「I-element」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To enhance airtightness of an optical semiconductor element, optical coupling efficiency of the optical semiconductor element and an optical fiber, high frequency transmission characteristics of the optical semiconductor element and an I/O terminal, and heat dissipation properties of the optical semiconductor element during operation.例文帳に追加

光半導体素子の気密性、光半導体素子と光ファイバとの光の結合効率、光半導体素子と入出力端子との高周波伝送特性、光半導体素子の作動時における熱放散性を良好とすること。 - 特許庁

(i) a registration of merger of buildings for each of which there is a registration of categorization as a common element or registration of categorization as a common element of a housing complex; 例文帳に追加

一　共用部分である旨の登記又は団地共用部分である旨の登記がある建物の合併の登記 - 日本法令外国語訳データベースシステム

This oxide having perovskite structure is made up of the first element containing NI and Bi, the second element containing Ti, In and MV and oxygen.例文帳に追加

この酸化物はペロブスカイト構造を有し、Ｎ^IおよびＢｉを含む第１の元素と、Ｔｉ，ＩｎおよびＭ^Vを含む第２の元素と、酸素とからなる。 - 特許庁

Since a constant current I flows constantly through the resistance element 21, voltage drop IR across the resistance element 21 (resistor R) is constant.例文帳に追加

この抵抗素子２１には定電流Ｉが常時流れるため、この抵抗素子２１（抵抗値Ｒ）での電圧降下はＩＲ一定である。 - 特許庁

The plurality of switches of the built-in capacitor element 70: 151 and the switch element of the V-I converters are an MOS transistor.例文帳に追加

内蔵容量７０：１５１の複数のスイッチとＶ・Ｉ変換器のスイッチ素子は、ＭＯＳトランジスタである。 - 特許庁

It is preferable that the battery pack has a temperature sensing element which is connected to the PTC element of which the product I_TR is minimum out of the PTC elements 31, 32.例文帳に追加

ＰＴＣ素子３１、３２のうち、積Ｉ_ＴＲが最小のＰＴＣ素子に接続された温度感知素子を有することが望ましい。 - 特許庁

A luminous flux I of linearly polarized light is split into luminous fluxes O, E with the polarization beam splitting element and the fluxes become parallel to each other after passing through the splitting side birefringent element.例文帳に追加

直線偏光の光束Ｉは偏光分離素子により光束Ｏ，Ｅに分離され分離側複屈折素子を通過後互いに平行になる。 - 特許庁

(i) Those with 10% or more element wires cut in one strand; 例文帳に追加

一　ワイヤロープ一よりの間において素線の数の十パーセント以上の素線が切断しているもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

(i) Those with one-tenth or more of the element wires are cut in one strand. 例文帳に追加

一　ワイヤロープ一よりの間において素線数の十分の一以上の素線が切断したもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

Two colons mean an option takes an optional arg; if there is text in the current argv-element (i. 例文帳に追加

2 個連続してコロンが置かれている場合は、そのオプションは引き数をとってもとらなくてもよい。 - JM

HORDE has a vCard data element in their application framework, but I don't quite see how to use it outside that framework. 例文帳に追加

HORDE はアプリケーションフレームワークで vCard データ要素を扱っています。 - PEAR

PROCESS PARAMETER BASED I/O TIMING PROGRAMMABILITY USING ELECTRICAL FUSE ELEMENT例文帳に追加

電気的ヒューズ素子を利用した処理パラメータ・ベースのＩ／Ｏタイミングのプログラム可能性 - 特許庁

This switching element is provided with a magnetic material film containing an iron-salen complex represented by formula (I).例文帳に追加

下記式（Ｉ）で示される鉄サレン錯体を含む磁性体膜を備えたスイッチング素子。 - 特許庁

The temperature Tc can be calculated from a voltage expression of when the current I is caused to flow to the Peltier element.例文帳に追加

温度Ｔｃはペルチェ素子に電流Ｉを流したときの電圧の式から算出することができる。 - 特許庁

I/O TERMINAL, PACKAGE FOR CONTAINING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

入出力端子および半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置 - 特許庁

This method is a method for programming data for a memory element 108B of a twin memory cell (i).例文帳に追加

ツインメモリセル（ｉ）のメモリ素子１０８Ｂに対してデータをプログラムする方法である。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING TYPE-I CLATHRATE COMPOUND, THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL AND THERMOELECTRIC CONVERSION ELEMENT例文帳に追加

ｔｙｐｅＩクラスレート化合物の製造方法、熱電変換材料、及び熱電変換素子 - 特許庁

Consequently, the rise and fall of the laser element 10 driving current (i) is accelerated.例文帳に追加

このため、レーザ素子１０の駆動電流ｉの立ち上がり・立ち下がりの速度が速まるようになる。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element which can reduce temperature conversion of an I-L curve.例文帳に追加

Ｉ−Ｌカーブの温度変換を低減可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

PACKAGING FOR HOUSING I/O TERMINAL AND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

入出力端子および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置 - 特許庁

The polymer for the organic electrolytic light emitting element has a structure represented by formula (I).例文帳に追加

下記式（Ｉ）で表される構造を含む有機電界発光素子用重合体。 - 特許庁

The structure of the hetero polyanion by associating at least one kind of VIII group element and at least molybdenum and/or tungsten is expressed by formula (I): M_xAB_6O_24H_6C_(3-2x)tH_2O.例文帳に追加

Ｍ_ｘＡＢ_６Ｏ_２４Ｈ_６Ｃ_（３−２ｘ）・ｔＨ_２Ｏ、（Ｉ） - 特許庁

A gate insulating layer of the organic semiconductor element consists of a cured material of cardo type resin expressed by a formula (I).例文帳に追加

ゲート絶縁層が下式のカルド型樹脂の硬化物からなる有機半導体素子。 - 特許庁

I/O TERMINAL AND PACKAGE FOR HOUSING OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AS WELL AS OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

入出力端子および光半導体素子収納用パッケージならびに光半導体装置 - 特許庁

The above inorganic filler is one in which the acid reactive element is selected from elements of group I, II and III of the periodic table.例文帳に追加

酸反応性元素が周期律表第Ｉ、IIまたはIII族元素から選ばれる上記無機フィラー。 - 特許庁

I/O TERMINAL, PACKAGE FOR ACCOMMODATING SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

入出力端子および半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置 - 特許庁

A the end part of the head f, a piezo-electric element i is placed between the sensor holder h and the head f.例文帳に追加

ヘッドｆの端部において、センサホルダｈとヘッドｆとの間に圧電素子ｉを配設する。 - 特許庁

To provide a display element capable of preventing deviation of its V-I characteristics from an ideal condition.例文帳に追加

Ｖ−Ｉ特性が理想的な状態から外れることを防止することの可能な表示素子を提供する。 - 特許庁

The element impedance is calculated based on the sweep voltage and the sensor current I.例文帳に追加

掃引電圧とセンサ電流Ｉとに基づいて素子インピーダンスＲｓを算出する。 - 特許庁

In order to write in the magnetic memory element, a current I_MTJ pulse (125) is fed through the MTJ (37).例文帳に追加

磁気メモリ素子に書き込むには、ＭＴＪ（３７）の中に電流Ｉ_ＭＴＪパルス（１２５）を流す。 - 特許庁

(i) An intermediate and a final product have the same or technically closely related structural element, namely; 例文帳に追加

(i) 中間体と最終生成物が同一又は技術的に密接に関連している新規な構造要素を有する、すなわち、 - 特許庁

When the VCM current becomes I_center and a lead element 161 comes right above the Burst Patten, the VGA gain becomes a minimum value Gmin.例文帳に追加

VCM電流がI_centerとなり、リード・エレメント１６１がBurst Pattern の真上にきたとき、VGAゲインは最小値Gminになる。 - 特許庁

The source electrode of the Tr12 is connected to the drain electrode of a Tr11 and the anode of an organic EL element E_i,_j.例文帳に追加

Ｔｒ１２のソース電極は、Ｔｒ１１のドレイン電極及び有機ＥＬ素子Ｅ_i,jのアノードに接続されている。 - 特許庁

Input voltage V_I is inputted to the inverted input terminal of a differential amplifier 2 via a switching element S1 and a node N2.例文帳に追加

入力電圧Ｖ_Iは、スイッチング素子Ｓ１及びノードＮ２を介して差動アンプ２の反転入力端子に入力される。 - 特許庁

When an I signal specifies a halftone display area, the switch element 10 is turned off on the basis of the I signal.例文帳に追加

Ｉ信号がハーフトーン表示領域を指定する場合、そのＩ信号に基づいてスイッチ素子１０を切断状態とする。 - 特許庁

In a non-selection period, only the Tr12 is on and a current having the current value written to the Tr11 flows to the organic EL element E_i,_j.例文帳に追加

非選択期間では、Ｔｒ１２のみがオンであり、Ｔｒ１１に書き込まれた電流値で、電流が有機ＥＬ素子Ｅ_i,_jに流れる。 - 特許庁

The optical integrating element 10 has an optical input surface 10i having an optical incidence hole I and a reflection area 11 outside the optical incidence hole I.例文帳に追加

光集積素子１０は、光入射孔Ｉを有する光入力面１０ｉと、光入射孔Ｉの外部の反射領域１１とを有する。 - 特許庁

The I/Q phase differential monitoring apparatus 113 is located between the tap 110 and the phase element 108 for monitoring the I/Q phase difference.例文帳に追加

Ｉ／Ｑ間位相差モニタ装置１１３は、タップ１１０と移相要素１０８との間に設けられ、Ｉ／Ｑ間位相差をモニタする。 - 特許庁

An organic electric field light-emitting element contains at least one kind of compound shown by a formula (I) in an organic layer.例文帳に追加

下記一般式（I）で表される化合物の少なくとも一種を有機層に含有する有機電界発光素子。 - 特許庁

The tuning circuit is composed of a serial circuit Ai (i=1 to n, n is an integer of ≥2) including a capacitor Ci and a switch element Qi and a coil.例文帳に追加

コンデンサＣiとスイッチ素子Ｑiとの直列回路Ａi（i＝1〜n、ｎは２以上の整数）と、コイルとを並列接続して同調回路を構成する。 - 特許庁

After a lapse of the unit period H[i], a drive current IDR corresponding to the voltage VGS between both ends of the holding capacitor C1 is supplied to the light emitting element E.例文帳に追加

保持容量Ｃ1の両端間の電圧ＶGSに応じた駆動電流ＩDRを単位期間Ｈ[i]の経過後に発光素子Ｅに供給する。 - 特許庁

In a non-selecting period, only Tr 12 is turned on and a current at the current value written in Tr11 flows into the organic EL element E_i,j.例文帳に追加

非選択期間では、Ｔｒ１２のみがオンであり、Ｔｒ１１に書き込まれた電流値で、電流が有機ＥＬ素子Ｅ_i,jに流れる。 - 特許庁

The rectifying element is the p-i-n diode comprising a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an intrinsic semiconductor layer between them.例文帳に追加

整流素子は、p型半導体層、n型半導体層及びこれらの間の真性半導体層から構成されるp-i-nダイオードである。 - 特許庁

Every time when the total number of sheets printed of a counter 48 exceeds 1,000, a resistance value measuring section 45 measures the resistance value R_i of the heating element 31_i.例文帳に追加

カウンタ４８の積算プリント枚数が１０００枚以上になる毎に、抵抗値測定部４５が発熱素子３１_i の抵抗値Ｒ_i を測定する。 - 特許庁

Moreover, it is characterized in that a variable resistor is adopted for the fifth resistive element R5 to make an external supply current I variable.例文帳に追加

さらに、第五の抵抗素子Ｒ５の値を可変とすることにより、外部供給電流Iの値を可変とした。 - 特許庁