「H-word」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the input specification, a one input or logic high is specified by the word ONE. 例文帳に追加

入力を指定する場合において,一つの入力すなわち論理レベルHは「ONE」で指定する - コンピューター用語辞典

When at least one of redundant word select signals RD0-RDm, redundant word select signals RW0-RWm and test signal T4 is 'H' level, NOR circuits 220-22m output a signal WD0 at 'L' level.例文帳に追加

ノア回路220〜22mは、各々冗長ワード選択信号RD0〜RDm,冗長ワード選択信号RW0〜RWm,テスト信号T4の少なくとも1つが「H」レベルの場合、「L」レベルの信号WD0を出力する。 - 特許庁

An adder 13 summates a product between a 6-bit information word D12 supplied from a cyclic shift circuit 12 and an information part of a check matrix H corresponding to the information of the information word in the unit of 6 rows by the rows and gives the result to a RAM 14 as a sum D15.例文帳に追加

加算器１３は、サイクリックシフト回路１２から供給される６ビットの情報語D12と、その情報に対応する検査行列Hの情報部との積を、６行単位で行ごとに積算し、和D15としてRAM１４に供給する。 - 特許庁

When a word that matches with a flag word (word) registered as handwritten memo registration data or an original word registered as original memo registration data is retrieved on a text-viewer screen (main screen) Gv, the word is displayed discriminated by an inversion display H.例文帳に追加

テキストビューワ画面（メイン画面）Ｇｖにおいて、手書きメモ登録データとして登録されている見出し語（単語）や自作メモ登録データとして登録されている自作の単語と一致する単語が検索された場合は、当該単語は反転表示Ｈにより識別表示される。 - 特許庁

When stored data in the memory cell C is at a 'H' level, a capacitor is connected between the bit line BL and the word line LWL.例文帳に追加

メモリセルＣにおける記憶データが「Ｈ」レベルであるとき、ビット線ＢＬ及びワード線ＬＷＬ間にコンデンサが接続される。 - 特許庁

When a word line WL is made "H", the NMOS 13 is also made an on-state, and the potential of a bit line /BL is made rapidly a ground potential GND.例文帳に追加

ここで、ワード線ＷＬが“Ｈ”になると、ＮＭＯＳ１３もオン状態となり、ビット線／ＢＬは急速に、接地電位ＧＮＤに引き込まれる。 - 特許庁

NMOS 53, 54 are turned on by 'H' of a word line WL2, and data on a pair of bit lines BL1, BL1/ is held in nodes N11, N12.例文帳に追加

ワード線ＷＬ２の“Ｈ”によってＮＭＯＳ５３，５４がオンし、ビット線ＢＬ１，ＢＬ１／対上のデータがノードＮ１１，Ｎ１２に保持される。 - 特許庁

A row decoder 10 interprets an address signal AD, and a selected word line WLi goes to 'H', which is fed to a high voltage application decoder 40.例文帳に追加

アドレス信号ＡＤはロウデコーダ１０で解読され、選択されたワード線ＷＬｉが“Ｈ”となり、高電圧印加デコーダ４０に伝えられる。 - 特許庁

Thereby the data of A and D, C and F, E and H, etc., which can not be read out at once in a usual process can be read out in one word.例文帳に追加

これにより、従来は一度に読出すことのできなかったＡとＤ，ＣとＦ，ＥとＨ等のデータが１ワードで読出すことが可能となった。 - 特許庁

When a RAS bar is set to 'L' (active), an internal RAS bar of an output end (a) becomes active, and a potential of a word line is raised to 'H'.例文帳に追加

ＲＡＳバーを“Ｌ”（活性）とすると、出力端ａの内部ＲＡＳバーは活性となり、ワード線の電位は上昇し“Ｈ”となる。 - 特許庁

In an initial state, voltage of the main bit line MBLj is controlled to an H level, and voltage word lines WLi1 to WLip are controlled to an L level.例文帳に追加

初期状態では、主ビット線ＭＢＬｊの電圧はＨレベルに、ワード線ＷＬｉ１〜ＷＬｉｐの電圧はＬレベルに制御される。 - 特許庁

When selecting a word meaning desired to be minutely known in the quick reference information corresponding to the retrieved character string displayed on the quick reference window Wh and making it be performed with designation display H, the explanation information corresponding to the word meaning made to be performed with the designation display H is called and displayed on the quick reference window Wh.例文帳に追加

さらに、早見ウインドウＷｈに表示された前記検索文字列に対応する早見情報の中で、詳細に知りたい語義を選択して指定表示Ｈさせると、指定表示Ｈさせた語義に対応するところの説明情報が同早見ウインドウＷｈに呼び出され表示される。 - 特許庁

In response to the setting of the main word line/MWL<x> to the L level, the word lines WL0<x>, WL1<x> of an x line are set to H levels in reading data, and the digit lines DL0<x>, DL1<x> of the x line are set to H levels in writing data.例文帳に追加

メインワード線／ＭＷＬ＜ｘ＞がＬレベルに設定されるのに応答して、データ読出時には第ｘ行のワード線ＷＬ０＜ｘ＞，ＷＬ１＜ｘ＞がＨレベルに設定され、データ書込時には、第ｘ行のディジット線ＤＬ０＜ｘ＞，ＤＬ１＜ｘ＞がＨレベルに設定される。 - 特許庁

At the time of normal use, a test mode signal TX4 is inactivated, a word constitution decision signal [×16E] of an H level is outputted, and a word constitution decision signal [×4E] of an H level is outputted.例文帳に追加

通常使用時は、テストモード信号ＴＸ４が不活性化され、Ｈレベルの語構成決定信号[×１６Ｅ]が出力され、テストモード時は、テストモード信号ＴＸ４が活性化され、Ｈレベルの語構成決定信号[×４Ｅ]が出力される。 - 特許庁

(h) unless the application is for the registration only of a word or words not depicted in a special form, a drawing of the trade-mark and such number of accurate representations of the trade-mark as may be prescribed. 例文帳に追加

(h) 願書が，独特の形状で描かれていない1又は複数の語の登録のみを求めるものでない限り，商標の図面及びもしあれば所定の枚数の的確な商標の説明 - 特許庁

Total memory current of two memory cells M000, M001 is sensed from a sense amplifier 1 by setting word lines WL(0), WL(1) simultaneously to "H" level and by setting a Y gate line YG(0) and a select gate line SG (0) respectively to "H" level.例文帳に追加

ワード線ＷＬ（０），ＷＬ（１）を同時に“Ｈ”レベルにし、Ｙゲート線ＹＧ（０）とセレクトゲート線ＳＧ（０）とをそれぞれ“Ｈ”レベルにし、センスアンプ１から２つのメモリセルＭ０００，Ｍ００１の総電流を取り込む。 - 特許庁

A 'H' level signal is inputted from match lines 141-14n, the encoder unit 201 outputs a 'H' level signal to a word line 151, and outputs a 'L' level signal to a match line active signal line MLA1.例文帳に追加

マッチ線１４１〜１４ｎからＨレベルの信号が入力されると、エンコーダユニット２０１は、Ｈレベルの信号をワード線１５１へ出力し、Ｌレベルの信号をマッチ線アクティブ信号線ＭＬＡ１へ出力する。 - 特許庁

A word line voltage supply circuit reduces the voltage level of a word line WL lower than a voltage during normal time according to the entry of the control signal WLDWN accompanying the setting of the fuse signal SF6 to the "H" level.例文帳に追加

ワード線電圧供給回路は、ヒューズ信号ＦＳ６が「Ｈ」レベルに設定されることに伴なう制御信号ＷＬＤＷＮの入力にしたがってワード線ＷＬの電圧レベルを通常時の電圧よりも低くする。 - 特許庁

Voltage of a main word line XWL1 of non-selection is in an H level, voltage of the SWL12 is held at an L level by a NMOS transistor of a sub-word line driving circuit 32.例文帳に追加

非選択の主ワード線ＸＷＬ１の電圧はＨレベルであり、ＳＷＬ１２の電圧は副ワード線駆動回路３２のＮＭＯＳトランジスタによってＬレベルに保持される。 - 特許庁

Data of 'H' is accumulated in a memory cell capacitor CM1, the word lines WL1, WL2 are set to the logical level 'L', and the dummy word line DWL1 is also set to 'L'.例文帳に追加

メモリセルキャパシタＣＭ１に「Ｈ」のデータが蓄積され、ワード線ＷＬ１，ＷＬ２は論理レベル「Ｌ」、ダミーワード線ＤＷＬ１も「Ｌ」である。 - 特許庁

A mode signal MOD is made 'H' and a test mode is set, an address decoder 1 is separated from a word line WLi, while adjacent word lines are connected each other through a switch circuit 10i including an inverter 12i.例文帳に追加

モード信号ＭＯＤを“Ｈ”にして試験モードを設定し、アドレスデコーダ１をワード線ＷＬｉから切り離すと共に、隣接するワード線同士をインバータ１２_ｉを含むスイッチ回路１０_ｉを介して接続する。 - 特許庁

Before low-active is started and a regular word line is selected, a dummy word line is driven to a selection state, and data of the "H" level is read out from the dummy cells (a), (b).例文帳に追加

ロウアクティブが開始されて正規ワード線が選択される前に、ダミーワード線を選択状態に駆動して、ダミーセルａ，ｂから「Ｈ」レベルのデータを読出す。 - 特許庁

An arbitrary character string (word) h in a description information display screen G displayed in normal dictionary search mode is used as a head-word to display simple description information thereof on a mini dictionary window Wm, and detailed description information including a character string h(tx) of interest in the simple description information on an original dictionary window Wr.例文帳に追加

通常辞書検索された説明情報表示画面Ｇの中の任意の文字列（語句）ｈを見出し語として、その簡約な説明情報をミニ辞書ウインドウＷｍにより、この簡約な説明情報のうちの所望（注目）の文字列部分ｈ(tx)を含んだ詳細な説明情報を元辞書ウインドウＷｒにより簡単に知ることができる。 - 特許庁

If a user touches an "another dictionary" button A, the character string (word) h designated in the description information G displayed in the normal dictionary search mode is used as a head-word, to display detailed description information in another dictionary including the character string h(tx) of interest, on an another-dictionary window Wa.例文帳に追加

しかもここからの［別辞書］ボタンＡのタッチ操作で、前記通常辞書検索された説明情報Ｇの中で指定した任意の文字列（語句）ｈを見出し語として前記所望（注目）の文字列部分ｈ(tx)を含んだ別の辞書での詳細な説明情報を、別辞書ウインドウＷａにより簡単に知ることもできる。 - 特許庁

In an asteroid curve represented by a bit line magnetic field H_x generated by a write bit line current I_B and a word line magnetic field H_y generated by a write word line current I_W, manufacturing variations and a design margin are taken into consideration to assume an asteroid curve AC_out outside all memory cell asteroid curves (located with a hatched area of Figure).例文帳に追加

書込ビット線電流Ｉ_Ｂにより発生するビット線磁界Ｈ_ｘと書込ワード線電流Ｉ_Ｗにより発生するワード線磁界Ｈ_ｙとにより表されるアステロイド曲線において、製造ばらつきと設計マージンを考慮し、全メモリセルのアステロイド曲線（図中ハッチング領域内に収まる）よりも外側にアステロイド曲線ＡＣ_ｏｕｔを想定する。 - 特許庁

Even in the case of burn-in test for which the test signal T4 becomes 'H' level, concerning a redundant row selector circuit 2, the word line selection inhibit signal RDE becomes 'L' level, a redundant cell and a normal cell are simultaneously selected and the burn-in test is performed at the same time.例文帳に追加

テスト信号T4が「H」レベルとなったバーンインテストの場合にも、冗長行選択回路2は、ワード線選択禁止信号RDEが「L」レベルとなり、冗長セルとノーマルセルとは一括して選択され、バーンインテストが同時に行われる。 - 特許庁

In the case of reading, for example, a memory cell 11-11 in which data "0" is stored, the memory cell 11-11 is selected by making a word line WLn into an "H" level and making an NMOS 12-1 into an on state by a signal Yn at the "H" level.例文帳に追加

例えば、データ“０”が記憶されたメモリセル１１−１１を読み出す場合、ワードラインＷＬｎを“Ｈ”レベルにすると共に、“Ｈ”レベルの信号ＹｎによりＮＭＯＳ１２−１をオン状態にしてメモリセル１１−１１を選択する。 - 特許庁

A maximum total score word symbol array search part 11 searches for a word symbol array W which maximizes total scores h(Φ(f(W), ϕ(W)) and g(X, W) calculated from a voice spectrum pattern array score (g(X, W) and a word symbol array score Φ(f(W), ϕ(W)), and outputs it as a voice recognition result.例文帳に追加

最大総合スコア単語シンボル列探索部１１は、音声スペクトルパターン列スコアｇ（Ｘ，Ｗ）と、単語シンボル列スコアΦ（ｆ（Ｗ），φ（Ｗ））とから計算される総合スコアｈ（Φ（ｆ（Ｗ），φ（Ｗ）），ｇ（Ｘ，Ｗ））が最大となる単語シンボル列Ｗを探索し音声認識結果として出力する。 - 特許庁

When reading is performed, the voltage of the main bit line MBLj is shifted to the L level, after that, voltage of a selected word line is shifted to the H level.例文帳に追加

読み出しを行うときには、主ビット線ＭＢＬｊの電圧がＬレベルに遷移し、その後に、選択されたワード線の電圧がＨレベルに遷移する。 - 特許庁

A local sense amplifier SA1<0> drives the global bit line pair HBT, HBTC by the potentials of data holding nodes D20, D21 at the level "H" of a global word line HWD<0>.例文帳に追加

ローカルセンスアンプＳＡ１＜０＞は、グローバルワード線ＨＷＤ＜０＞が「Ｈ」レベルになると、データ保持ノードＤ２０，Ｄ２１の電位によってグローバルビット線対ＨＢＴ，ＨＢＴＣを駆動する。 - 特許庁

When a potential is not transited to a H level despite the word line WL0-0 is driven, the NMOS transistor 24Tr0-0 holds an off-state.例文帳に追加

ワード線ＷＬ０＿０が駆動されているにもかかわらずＨレベルに遷移しない場合，ＮＭＯＳトランジスタ２４Ｔｒ０＿０はオフ状態を保持する。 - 特許庁

When a test signal TE is made to be 'H', all sub-arrays 10_k are selected by an OR31_k, and all word lines WL_i are made to be a non-selection state by an AND32_i.例文帳に追加

試験信号ＴＥを“Ｈ”にすると、ＯＲ３１_ｋによってすべてのサブアレイ１０_ｋが選択され、ＡＮＤ３２_ｉによってすべてのワード線ＷＬｉは非選択状態にされる。 - 特許庁

In this SRAM, refreshing of a system in which a word line potential VWL is reduced in pulse state between a reference potential VDD of a H level and a fixed potential Vc is performed.例文帳に追加

このＳＲＡＭでは、ワード線電位Ｖ_WLをＨレベルの基準電位Ｖ_DDと一定の電位Ｖcとの間でパルス的に下げる方式のリフレッシュを行う。 - 特許庁

A test mode signal TMRS is set to a H level at the time of burn-in test, word lines WL0-WL3 can be activated in accordance with row address signals RA0-RA3 respectively by compound gates 62-68 and compound gates 82-88.例文帳に追加

バーンイン試験時にはテストモード信号ＴＭＲＳはＨレベルに設定され、複合ゲート６２〜６８および複合ゲート８２〜８８によって、ロウアドレス信号ＲＡ０〜ＲＡ３にそれぞれ応じてワード線ＷＬ０〜ＷＬ３を活性化させることができる。 - 特許庁

This semiconductor integrated circuit is provided with a level shifter 12a for shifting the level of amplitude of a decode signal X and outputting an H word line signal HRX and an outputting part 13 having a p channel FET 21 for inputting a decode signal bar X to a gate and inputting the signal HRX to a source.例文帳に追加

デコード信号Ｘの振幅をレベルシフトし、Ｈワード線信号ＨＲＸを出力するレベルシフタ１２ａと、デコード信号バーＸをゲートに入力するとともに信号ＨＲＸをソースに入力するｐチャネルＦＥＴ２１を有する出力部１３を備えた構成とする。 - 特許庁

At a leak mode in which the word line 64 (66) is inactivated and the node 62 (60) is at an H level, the access transistor 52A (52B) discharges the leaked electric charges from a power supply node 72 to a bit line 68A (68B) via the p channel TFT 56A (56B) of an OFF state.例文帳に追加

アクセストランジスタ５２Ａ（５２Ｂ）は、ワード線６４（６６）が不活性化され、かつ、ノード６２（６０）がＨレベルであるリークモードのとき、電源ノード７２からＯＦＦ状態のｐチャネルＴＦＴ５６Ａ（５６Ｂ）を介してリークする電荷をビット線６８Ａ（６８Ｂ）へ放電する。 - 特許庁

Therefore, when a sub-decode-signal ϕ0 is made a H level being equal to boosting potential Vpp, not only a transistor 1502 but also a transistor 1501 is turned on, a leak current I1k passing through a word line driver 150 is made to flow, and high stress is applied to the transistor 1501.例文帳に追加

そのため、サブデコード信号φ０が昇圧電位Ｖｐｐに等しいＨレベルになると、トランジスタ１５０２だけでなくトランジスタ１５０１もオンになり、ワード線ドライバ１５０を貫通するリーク電流Ｉｌｋが流れ、トランジスタ１５０１に高ストレスがかかる。 - 特許庁

When a word line WL is raised to an "H" level, the N channel MOS TRs 25 and 26 are made conductive and a current flows out to the line of the ground potential GND through the N channel MOS TRs 25, 23 and 27 from a dummy bit line DBL.例文帳に追加

ワード線ＷＬが「Ｈ」レベルに立上げられると、ＮチャネルＭＯＳトランジスタ２５，２６が導通し、ダミービット線ＤＢＬからＮチャネルＭＯＳトランジスタ２５，２３，２７を介して接地電位ＧＮＤのラインに電流が流出する。 - 特許庁

In a semiconductor integrated circuit device, a data signal DO is read from the selected memory cell MC while maintaining the word line WL corresponding to the selected memory cell MC at an "H" level during an RMW operation, a data signal read from a register 4 is added to the data signal DO to generate a write data signal DI, and the data signal DI is written in the selected memory cell MC.例文帳に追加

この半導体集積回路装置では、ＲＭＷ動作時に、選択メモリセルＭＣに対応するワード線ＷＬを「Ｈ」レベルに維持したまま、選択メモリセルＭＣからデータ信号ＤＯを読み出し、そのデータ信号ＤＯにレジスタ４から読み出したデータ信号を加算して書込データ信号ＤＩを生成し、そのデータ信号ＤＩを選択メモリセルＭＣに書き込む。 - 特許庁

Data entered from an input data line DIN is written via write selectors WSLC1... and a write bit line WBITI into a memory cell where column select signals CA1.. are at H levels among memory cells CELL (1, n)... of a row selected by write word lines WWL1... .例文帳に追加

ライトワードラインＷＷＬ１…によって選択された行のメモリセルＣＥＬＬ（１，ｎ）…のうち、カラムセレクト信号ＣＡ１…がＨレベルのメモリセルには、入力データラインＤＩＮから入力されたデータがライトセレクタＷＳＬＣ１…およびライトビットラインＷＢＩＴ１を介して書き込まれる。 - 特許庁

A semiconductor storage device comprises: bit lines (BIT/BITB); a memory element (memory cell or local sense amplifier) connected to the bit lines; and a precharge circuit for applying a predetermined voltage (VDD) to the bit lines for a predetermined period (PRE=L) immediately before the memory element is set to an active state by activation of a word line (WL=H).例文帳に追加

ビット線（ＢＩＴ／ＢＩＴＢ）と、前記ビット線に接続されるメモリ要素（メモリセルまたはローカルセンスアンプ）と、ワード線が活性化（ＷＬ＝Ｈ）されることにより前記メモリ要素がアクティブ状態とされる直前の所定期間（ＰＲＥ＝Ｌ）だけ前記ビット線に所定電圧（ＶＤＤ）を印加するプリチャージ回路と、を有する。 - 特許庁

Subject to section 13, a trade-mark is registrable if it is not (a) a word that is primarily merely the name or the surname of an individual who is living or has died within the preceding thirty years. (b) whether depicted, written or sounded, either clearly descriptive or deceptively misdescriptive in the English or French language of the character or quality of the wares or services in association with which it is used or proposed to be used or of the conditions of or the persons employed in their production or of their place of origin. (c) the name in any language of any of the wares or services in connection with which it is used or proposed to be used. (d) confusing with a registered trade-mark. (e) a mark of which the adoption is prohibited by section 9 or 10. (f) a denomination the adoption of which is prohibited by section 10.1. (g) in whole or in part a protected geographical indication, where the trade-mark is to be registered in association with a wine not originating in a territory indicated by the geographical indication. (h) in whole or in part a protected geographical indication, where the trade-mark is to be registered in association with a spirit not originating in a territory indicated by the geographical indication. and (i) subject to subsection 3(3) and paragraph 3(4)(a) of the Olympic and Paralympic Marks Act, a mark the adoption of which is prohibited by subsection 3(1) of that Act. 例文帳に追加

第13条に従うことを条件として，商標は次のものを除き，登録することができる。 (a) 現存する個人又は過去30年以内に死亡した個人の姓名に過ぎない語 (b) 商品又はサービスに付随して使用され若しくは使用される予定のある記述であって，商品又はサービスの特性若しくは品質，又は生産及び提供の条件若しくは生産及び提供に従事する者，又はそれらの出所について，描写，手書き又は発音の何れによるかを問わず，英語又はフランス語で明示した記述又はそれらと誤認を生じさせる不備な記述 (c) 何れかの言語での商品又はサービスの名称であって，その商品又はサービスに付随して使用され，若しくは使用される予定のあるもの (d) 登録商標と混同を生じるもの (e) 第9条又は第10条により採用が禁止されている標章 (f) 第10.1条により採用が禁止されている名称 (g) 保護された地理的表示の全体又は一部であって，商標が地理的表示により示された地域を原産地としないぶどう酒について登録されようとしている場合のもの (h) 保護される地理的表示の全体又は一部であって，商標が地理的表示により示された領域を原産地としない蒸留酒について登録されようとしている場合のもの，及び (i) オリンピック及びパラリンピック標章法第3条(3)及び第3条(4)(a)に従うことを条件として，同法第3条(1)により採用が禁止されている標章。 - 特許庁