「GA in」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The ratio of a group III element to group VI element is 2:3.例文帳に追加

また、In-Ga-Se化合物ターゲット21に含まれるIII族元素対VI族元素の比を２：３とする。 - 特許庁

A luminous element is formed on the smooth (Al, Ga, In)N thin film 624.例文帳に追加

前記平滑な（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜６２４上に、発光素子を形成する。 - 特許庁

In the formula, A is Si, Ge, Ti, Zr, Al or Ga; and (x) is 1 to 6.例文帳に追加

式中、ＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＡｌまたはＧａであり、ｘは１〜６である。 - 特許庁

The crucible 10 is arranged in the reactor 20 and holds a mixed melt 220 including Bi and Ga.例文帳に追加

坩堝１０は、反応容器２０内に配置され、ＢｉとＧａとを含む混合融液２２０を保持する。 - 特許庁

Also, as the manufacturing method, the surface of the substrate including Si is irradiated with converged Ga ions or In ions, the Ga ions or In ions are implanted while shaving the surface of the substrate, a layer including the Ga or In is formed on the surface of the substrate, and dry etching is performed using the layer including the Ga or In as an etching mask.例文帳に追加

また、その製造方法として、前記Ｓｉを含む基板の表面に集束したＧａイオン又はＩｎイオンを照射して、該基板の表面を削りながらＧａイオン又はＩｎイオンを注入し、該基板の表面にＧａ又はＩｎを含む層を形成し、これをエッチングマスクとしてドライエッチングする方法を構成する。 - 特許庁

An elevating body 40 and an elevating and moving means 50 are provided in the conveyance path 1 for plate-like bodies Ga, Gb.例文帳に追加

板状体Ｇａ，Ｇｂの搬送経路中１に昇降体４０と昇降動手段５０を設けた。 - 特許庁

This transparent conductive film is substantially made of In, Sn, Ga, and O with resistivity of less than 250 μΩ.cm and the maximum vertical interval of surface unevenness (Z-max)/film thickness (t) of less than 10%, and it is preferable that Ga, In, and Sn are included in this film at an atomic ratio Ga/(In+Sn+Ga) of 2-9%.例文帳に追加

実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、かつ表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚（ｔ）が１０％以下であることを特徴とする透明導電膜であり、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比が２〜９％の割合で含有されていることが好ましい。 - 特許庁

Therefore, the quantity of light emitted again to the surface GA to be read, of reflected light from the surface GA to be read can be smaller than the case in which the reflected light from the surface GA to be read is not transmitted through the inside of the light guide member 65.例文帳に追加

このため、被読取面ＧＡからの反射光が導光部材６５の内部を透過しない場合に比べて、被読取面ＧＡで反射された反射光が再び被読取面ＧＡに照射される光の光量を低減することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a Ga compound-doped polycrystalline silicon, in which the accuracy of the measurement and the workability of Ga doping are improved and to provide the Ga compound-doped polycrystalline silicon hardly causing photo-degradation and having high conversion efficiency stably.例文帳に追加

Ｇａドープの計測の正確性および作業性を向上させたＧａ化合物ドープ多結晶シリコンの製造方法と、光劣化が生じにくく、高い変換効率が安定的に得られるＧａ化合物ドープ多結晶シリコンとを提供するものである。 - 特許庁

The magnetic material has an X-ray diffraction peak corresponding to the crystal structure of ε-Fe_2O_3 and is composed of a crystal of ε-Ga_xFe_2-xO_3, formed by replacing a part of Ga^3+ ion site in the ε-Fe_2O_3 crystal with Ga^3+ ion, wherein 0<X<1.例文帳に追加

ε−Ｆｅ_2Ｏ_3の結晶構造に対応するＸ線回折ピークを有し、ε−Ｆｅ_2Ｏ_3結晶のＧａ^3+イオンサイトの一部がＧａ^3+イオンで置換されたε−Ｇａ_xＦｅ_2-xＯ_3〔ただし０＜Ｘ＜１である〕の結晶からなる磁性材料である。 - 特許庁

This manufacturing method is a method to make a single crystal having a garnet structure substantially comprising Ca, Nb, Ga, and O by Czochralski method, and the composition ratio of Ca, Nb, and Ga is Ca:Nb:Ga=37.7-39.1:20.2-21.6:40.7-42.1 in molar ratio.例文帳に追加

Ｃａ、Ｎｂ、Ｇａ及びＯから実質的に構成され且つガーネット構造を有する単結晶をチョコラルスキー法によって製造する方法であって、Ｃａ、Ｎｂ及びＧａの組成比がモル比で表してＣａ：Ｎｂ：Ｇａ＝３７．７〜３９．１：２０．２〜２１．６：４０．７〜４２．１となるように用いる。 - 特許庁

This spattering target for forming the transparent conductive film has an organization in which a Zn-Ga complex oxide surrounds a Zn-Ga alloy crystal particle having a composition which contains: 0.1 to 30% by mass of Ga; and the balance comprising Zn.例文帳に追加

本発明の透明導電膜形成用スパッタリングターゲットは、Ｇａ：０．１〜３０質量％を含有し、残部がＺｎからなる組成を有するＺｎ−Ｇａ合金結晶粒をＺｎ−Ｇａ複合酸化物が包囲している組織を有する。 - 特許庁

A sputtering target contains In, Ga and Zn, and consists of an oxide sintered body having a structure in which a contained amount of the In is larger than that in a periphery, and a structure in which a contained amount of the Ga and the Zn is larger than that in a periphery.例文帳に追加

Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To realize an illuminated defect repair using an ion beam device in which the deterioration in the quality in the periphery of a repair region due to a Ga ion diffusion in cleaning after post treatment of a halo component by a laser beam repair machine does not occur.例文帳に追加

レーザー修正機によるハロー成分のポストトリートメント後の洗浄時にGaイオン拡散に起因する修正領域周辺の品質劣化の起こらないイオンビーム装置を用いた白欠陥修正を実現する。 - 特許庁

A distance between an electrode 2 provided in electron devices 1 and an electrode 4 provided in a packaging board 3 is bonded by a conductor 5 in which there are dispersed metallic particles 7 responding to the alloy with Ga at 100°C or less in a metal 6 containing Ga.例文帳に追加

電子デバイス部品１に設けた電極２と実装基板３に設けた電極４との間を、Ｇａを含む金属６中に１００℃以下でＧａと合金化反応する金属粒子７が分散した導体５で接合する。 - 特許庁

Generally, the word is used to mean a sign of good or bad things happening in the future, and terms such as 'engi wo katsugu' (be superstitious), 'engi ga yoi' (sign of a good thing happening in the future) and 'engi ga warui' (sign of a bad thing happening in the future) are used. 例文帳に追加

一般には、良いこと、悪いことの起こるきざし・前兆の意味で用いられ、「縁起を担ぐ」、「縁起が良い」、「縁起が悪い」などと言う。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It was established as a technique for Sansui-ga (landscapes painting) in China in the latter part of Tang, and in Song, Suiboku-ga of Shikunshi (four plants of high virtue) (pine, bamboo, plum, and chrysanthemum) were painted by bunjin-kanryo (government officials of letters). 例文帳に追加

中国で唐代後半に山水画の技法として成立し、宋代には、文人官僚の余技としての、四君子（松竹梅菊）の水墨画が行われた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The oxide containing In, Ga, and Zn includes a repeated structure in which four layered structures are assumed to be one unit, the layered structures each consist of an oxide containing at least one of In, Ga, and Zn.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む酸化物であって、４つの層状構造を１ユニットとする繰り返し構造を含み、前記層状構造はそれぞれＩｎ、Ｇａ、Ｚｎのうち少なくとも１つを含む酸化物からなる酸化物。 - 特許庁

The diffusion of Ga in the active layer 15 is suppressed in the ZnO substrate to obtain a steep interface between the ZnO substrate and active layer, thus enabling the system to get excellent crystal in the active layer composed of InGaN.例文帳に追加

ZnO基板中に活性層１５のGaが拡散するのが抑制され、ZnO基板と活性層の間の急峻な界面が得られ、InGaNからなる活性層の良好な結晶が得られる。 - 特許庁

Gachu-ga (a pictorial work that appear within a painting as part of the overall composition) expressed in Emakimono during the Kamakura Period shows that Suiboku-ga was adopted for Shoji-e (paintings on shoji paper sliding-door or Fusuma) in the temples other than those belonging to the Zen sect. 例文帳に追加

鎌倉時代の絵巻物に表現された画中画を見ると、当時、禅宗以外の寺院の障子絵などにも水墨画が用いられていたことがわかる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

From the Kamakura period to the Muromachi period, among the Zen monks at the gosan (Zen temples highly ranked by the government) literature prospered, and suiboku-ga (a drawing in India ink) and sansui-ga (a landscape painting in Eastern Asia) were introduced from the Southern Song Dynasty, and including court nobles, they made a waka poetry club. 例文帳に追加

鎌倉時代から室町時代にかけて五山を中心に禅僧たちの間に文学が隆盛し、また南宋から水墨画・山水画が伝来し、公家をも含めた詩会のためのサークルをつくっていた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

While he was called Narabi-ga-oka daijin (minister) because he lived in a mountain villa at Narabi-ga-oka, Ukyo Heian-kyo (the western part of the ancient capital in current Kyoto), he was also called variously Hi daijin, Kitaoka daijin and Noji daijin. 例文帳に追加

平安京右京の双岡（ならびがおか、双ヶ丘）に山荘を営んだことから双岡大臣と称されたほか、比大臣、北岡大臣、野路大臣などと、幾通りもの呼び名をもって知られた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Disclosed is an oxide comprising an indium element (In), a gallium element (Ga) and a zinc element (Zn), and comprising an oxide crystal phase expressed by (Ga, In)_2O_3.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、（Ｇａ,Ｉｎ）_２Ｏ_３で表される酸化物結晶相を含む酸化物を提供する。 - 特許庁

Fuel injection quantity is controlled to make air fuel ratio in the upstream of the catalyst richer than the actual stoichiometric air fuel ratio of the catalyst (straight line 2) in a zone where intake air quantity Ga exceeds 15 g/sec.例文帳に追加

吸入空気量Gaが１５(g/sec)を超える領域で、触媒の上流における空燃比が、触媒の実理論空燃比（直線(2)）よりリッチ化するように燃料噴射量を制御する。 - 特許庁

The oxide sintered compact comprises an indium element (In), a gallium element (Ga), a zinc element (Zn) and a tin (Sn) element, and comprises a compound expressed by Ga_2In_6Sn_2O_16 or (Ga, In)_2O_3.例文帳に追加

インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）及び錫元素（Ｓｎ）を含み、Ｇａ_２Ｉｎ_６Ｓｎ_２Ｏ_１６又は（Ｇａ，Ｉｎ）_２Ｏ_３で表される化合物を含むこと特徴とする酸化物焼結体。 - 特許庁

To provide a solvent extraction method of Ga and In capable of efficiently extracting Ga and In while suppressing transfer of impurities such as iron, zinc and aluminum to an organic phase.例文帳に追加

鉄、亜鉛およびアルミニウム等の不純物の有機相への移行を押さえながら、Ｇａ，Ｉｎを効率よく抽出することができるＧａ，Ｉｎの溶媒抽出方法を提供する。 - 特許庁

Cu(Ga AND/OR In)Se2 THIN FILM LAYER, Cu(InGa)(S, Se)2 THIN FILM LAYER, SOLAR BATTERY AND METHOD FOR FORMING Cu(Ga AND/OR In)Se2 THIN FILM LAYER例文帳に追加

Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）２薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ２薄膜層の形成方法 - 特許庁

To provide a practical and formable sputtering target of a Cu-Ga alloy or a Cu-Ga-In alloy for a thin film solar battery high in reliability and to provide a method for producing it.例文帳に追加

実用的で成形可能な信頼性の高い薄膜太陽電池用のＣｕ−Ｇａ合金或いはＣｕ−Ｇａ−Ｉｎ合金のスパッタリングターゲットを提供すること及びその製造方法を提供すること - 特許庁

At least one of catalyst metal selected from Pt, Pd, Rh, Ir, Ag, and Cu is carried onto substituted zeolite, where at least a part of Al element is substituted with at least one of metal element selected from B, Ga, In, and Tl, by ion exchange.例文帳に追加

ゼオライト中のAl元素の少なくとも一部がＢ，Ga，In及びTlから選ばれる少なくとも一種の金属元素で置換された置換ゼオライトに、Pt，Pd，Rh，Ir，Ag及びCuから選ばれる少なくとも一種の触媒金属をイオン交換担持した。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a compound-semiconductor thin-film containing a group IB element, In and Ga as group IIIB elements and a group VIB element and having the excellent uniformity of Ga distribution in the film-thickness direction.例文帳に追加

ＩＢ族元素と、IIIＢ族元素としてＩｎおよびＧａと、VIＢ族元素とを含み、その膜厚方向におけるＧａ分布の均一性が良好な化合物半導体薄膜を製造するための方法を提供する。 - 特許庁

The Cu-Ga alloy powder is obtained by stirring and alloying a mixed powder, in which a Cu powder and Ga are blended at a mass ratio from 85:15 to 55:45, in an inert atmosphere at a temperature of 30-700°C.例文帳に追加

Ｃｕ粉末とＧａとが質量比で８５：１５〜５５：４５の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で３０〜７００℃の温度で攪拌して合金化することにより、Ｃｕ−Ｇａ合金粉末を得る。 - 特許庁

An optimum boundary FS wherein the difference between pixel values of the textures GA and GB is minimum in the overlapping region is calculated, and the texture GB is mapped in the region under processing X by being connected to the texture GA with the optimum boundary.例文帳に追加

重複領域で両テクスチャＧＡ、ＧＢの画素値の差が最小となる最適な境界線ＦＳを求め、最適な境界線でテクスチャＧＡにつなげてテクスチャＧＢを処理中の領域Ｘにマッピングする。 - 特許庁

The active layer is constituted by an amorphous oxide semiconductor containing In, Ga, and Zn, and has a Zn concentration lower than 20%, an In concentration equal to or higher than 40%, and a Ga concentration equal to or higher than 37%.例文帳に追加

この活性層は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含むアモルファス酸化物半導体で構成されるものであり、かつＺｎ濃度が２０％未満であり、Ｉｎ濃度が４０％以上であり、Ｇａ濃度が３７％以上である。 - 特許庁

The plurality of groups GA to GE are arranged in a staggered manner so that the cross- sections defined as the estimating objects in the plurality of groups GA to GE are positioned on the same plane (a plane including a F-F line).例文帳に追加

そして、上記複数のグループＧＡ〜ＧＥの評価対象となる断面が同一平面(Ｆ−Ｆ線を含む平面)上に存在するように、複数のグループＧＡ〜ＧＥの位置をずらして配置する。 - 特許庁

To provide a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer, a solar battery, a method for forming a Cu(Ga AND/OR In)Se_2 thin film layer, and a method for forming a Cu(InGa)(S, Se)_2 thin film layer.例文帳に追加

Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層、Ｃｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ，Ｓｅ）_２ 薄膜層、太陽電池、Ｃｕ（Ｇａ及び（又は）Ｉｎ）Ｓｅ_２薄膜層の形成方法及びＣｕ（ＩｎＧａ）（Ｓ、Ｓｅ）_２薄膜層の形成方法を提供 - 特許庁

To efficiently separate one or more of Ga, Ge and In from a material containing one or more of Ga, Ge and In as solid material by a simple process.例文帳に追加

Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を固形物として含有するものからＧａ，Ｇｅ，Ｉｎのいずれか１以上を単純な工程で効率よく分離することを可能にする。 - 特許庁

A substrate 1, on which a Mo film is formed, is placed into a film-forming chamber 3, and sputterings of an In-Ga-Se target 21 and a Cu target 23 are carried out at a substrate temperature of approximately 150°C-450°C.例文帳に追加

成膜室３にMo膜が形成された基板１が入れられIn-Ga-Seターゲット21およびCuターゲット23のスパッタを、基板温度約１５０℃〜４５０℃で行う。 - 特許庁

The solder may further comprise at least one oxidation-inhibiting element selected from the group consisting of P, Ge, and Ga in a total amount of 0.001 to 0.5 mass%, and/or Ag in an amount of 0.005 to 2 mass% as a wettability improving element.例文帳に追加

はんだ合金は、さらに、P 、Ge、Gaのような酸化抑制元素を 0.001〜0.5 質量％、および／またはAgのような濡れ性改善元素を 0.005〜２質量％の量で含有してもよい。 - 特許庁

The intake air amount Ga is also reflected in increase correction of a fuel injection amount based on the engine load factor klsm. Thereby, an increase correction amount of a fuel injection amount corrected based on the engine load factor klsm is adjusted to a proper value in a way that the more the intake air amount Ga is increased, the more the increase correction amount is decreased.例文帳に追加

そのため、上記エンジン負荷率ｋｌｓｍに基づき補正される燃料噴射量の増量補正量を、吸入空気量Ｇａが多くなるほど少なくして適切な値とすることができるようになる。 - 特許庁

According to the structure, the interdiffusion of Ga and As in the p-type GaAs layer 1 and Au in the metallic layer 5 is prevented while the fluctuation of the resistivity of the ohmic electrode 6 can be suppressed at a small value under the high-temperature and high-humid environment.例文帳に追加

上記構造とすることにより、ｐ型GaAs層１のGa、Asと、金属層５のAuの相互拡散を防止するとともに、高温・高湿環境下において、オーミック電極６の抵抗率の変動を小さく抑えることができる。 - 特許庁

A selection section 74 selects the candidate point BC corresponding to n2 pieces of window sequences GA in which the number of search windows WA including peak PB in the plurality of window sequences GA are large.例文帳に追加

選択部７４は、複数の窓列ＧAのうちピークＰBを包含する検索窓ＷAの個数が多いｎ2個の窓列ＧAに対応した候補点ＢCを選択する。 - 特許庁

The ZnMgSSe clad layer is doped with Al, Ga, or In as an n-type dopant together with nitrogen as a p-type dopant, wherein the ratio of Al, Ga, or In to N is set at 0.01 to 0.8:1.例文帳に追加

ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層に、ｐ型ドーパントである窒素とともに、ｎ型ドーパントのＡｌ、Ｇａ又はＩｎを０．０１〜０．８の割合で共ドープする。 - 特許庁

The BeMgZnSe clad layer is doped with Al, Ga, or In as an n-type dopant together with nitrogen as a p-type dopant, wherein the ratio of Al, Ga, or In to N is set at 0.01 to 0.8:1.例文帳に追加

ＢｅＭｇＺｎＳｅクラッド層に、ｐ型ドーパントである窒素とともに、ｎ型ドーパントのＡｌ、Ｇａ又はＩｎを０．０１〜０．８の割合で共ドープする。 - 特許庁

To provide a method for producing an In-Ga-Zn-based composite oxide sintered compact where the In-Ga-Zn-based composite oxide sintered compact composed mainly of the crystal of a compound denoted as In_2Ga_2ZnO_7 is obtained as an IGZO sintered compact.例文帳に追加

ＩＧＺＯ焼結体として、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である複合酸化物焼結体を得ることができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing device-quality free-standing (Al, Ga, In)N articles by growing a (Al, Ga, In)N material on a sacrificial template and separating the material from the sacrificial template.例文帳に追加

犠牲型板上に成長させた（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料を犠牲型板から分離し、デバイス品質の独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品を製造する方法を提供する。 - 特許庁