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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > I-elementに関連した英語例文

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I-elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 662



例文

In a flux gate sensor comprising a thin film magnetic element 1 and a detection coil disposed around or neighboring the thin film magnetic element, and a wiring 2 for supplying current to the thin film magnetic element 1 in a predetermined direction, uniaxial magnetic anisotropy is induced to the thin film magnetic element 1 in a direction oblique to a direction perpendicular to an electrifying direction I of the element.例文帳に追加

薄膜磁性体素子1と、薄膜磁性体素子の周囲または近傍に配された検出コイルと、薄膜磁性体素子1に対して所定の方向に通電するための配線2とを備えるフラックスゲートセンサにおいて、薄膜磁性体素子1は、一軸磁気異方性が、素子の通電方向Iに対し直角方向から傾斜した方向に付与されている。 - 特許庁

The semiconductor memory device is provided with a storage element 1, current sources 110 and 210 for generating writing currents I_WL and I_BL used for writing data in the storage element 1, and current waveform adjusting circuits 100 and 200.例文帳に追加

本発明に係る半導体記憶装置は、記憶素子(1)と、記憶素子(1)に対するデータ書き込みに用いられる書き込み電流(I_WL、I_BL)を発生させる電流源(110、210)と、電流波形調整回路(100、200)と、を備える。 - 特許庁

This photoelectric conversion device 10 includes: a light-absorbing layer 3 containing a I-III-VI compound semiconductor, and having a part where a molar ratio of a group I-B element to a group III-B element is smaller on one principal surface side than that on the other principal surface side; and a buffer layer 4 formed on the one principal surface.例文帳に追加

光電変換装置10は、I-III-VI化合物半導体を含み、I-B族元素のIII-B族元素に対するモル比が他方主面側よりも一方主面側において小さい部分を有する光吸収層3と、前記一方主面上に設けられたバッファ層4と、を具備する。 - 特許庁

A current induced on the secondary winding side of the transformer Trsa under states II-IV is thereby fed to a load R through a rectifier element Doa, and a current induced on the secondary winding side of the transformer Trsb under states I, II and IV is fed to the load R through a rectifier element Dob.例文帳に追加

そうすると、状態II乃至IVにおいてトランスTrsaの二次巻線側に生じた電流を整流素子Doaにより負荷Rに供給し、状態I,II及びIVにおいてトランスTrsbの二次巻線側に生じた電流を整流素子Dobにより負荷Rに供給する。 - 特許庁

例文

In accordance with the drop of this voltage V_C, the current consumption of the piezoelectric element 28 becomes small, and it converges quickly into the state (the supply current from the capacitor C is zero) that the average current consumption I_SAV of the piezoelectric element 28 comes to the upper limit value I_LM.例文帳に追加

この電圧V_Cの低下にともなって、圧電素子28の消費電流も小さくなり、圧電素子28の平均消費電流I_SAVが上限値I_LMとなる状態(コンデンサCからの供給電流はゼロ)に速やかに収束する。 - 特許庁


例文

A semiconductor light source lighting circuit 100 comprises: a switching regulator 104 for generating a driving current I_LED by means of a switching element 122; and a control circuit 102 for controlling on/off the switching element 122 such that the magnitude of the driving current I_LED approaches a desired value.例文帳に追加

半導体光源点灯回路100は、駆動電流I_LEDをスイッチング素子122を使用して生成するスイッチングレギュレータ104と、駆動電流I_LEDの大きさが目標値に近づくようにスイッチング素子122のオンオフを制御する制御回路102と、を備える。 - 特許庁

(i) in the case of a registration of categorization as a common element, if the building that constitutes a common element of a condominium is made available for common use by unit owners of another condominium, a statement to that effect; and 例文帳に追加

一 共用部分である旨の登記にあっては、当該共用部分である建物が当該建物の属する一棟の建物以外の一棟の建物に属する建物の区分所有者の共用に供されるものであるときは、その旨 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The voter selects an element corresponding to a combination of prescribed candidate information i and f=1 from the substitution candidate table c' and inputs voting information v showing the element to the voting device 20.例文帳に追加

投票者は、所定の候補情報i及びf=1の組み合わせに対応する要素を置換候補テーブルc’から選択し、その要素を示す投票情報vを投票装置20に入力する。 - 特許庁

The coating liquid for an element separation material comprises: a polysilazane or the like having a skeleton comprising a structural unit represented by general formula (I); a compound containing a metal element capable of forming an oxide; and a solvent.例文帳に追加

素子分離材料用塗布液は、一般式(I)で表される構造単位からなる骨格を有するポリシラザン等と、酸化物を形成できる金属元素を含む化合物と、溶媒とを備えている。 - 特許庁

例文

The photocatalytic material has a titanium-containing oxide solid solution containing titanium, a first metallic element having V or VI ionic valence and a second metallic element having I or II ionic valence.例文帳に追加

チタンと、イオン価数がV価又はVI価である第1の金属元素と、イオン価数がI価又はII価である第2の金属元素と、を含むチタン含有酸化物固溶体を有する材料を光触媒材料とする。 - 特許庁

例文

At the step S301, n angles are established to measure output signals BzXi and BzYi (i=1 to n) from an X hall element 3 and a Y hall element 4.例文帳に追加

ステップS301で、n個の角度を設定して、Xホール素子3及びYホール素子4からの出力信号BzXi及びBzYi(i=1〜n)を測定する。 - 特許庁

A build-up layer 31 has a semiconductor integrated circuit element mounting area 23 which mounts a semiconductor integrated circuit element 21 having a processor cores 24 and 25 and an I/O circuit part on its surface 39.例文帳に追加

ビルドアップ層31は、その表面39にプロセッサコア24,25及びI/O回路部を有する半導体集積回路素子21を搭載可能な半導体集積回路素子搭載領域23を有する。 - 特許庁

The semiconductor circuit has a VDD pad 4, an I/O pad 5, a VSS pad 6, a thyristor element 1, and a triggering PMOS transistor 2 for passing trigger current to the thyristor element 1.例文帳に追加

本発明の半導体回路は、VDDパッド4と、I/Oパッド5と、VSSパッド6と、サイリスタ素子1と、サイリスタ素子1にトリガ電流を流すためのトリガ用PMOSトランジスタ2とを具備する。 - 特許庁

To provide a variable resistance element having a simple structure, requiring no forming process and exhibiting bipolar type I-V characteristics by using a titanium oxide, and a resistance variable non-volatile memory element.例文帳に追加

チタン酸化物を用い、構造が単純でフォーミング過程を必要とせず、バイポーラ型のI−V特性を示す可変抵抗素子および抵抗変化型の不揮発性メモリ素子を提供する。 - 特許庁

The queue element may be retrieved by the I/O adapter and a determination may be made as to whether the queue element contains a read operation command.例文帳に追加

キュー・エレメントは入出力アダプタによって検索することができ、キュー・エレメントが読み取り動作コマンドを含むかどうかに関する判断を行うことができる。 - 特許庁

The driving unit sequentially selects display elements by each line, concurrently in each of the i of display element groups, and supplies a driving signal according to moving image data to the selected display element.例文帳に追加

駆動部は、i個の表示素子グループのそれぞれについて並列的に、表示素子を1行毎に順次選択すると共に、選択された表示素子に対して動画像データに応じた駆動信号を供給する。 - 特許庁

This system is provided with a temperature sensor 38 which detects the temperature Th of a high temperature side connection part of a Peltier element 32, a voltage sensor 4 which detects voltage V applied to the element 32 and a current sensor 5 which detect current I.例文帳に追加

ペルチェ素子32の高温側接合部の温度Thを検出する温度センサ38と、ペルチェ素子32に加える電圧Vを検出する電圧センサ4と、電流Iを検出する電流センサ5を設ける。 - 特許庁

Since no contact hole 26 is exposed nor the region I is reduced in size, the water content or the like from the outside the element is prevented from reaching the inside of element through the contact hole 26.例文帳に追加

こうして、コンタクトホール26が露出したり、上記領域Iの寸法が小さくならないようにして、素子外部からの水分等がコンタクトホール26を通って素子内部に達することを防止する。 - 特許庁

A current supply part 11 supplies a constant control current to the D type element 10a and supplies control currents i1 and i2 for obtaining a desired attenuation quantity to the I type element 10b.例文帳に追加

電流供給部11は、D型素子10aには一定の制御電流を供給し、I型素子10bに所望の減衰量を得るための制御電流i1,i2を供給する。 - 特許庁

The current I of the third frequency band is transferred from the second antenna element 3 to the partial area 7 of the first antenna element 2 by electromagnetic coupling.例文帳に追加

第2アンテナエレメント3から第1アンテナエレメント2の部分領域7に、第3周波数帯域の電流Iが、電磁結合によって、伝達される。 - 特許庁

The core group 18 belonging to the I-shaped optical waveguide 12 with the convex part 16 turns substantially perpendicularly in the vicinity of a photoelectric conversion element 14, thereby optically biding the photoelectric conversion element 14.例文帳に追加

凸部16を備えたI字型光導波路12に属するコア群18は、光電変換素子14の近傍でほぼ直角に折れ曲がって、光電変換素子14に光結合する。 - 特許庁

In the expression (I), n0 denotes a refractive index of air, n1 denotes a refractive index of the first phase shift element 91, and n2 denotes a refractive index of the second phase shift element 92.例文帳に追加

n2×|n1−n0|>n0×|n1−n2|…式(I) 但し、上記式(I)中、n0は空気の屈折率、n1は前記第1の位相シフト素子91の屈折率、n2は前記第2の位相シフト素子92の屈折率を表す。 - 特許庁

The print control section 61 of a printer comprises a body identification information storing section 74 for storing the ID of a printer body, and a storage element I/O control section 73 for fetching a cartridge ID from the storage element of an ink cartridge.例文帳に追加

プリンタの印刷制御部61は、プリンタ本体のIDを記憶する本体識別情報記憶部74と、インクカートリッジの記憶素子から、カートリッジIDを取得する記憶素子入出力制御部73とを備える。 - 特許庁

Otherwise, the metal oxide consisting of at least one of element among group VI transition metal elements and at least one of element among groups I, II, VII, and VIII transition metal elements are used for the variable resistive film 2.例文帳に追加

また、可変抵抗膜2には、VI族の遷移金属元素のうち少なくとも1種の元素と、I族,II族,VII族,VIII族の遷移金属元素のうち少なくとも1種の元素とからなる金属酸化物が用いられる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a compound-semiconductor thin-film composed of group I, III and VI elements, capable of reducing the dispersion of targeted group-III-element distribution along the film-thickness direction and controlling a targeted group-III-element concentration.例文帳に追加

膜厚方向で目的のIII族元素組成分布のばらつきを低減し、また目的のIII族元素濃度を制御しうるI、III、VI族元素からなる化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The constant current circuit I outputs the reference current of a value between the current running in the first MR element at the low-resistance steady state and the current running in the first MR element at the high-resistance steady state.例文帳に追加

定電流回路Iは、低抵抗状態の第1MR素子を流れる電流と、高抵抗状態の第1MR素子を流れる電流との間の値を有する参照電流を出力する。 - 特許庁

When element data 201 of an array type of columns are received (S300), the number 2 of pieces of element data is assigned to a variable N and a variable (i) is assigned to 0, and 0 is assigned is to a variable found (S301 to 303).例文帳に追加

配列型の列の要素データ201を受け取ると(S300)、要素データ数2が変数Nに、変数iに0が、変数foundに0が代入される(S301〜303)。 - 特許庁

The stopper 8, which prevents the light controller 5 from moving to the direction I in which the second hinge element 22 is pull out of the first hinge element 21 in a state where the light controller 5 is open, is set on the end of the frame 9.例文帳に追加

制光体5が開かれた状態で、第1蝶番要素21から第2蝶番要素22が抜外される方向Iへの制光体5の移動を防止するストッパ8を枠体9の端部に設ける。 - 特許庁

Level conversion wherein picture element effective bits N are reduced to picture element effective bits I in the level direction is performed to picture elements of input line data DI, and intermediate line data DM are produced (Fig 1 (a), (b)).例文帳に追加

入力ラインデータDIの画素に対して、画素有効ビットNをレベル方向に画素有効ビットIに削減するレベル変換を施し中間ラインデータDMを生成する(図1(a),(b))。 - 特許庁

The I/O processing section determines the sound-emitting/collecting direction of an element according to the rotation angle of the hinge, and changes-over the speaker or microphone function, according to the determined sound-emitting/collecting direction of each element.例文帳に追加

入出力処理部は、ヒンジの回動角に応じて素子の放収音方向を判断し、判断した各素子の放収音方向に応じてスピーカ機能またはマイク機能の切り替えを行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which firmly and reliably connects lead terminals to I/O parts on a sidewall and operates a semiconductor element housed in a semiconductor element housing package normally and stably for a long time.例文帳に追加

リード端子を強固にかつ信頼性良く側壁部の入出力部に接続でき、半導体素子収納用パッケージ内部に収容する半導体素子を長期にわたり正常かつ安定に作動させ得る半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element which reduces variations of the I-L characteristics the semiconductor light-emitting element, offers high brightness and high output, and is superior in yield and reliability.例文帳に追加

半導体発光素子のI−L特性のばらつきを低減し、高輝度及び高出力で、歩留まり及び信頼性に優れた半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The operating current I during the normal operation of the light emitting element is set in a range of I1 and I2, and the reference voltage Vs for determining the paper sheet to the output voltage V of the light receiving element is set in a range of V1 and V2.例文帳に追加

そして、発光素子の通常動作時の動作電流IをI1,I2の範囲内に設定し、かつ受光素子の出力電圧Vに対する用紙判定用の基準電圧VsをV1,V2の範囲内に設定する。 - 特許庁

The element M is at least one kind of element selected from the group consisting of B, Na, Mg, Al, Si, S, P, K, Ca, Mo, W, Cr, Mn, Co, Ni, and Fe.例文帳に追加

0< M/Ti ≦0.5 (I) 1≦ Nb/Ti ≦5 (II) 前記元素Mは、B、Na、Mg、Al、Si、S、P、K、Ca、Mo、W、Cr、Mn、Co、Ni及びFeから成る群から選択される少なくとも1つである。 - 特許庁

To provide a drive assembly for an organic EL element which does not require such a TFT element capable of exactly making V-I conversion of the variable quantity of a signal level to a variable quantity of current.例文帳に追加

信号レベルの可変量を電流の可変量に正確にV−I変換できるようなTFT素子を必要としない有機EL素子駆動装置を提供する。 - 特許庁

A photoelectric conversion device comprises: a first semiconductor layer having a compound semiconductor containing a group I element, a group III element, and a group VI element; and a second semiconductor layer that is disposed on the first semiconductor layer and forms a pn junction with the first semiconductor layer.例文帳に追加

I族元素、III族元素およびVI族元素を含む化合物半導体を有する第1の半導体層と、該第1の半導体層上に配置された、該第1の半導体層とともにpn接合を形成する第2の半導体層とを備えている。 - 特許庁

The La.Sr.Ga.Mg.Ox-based sintered body contains at least one selected from Ga and In, a transition metal element of Group I of Periodic Table, a divalent metal element, or trivalent metal element at the amount of 1 to 6 parts by weight relative to 100 parts by weight of a La.Sr.Ga.Mg.Ox- based oxide.例文帳に追加

ランタンガレート系酸化物100重量部に対して、GaとInのうち少なくとも1種、第一系列主要遷移金属元素、二価金属元素、または三価金属元素を、酸化物換算で1重量部以上6重量部以下含有することを特徴とするランタンガレート系焼結体。 - 特許庁

Then, when a prescribed voltage is applied from a power supply 120, since a prescribed current flows to each LED element 110 provided at the i-column LED substrate 100i by each resistor R, the broken LED element 110 is detected by checking the LED element 110 which does not emit light.例文帳に追加

そして、電源120より所定の電圧が印加されると、各抵抗Rによりi列LED基板100iに備えられた各LED素子110に所定の電流が流れるので、発光していないLED素子110を確認することで、破損したLED素子110を検出することが出来る。 - 特許庁

The PID operation part 20 is provided with a P element 21 weighted by frequency for proportion operation, an I element 22 for integration operation, a D element 23 for differential operation of imperfect differential calculus and an output adder 24 adding each output from the elements 21-23.例文帳に追加

PID演算部20は、比例演算を行う周波数重み付きのP要素21、積分演算を行うI要素22、不完全微分の微分演算を行うD要素23、これらの要素21〜23からの各出力を加算する出力加算器24、を備えている。 - 特許庁

For the method of measuring quantum efficiency of the electroluminescent element and the system used for the same, using the data of brightness L0(j) of the electroluminescent element at the front of the element and the data of spectrum E(l, θ) and radiation pattern I(θ) at the observation angle λ, the quantum efficiency ΦEL is calculated in accordance with the formula (1).例文帳に追加

電界発光素子の、素子正面での輝度L_0 (j)のデータと、観測角θにおけるスペクトルE(λ,θ)及び放射パターンI(θ)のデータとから、下記式(1)に従い量子効率ΦELを計算する、電界発光素子の量子効率を測定する方法及びそれに用いるシステムである。 - 特許庁

At least one kind of element selected among Bi and Sb, at least one kind of element selected among Te and Se, and at least one kind of element selected among I, Cl, Gh, Br, Ag, and Cu, are comprised.例文帳に追加

Bi及びSbからなる群から選択された少なくとも1種の元素と、Te及びSeからなる群から選択された少なくとも1種の元素とを有し、必要に応じて、I、Cl、Hg、Br、Ag及びCuからなる群から選択された少なくとも1種の元素を含む組成を有する。 - 特許庁

An importance determination section 16 calculates the importance I_d of landmarks within the search range on the basis of the appearance element V_d, the meaning element S_d, and the position element L_d and selects a landmark having the largest calculated importance value to be a landmark to be presented.例文帳に追加

そして、重要度決定部16が、検索範囲内のランドマークの重要度I_dを、見た目要素V_d、意味要素S_dおよび位置要素L_dに基づいて算出し、算出された重要度の値が最も大きいランドマークを提示するランドマークに選択する。 - 特許庁

The pixel parts, which are arranged in line, each include a current-driven type light-emitting element (i) for exposing the photo conductor to light, and a circuit element (ii) for making a driving current selectively flow to the light-emitting element depending on a binary voltage corresponding to the data signal.例文帳に追加

これらは、ライン状に配列されており、(i)感光体を露光するための電流駆動型の発光素子及び(ii)該発光素子に駆動電流をデータ信号に対応する2値電圧に応じて選択的に流すための回路素子を夫々含む。 - 特許庁

A voltage fluctuation of the voltage detection terminal VO2 is outputted to a detection signal output terminal PC as a current signal by a V-I conversion circuit constituted of a current mirror circuit comprising a constant-current source 4, the switch element 6, a switch element 7 and a switch element 8, through the error amplifier 5.例文帳に追加

電圧検出用端子VO2の電圧変動は、誤差増幅器5を介し、定電流源4、スイッチ素子6、及びスイッチ素子7とスイッチ素子8とからなるカレントミラー回路で構成されるV−I変換回路により、検出信号出力端子PCに電流信号として出力される。 - 特許庁

A pixel circuit 3(i, j) includes a light emitting element (OLED: capacitor Coled.), a drive transistor Md, a sampling transistor Ms, a holding capacitor Cs, and an auxiliary capacitor Csub.例文帳に追加

画素回路3(i,j)が、発光素子(OLED:容量Coled.)と、駆動トランジスタMdと、サンプリングトランジスタMsと、保持キャパシタCsと、補助キャパシタCsubとを含む。 - 特許庁

The silver halide photographic element contains an amido compound of formula I (where INH, LINK, m, R1 and R2 are defined in this specification).例文帳に追加

ハロゲン化銀写真要素が、以下の化学式I (この化学式において、INH、LINK、m、R^1、R^2は、この明細書に説明されている)で表わされるアミド化合物を含むことを特徴とするハロゲン化銀写真要素に関する。 - 特許庁

The pointer is moved by adding a recorded pointer position and input signals, input x(i) from the quantizer is shifted and output to a D/A converter as y(i) and the unit element is shifted.例文帳に追加

記録されたポインタ位置と入力信号を加算することにより、ポインタを移動し、量子化器からの入力x(i)は、シフトされy(i)として、D/A変換器へ出力され、単位要素のシフトが行われる。 - 特許庁

The translated address corresponding to the untranslated address of the queue element may be returned and stored in the I/O adapter prior to receiving the data read from the external I/O device.例文帳に追加

キュー・エレメントの未変換アドレスに対応する変換済みアドレスは、外部記憶装置から読み取られたデータを受信する前に、返され、入出力アダプタに保管することができる。 - 特許庁

The organic EL element has an organic thin-film layer, containing a specific compound which is expressed with formula [I], [II] or, and [III], and has at least one cyclohexylidene methine group between a positive pole and a negative pole.例文帳に追加

本発明の有機EL素子は、陽極と陰極との間に、下記一般式[I]、[II]、[III]のいずれかで表されるとともに、少なくとも1個のシクロヘキシリデンメチン基を有する特定の化合物を含有する有機薄膜層を有する。 - 特許庁

例文

The piezoelectric element comprises a piezoelectric, and a pair of electrodes touching the piezoelectric wherein the piezoelectric constants d_33 and d_31 of the piezoelectric satisfy relation (I); 0.1≤|d_33/d_31|≤1.8 (I).例文帳に追加

圧電体と、該圧電体に接する一対の電極とを有する圧電体素子において、前記圧電体の圧電定数d_33及びd_31について、下記関係式(I); 0.1≦|d_33/d_31|≦1.8 (I)を満たすことを特徴とする圧電体素子。 - 特許庁

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※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。
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