「I-element」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The OTA is comprised of an I-V converter and current control circuits 1 and 2 which amplify the output current of the I-V converter at an amplification rate proportional to the resistance value of an internal resistive element.例文帳に追加

Ｉ−Ｖ変換器と、内部抵抗素子の抵抗値に比例する増幅率でＩ−Ｖ変換器の出力電流を増幅する電流制御回路１、２とによってＯＴＡを構成する。 - 特許庁

A wound-foil inductance element is constituted in such a way that an I-shaped core is bridged between the left section 1a and right section 1b of a C-shaped core 1 and a spool is mounted on the I-shaped core.例文帳に追加

Ｃ型コア１の左部１ａ、右部１ｂ間にＩ型コア１ｃを橋架し、このＩ型コア１ｃにスプール２を挿装した構成に於いて、該スプール２に導体箔５を貼付けた絶縁フィルム４を所要回数巻回構成する。 - 特許庁

Accordingly, at the part of the connection part 18a ranging from tip end part 18a_1 to base side part 18a_2, the current i_1 to i_n flowing toward the heating element 14 becomes uniform to some extent.例文帳に追加

したがって、接続部分18aの先端部分18a_1から基部側部分18a_2の間において発熱体14に向かって流入する電流i_1〜i_nがある程度均一となる。 - 特許庁

The q^n-power Frobenius mapping processing technique can produce a vector representing x^q only by multiplying a vector (x_i) representing that x is an element of the set GF(q^m) with a matrix (c_ij).例文帳に追加

ｑ^n 乗フロベニウス写像演算手法では、ｘ∈ＧＦ（ｑ^m ）を表現するベクトル（ｘ_i ）に行列（ｃ_ij）をかけるだけでｘ^q を表現するベクトルが得られる。 - 特許庁

An encoding order information encoding section 203 encodes a syntax element that indicates a viewpoint ID of an i-th viewpoint in an encoding/decoding order in a viewpoint direction, in the encoding/decoding order in the viewpoint direction.例文帳に追加

符号化順序情報符号化部２０３は、視点方向での符号化／復号順序でi番目の視点の視点ＩＤを示すシンタックス要素を視点方向での符号化／復号順序で符号化する。 - 特許庁

When a heating element is conducted at the print head section, a voltage drop occurs in the power suply voltage Vs and the time length TI-TIII of the section I-III is determined based on the voltage detection value V0 in the vicinity of end point of the section II.例文帳に追加

印字ヘッド部にて発熱素子に通電されると、電源電圧Ｖsに電圧降下が生ずるが、区間IIの終点近傍での電圧検出値Ｖ0に基づいて、区間Ｉ〜IIIの時間長Ｔ_I〜Ｔ_IIIを決定する。 - 特許庁

In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xB_yGa_1-x-yN first layers 12A and a plurality of Al_aB_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another is provided on a low-resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＢ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＢ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, a composite laminated buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xIn_yGa_1-x-yN first layers 12a and a plurality of Al_aIn_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another, is provided on a low-resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＩｎ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＩｎ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

The plurality of display elements are arranged in a matrix and segmented into i (i is an integer of 2 or more) of display element groups each including the above display elements in a predetermined number of rows.例文帳に追加

複数の表示素子は、マトリクス状に配置され、所定の行数の前記表示素子をそれぞれ含むｉ（ｉは２以上の整数）個の表示素子グループに組み分けされている。 - 特許庁

The plurality of display elements are laid in a matrix and segmented into i (i represents an integer of 2 or more) of display element groups each including display elements in a predetermined number of rows.例文帳に追加

複数の表示素子は、マトリクス状に配置され、所定の行数の表示素子をそれぞれ含むｉ（ｉは２以上の整数）個の表示素子グループに組み分けされている。 - 特許庁

Because the drive current I_C of the hall element 16 does not change owing to the adjustment of the gain of the differential amplifier 22, it is not necessary to consider the change in the offset voltage resulting from the change in the drive current I_C.例文帳に追加

差動増幅器２２の増幅度の調整によりホール素子１６の駆動電流Ｉ_Cは変化しないため、駆動電流Ｉ_Cの変化に伴うオフセット電圧の変化は考慮しなくてよい。 - 特許庁

A stress volume V produced through contact of the bearing ring and the rolling element of a rolling bearing is divided into a plurality of partial stress volumes ΔVi and the entire lifetime is determined from the lifetime of the partial stress volume ΔVi.例文帳に追加

転がり軸受の軌道輪と転動体の接触によって生じる応力体積Ｖを複数の部分応力体積ΔＶ_i に分割し、部分応力体積ΔＶ_i の寿命から全体の寿命を求める。 - 特許庁

A thickness and impurity density of an I layer 32I (channel region, semiconductor layer) of a photo detector 3 and a thickness and impurity density of an I layer 22I (channel region, semiconductor layer) of a TFT element 2 are nearly identical to each other.例文帳に追加

光検出素子３におけるＩ層３２Ｉ（チャネル領域，半導体層）と、ＴＦＴ素子２におけるＩ層２２Ｉ（チャネル領域，半導体層）とにおいて、それらの厚みおよび不純物濃度がそれぞれ互いに略等しくなっている。 - 特許庁

Within this pin type semiconductor photodetecting element 100, an InGaAsP photoabsorbing layer is composed of an impurity implanted photoabsorbing layer 104 in higher impurity concentration than that in i layer 105 and the i layer in low inputity concentration.例文帳に追加

本ｐｉｎ型半導体受光素子１００は、ＩｎＧａＡｓＰ光吸収層が、不純物濃度がｉ層より高い不純物注入光吸収層１０４と、不純物濃度の低いｉ層１０５と、から構成されている。 - 特許庁

If the resistance of the resistor element R_40 is R, the current I outputted from the VI conversion circuit 40n has a proportional relation expressed in Expression 'I=V/R', where V is the voltage given to the VI conversion circuit 40n.例文帳に追加

このとき、抵抗素子Ｒ_40の抵抗値をＲとすると、ＶＩ変換回路４０_nより出力される電流値Ｉは、ＶＩ変換回路４０_nへ入力する電圧値Ｖに対して、「Ｉ＝Ｖ／Ｒ」なる式で表される比例関係にある。 - 特許庁

Depending on the difference ▵i_p, a frequency correction value ▵f_i* is operated by an amplifier 15 having an integration element and a frequency command f* is corrected using the correction value.例文帳に追加

これらの差△ｉ_Ｐに応じて、積分要素を有する増幅器１５により周波数補正量△ｆ_１^＊を演算し、この補正量を用いて周波数指令ｆ^＊を補正する。 - 特許庁

In a power module 9a provided with a power semiconductor element, a circuit board, a heat dissipation base, a case and an I/O terminal, the I/O terminal is a pin type terminal projecting from one side face of the case.例文帳に追加

パワー半導体素子と回路基板と放熱ベースとケースと入出力端子を設けたパワーモジュール９ａにおいて、入出力端子を、ケースの一側面から突設したピン型の端子としたパワーモジュール。 - 特許庁

Specifically, the constant current circuit 14 supplies the constant current m×I m-times as large as a reference current I at a mirror ratio, to the pressure sensor element 12, and can change the mirror ratio m.例文帳に追加

具体的には、定電流回路１４は、基準電流Ｉをミラー比でｍ倍した定電流ｍ・Ｉを圧力センサ素子１２に供給し、そのミラー比ｍを変更可能とする。 - 特許庁

The drive part DR generates a drive signal Xi on the basis of a gradation value specified in the electrooptical element E and the correction value C[i] selected by the selection circuit 263.例文帳に追加

駆動部ＤＲは、電気光学素子Ｅに指定された階調値と選択回路２６３が選択した補正値Ｃ[i]とに基づいて駆動信号Ｘiを生成する。 - 特許庁

An interaction discretization section 120 generates a first stage interaction matrix showing whether or not the i-th gene is the upstream side gene of the j-th gene as (i, j) element based on interaction data 191a.例文帳に追加

相互作用離散化部１２０は、相互作用データ１９１ａに基づいてｉ番目の遺伝子がｊ番目の遺伝子の上流側遺伝子であるか否かを（ｉ、ｊ）要素として示す第１段−相互作用行列を生成する。 - 特許庁

A diaphragm part 1 in which a detecting element (a p-n junction diode) D_j,_i is arranged is supported in an array isolation region 3 in a hollow state by a first support leg 2a and a second support leg 2b.例文帳に追加

検出素子（ｐｎ接合ダイオード）Ｄ_j,iを配置しているダイアフラム部１が、第１支持脚２ａと第２支持脚２ｂにより中空状態でアレイ分離領域３に支持されている。 - 特許庁

When the cumulative number of pixels is not smaller than Nth only in the dark section or in the bright section, an imaging element and a signal processing portion are controlled to increase or reduce the luminance or the contrast, and a next frame F(i+1) is considered as being object of human face detection.例文帳に追加

暗部範囲／明部範囲にのみＮth以上の累積画素数がある場合は、撮像素子と信号処理部を制御して輝度・コントラストを上昇／低下させ、次フレームＦ(i+1)を顔領域検出対象とする。 - 特許庁

Difference (i*-if), between the coil winding current value (if) being detected by the CT and the current command value (i*), is introduced to the main switching element via a hysteresis circuit, thus controlling the current by a PWM system.例文帳に追加

ＣＴで検出した巻線電流値（ｉ_f）と電流指令値（ｉ^*）との差（ｉ^*−ｉ_f）をヒステリシス回路を介して主スイッチング素子に導くことによりＰＷＭ方式で電流制御を行うことができる。 - 特許庁

When the insulation resistance 58B of a piezoelectric element 58 is reduced, the common current I_R is increased, and when exceeding a reference value, a common current limit part 152 is operated to restrict the common current I_R.例文帳に追加

圧電素子５８の絶縁抵抗５８Ｂが低下するとコモン電流Ｉ_Ｒが増加し、基準値を超えるとコモン電流制限部１５２が動作してコモン電流Ｉ_Ｒを制限する。 - 特許庁

A temperature calculation section 112 outputs the element temperature detection value TS based on the signal Svf indicating the voltage drop of a temperature detection diode 153 built in a switching element in a motor drive circuit 152, and a temperature estimation calculation section 113 obtains the motor temperature estimation value TM from the element temperature detection value TS and the detected current values i_d, i_q.例文帳に追加

温度算出部１１２は、モータ駆動回路１５２内のスイッチング素子に内蔵された温度検出ダイオード１５３の電圧降下を示す信号Ｓｖｆに基づき素子温度検出値ＴＳを出力し、温度推定演算部１１３は素子温度検出値ＴＳと電流検出値ｉ_d，ｉ_qからモータ温度推定値ＴＭを求める。 - 特許庁

This device is provided with a multiple-divided photoelectric conversion element 6 to detect a reflected light from an optical disk 1 during information recording, an I-V converter circuit 8 for applying voltage conversion to a signal from the photoelectric conversion element 6 to output it, and a band switching means for switching the transmission band of the output signal from the photoelectric conversion element 6 in the I-V conversion circuit 8.例文帳に追加

光ディスク装置は、情報記録時に光ディスク１からの反射光を検出するための複数に分割された光電変換素子６と、光電変換素子６からの信号を電圧変換して出力するＩ−Ｖ変換回路８と、Ｉ−Ｖ変換回路８において光電変換素子６からの出力信号の伝送帯域を切り替える帯域切り替え手段とを有する。 - 特許庁

In the event of I/O, if a first physical storage device group which forms the basis of the physical storage devices is in a power saving state, then the controller performs I/O of a data element to/from the pool area corresponding to the logical area of the I/O destination, without canceling the power saving state of the first physical storage device group.例文帳に追加

コントローラは、Ｉ／Ｏのとき、論理記憶デバイスの基になっている第１の物理記憶デバイス群が省電力状態になっていれば、その省電力状態を解除することなく、Ｉ／Ｏ先の論理領域に対応するプール領域に対してデータ要素のＩ／Ｏを行う。 - 特許庁

(a) The photoelectric conversion element includes: an i-layer having a quantum-dot arrangement structure; an n-type semiconductor layer and an electron extraction electrode formed on an electron extraction end side of the i-layer; and a p-type semiconductor layer and a hole extraction electrode formed on a hole extraction end side of the i-layer.例文帳に追加

（ａ）光電変換素子は、量子ドット配列構造を有するｉ層と、ｉ層の電子取り出し端側に形成されたｎ型半導体層及び電子取り出し電極と、ｉ層の正孔取り出し端側に形成されたｐ型半導体層及び正孔取り出し電極とを備える。 - 特許庁

When the actual battery current I_bat exceeds the current limit value I_th, the limit control to limit the motor current command value Ir is performed, and not only the battery current I_bat but also the temperature (FET temperature) of an element of a motor drive circuit is incorporated in the returning condition from the limit control to the normal control.例文帳に追加

このとき、実際のバッテリ電流Ｉ_batが電流制限値Ｉ_thを超えているとき、モータ電流指令値Ｉｒを制限する制限制御を行い、この制限制御から通常制御への復帰条件に、バッテリ電流Ｉ_batのみでなくモータ駆動回路の素子の温度（ＦＥＴ温度）を取り入れる。 - 特許庁

Since (i<N and and found == 0) is true (S304; Y), the i (i=0)th value of the element data of the array type of columns is assigned to a variable X to be true (S305 and S306; Y) and 1 is assigned to the variable found (S307).例文帳に追加

「ｉ＜Ｎ ＆＆ ｆｏｕｎｄ＝＝０」が真となるので（Ｓ３０４；Ｙ）、配列型の列の要素データ第ｉ（ｉ＝０）番目の値が変数Ｘに代入され、真となるので（Ｓ３０５、Ｓ３０６；Ｙ）、変数ｆｏｕｎｄに１が代入される（Ｓ３０７）。 - 特許庁

The phase distribution I(x, y) is calculated in a step 101 and the max. and min. values of the phase distribution I(i, j) are detected along the parallel lines in the x-axis direction virtually drawn on the plane where a diffraction optical element is mounted in the process of steps 102 to 115.例文帳に追加

ステップ１０１において位相分布Ｉ（ｘ、ｙ）を演算し、ステップ１０２〜１１５の処理によって、回折型光学素子が置かれる平面上に仮想的に引かれた互いに平行なｘ軸方向の線に沿って、位相分布Ｉ（ｉ、ｊ）の極大値及び極小値を検索する。 - 特許庁

The transform coefficient K is obtained by K[i][j]=L[i][j]×B(QP mod P)[i][j]×2^(B+QP/P) (in this case, P and B are integers) using the quantization value L, a quantization parameter QP and the matrix element B(QP) of a mantissa part which is the function of the quantization parameter QP.例文帳に追加

変換係数Ｋは、量子化値Ｌと、量子化パラメータＱＰと、量子化パラメータＱＰの関数である仮数部分の行列要素Ｂ（ＱＰ）を用いて、Ｋ［ｉ］［ｊ］＝Ｌ［ｉ］［ｊ］×Ｂ（ＱＰ ｍｏｄ Ｐ）［ｉ］［ｊ］×２^（Ｂ＋ＱＰ／Ｐ）（ここでＰおよびＢは整数である）により求められる。 - 特許庁

This is an additive for non-aqueous electrolyte of a primary battery which is expressed by formula (I): (NPX_2)_n, wherein, X is a halogen element each independently and n is an integer of 3-15, and which is made of a phosphagen compound containing at least two kinds of halogen elements.例文帳に追加

下記式(I)： （ＮＰＸ_2）_n ・・・ (I)（式中、Ｘはそれぞれ独立してハロゲン元素であり、ｎは３〜１５の整数である）で表され、且つ少なくとも２種のハロゲン元素を含むホスファゼン化合物からなる１次電池の非水電解液用添加剤である。 - 特許庁

This is an additive for non-aqueous electrolytic liquid of a secondary battery expressed by formula (I): (NPX_2)_n ( wherein, X is a halogen element each independently and n is an integer of 3-15), made of a phosphagen compound containing at least two kinds of halogen elements.例文帳に追加

下記式(I)： （ＮＰＸ_2）_n ・・・ (I)（式中、Ｘはそれぞれ独立してハロゲン元素であり、ｎは３〜１５の整数である）で表され、且つ少なくとも２種のハロゲン元素を含むホスファゼン化合物からなる２次電池の非水電解液用添加剤である。 - 特許庁

A control part 5 comprises: a specimen measuring means 6 configured to measure a detection signal I(T) of a detector 4 that is obtained by irradiating the measurement excitation light to a specimen; and a correction element measuring means 7 for measuring correction elements I_A(T) and I_B(T) that are used for a correction of a specimen measurement value I(T).例文帳に追加

制御部５は、検体に測定励起光を照射して得られる検出器４の検出信号Ｉ（Ｔ）を測定するように構成された検体測定手段６及び検体測定値Ｉ（Ｔ）の補正に用いられる補正要素Ｉ_A（Ｔ）及びＩ_B（Ｔ）を測定するための補正要素測定手段７を備えている。 - 特許庁

The present invention comprises a light-emitting element and a fiber compound film that contains phosphor material comprising a plurality of phosphor particles and cellulosic fiber material including at least fiber comprising I-type crystalline cellulose and that is formed to cover the light-emitting element.例文帳に追加

発光素子と、複数の蛍光体粒子からなる蛍光体材料及びＩ型結晶性セルロースからなる繊維を少なくとも含むセルロース系繊維材料を含有し、前記発光素子を覆うように形成される繊維複合膜と、を有すること。 - 特許庁

To provide a stabilizing circuit that can set the I/O impedance of a stabilized amplification element to a value for miniaturizing a multiband matching circuit, and ensures stability in the amplification element in a wide frequency range.例文帳に追加

本発明の目的は、安定化した増幅素子の入出力インピーダンスをマルチバンド整合回路が小型化できるような値に設定でき、かつ広い周波数範囲で増幅素子の安定性を確保する安定化回路を提供することである。 - 特許庁

DWA logic circuits DL1 and DL2 are provided at prestages of the DA converters DA11 and DA12 and employ a high-pass element rotation method for an I signal of the complex digital signal and a low-pass element rotation method for a Q signal thus obtaining a complex analog filter.例文帳に追加

ＤＷＡ論理回路ＤＬ１，ＤＬ２はＤＡ変換器ＤＡ１１，ＤＡ１２の前段に設けられ、複素ディジタル信号のＩ信号にハイパスエレメントローテーション法を用い、Ｑ信号にローパスエレメントローテーション法を用いて複素ディジタルフィルタ及び複素アナログフィルタを実現する。 - 特許庁

Of the light distribution characteristic I(θ)=k×cosθ+(1-k)×sinθ as to a light emitting element 6 of an LED 2 constituting a proximity optical system, (k) is set to ≤0.8 and the light emitting element 6 and an optical surface are formed in one body by a transfer molding method.例文帳に追加

近接光学系を構成するＬＥＤ２の発光素子６についての配光特性Ｉ（θ）＝ｋ・ｃｏｓθ＋（１−ｋ）・ｓｉｎθにおけるｋを０．８以下に設定し、かつ、発光素子６と光学面とをトランスファーモールド法で一体的に形成する。 - 特許庁

When the circuit device is operated, a predetermined constant current i is supplied to the resistive element group 13 from a constant current source 19, voltage is generated between both ends of the restive element group 13, the voltage is read by a voltage detecting analog-to-digital converter 21, and the vehicle type is discriminated.例文帳に追加

回路装置を動作させると、定電流源１９から所定の一定電流ｉが抵抗素子群１３に供給され、抵抗素子群１３の両端に電圧が発生し、電圧を検出するアナログディジタル変換器２１でその電圧を読取り車種を判別する。 - 特許庁

When current I_U of U phase is supplied from a semiconductor switching element SWUH to a load 10, gate voltage is operated at first through a gate driver 106 such that the element SWUH is turned off and the neutral voltage V_MU is measured at the same time.例文帳に追加

例えば、負荷１０にＵ相の電流Ｉ_U が半導体スイッチング素子ＳＷＵＨから給電されている場合、先ず素子ＳＷＵＨがＯＦＦ状態になるように、ゲートドライバ１０６を介してそのゲート電圧を操作し、同時に中点電圧Ｖ_MUを測定する。 - 特許庁

The cubic boron nitride sintered compact is a sintered compact based on cubic boron nitride, wherein at least one element selected from the group consisting of F, Cl, Br and I is contained, and the concentration of the element is 50 ppb to 100 ppm by wt.%.例文帳に追加

立方晶窒化硼素を主成分とする焼結体であって、焼結体中にＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉからなる群のいずれか１種以上の元素が含まれ、その濃度がｗｔ％で５０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする立方晶窒化硼素焼結体。 - 特許庁

The circuit has a bootstrap function of the hold capacitor to compensate changes in the threshold voltage of the drive transistor and deterioration in the organic EL element with time, and compensates changes in the I-V characteristics of the organic El element with time and changes in the threshold voltage of the drive transistor.例文帳に追加

ドライブトランジスタの閾値電圧の変動と有機ＥＬ素子の経時劣化を補償する保持容量のブートストラップ機能を備え、有機ＥＬ素子のＩ−Ｖ特性経時変化やドライブトランジスタの閾値電圧変動を補償する。 - 特許庁

The vibration of the magnetization direction F is resonated, when a frequency f_F of the magnetization direction F in a free layer 1A_F of the magnetoresistance effect element 1A is consistent with a frequency f of the alternating current i flowing in the magnetoresistance effect element 1A, and a voltage V increases between output terminals OUTPUT1, OUTPUT2.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子１Ａのフリー層１Ａ_Ｆの磁化の向きＦの振動数ｆ_Ｆと、磁気抵抗効果素子１Ａを流れる交流電流ｉの周波数ｆが一致した場合、磁化の向きＦの振動が共振し、出力端子ＯＵＴＰＵＴ１，ＯＵＴＰＵＴ２の間の電圧Ｖが増加する。 - 特許庁

That is, by adjusting the rotational angle as the mounting state of the laser output element, the I/J balance becomes to be the optimum condition in accordance with the polarization surface of the actually outputted laser beam and also in accordance with the condition of the rotational angle as the mounting state of a polarization detecting element such as a Wollaston prism.例文帳に追加

つまりレーザ出力素子の取付状態としての回転角を調整することで、実際に出力されるレーザ光の偏光面に応じ、またウォラストンプリズムなどの偏光検波素子の取付状態としての回転角の状況に応じて、Ｉ／Ｊバランスが最適状態とできるようになる。 - 特許庁