「I-element」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A row signal readout means 110 reads an image signal out of J pixels, belonging to a selected row of a solid-state imaging element 100 having pixels P arrayed in I rows and J columns, onto J column-directional signal lines L.例文帳に追加

画素ＰをＩ行Ｊ列に配列してなる固体撮像素子１００について、行信号読出手段１１０により、選択された行に所属するＪ個の画素からの画像信号をＪ本の列方向信号線Ｌ上に読み出す。 - 特許庁

The composition for organic electroluminescent element contains a charge transport material consisting of a compound having a partial structure represented by general formula (I) and a partial structure represented by general formula (II) in one molecule.例文帳に追加

一分子内に下記一般式（Ｉ）で表される部分構造と下記一般式（II）で表される部分構造とを有する化合物からなる電荷輸送材料を含有する有機電界発光素子用組成物。 - 特許庁

Electron scanning for every line of lines shown by 11, 12, 13,... is executed within an image pickup range I of a two-dimensional image pickup element and the two-dimensional video signals of the blood vessel Ev is outputted.例文帳に追加

Ｉは二次元撮像素子の撮像範囲であり、L1、L2、L3、・・・ で示したラインごとの電子走査が行われ、血管Evの二次元の映像信号を出力する。 - 特許庁

An organic EL element contains at least one kind of compound selected from compounds represented by the following general formula (I) and general formula (II) in an organic layer.例文帳に追加

下記一般式（Ｉ）および一般式(ＩＩ)で表される化合物から選ばれる化合物の少なくとも一種を有機層に含有することを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 特許庁

To realize reduction of the number of signal terminals between signal processing LSIs corresponding to a solid-state imaging element, and also reductions of consumption power caused by I/O switching operation, noise and cost.例文帳に追加

固体撮像素子に対応した信号処理ＬＳＩ間の信号端子数を削減可能にし、Ｉ／Ｏのスイッチング動作による消費電力、ノイズの軽減と、低コスト化を実現可能にする。 - 特許庁

A microcomputer 32 directly detects a voltage across the MOSFET 31 as a switching element of the load 1 and monitors whether or not a drive current I exceeds a pre-defined overcurrent detection line on the basis of the result of detection.例文帳に追加

マイコン３２が、負荷１のスイッチング素子としてのＭＯＳＦＥＴ３１の両端の電位差を直接検知し、その検知結果に基づいて、駆動電流Ｉが予め定義付けされた過電流検知ラインを超えているか否かを監視する。 - 特許庁

The second and succeeding switching element Si (wherein i is integers of 2 to n) turn on when voltages applied to semiconductor laser elements Ti exceed the threshold and voltages applied to resistive elements Ri-1 exceed the threshold.例文帳に追加

第２番目以降のスイッチング素子Ｓｉ（ｉは２以上ｎ以下の整数）は、半導体レーザ素子Ｔｉにかかる電圧が閾値を超え、かつ、抵抗素子Ｒｉ−１にかかる電圧が閾値を超えている場合にオン状態になる。 - 特許庁

The encoder detects position information of a moving body based on photoelectric conversion signals I(t) obtained by making interference light incident on a light receiving element 26.例文帳に追加

そして、受光素子２６へ干渉光が入射することによって得られる光電変換信号Ｉ（ｔ）に基づいて移動体の位置情報を検出する。 - 特許庁

At least one control loop has a low-frequency control element I supplying an output signal picked up at the control loops in a predetermined ratio T.例文帳に追加

駆動モータＭ２，Ｍ１の少なくとも１つの制御ループには、低周波制御素子Ｉが存在しており、その出力信号は所定の比率Ｔで駆動モータＭ２，Ｍ１の制御ループに与えられる。 - 特許庁

Thereafter, the surface of the substrate 1 is thermally oxidized in a dry oxidizing atmosphere which is reduced in oxygen concentration, and an element isolation thermal oxide film 5 is formed on the groove (i).例文帳に追加

その後、（ｉ）にてドライ酸化雰囲気中で酸素濃度を希釈して基板１の表面を熱酸化し、溝部分に素子分離熱酸化膜５を形成する。 - 特許庁

The current I due to this thermoelectromotive force E flows in each thermoelectric element, whereby a heat transfer occurs from the metal electrode 23 on the road surface to the metal electrode 24 on the ground, thereby reducing a road surface temperature.例文帳に追加

そして、この熱起電力Ｅによる電流Ｉが各熱電素子を流れることにより路面側の金属電極２３から地中側の金属電極２４への熱の移動が生じ、路面温度を低下させることができる。 - 特許庁

Such an operation can be realized by simply interposing a control element, i. e. the Zener diode 38, in a line leading from the first drive winding 35B to the commutation FET 5.例文帳に追加

しかもこのような動作は、第１の駆動巻線35Ｂから整流ＦＥＴ５に至るラインに制御素子であるツェナーダイオード38を介在させるだけで実現できる。 - 特許庁

The polarizing element is made of a diffraction grating (1) polarizing and separating incident natural light (I) and emitting zero-order transmitted light (T0) mainly comprising a TM (transverse magnetic) component to a specified direction.例文帳に追加

偏光素子は、入射した自然光（Ｉ）を偏光分離し且つ主にＴＭ成分のゼロ次透過光（Ｔ_0）を所定方向に出射させる回折格子（１）から成る。 - 特許庁

Each detection circuit 34 is fed with either clock of a local oscillator clock Lo+(i) or a local oscillator clock Lo-(k) whose phases are in a reversal relation, according to the corresponding oscillation element.例文帳に追加

各検波回路３４には、対応する振動素子に応じて、互いに位相が反転関係にある局発クロックＬｏ＋（ｉ）と局発クロックＬｏ−（ｋ）のいずれか一方のクロックが供給される。 - 特許庁

Multi-stage filter units 37a, 37b are connected to an I/V conversion circuit 36 that converts a photocurrent flowing to a light receiving element 35 in receiving light to a voltage signal.例文帳に追加

受光時に受光素子３５に流れる光電流を電圧信号に変換するＩ／Ｖ変換回路３６に、複数段のフィルタ部３７ａ、３７ｂを接続する。 - 特許庁

The variable wavelength element section has an n-InP lower clad layer 18, a variable wavelength layer 20, an i-InP layer 22, an active layer 24, a p-InP spacer layer 26, a p-diffraction grating 28, and a p-InP buried layer 30 on the substrate.例文帳に追加

波長可変素子部は、基板上に、ｎ−ＩｎＰ下部クラッド層１８、波長可変層２０、ｉ−ＩｎＰ層２２、活性層２４、ｐ−ＩｎＰスペーサ層２６、ｐ−回折格子２８、及びｐ−ＩｎＰ埋め込み層３０を備える。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor laser element that can not only improve its COD level but also prevent its I-L characteristic curve from rising steeply and also can reduce an operating voltage.例文帳に追加

ＣＯＤレベルを向上させながら、Ｉ−Ｌ特性の立ち上がりが急峻になるのを抑制することが可能であり、かつ、動作電圧を低減することが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

According to the method of operating the semiconductor device, an energizing current I is raised from zero to a rated current In in one current build-up rate when starting an energizing of the wide gap semiconductor element.例文帳に追加

この発明の半導体装置の動作方法では、ワイドギャップ半導体素子の通電開始時に通電電流Ｉを或る電流上昇率でゼロから定格電流Ｉｎまで上昇させる。 - 特許庁

A polysesquioxane composition, comprising (i) a polysesquioxane matrix comprising sesquioxane moieties comprising a metallic element; (ii) a hydrophilic component; and (iii) a proton-conducting component, is provided.例文帳に追加

（ｉ）金属元素を含むセスキオキサン部分を含むポリセスキオキサン・マトリックスと、(ｉｉ）親水性成分と、（ｉｉｉ）プロトン伝導性成分とを含むポリセスキオキサン組成物を提供する。 - 特許庁

The triangular-wave voltage is converted into a triangular-wave current by a V-I converter 2, and the triangular-wave current is superposed on the output current from a switching element 3.例文帳に追加

三角波電圧はＶ−Ｉコンバータ２により三角波電流に変換され、スイッチング素子３の出力電流に前記三角波電流が重畳される。 - 特許庁

In this case, the green pigment donor element includes the support having a pigment layer made of a mixture of a yellow pigment and a cyan pigment on its surface, the yellow pigment has formula I, and the cyan pigment has any of formula II or III.例文帳に追加

緑色色素ドナー要素は、イエロー色素及びシアン色素の混合物からなる色素層を表面に有する支持体を含み、イエロー色素は式Aを有し、シアン色素は式B又はCのいずれかを有する。 - 特許庁

The high hall voltage V_H is generated by disposing the hall element H in the area in which the high magnetic flux density B is generated even if the source current I of the power N type MOSFET is several amperes.例文帳に追加

この高い磁束密度Ｂの発生領域にホール素子Ｈを配置することにより、パワーＮ型ＭＯＳＦＥＴのソース電流Ｉが数Ａ程度でも大きなホール電圧Ｖ_Ｈを発生する。 - 特許庁

The correction factor k1_i is multiplied by the correction factor k2_i so that a correction factor k_i of each heater element can be calculated and stored in a flash memory 46.例文帳に追加

補正係数ｋ１_ｉ に補正係数ｋ２_ｉ を乗算して各発熱素子毎の補正係数ｋ_ｉ が算出され、フラッシュメモリ４６に記憶される。 - 特許庁

The display element comprises at least one electrochromic compound and an electrolyte between a pair of electrodes facing each other, wherein the electrolyte contains a compound expressed by general formula (I).例文帳に追加

一対の対向する電極間に、少なくとも１種のエレクトロクロミック化合物と電解質とを有する表示素子において、該電解質が下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有していることを特徴とする表示素子。 - 特許庁

Preferably, the group I-B metal is chemically bonded to the chalcogen element-containing organic compound which is chemically bonded to the Lewis base/organic compound.例文帳に追加

好ましくは、前記Ｉ-Ｂ族金属と前記含カルコゲン元素含有有機化合物とが化学結合しており、前記含カルコゲン元素含有有機化合物と前記ルイス塩基性有機溶剤とが化学結合している。 - 特許庁

The organic electroluminescent element includes a pair of electrodes comprising an anode and a cathode, and an organic light-emitting layer provided between the pair of electrodes and containing a compound represented at least by general formula (I).例文帳に追加

陽極及び陰極よりなる一対の電極と、前記一対の電極間に設けられた、少なくとも下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する有機発光層と、を備える有機電界発光素子。 - 特許庁

In a distance relay element 120, an impedance calculation means 121 calculates the impedance by using the differential current I_d of each phase and the terminal voltage.例文帳に追加

距離継電器要素１２０では、インピーダンス算出手段１２１が、各相の差電流Ｉ_dと自端子電圧を用いてインピーダンスを算出する。 - 特許庁

The filter element 40 includes a filter medium 71 for filtering foreign matter I in an operating oil L and a water adsorption material 72 having a function of adsorbing and trapping water in the operating oil L.例文帳に追加

フィルタエレメント４０は、作動油Ｌ中の異物Ｉを濾過する濾材７１と、作動油Ｌ中の水分を吸着して捕集する機能を有する水分吸着材７２とを備える。 - 特許庁

Further, a control circuit 117 adjusts an element characteristic of the complex filter 103 to cancel a phase difference error and an amplitude error of the image signals that appear in the I and Q signals at the subsequent stage of the complex filter.例文帳に追加

また、制御回路１１７は、複素フィルタの後段にてＩ信号及びＱ信号に現れるイメージ信号の位相差誤差及び振幅誤差を打ち消すように、複素フィルタ１０３の素子特性を調整する。 - 特許庁

A resin molding obtained by optical-curing a (meth)acrylate based photopolymerizable composition [I] is used in a gas barrier film, a transparent conductive film, an organic electroluminescent element, and a touch panel.例文帳に追加

ガスバリア性フィルム、透明導電性フィルム、有機エレクトロルミネッセンス素子、タッチパネルにおいて、（メタ）アクリレート系光重合性組成物［Ｉ］を光硬化して得られる樹脂成形体を用いる。 - 特許庁

Thus, the Hall-element H is arranged in the generation region of a high magnetic flux density B so that the large Hall voltage VH can be generated, even for a source currents I of a power N-type MOSFET set to a several-A level.例文帳に追加

このように、高い磁束密度Ｂの発生領域にホール素子Ｈを配置することにより、パワーＮ型ＭＯＳＦＥＴのソース電流Ｉが数Ａ程度でも大きなホール電圧ＶＨを発生する。 - 特許庁

The deformed element I, which includes a single chamber or multiple chamber hollow shape having a longitudinal axis and absorbs the impact energy which works on the shape in its longitudinal axial direction, includes the external walls 4a and 4b of the shape, which form the internal and external wall faces 9 and 10 of the shape.例文帳に追加

本発明は、長さ方向軸線を持つ単チャンバ又は多チャンバ中空形材を含み、形材の長さ方向軸線の方向に作用する衝撃のエネルギを吸収する、変形エレメント（１）に関する。 - 特許庁

The I-V conversion circuit receives a light emitting output of an LED, uses a photoelectric conversion element PIN-PD to convert the received light into a current, uses a resistor R1 to convert the current into a voltage and an amplifier 2 amplifies the converted voltage signal through a coupling capacitor C.例文帳に追加

ＬＥＤの発光出力を受光し、光電変換素子ＰＩＮ−ＰＤにて電流に変換し、抵抗器Ｒ１にて電圧変換し、変換された電圧信号をさらにＣ結合を通してアンプ２で増幅する。 - 特許庁

Consequently, a writing current I_EL is allowed to flow from a node NC into a power supply node N5, successively through a pixel 25P, a data line DL, the PMOSFET Q2P, and a resistor element R0.例文帳に追加

その結果、ノードＮＣから、画素２５Ｐ、データ線ＤＬ、ＰＭＯＳＦＥＴＱ２Ｐ、及び抵抗素子Ｒ０をこの順に介して、電源ノードＮ５に書き込み電流Ｉ_ELが流れる。 - 特許庁

When the switching element Q1 is turned on, zero current switching is achieved because the increase of the currents I(L2), Ic is suppressed by the inductor L2.例文帳に追加

スイッチング素子Ｑ１のターンオン時には、電流Ｉ（Ｌ２），Ｉｃの上昇がインダクタＬ２によって抑制されることによって、ゼロ電流スイッチングが実現される。 - 特許庁

After detection of spectrum light by a light detector 114, activating energy Ee and surface temperature T of the SCE element 101 are measured, and a proportional constant (a) is derived from equation I (where Ts is substrate temperature).例文帳に追加

これを有機物質の分圧を変化させて繰り返し行い、上記スペクトルと有機物質の分圧ｐの対応を求め、被膜が消失する際の活性化エネルギーＥeと電子放出部の温度Ｔを求める（Ａ）。 - 特許庁

The organic electroluminescent element comprises one or a plurality of organic compound layers, at least one of which contains one or more kinds of charge-transporting polyesters represented by the following general formula (I).例文帳に追加

少なくとも一層が下記一般式（Ｉ）で示される電荷輸送性ポリエステルを１種以上含有する一つまたは複数の有機化合物層と、を有する、有機電界発光素子である。 - 特許庁

To provide a photoconductive member having high photoresponsiveness by controlling the carrier concentration in a zinc oxide thin film to a prescribed value by doping the thin film with a group I element as an impurity, and to provide a method of manufacturing the member.例文帳に追加

酸化亜鉛薄膜に第Ｉ族元素を不純物としてドーピングして所定のキャリア濃度のコントロールを行い、光応答特性のよい光導電部材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises adding (i) a base material, (ii) a metal compound, and/or (iii) a compound of a group 5B or group 6B element in an organic solvent, and then reacting at a low temperature.例文帳に追加

（ｉ）基材と、（ｉｉ）金属化合物及び／又は（ｉｉｉ）５Ｂ族もしくは６Ｂ族元素化合物を有機溶媒に加え、低温で反応させることを特徴とする。 - 特許庁

At this time the element decoder 50J changes the order of the symbols of data I comprising a plurality of symbols according to code configuration through a symbol changing circuit 611 and supplies the symbols as data IR to the storage circuits 407.例文帳に追加

このとき、要素復号器５０_Jは、シンボル入れ替え回路６１１によって、複数シンボルからなるデータＩについて、符号構成に応じて各シンボルの順序を入れ替え、データＩＲとして記憶回路４０７に供給する。 - 特許庁

This current is converted to a pulse signal having a frequency proportional to the current value in an I/F conversion circuit consisting of a capacitor 108, a comparator 109, an FET 110, a delay element 111, an inverter 112, and an and-gate 113.例文帳に追加

この電流をコンデンサ１０８、コンパレータ１０９、ＦＥＴ１１０、ディレイ素子１１１、インバータ１１２、アンドゲート１１３から成るＩ／Ｆ変換回路回路で、電流値に比例した周波数のパルス信号に変換する。 - 特許庁

The MOS transistor 21 is used as a storage element, in consideration that the I_off leak phenomenon is stored in a P-type MIS transistor.例文帳に追加

このＩ_offリーク現象がＰ型ＭＩＳトランジスタに保存される性質ものであることを利用して、ＭＯＳトランジスタ２１を記憶素子として用いる。 - 特許庁

An n layer 47n, an i layer 47i, and a p layer 47p are sequentially laminated in a normal direction z of a surface of a liquid crystal panel 200 to form a photosensor element 32.例文帳に追加

ｎ層４７ｎとｉ層４７ｉとｐ層４７ｐとのそれぞれを液晶パネル２００の面の法線方向ｚにおいて、順次、積層することで、フォトセンサ素子３２を形成する。 - 特許庁

This polymer particle supporting a metal compound is obtained by supporting a metal element compound of the group I to VIII on a porous polymer particle having 1,000-80,000 m^2/kg BET specific surface area.例文帳に追加

ＢＥＴ比表面積１０００〜８００００ｍ^２／ｋｇの多孔質ポリマー粒子上に、Ｉ〜VIII族の金属元素化合物が担持されてなる金属化合物担持ポリマー粒子。 - 特許庁

A sectional series method is applied to the inputted character string image and character element information (upper level:C1 and lower levels:SS, SR as shown in Fig.(i)) expressing upper and lower hierarchies is generated on the basis of the sectional series information.例文帳に追加

入力文字列画像に対して断面系列法を適用し、断面系列情報をもとに上下の階層で表現した文字要素情報（図中（ｉ）に示すように、上位：Ｃ１、下位：ＳＳ，ＳＲ）を生成する。 - 特許庁