Ce, and Pr.例文帳に追加

８−キノリノール又は８−キノリノール誘導体の金属塩は、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｙｔ、Ｌａ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｅ及びＰｒからなる群から選ばれる金属が配位することによって形成される。 - 特許庁

An electronic control unit 60 detects that there occurs an abnormality so that the opening degree of the PCV valve 36 is smaller than the predetermined opening degree, if an air intake amount GA regulated by the feedback control is larger than an assumed upper limit amount when the internal combustion engine 10 is in the idling state.例文帳に追加

電子制御装置６０は、内燃機関１０のアイドル運転状態において、フィードバック制御により調整される吸気量ＧＡが想定される上限量よりも多いことを条件に、ＰＣＶバルブ３６の開度が所定開度よりも小さい状態である異常が生じている旨を検知する。 - 特許庁

This alkaline battery comprises crosslinked polymer A, whose main constituent monomer unit is (meth)acrylic acid (salt), of which the gelling agent has a gel (GA) viscosity ratio (N1/N60) of 0.7 to 1.3 and the content of components soluble in a 37 wt.% aqueous solution of potassium hydroxide is not more than 30 wt.%.例文帳に追加

（メタ）アクリル酸（塩）を主構成単量体単位とする架橋重合体（Ａ）からなり、ゲル（ＧＡ）の粘度比（Ｎ１／Ｎ６０）が０．７〜１．３、及び３７重量％水酸化カリウム水溶液への可溶性成分量が３０重量％以下であるアルカリ電池用ゲル化剤及びアルカリ電池。 - 特許庁

The ultraviolet photodetector has the ultraviolet photoreceiving element provided with the photo-semiconductor layer containing at least one or more kind(s) of element(s) selected from the group comprising Al, Ga and In, and nitrogen, and the electrode, on the substrate, and the photodetector is provided with a light transmitting member for making light incident into the photo-semiconductor layer.例文帳に追加

また、基板上に、少なくとも、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる１種以上の元素と、窒素とを含む光半導体層、並びに電極を設けてなる紫外線受光素子を有し、前記光半導体層に光を入射する光伝送部材を備えてなる紫外線受光器である。 - 特許庁

When PM accumulation quantity PMsm in the exhaust emission control mechanism is a threshold A or less (S120:YES), a differential pressure reference value Dp and a value of (differential pressure ΔP(pressure difference between an exhaust gas upstream side and an exhaust gas downstream side of the exhaust emission control mechanism)/suction air quantity Ga) are compared (S130).例文帳に追加

排気浄化機構におけるＰＭ堆積量ＰＭｓｍが閾値Ａ以下であるときには（Ｓ１２０：ＹＥＳ）、「圧力差ΔＰ（排気浄化機構の排気上流側と排気下流側との圧力差）／吸入空気量Ｇａ」の値と差圧基準値Ｄｐとを比較する（Ｓ１３０）。 - 特許庁

The addition of low-quantity Ga allows the liquidus temperatures of both Au and Sn to be fairly lowered for the purpose of lowering a melting point (lowering it by 10°C or more, by approximately 27°C under normal conditions, in comparison with Au-Sn eutectic solder) and reinforcing the temperature sensitivity of the creep resistance of the solder.例文帳に追加

少量のＧａを添加することで、ＡｕおよびＳｎ双方の液相線温度を相当に下げ、したがって融点を下げる（共晶Ａｕ—Ｓｎはんだよりも少なくとも１０℃、通常約２７℃下がる）とともに、はんだの耐クリープ性の温度敏感性も強化する。 - 特許庁

Even if the tip of this tooth 14 runs against near the point Ga on the tooth tip face 27 of another tooth 24 of the gear 21 when the rack is sliding, a locked condition will never be generated because the tooth tip faces do not bear each other, and meshing will accordingly be generated easily in the event of such collision.例文帳に追加

ラック１の摺動時にその歯１４の歯先が、歯車２１の歯２４の歯先面２７のうちの点Ｇａ近傍に衝突しても、互いの歯先面が担がないのでロック状態とならず、したがってこのような衝突時にはその分噛合いやすい。 - 特許庁

Final power relay signals and the AC output signals of the fixing power relay 31 are compared in a correct/error detection circuit 44, the compared result is inputted to a GA 33 and the correct/error and matching/ non-matching of fixing power relay control signals (instructions) and the actual AC output signals are confirmed.例文帳に追加

最終的なパワーリレー信号と、定着パワーリレー３１のＡＣ出力信号を正誤検知回路４４で比較し、比較結果をＧＡ３３に入力させ、定着パワーリレー制御信号（命令）と実際のＡＣ出力信号との正誤及び一致、不一致を確認する。 - 特許庁

This ultraviolet photodetector has an ultraviolet photoreceiving element provided with a photo-semiconductor layer containing at least one or more kind(s) of element(s) selected from the group of Al, Ga and In, and nitrogen, and an electrode, on a substrate, and an end face of the substrate is a photoreceiving face.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる１種以上の元素と、窒素とを含む光半導体層、並びに電極を設けてなる紫外線受光素子を有し、前記基板の端面が受光面である紫外線受光器である。 - 特許庁

Further, in the drawing, 71 indicates a ϕ1 non-writing time signal input terminal, 72 indicates a ϕ1 writing time signal input terminal, 73 indicates a ϕ2 non-writing time signal input terminal, 74 indicates a ϕ2 writing time signal input terminal, 75 indicates a start signal terminal, and 76 indicates a power supply for giving a voltage V_GA.例文帳に追加

なお図中、７１はφ１非書込み時信号入力端子、７２はφ１書込み時信号入力端子、７３はφ２非書込み時信号入力端子、７４はφ２書込み時信号入力端子、７５はスタート信号端子、７６は電圧Ｖ_ＧＡを与える電源である。 - 特許庁

To provide an Sb based solder alloy essentially consisting of Sn and solving both the problem of defects caused by the yellowing and the reduction of metallic luster upon the formation of a solder ball or the formation of a solder bump and the problem in the reduction of solderability caused by the addition of Ga and P elements, and to provide a solder ball.例文帳に追加

本発明の目的は、Ｓｎを主体とし、はんだボール形成時やはんだバンプ形成時の黄化や金属光沢の低下に起因した不良の問題と、これらの元素の添加によるはんだ付け性低下の問題の双方を解決するＳｎ系はんだ合金ならびにはんだボールを提供することにある。 - 特許庁

When the purity of Na is 99%; the purity of Ga is 99.9999%; the purity of nitrogen gas is 99.999%; and the material of the mixed melt holding container 102 is a BN as a sintered compact, a solid substance 110 has a shape with a hole 111 perforated in a part thereof.例文帳に追加

ここで、Ｎａの純度が９９％、Ｇａの純度が９９．９９９９％、窒素ガスの純度が９９．９９９％、混合融液保持容器１０２の材質が焼結体のＢＮの場合には、固体物１１０は一部に穴１１１が開いたような形状となる。 - 特許庁

A compound semiconductor multilayer thin film is formed into a structure, wherein an InSb buffer layer 2 doped with one of Al, Be, Zn, Mg, O and Ga as impurities and an undoped, Te-doped or Se-doped InSb active layer 3 are deposited in order on a semiinsulative GaAs substrate 1.例文帳に追加

半絶縁性のＧａＡｓ基板１上に、不純物としてＡｌ、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ、ＯまたはＧａの一つをドーピングしたＩｎＳｂバッファ層２と、アンドープまたはＴｅドープまたはＳｅドープのＩｎＳｂ活性層３とを順次堆積させた構造とする。 - 特許庁

The system comprises a mobile information terminal Ha with a browser function; a computer Ea with a server function; a storage means Eb for storing data on the management of the conveying in and out of materials and equipment and lifting; a computer Fa with a browser function; and a mobile information terminal Ga with a browser function.例文帳に追加

Ｈａは、プラウザ機能付の携帯型情報端末、Ｅａはサーバー機能を有するコンピュータ、Ｅｂは資機材の搬出入・揚重管理データを記憶する記憶手段、Ｆａはプラウザ機能付のコンピュータ、Ｇａはプラウザ機能付の携帯型情報端末である。 - 特許庁

The nitride semiconductor light-emitting device includes at least a substrate, an active layer composed of a nitride semiconductor mainly containing In and Ga, a p-electrode, and an n-electrode, wherein at least one of the p-electrode and the n-electrode is electrically divided into two or more regions.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子は、少なくとも基板、ＩｎとＧａを主に含有する窒化物半導体からなる活性層、ｐ電極およびｎ電極を含むものであって、ｐ電極およびｎ電極の少なくとも一方が電気的に２領域以上に分離されていることを特徴としている。 - 特許庁

This sputtering target includes a composition that includes 1-40 atom% of Ga and 0.05-2 atom% of Na as metal components other than Se, with the rest being Cu and unavoidable impurities, wherein Na is contained in the form of sodium selenide.例文帳に追加

スパッタリングターゲットのＳｅを除く金属成分として、Ｇａ：１〜４０ａｔ％、Ｎａ：０．０５〜２ａｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避不純物からなる成分組成を有し、Ｎａがセレン化ナトリウムの状態で含有されている。 - 特許庁

An air flow meter output GAH is computed after correcting an air flow meter output GA multiplied by the pulsation/drift correcting coefficient K and the amount of intake air into the engine combustion chamber is detected in accordance with the air flow meter output GAH after the correction.例文帳に追加

そして、エアフロメータ出力ＧＡにこの脈動・偏流補正係数Ｋを乗算して補正後エアフロメータ出力ＧＡＨを算出し、この補正後エアフロメータ出力ＧＡＨに基づいて機関燃焼室に吸入される空気量を検出する。 - 特許庁