「In Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(48ページ目) - Weblio英語例文検索

An area securing module 15 secures a memory space as a secured memory space according to access to the common memory and rewrites the pointer in the CAM.例文帳に追加

領域確保モジュール１５は共有メモリへのアクセスに応じてメモリ空間を確保メモリ空間として確保してＣＡＭ内のポインタを書き替える。 - 特許庁

As the recording medium 3, the memory card that is small in size and light in weight despite of being mass in capacity is used.例文帳に追加

記録媒体３としては大容量であるが小型で軽量なメモリカードを使用する。 - 特許庁

In the case of detecting the newest KRB, it is stored in a memory in the recording and reproducing device.例文帳に追加

さらに、最新のＫＲＢを検出した場合は、記録再生装置内のメモリに格納する。 - 特許庁

In this case, chapter information is stored in memory by mapping it to the chapter positions in a header part of the series of images.例文帳に追加

この場合、一連の画像のヘッダ部に、チャプタ情報をチャプタ位置に対応付けて記憶する。 - 特許庁

In response to the opening signal, the opening pattern of the lower door is written in a memory in the hall computer.例文帳に追加

開放信号に応答して、ホールコンピュータでは下扉の開放パターンがメモリに書き込まれる。 - 特許庁

System data are stored in a memory 11, provided in a main body controller 9 in the heat source machines.例文帳に追加

その内部の本体コントローラ９内に設けられたメモリ１１にはシステムデータを格納している。 - 特許庁

When the program is in existence in the built-in flash memory, the deleted program can be selected.例文帳に追加

内蔵フラッシュメモリ内にプログラムが有る場合は、削除するプログラムを選択することができる。 - 特許庁

In 1873, Emperor Junnin was enshrined in Shiramine Jingu shrine sacred to the memory of Emperor Sutoku who died in the place of exile like Emperor Junnin. 例文帳に追加

1873年には、同様に配流先で歿した崇徳天皇を祀る白峯神宮に合祀された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The image that has been taken in as a second image is stored in the internal memory 42 in step S22.例文帳に追加

取り込また画像を第２画像とし、ステップＳ２２で、第２画像を内部メモリ４２に記憶する。 - 特許庁

Correlations between changes in vibrations and ages of skins obtained in advance is stored in a memory part 18.例文帳に追加

記憶部１８には、予め取得した、振動の変化と肌年齢との相関が記憶される。 - 特許庁

In a memory cell, in which a failure occurs, the failure is saved in terms of a bit cell unit.例文帳に追加

本発明は、不良が発生したメモリセルに対してビットセル単位で不良を救済する。 - 特許庁

Data in the I/O data line is written in the bit line 110, successively, written in a memory cell 105.例文帳に追加

次いで、ビット線上の電圧レベルをビット線に接続されているメモリセル内に格納する。 - 特許庁

One data byte is stored in numbers of non-integer in the memory cell 11 in this method.例文帳に追加

この方法では、一つのデータバイトは、メモリセル１１における非整数の数の中に記憶される。 - 特許庁

To implement an optical memory excellent in holding time in particular, from nano crystal embedded in a matrix board.例文帳に追加

マトリックス基板に埋設されたナノ結晶から、特に保有時間に優れた光メモリを実装する。 - 特許庁

To cope with a trouble caused by shortage of map data stored in a memory, in a car navigation device for storing in the memory a part of the map data stored in an external storage device, and performing route guide based on the map data stored in the memory.例文帳に追加

外部記憶装置に記憶された地図データの一部をメモリに記憶して、メモリに記憶された地図データに基づいて経路案内を行うカーナビゲーション装置において、メモリに記憶された地図データの不足による不都合に対処する。 - 特許庁

Since image data are sequentially stored in the memory 21, in interlocking with the scanning applied to the film 5 in this case, the image data can be stored to a predetermined memory address in cross-reference with the position of each frame image in the memory 21.例文帳に追加

そのとき、フィルム５に対するスキャン動作に連動して、画像データを順次メモリ２１に記憶するので、メモリ２１内の各コマの画像の位置に対応して、予め決まったメモリアドレスに画像データを記憶することができる。 - 特許庁

In this case, when there is an access to data except for those already stored in the cache memory among the data in the cache control unit, the data except for those already stored in the cache memory is loaded in the cache memory.例文帳に追加

この後、このキャッシュ管理単位内のデータで、すでにキャッシュメモリ内に格納されているデータ以外のデータにアクセスがあったとき、このキャッシュ管理単位内のキャッシュメモリ内に格納されているデータ以外のデータをキャッシュメモリにロードする。 - 特許庁

To achieve a memory management device that can hold down the increase of execution frequency of garbage collection and can prevent the reduction of substantial speed of access to a flash memory without increasing the memory capacity of a reserved memory, for the garbage collection, allocated in a block in the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリのブロック内に確保しておくガーベージコレクション用の予約メモリの記憶容量を増やすことなく、ガーベージコレクションの実行頻度の増加を抑え、フラッシュメモリに対する実質的なアクセス速度の低下を防止することができるメモリ管理装置を実現する。 - 特許庁

The common memory controller 102 previously allocates memory addresses of the common memory 103 in RLC and PDU units and writes the packet data in the RLC and PDU units inputted from the MAC-hs processor 101 to corresponding memory addresses of the common memory 103.例文帳に追加

共有メモリ制御装置１０２は、共有メモリ１０３のメモリアドレスを予めＲＬＣ ＰＤＵ単位で割り振り、ＭＡＣ−ｈｓ処理装置１０１から入力されたＲＬＣ ＰＤＵ単位のパケットデータを共有メモリ１０３の対応するメモリアドレスに書き込む。 - 特許庁

Copying of the contents of the nonvolatile memory 515 and periodic updating of the data in the nonvolatile memory 515 is executed between the nonvolatile memory 515 and a data memory 517 provided in the ASIC after a power supply is turned on so that the CPU 511 does not directly output the control output to the nonvolatile memory 515.例文帳に追加

ＡＳＩＣに設けたデータメモリ５１７との間で電源ＯＮ後の不揮発性メモリの内容のコピーおよび定期的な不揮発性メモリのデータ更新が実行され、ＣＰＵから不揮発性メモリに直接制御出力が行われることはない。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises a plurarity of memory element groups which comprise memory elements each composed of a resistance variable element and a diode connected in series, a plurality of source lines connected to one-side ends of the plurality of memory elements in the memory element group.例文帳に追加

本発明の不揮発性半導体記憶装置は、抵抗変化素子及びダイオードが直列に接続されたメモリ素子を複数有する複数のメモリ素子群と、メモリ素子群の複数のメモリ素子それぞれの一端にそれぞれ接続された複数のソース線と、を有する。 - 特許庁

In the case that power supply is broken during write operation to the IC memory 10b, the memory control part 4a reads out data recorded in the backup memory 6 at the time of power restoration and copies the data to the IC memory 10b through the memory R/W 23a.例文帳に追加

一方、ＩＣメモリ１０ｂに対する書き込み動作中に電源供給が切断された場合、メモリ制御部４ａは、電源復帰時に、バックアップ用メモリ６に記録されたデータを読み出して、メモリＲ／Ｗ２３ａを介してＩＣメモリ１０ｂに複写する。 - 特許庁

The electronic apparatus is provided at least with a memory control means 1 for maintaining the expansion memory 3 in a self-refresh mode when there is no memory access and on the other hand, releasing a self-refresh command, reading data and writing the data when the add-in memory 3 becomes the target of memory access.例文帳に追加

メモリアクセスのないときには増設メモリ３をセルフリフレッシュモードに保持する一方、メモリアクセスの対象になったときには、セルフリフレッシュ指令を解除して、データの読出し、書き込みを行うことを特徴とするメモリ制御手段１を少なくとも備えている。 - 特許庁

The method further comprises the steps of storing the imaging pattern suitably adhering the ACF4 to the board 2A in the second memory 74, and storing the difference between the imaging pattern of the memory 74 and the imaging pattern of the memory 73 as a reference pattern in a third memory 75 (second memory).例文帳に追加

次に、基板２ＡにＡＣＦ４が適正に貼付された撮像パターンを第２メモリ７４に記憶し、この第２メモリ７４の撮像パターンと、先の第１メモリ７３の撮像パターンとの差を基準パターンとして第３メモリ７５（第２のメモリ）に記憶する。 - 特許庁

By transferring the data stored in the nonvolatile memory FLASH to the volatile memory SDRAM together with the error code without having to perform an error correction for the data stored in the nonvolatile memory FLASH, transfer time of the data from the nonvolatile memory FLASh to the volatile memory SDRAM is shortened.例文帳に追加

不揮発性メモリＦＬＡＳＨに記憶されたデータをエラー訂正することなく、エラー訂正コードとともに揮発性メモリＳＤＲＡＭに転送することで、不揮発性メモリＦＬＡＳＨから揮発性メモリＳＤＲＡＭへのデータの転送時間を短くできる。 - 特許庁

To provide a memory system capable of preventing performance in the refresh operation of one memory from being deteriorated due to the influence of heat discharged from the other different memory in a plurality of memories, and to provide a memory controller and a method for controlling refresh operation of the memory controller.例文帳に追加

複数のメモリの内の一のメモリとは異なる他のメモリが放出する熱の影響を受けて、一のメモリのリフレッシュ動作の性能が劣ることを防止することができるメモリシステム、メモリコントローラ及びメモリコントローラのリフレッシュ動作制御方法を提供する。 - 特許庁

The memory controller 200 is provided with: a means for degenerating a memory area of failure when the failure has occurred in a memory module (#0) 41; and a means for reconstructing a memory module (#2) 51 paired with the memory module (#0) 41 of failure as a mirroring pair for a first memory device 40 and a second memory device 50.例文帳に追加

メモリ制御装置２００は、メモリモジュール（＃０）４１に障害が発生したとき、障害発生のメモリ領域を縮退する手段と、障害発生のメモリモジュール（＃０）４１とペアになっているメモリモジュール（＃２）５１を、第１メモリ装置４０と第２メモリ装置５０とのミラーリングのペアとして再構築する手段とを備える。 - 特許庁

The information processing unit includes: a volatile memory (RAM22) temporarily holding, as memory data, information which indicates programs; a nonvolatile memory (flash memory 23); and a page information generation section (image list generation module, MIG) generating page information which identifies memory data for a plurality of predetermined pages from memory data stored in the volatile memory.例文帳に追加

プログラムを示す情報をメモリデータとして一時格納する揮発性メモリ（ＲＡＭ２２）と、不揮発性メモリ（フラッシュメモリ２３）と、揮発性メモリに記憶されたメモリデータのうちの予め定められた複数ページ分のメモリデータを特定するページ情報を生成するページ情報生成部（イメージリスト生成モジュールＭＩＧ）とを備える。 - 特許庁

In the sampling memory circuit 40, the first data passed from the memory control circuit 12 to the memory circuit 11 and the second data same with the data to be passed from the memory circuit 11 to the memory control circuit 12 are stored, thus permitting to monitor the data sent/received between the memory control device and the memory circuit.例文帳に追加

サンプリングメモリ回路４０には、メモリ制御回路１２からメモリ回路１１へ渡される第１データとメモリ回路１１からメモリ制御回路１２へ渡されるべきデータと同じデータである第２データが記憶されるので、メモリ制御装置とメモリ回路との間で送受されるデータをモニタできるようになる。 - 特許庁

To provide a memory management program that can increase free space in a working memory by reducing the size of data in the working memory and reduce an increase in a processing load on a CPU when an application program uses data in the working memory.例文帳に追加

作業メモリ内のデータのサイズを削減することにより、作業メモリの空き領域を増加させると共に、アプリケーションプログラムが作業メモリ内のデータを使用する場合に、ＣＰＵの処理負荷の増加を低く抑えることができるメモリ管理プログラムを提供する。 - 特許庁

Whether or not a difference between the data units in the memory 33 and the corresponding data units in the memory 40 is generated is decided by an erase circuit 32e, and when it is determined that the difference is generated, the data units are written in the memory 40, and the data units in the memory 33 are erased.例文帳に追加

消去回路３２ｅにより、メモリ３３内のデータ単位がメモリ４０内の対応するデータ単位と差異が生じているか否かを判定し、差異が生じているときには、データ単位をメモリ４０に書き出した後に、メモリ３３内のデータ単位を消去する。 - 特許庁

To prevent the erroneous writing in an unselected memory cell in a nonvolatile semiconductor memory of virtual grounding system in which MOS transistor having a charge storage layer consisting of a silicon nitride film in the gate insulating film is used as a memory cell.例文帳に追加

ゲート絶縁膜中にシリコン窒化膜からなる電荷蓄積層を有するＭＯＳトランジスタをメモリセルとする仮想接地方式の不揮発性半導体メモリにおいて、非選択なメモリセルへの誤書き込みを防止する。 - 特許庁

To secure read-out margin of data and to reduce power consumption in a non-volatile semiconductor memory in which two memory cells are connected in parallel and the same information is stored in both of the memory cells.例文帳に追加

２つのメモリセルを並列に接続し、この両方のメモリセルに同一の情報を記憶させる不揮発性半導体記憶装置において、データの読み出しマージンを確保するとともに、消費電力を低減すること。 - 特許庁

In case the printing means can carry out the printout of the printing data memorized in the memory means, the job using the external memory is executed in response to it that the external memory has been loaded in the printer.例文帳に追加

また、印刷手段が記憶手段に記憶された印刷データを印刷出力することが可能である場合において、外部メモリが印刷装置に装着されたことに応答して、外部メモリを用いたジョブを実行する。 - 特許庁

An erase command is accepted for the erasing target memory cell in units of a plurality of word lines WL disposed in the sector 122, and all the data in the sector 122 including the erasing target memory cell are saved in a different memory 150.例文帳に追加

セクタ１２２内に配置された複数のワードラインＷＬ単位のイレーズ対象メモリセルについてイレーズ指令を受け入れ、イレーズ対象メモリセルを含むセクタ１２２内の全データを別メモリ１５０に待避する。 - 特許庁

To minimize times of write in a non-volatile memory in a binary counter to be realized by reading a data word stored in the non-volatile memory, decrementing/incrementing it and rewriting it in the non-volatile memory.例文帳に追加

不揮発性メモリに記憶されたデータワードを読み出し、ディクリメント／インクリメントして不揮発性メモリに書き戻すことで実現される２進数カウンタ装置において、不揮発性メモリへの書き込み回数を可能な限り少なくする。 - 特許庁

The flash memory device includes a memory cell array comprising memory cells arranged in rows and columns, a page buffer circuit having a single latch structure and configured to read data from a selected memory cell in the memory cell array, and a controller controlling the page buffer circuit having the single latch structure so as to detect a memory cell in which electric charges loss is caused out of memory cells of the selected row.例文帳に追加

フラッシュメモリ装置は、行と列で配列されたメモリセルを含むメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの選択されたメモリセルからデータを読み出すように構成されたページバッファ回路と、前記選択された行のメモリセルのうち、電荷損失が生じたメモリセルを検出するように前記単一のラッチ構造を有する前記ページバッファ回路を制御する制御器と、を含む。 - 特許庁

A data memory and an analysis part are installed in a test auxiliary device arranged near a test circuit board, and two memory areas are constituted in the data memory, and, while digital test data are stored in one memory area, reading-out for analysis of the digital test data stored beforehand can be executed in the other memory area.例文帳に追加

テスト回路基板の近傍に配置されたテスト補助装置に、データメモリと解析部を設け、データメモリに２つのメモリ区域を構成して、一方のメモリ区域でデジタル試験データの記憶が行われるときに、他方のメモリ区域ですでに記憶されたデジタル試験データの解析のための読み出しを行うようにする。 - 特許庁

The processor (10) including a cache memory (132) therein controls use of the cache memory (132) based on operation mode information (43) which changeably designates use/no-use of the cache memory (132) and on designation of cache memory use in an access instruction word included in a program in accessing to a main storage memory (20) from the program (30) in operation.例文帳に追加

キャッシュメモリ（１３２）を内蔵するプロセッサ（１０）が、動作するプログラム（３０）からの主記憶メモリ（２０）に対するアクセスに際し、キャッシュメモリの利用の有無を変更可能に指定する動作モード情報（４３）と、プログラム中のアクセス命令語におけるキャッシュメモリ利用の指定とに基づいて、キャッシュメモリ（１３２）の利用を制御する。 - 特許庁

When there is no temporal change in a hash value of data stored in a memory area even though memory management information to be used for managing the memory area includes attributes for permitting update of data in the memory area, it is determined that a failure possibly occurs in the use of the memory area.例文帳に追加

メモリ領域を管理するために用いるメモリ管理情報がメモリ領域内のデータの更新を許容する旨を表す属性を含んでいるにも関わらず、メモリ領域に記憶されているデータのハッシュ値の時間変化がない場合、メモリ領域の利用に異常が発生している可能性があると判定する。 - 特許庁

A file generation section 160 connects MOI and MAI held in the work memory 80 to TOD stored in the data memory 50 (built-in memory) with a recording completion instruction as a trigger, generates header information for indicating the connection relationship, and generates one recording file for storing it into the data memory 50 (built-in memory).例文帳に追加

ファイル生成部１６０は、録画終了指示を契機に、データメモリ５０（内蔵メモリ）に格納したＴＯＤに、ワークメモリ８０に保持されたＭＯＩおよびＭＡＩを結合するとともに、結合関係を示すヘッダ情報を生成して、一の録画ファイルを生成してデータメモリ５０（内蔵メモリ）に格納する。 - 特許庁

The memory is provided with; a memory core section comprising a plurality of cell array blocks equipped with a plurality of nonvolatile memory cells, a plurality of word lines, and a plurality of bit lines; and a means to erase data simultaneously in a plurality of memory cells in one cell array block and write data in the plurality of memory cells in the plurality of cell array blocks simultaneously.例文帳に追加

複数の不揮発性のメモリセルと複数のワード線と複数のビット線を備えたセルアレイブロックを複数有するメモリコア部と、１つのセルアレイブロック内の複数のメモリセルについて同時にデータを消去し、複数のセルアレイブロック内の複数のメモリセルに同時にデータを書込む手段とを具備する。 - 特許庁

In the method for writing the data in the semiconductor memory device, the method includes writing data in a memory cell through two data writing steps having different magnitude relations of voltages applied to a first impurity region and a second impurity region of the memory cell.例文帳に追加

メモリセルの第１不純物領域及び第２不純物領域に印加される電圧の大小関係が互いに異なる２つのデータ書込みステップによってメモリセルにデータの書込みをなす。 - 特許庁

Print data is received to be stored in either one of a memory device in the printer, a memory device on a network and memory devices built in a plurality of information devices on a network.例文帳に追加

印刷データを受信し、その印刷データを当該印刷装置内の記憶装置、ネットワーク上の記憶装置、あるいはネットワーク上の複数の情報機器が内蔵する記憶装置のいずれかに記憶する。 - 特許庁

When the USB (Universal Serial Bus) memory is connected again (Yes in #11, Yes in #12), the image forming apparatus 1 reads out the identifier from the USB memory and writes the image data corresponding to the identifier in the USB memory (#15).例文帳に追加

ＵＳＢメモリが再度接続されたら（＃１１でＹｅｓ、＃１２でＹｅｓ）、画像形成装置１は、このＵＳＢメモリから識別子を読み出しこの識別子に対応する画像データをこのＵＳＢメモリに書き込む（＃１５）。 - 特許庁