「GA in」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The nano structure has the pattern with a depth of ≥2 μm formed on the surface of the substrate including Si, Ga or In is included in the surface of the pattern, and the maximum value of the concentration of the Ga or In is positioned within 50 nm from the surface of the pattern in the depth direction of the substrate.例文帳に追加

Ｓｉを含む基板の表面に形成された、深さが２μｍ以上のパターンを有するナノ構造体であって、前記パターンの表面にＧａ又はＩｎを含み、該Ｇａ又はＩｎの濃度の最大値が前記基板の深さ方向に前記パターンの表面より５０ｎｍ以内に位置しているナノ構造体を構成する。 - 特許庁

A precursor thin film 20 in which a first layer 21 containing In, a second layer 22 containing Cu and Ga and a third layer 23 containing Cu are laminated successively is formed on a substrate 10 by using a sputtering method, and a Cu (In, Ga) Se2 thin film is formed by thermally treating the precursor thin film 20 in an atmosphere comprising Se.例文帳に追加

スパッタリング法を用いて、Ｉｎを含む第１層２１と、ＣｕおよびＧａを含む第２層２２と、Ｃｕを含む第３層２３とが順次積層してなる前駆体薄膜２０を基板１０上に形成した後、Ｓｅを含む雰囲気中で前記前駆体薄膜２０を熱処理して、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ_2薄膜を形成する。 - 特許庁

The method for growing a GaN crystal (5) comprises dissolving high pressure nitrogen-containing gas (4) in a Ga solvent (3) to grow the crystal in a region on the surface of a substrate (2) in contact with the Ga solvent, wherein the GaN crystal is grown in an environment where the pressure of the nitrogen-containing gas varies within a range from 0.1 to 20%.例文帳に追加

高圧の窒素含有ガス（４）をＧａ溶媒（３）に溶解させ、基板（２）表面上でＧａ溶媒が接する領域にＧａＮ結晶（５）を成長させる方法において、窒素含有ガスの圧力が０．１〜２０％の範囲内で変動する環境下でＧａＮ結晶を成長させることを特徴としている。 - 特許庁

The manufacturing method of the compound semiconductor element includes a process sequence for applying heat treatment at a heat treatment temperature in the range of 350 to 430°C, after electrodes 17, 19 containing Pt (platinum) and Ti (titanium) are formed in a compound semiconductor wafer 1 that contains Ga (gallium) or In (indium) or a compound semiconductor layer 15 containing Ga or In.例文帳に追加

化合物半導体素子の製造方法において、Ｇａ（ガリウム）またはＩｎ（インジウム）を含む化合物半導体ウエハ１またはＧａまたはＩｎを含む化合物半導体層１５にＰｔ（白金）またはＴｉ（チタン）を含む電極１７，１９を形成した後、熱処理温度を３５０℃〜４３０℃の範囲内とする熱処理を施す工程を含む手順とする。 - 特許庁

The standard sample is produced by steps of: forming an ion implantation layer 2 by ion-implanting In or Ga to a silicon substrate 1; and forming a redistribution layer 4 by accumulating ion-implanted In or Ga in a neighborhood of the surface of the silicon substrate 1 by irradiating the silicon substrate 1 with an oxygen ion 3.例文帳に追加

本標準試料は、シリコン基板１にＩｎ又はＧａをイオン注入してイオン注入層２を形成する工程と、シリコン基板１に酸素イオン３を照射して、イオン注入された前記Ｉｎ又はＧａをシリコン基板１の表面近傍に集積させて再分布層４を形成する工程とを有することで製造される。 - 特許庁

To provide a production method of a light absorption layer for a compound thin film solar cell in which formation of a discontinuous layer (insular In film) can be prevented when a pure In film is deposited by sputtering, and oxidation of Ga can preferably be minimized when a CIGS based light absorption layer, or the like, containing Ga is produced.例文帳に追加

スパッタリング法によって純Ｉｎ膜を成膜したときにおける不連続層生成（島状Ｉｎ膜の形成）を防止でき、好ましくはＧａを含むＣＩＧＳ系光吸収層などを製造する場合には、Ｇａの酸化を抑制することが可能な化合物薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法を提供する。 - 特許庁

An HEMT1 is provided with a channel layer 119 made of group III nitride, essentially containing Ga and a pair of n-type doped electron supply layers 110 that are arranged on both sides of the channel layer 119 in the layer- thickness direction, are larger in conductor bottom energy than the channel layers 119, and are made of group III nitride essentially containing Ga.例文帳に追加

ＨＥＭＴ１は、Ｇａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物からなるチャネル層１１９と、該チャネル層１１９の層厚方向両側に配置されるとともに、それぞれチャネル層１１９よりも伝導体底エネルギーが高く、かつＧａを必須とするＩＩＩ族元素窒化物により構成され、ｎ型にドープされた１対の電子供給層１１０を有することを特徴とする。 - 特許庁

A three-dimensional image processing part reads out, from a character storing part, a plurality grouped objects Ga to Gc into which objects for displaying individual patterns are grouped, and arranges the grouped objects Ga to Gc in sequence outside a display area set in a world coordinate system or positions without projection on a projection plane TM.例文帳に追加

３次元画像処理部は、単一の図柄を表示するためのオブジェクトをグループ化した複数個のグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをキャラクタ記憶部から読み出し、それらグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをワールド座標系に設定された表示領域外すなわち投影平面ＴＭに投影されない位置に順次配置する。 - 特許庁

Cu-Ga alloy powders are directly formed by stirring Cu powders in a mixed gas atmosphere including hydrogen gas at a temperature of 150-300°C, mixing Ga at a ratio of 10-45 mass% with the stirred Cu powders, and stirring the mixed powders in a vacuum or inert gas atmosphere at a temperature of 30-300°C.例文帳に追加

Ｃｕ粉末を、水素ガスを含む混合ガス雰囲気中で１５０℃〜３００℃の温度で撹拌し、撹拌したＣｕ粉末に、Ｇａを１０質量％〜４５質量％の割合で配合した混合粉末を、真空又は不活性雰囲気中で３０℃〜３００℃の温度で攪拌することにより、直接、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を形成する。 - 特許庁

Hydrogen chloride is introduced into a reaction vessel 106 in which the compound semiconductor monocrystal substrate 4 and Ga are arranged, the moisture concentration in hydrogen chloride introduced into the reaction vessel 106 is regulated to be ≤10 ppm at all times and the Ga- containing compound semiconductor layer is grown by hydride vapor phase growth is grown.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４とＧａとを配置した反応容器１０６内に塩化水素を導入するとともに、該反応容器１０６内に導入される塩化水素中の水分濃度を常時１０ｐｐｍ以下に規制しつつ、Ｇａ含有化合物半導体層をハイドライド気相成長法により成長させる。 - 特許庁

The method of preestimating the catalytic activity of the Ga-Al type denitration catalyst to be used in a reaction of converting a nitrogen oxide into nitrogen and water by way of causing a hydrocarbon as a reducing agent to react with the nitrogen oxide includes a process of measuring the amount of hydrogen consumed per mole of Ga upon reducing the denitration catalyst in a hydrogen-containing atmosphere.例文帳に追加

窒素酸化物に炭化水素を還元剤として作用させることによって、当該窒素酸化物を窒素及び水に変換する反応に用いるためのＧａ−Ａｌ系脱硝触媒の触媒活性を予測する方法であって、前記脱硝触媒を水素含有雰囲気において還元した際のＧａ１ｍｏｌ当たりの水素消費量を測定する工程、を備えた、脱硝触媒の触媒活性の予測方法。 - 特許庁

In the Shochu Disturbance in 1324, in which Godaigo's plot was detected by Rokuhara Tandai (an administrative and judicial agency in Rokuhara, Kyoto) that were set up by the Hojo clan to monitor the Imperial court, Suketomo was captured along with Toshimoto HINO, sent to Kamakura, and sentenced to exile in Sado ga shima Island. 例文帳に追加

1324年に計画が北条氏が朝廷監視のために設置していた京都の六波羅探題に察知された正中の変では日野俊基らとともに捕縛されて鎌倉へ送られ、佐渡島へ流罪となる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In fact, a CPP-GMR element employing the Co_2Fe(Ga_XGe_X-1) Heusler alloy in the electrode shows a highest MR ratio in the world, a high output in an STO element, and a high spin signal in an NLSV element.例文帳に追加

実際、Ｃｏ_２Ｆｅ（Ｇａ_ＸＧｅ_Ｘ−１）ホイスラー合金を電極としたＣＰＰ−ＧＭＲ素子は世界最高のＭＲ比を、ＳＴＯ素子では高い出力を、ＮＬＳＶ素子では高いスピン信号を示した。 - 特許庁

To provide a semiconductor and an element having excellent characteristics in an amorphous oxide semiconductor in which the composition ratios of In, Ga and Zn are expressed by In_xGa_yZn_z, a semiconductor device and a thin-film transistor.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ，Ｚｎの組成比がＩｎ_ｘＧａ_ｙＺｎ_ｚで表されるアモルファス酸化物半導体、半導体デバイス及び薄膜トランジスタにおいて、良好な特性の半導体及び素子を提供することにある。 - 特許庁

In the amorphous oxide semiconductor in which the composition ratios of In, Ga and Zn are expressed by In_xGa_yZn_z, its density (mass per unit volume) is not less than 0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z).例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎの組成比がＩｎ_ｘＧａ_ｙＺｎ_ｚで示されるアモルファス酸化物半導体において、その密度（単位体積あたりの質量）が０．９４×(７．１２１ｘ＋５．９４１ｙ＋５．６７５ｚ)／(ｘ＋ｙ＋ｚ)以上である。 - 特許庁

When Ga is contained in the oxide, the number of Ga atoms is set to be smaller than the number of N atoms.例文帳に追加

電界効果型トランジスタであって、 前記電界効果型トランジスタの活性層がＩｎと、Ｚｎと、Ｎと、Ｏと、を含むアモルファス酸化物からなり、前記アモルファス酸化物中の前記Ｎの前記ＮとＯに対する原子組成比率が０．０１原子％以上３原子％以下であり、かつ、前記酸化物はＧａを含まないか、Ｇａを含む場合には、前記酸化物に含まれるＮの原子数よりも少なくする。 - 特許庁

The nitride crystal is produced by inserting an introducing pipe 6, to which gaseous nitrogen is fed, into Ga molten liquid 4, then cracking the gaseous nitrogen in the introducing pipe 6 by the cracking action caused by a high frequency oscillating solenoid coil 5 and sending the formed nitrogen radical into the Ga molten liquid 4.例文帳に追加

窒素ガスを送り込まれる導入管６をＧａ融液４の中に挿入し、高周波発振ソレノイドコイル５からのクラッキング作用によって導入管６内の窒素ガスをクラッキングし、これにより発生する窒素ラジカルをＧａ融液４の中に送り込むことによって窒化物結晶を製造する。 - 特許庁

The process for producing the sputtering target comprises the steps of: forming a molded object comprising a mixed powder composed of an NaF powder and a Cu-Ga powder or a mixed powder composed of an NaF powder, a Cu-Ga powder and a Cu powder; and sintering the molded object in a vacuum atmosphere, an inert gas atmosphere or a reductive atmosphere.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、ＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末との混合粉末、又はＮａＦ粉末とＣｕ−Ｇａ粉末とＣｕ粉末との混合粉末からなる成形体を形成し、その後、真空、不活性ガスまたは還元雰囲気中で焼結する工程を有している。 - 特許庁

Further, the method for producing the sputtering target includes: a step of hot-pressing a powder mixture of Na_2S powder and Cu-Ga alloy powder or a powder mixture of Na_2S powder, Cu-Ga alloy powder and pure Cu powder in vacuum or an inert gas atmosphere; or a step of sintering the powder mixture according to a hot isostatic pressing method.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットを作製する方法は、Ｎａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末との混合粉末、又はＮａ_２Ｓ粉末とＣｕ−Ｇａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程、または、熱間静水圧法で焼結する工程を有している。 - 特許庁

The tillage controller controls the driving of a lift control hydraulic cylinder to change a control gain Ga in response to control information corresponding to the target tillage depth RD0, calculate the tillage depth RD of the rotary tiller from the control gain Ga and the detection value θof the rear cover sensor, and then match the tillage depth RD with the target tillage depth RD0.例文帳に追加

耕耘制御コントローラは、目標耕耘深さＲＤ０に対応する制御情報に応じて制御ゲインＧａを変更し、該制御ゲインＧａとリヤカバーセンサの検出値θとからロータリ耕耘機の耕耘深さＲＤを算出し、この耕耘深さＲＤが目標耕耘深さＲＤ０となるように昇降制御油圧シリンダの駆動を制御する。 - 特許庁

To provide a low-cost ferromagnetic shape-memory alloy which is excellent in magnetic properties and processibility and is suitable as a magnetic field-sensitive actuator or a sensor utilizing magnetism.例文帳に追加

Gaを20〜32原子％，Feを15〜45原子％含有し、かつCo，MnおよびAlの中から選ばれる１種または２種以上を含有し、残部がNiおよび不可避的不純物からなり、かつGa，Fe，Co，Mn，Al，Niが下記の(1)式で表わされる組成バランスを持つ組成と、ｂｃｃ基規則構造のオーステナイト相からなる単相組織またはｂｃｃ基規則構造のオーステナイト相とｆｃｃ構造の不規則相とからなる２相組織と、を有する強磁性形状記憶合金である。 - 特許庁

A three-dimensional picture processing part reads plural grouped objects Ga to Gc obtained by grouping objects for displaying a single pattern from a character storing part, and successively arranges the objects Ga to Gc outside of a displaying area set in a world coordinate system, that is a position which is not projected to a projecting plane TM.例文帳に追加

３次元画像処理部は、単一の図柄を表示するためのオブジェクトをグループ化した複数個のグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをキャラクタ記憶部から読み出し、それらグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをワールド座標系に設定された表示領域外すなわち投影平面ＴＭに投影されない位置に順次配置する。 - 特許庁

A three-dimensional image processing part reads the plural pieces of grouped objects Ga-Gc for which objects for displaying a single pattern are grouped from a character storage part and successively arranges the grouped objects Ga-Gc on the outside of a display area set in a world coordinate system, that is a position not projected on a projection plane TM.例文帳に追加

３次元画像処理部は、単一の図柄を表示するためのオブジェクトをグループ化した複数個のグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをキャラクタ記憶部から読み出し、それらグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをワールド座標系に設定された表示領域外すなわち投影平面ＴＭに投影されない位置に順次配置する。 - 特許庁

While manufacturing a bulged product by applying bulge forming on a GA steel sheet using a press forming apparatus equipped with a punch and a die, at least in a part of stroke zone from starting of contact of the punch with the GA steel sheet till reaching the bottom dead point, speed of punch is maintained at the same as just before the contact or increased following the punch stroke.例文帳に追加

パンチとダイを備えるプレス成形装置を用いてＧＡ鋼板を張出し成形することによって張出し成形品を製造する際に、パンチとＧＡ鋼板とが接触を開始してから下死点までの間の少なくとも一部の領域では、直前のパンチ速度を維持し、または成形ストロークとともにパンチ成形速度を増大するようにする。 - 特許庁

In addition, according to research after the late 20th century, it is wrong to think that all paintings in Muromachi Period in Japan were Suiboku-ga, and the traditional Yamatoe painting on folding screen were also painted actively during this period. 例文帳に追加

なお、室町時代の日本画壇が水墨画一色であったと考えるのは誤りで、この時代には伝統的な大和絵の屏風も盛んに描かれていたことが、20世紀後半以降の研究で明らかになっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In his last years he became senile and it is said he had incontinence in front of people (in NHK saga drama such as "Dokuganryu Masamune" and "Komyo ga Tsuji" (Crossroads of the Achievement), there were scenes that old Hideyoshi had incontinence). 例文帳に追加

晩年は老耄だったようで、人前で小便を漏らすこともあったとされる(大河ドラマ・独眼竜政宗(NHK大河ドラマ)および功名が辻(NHK大河ドラマ)では晩年の秀吉が失禁するシーンが描かれた。)。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the laser welding method, a piercing weld part 24 is formed in a bottom part Ga of a groove part G by forming the groove part G in one metal plate 10a.例文帳に追加

レーザ溶接方法では、一方の金属板１０ａに溝部Ｇを形成しておくことにより、溝部Ｇの底部Ｇａに貫通溶接部２４を形成する。 - 特許庁

In the formation process of an InGaN film, In and Ga are simultaneously accommodated in one HWE furnace, heated and evaporated, and NH3+N2 as nitrogen source is supplied above the HWE furnace from the outside.例文帳に追加

ＩｎＧａＮ膜の成膜は、一つのＨＷＥ炉にＩｎとＧａを同時に収容して加熱蒸発させ、外部から窒素源としてＮＨ_3＋Ｎ_2をＨＷＥ炉上に供給する。 - 特許庁

The graphite jig used in liquid phase epitaxial growth is purified in the presence of Ga and Mg at a high temperature of about 900°C in the flow of gaseous hydrogen, and the epitaxial wafer is produced using the purified graphite.例文帳に追加

液相エピタキシャル成長に使用されるグラファイト治具をＧａ及びＭｇを入れて水素気流中約９００℃の高温で純化したこと及び純化したグラファイト治具を用いてエピタキシャルウエハを作製したことにある。 - 特許庁

When the total amount of all the atoms other than oxygen atoms contained in the protective layer 2 is taken as 100 atom%, the total amount of atoms of Cr, Zn, Ga, In, Sn, Sb, Bi, and Te in the protective layer 2 is at least 70 atom%.例文帳に追加

保護層２に含まれる酸素原子以外の全原子の合計を１００原子％とした場合に、保護層２におけるＣｒ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ及びＴｅの原子数割合の合計は、７０原子％以上である。 - 特許庁

In the insulated gate transistor, desorption gas observed as a water molecule by a temperature rising desorption analysis (TDS measurement)is less than 1.4 molecules/nm^3 if an oxide containing at least one element of In, Ga, and Zn is used in an active layer 5.例文帳に追加

活性層にＩｎ、Ｇａ、Ｚｎの内、少なくとも1つを含む酸化物を用いる場合において、昇温脱離分析（ＴＤＳ測定）により水分子として観測される脱離ガスを１．４個／ｎｍ^３未満とする。 - 特許庁

In the conductive zinc oxide film including at least one element selected from a group consisting of B, Al, Ga and In as a dopant, hydrogen is contained in the film and the content of the hydrogen is ≤3×10^21 atoms/cm^3.例文帳に追加

Ｂ、Ａｌ、ＧａおよびＩｎからなる群から選ばれる１つ以上の元素をドーパントとして含む導電性酸化亜鉛膜において、膜中に水素を含むものとし、その水素の含有量を３×１０^21 atoms/cm^3以下とする。 - 特許庁

In the producing method, the powdery Mn in the glowing vessel 50 is held in the glowing vessel 50 without scattering because of being added with the mixed melt of Na and Ga when sealing and vacuumizing the glowing vessel 50.例文帳に追加

この製造方法では、育成容器５０を密閉して真空引きするとき、育成容器５０内の粉末状のＭｎはＮａとＧａとの混合融液に添加されているため飛散することなく育成容器５０内にとどまる。 - 特許庁

A first magnetic sensor 14a arranged in a narrow gap Ga and a second magnetic sensor 14b arranged in a wide gap Gb are different in the magnetic flux density and sensitivity.例文帳に追加

狭ギャップＧａに配置される第１磁気センサ１４ａと、広ギャップＧｂに配置される第２磁気センサ１４ｂとでは、磁束密度が異なり感度が違っている。 - 特許庁

The zinc-oxide-based target includes zinc oxide as a main component, and both elements of titanium (Ti) and gallium (Ga), in which the titanium content is in a range of 1.1 at% or more and the gallium content is in a range of 4.5 at% or more.例文帳に追加

酸化亜鉛を主成分とし、チタン（Ｔｉ）及びガリウム（Ｇａ）の両元素を含有し、両元素がチタン１．１ａｔ％以上又はガリウム４．５ａｔ％以上の範囲で含有されている。 - 特許庁

This exhaust emission control device 1 has a plurality of purification catalysts 2, 3 arranged in an upstream and a downstream of an exhaust passage 100 of an internal combustion engine 100, cross section area of the purification catalyst 2 in the upstream side can be varied in relation to flow of exhaust gas GA.例文帳に追加

内燃機関１００の排気通路１０６に前後して複数の浄化触媒２，３を配置している排気浄化装置１であって、排気ガスＧＡの流れに対して、上流側の浄化触媒２の横断面積を可変とした。 - 特許庁

Ca to Cc are driving circuits which drive each light emitting element, Ca is wired to a light emitting element groups in Ga zone, Cb to those in Gb zone, and Cc to those in Gc zone.例文帳に追加

Ｃａ〜Ｃｃは各発光素子を駆動する駆動回路で、ＣａはＧａの区域、ＣｂはＧｂの区域、ＣｃはＧｃの区域の発光素子グループと結線される。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor high in mobility and easy to manufacture in which an In-Ga-Zn-O oxide semiconductor is used as an active layer, and a manufacturing method therefor, and a display including the transistor.例文帳に追加

活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用い、移動度が高く、かつ、製造が容易な電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びにそれを備えた表示装置を提供する。 - 特許庁

However, after the release of Shinobu ORIKUCHI's thesis, "Haha ga kuni he/ Tokoyo he" (published in 1920), it does not a mere world of the dead, but a Utopia which is considered to exist over the sea or in the sea when you mentioned especially 'Tokoyo.' 例文帳に追加

しかし、折口信夫の論文『妣が国へ・常世へ』（1920年に発表）以降、特に「常世」と言った場合、単なる死者の国ではなく、海の彼方・または海中にあるとされる理想郷である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In Miyagi Prefecture, two brands of 'Shiramatsu ga Monaka Honpo Ltd.' and 'Kotobuki Sanshokumonaka Honpo.,ltd' headquartered in Sendai City are famous specialties, and both (especially the former) focus on advertising such as commercial films on local televisions and outdoor advertisement. 例文帳に追加

宮城県では、仙台市に本店のある「白松がモナカ」「寿の三色最中」の2ブランドが名物で、両者とも（特に前者は）当該地域のテレビCMだけでなく屋外広告なども盛んに行っているほど広告に力を入れている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

According to the legend in Niibo-mura, Sado ga-shima Island, Niigata Prefecture (Present Sado City), a dragon lantern (mysterious fire which is said to be lit by a dragon) came flying almost every night at a plum tree in the Konpon-ji Temple. 例文帳に追加

新潟県佐渡島新穂村（現・佐渡市）の伝説では、根本寺の梅の木に毎晩のように龍燈（竜が灯すといわれる怪火）が飛来していた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the NHK's period drama "Shinsen-gumi!" described from the Shogunate viewpoint and in the Television Tokyo's new year wide period drama "Ryoma ga Yuku (2004, TV drama)," Ryoma's assassination is depicted based on this theory. 例文帳に追加

幕藩側に立って書かれた大河ドラマ『新選組!』やテレビ東京新春ワイド時代劇『竜馬がゆく(2004年テレビドラマ)』ではこの説に則って龍馬の暗殺を描いている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Since 'KANZE Kojiro Nobumitsu ga zo-san,' which was written in his later years, described the roots of the Kanze family as well as his own life in detail, this book has been considered source materials about the Kanze family up to the present. 例文帳に追加

また晩年に書かれた「観世小次郎信光画像讃」ではその生涯とともに、観世家の出自が詳しく語られ、近代に至るまで観世家を語る上での基礎資料として認知されていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

He was born in Arakawago, Kajisho, Senami County (瀬波郡加治庄荒川郷), Echigo Province in the Hokuriku-do region, on the opposite shore of the east coast of Sado ga shima Island (Sado Province) associated with Nichiren, the founder of the Hokke sect. 例文帳に追加

宗門の高祖（宗祖）日蓮有縁の地佐渡ヶ島（佐渡国）の東岸、北陸道の越後国瀬波郡加治庄荒川郷（現在の新潟県胎内市）にて生誕。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

His unconventional character an eccentricities were described in "Warera ga fukyo no shi" (Our Wacky Teacher), by Koji AOYAMA, one of Doi's former students at the Third High School; in it, Doi was described under the pseudonym "Kazuma TOKI," but all other proper names used, except for the names of his family members, were real names. 例文帳に追加

またその奇人・奇行ぶりは、三高での教え子だった青山光二の、『われらが風狂の師』に、土岐数馬として、しかし、家族の名前以外の固有名はそのままに描かれている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス