「InterConnect」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

The liner-to-liner contact impedes abrupt electromigration failures and enhances electromigration resistance of the metal interconnect structure.例文帳に追加

ライナ・ライナ間接触は、急激なエレクトロマイグレーションによる故障を抑制し、金属相互接続構造体のエレクトロマイグレーション耐性を強化する。 - 特許庁

To form a trench opening pattern with high precision by suppressing resist poisoning, when a dual-damascene interconnect lines are formed using Via first method.例文帳に追加

ビアファースト方法を用いるデュアルダマシン配線の形成において、レジストポイズニングを抑制しトレンチ開口パターンを高精度に形成する。 - 特許庁

A second suspension electric interconnect electrically couples a second signal conducting pathway with the slider and a second non-terminated signal pathway.例文帳に追加

第２のサスペンション電気相互接続部は、第２の信号伝導路を、スライダ及び第２の非終端信号経路に電気的に結合する。 - 特許庁

A first suspension electric interconnect electrically couples a first signal conducting pathway with the slider and a first non-terminated signal pathway.例文帳に追加

第１のサスペンション電気相互接続部は、第１の信号伝導路を、スライダ及び第１の非終端信号経路に電気的に結合する。 - 特許庁

This multi-chip package is equipped with a flat substrate and a printed circuit board with multiple interconnect lines formed on the surface of the substrate.例文帳に追加

マルチチップパッケージは、平坦な基板及び前記基板の表面に形成された複数の配線を有する印刷回路基板を備える。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE, COMPOSITION FOR FORMING INSULATING FILM THEREFOR, SILICA-BASED FILM AND METHOD OF FORMING SAME, AND INTERCONNECT STRUCTURE例文帳に追加

半導体装置の絶縁膜形成用組成物、シリカ系膜およびその形成方法、ならびに配線構造体および半導体装置 - 特許庁

A cross member 16 is disposed between front ends of side members 14 disposed on both right and left sides so as to interconnect them in the vehicle width direction.例文帳に追加

左右両側に設けられたサイドメンバ１４前端部間にはクロスメンバ１６が車幅方向に連結するように設けられている。 - 特許庁

A conductive layer for shielding, i.e. a fifth Al layer 38, is formed on the fourth Al interconnect line 35 through an interlayer insulating film 36.例文帳に追加

第４Ａｌ配線３５上に層間絶縁膜３６を介してシールド用の導電層である第５Ａｌ層３８を形成する。 - 特許庁

The k (k is an integer of 1 to n) resistive elements 20 out of the n resistive element 20 are electrically interconnected with each other by the interconnect lines 30.例文帳に追加

配線３０は、ｎ個の抵抗素子２０のうちｋ個（ｋは１以上ｎ以下の整数）を互いに電気的に接続している。 - 特許庁

To provide a multi-node computer system including a plurality of I/O nodes, CPU nodes, memory nodes, and hybrid nodes connected via an interconnect.例文帳に追加

相互接続を介して接続された複数の、Ｉ／Ｏノード、ＣＰＵノード、メモリノードおよびハイブリッドノードを含むマルチ・ノードコンピュータを提供する。 - 特許庁

A metal interconnect structure has a liner-to-liner direct contact formed between an upper metallic liner 50 of a conductive via and a lower metallic liner 20 of a metal line below.例文帳に追加

導電性ビアの上層金属ライナと、下方の金属ラインの下層金属ライナとの間に、ライナ・ライナ間接触を形成する。 - 特許庁

The array (18) and substrate (14) are joined together using an interconnect (12) geometry having a large aspect ratio of height to width.例文帳に追加

アレイ（１８）及び基板（１４）は、大きい高さ対幅のアスペクト比を有する相互接続（１２）幾何形状を用いて共に接合される。 - 特許庁

A copper interconnect line 107 is composed of a silicon low-concentration region 104 and a silicon solid solution 106 provided on the silicon low-concentration region 104.例文帳に追加

銅配線１０７を、シリコン低濃度領域１０４と、その上部に設けられたシリコン固溶層１０６からなる構成とする。 - 特許庁

The method can use dummy read modules 22 provided for access order guarantee via an interconnect C as they are.例文帳に追加

この方法によれば、インターコネクトＣ経由のアクセス順序保証のために設けたダミーリードモジュール２２をそのまま利用することができる。 - 特許庁

The remaining photoresist and the attached metal is dissolved so as to leave an interconnect pattern and at least one bump 36.例文帳に追加

残っているフォトレジストおよびそこに付着している金属は溶解し、相互接続パターンおよび少なくとも１つのバンプ３６が残る。 - 特許庁

The basket opens and closes for end-encapsulation of a stone and is strengthened by support members that interconnect the basket loops.例文帳に追加

このバスケットは、結石を末端に捕捉するために開閉し、そしてそのバスケットループを相互接続する支持部材によって補強される。 - 特許庁

First and second interconnect pads 5 and 6 are provided on an upper surface of the mother substrate 1, and an opening 1a is formed in the mother substrate 1.例文帳に追加

母基板１の上面には、第１，第１配線パッド５，６が設けられ、母基板１には開口１ａが形成されている。 - 特許庁

Bus units DB and DB1A to DB1B interconnect a CPU 7 and first to fifth peripheral circuit blocks 11 to 15.例文帳に追加

ＣＰＵ（７）と周辺回路ブロック１乃至５（１１乃至１５）との間をバスユニットＤＢ及びＤＢ１Ａ乃至ＤＢ６Ｂで接続する。 - 特許庁

The interconnect fabric in the many-core processor is reconfigured to ensure a high level of connectivity among the selected cores.例文帳に追加

選択された諸コアの間での高いレベルの接続性を保証するよう、多コア・プロセッサ中の相互接続ファブリックが再構成される。 - 特許庁

A current diffusion auxiliary interconnect 9 arranged along the vicinity of the outer circumference of the current diffusion layer 6 is extending from the P electrode 8.例文帳に追加

また、Ｐ電極８からは、電流拡散層６の外周付近に沿って周設した電流拡散補助配線９を延設してある。 - 特許庁

METAL BARRIER FOR COPPER INTERCONNECT THAT INCORPORATES SILICON IN THE METAL BARRIER OR AT THE COPPER/METAL BARRIER INTERFACE例文帳に追加

金属障壁体の中にまたは銅／金属障壁体の界面にシリコンが取り込まれた銅相互接続体に対する金属障壁体 - 特許庁

A system, method and computer program product are provided for determining routing of data paths in interconnect circuitry for an integrated circuitry.例文帳に追加

集積回路についての相互接続回路内のデータ経路のルーティングを求めるシステム、方法、およびコンピュータプログラム製品が提供される。 - 特許庁

To provide an optical interconnect device reduced in the variation of signal recognition characteristic to a minute current signal responding to an optical signal.例文帳に追加

光信号に応答する微小電流信号に対する信号認識特性にばらつきの少ない光インタコネクト装置を提供する。 - 特許庁

The heat dissipation base 10 and interconnect lines 2a-2c formed on the extension plane 7 thereof constitute an external connection terminal 13.例文帳に追加

また、放熱基部１０と放熱基部１０の延在面７に形成された配線２ａ〜２ｃとが外部接続端子１３を構成している。 - 特許庁

When the contact hole is formed, a cleaning step of removing an oxide layer 25 of the lower layer interconnect exposed at a bottom of the contact hole is carried out.例文帳に追加

コンタクトホールが形成されると、コンタクトホール底部に露出した下層配線の酸化層２５を除去する洗浄が行われる。 - 特許庁

To provide an interconnect that supplies with a suitable flowpath for a reactant gas and can selectively control cell/stack performance.例文帳に追加

反応体ガスのための適切な流路を与え且つ電池／スタックの性能の選択的な制御を可能にするインターコネクトを提供する。 - 特許庁

An integrated circuit 2 is provided with a data source 6 in the form of a processor connected via a bus interconnect 16 to a trace output device 8.例文帳に追加

集積回路２は、バス相互接続１６を経由して、トレース出力デバイス８へ接続される、データソース６としてのプロセッサを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose adhesiveness with an interconnect line member is good and which has a metal film whose barrier property is high, and the method of manufacturing the same.例文帳に追加

配線材との密着性が良く、バリア性の高い金属膜をもつ半導体装置、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A portion 202 of the etching stopper film 200 that is disposed over the air gap 128 is thicker than another portion that is disposed over the interconnect 162.例文帳に追加

そしてエッチングストッパー膜２００は、エアギャップ１２８上に位置する部分２０２が、配線１６２上に位置する部分より厚い。 - 特許庁

A multiprocessor computer system comprises a dragonfly processor interconnect network that comprises a plurality of processor nodes and a plurality of routers.例文帳に追加

マルチプロセッサコンピュータシステムは、複数のプロセッサノードと複数のルータとを装備したＤｒａｇｏｎｆｌｙプロセッサ相互接続ネットワークを備える。 - 特許庁

An electronic device with device timing constraints includes a set of connections coupled to an interconnect structure that carries row and column commands.例文帳に追加

デバイスタイミング制約を伴う電子デバイスは、行列コマンドを搬送する相互接続構造体に接続された１組の接続部を含む。 - 特許庁

A damascene metallization method comprises a step for making a trench in a desired interconnect pattern in a porous insulation layer formed on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上の多孔性絶縁層中の所望の配線パターンにトレンチを形成する工程等を含むダマシン金属化方法。 - 特許庁

Optical paths 6 interconnect the output ports of the optical demultiplexer and the input ports of the optical multiplexer.例文帳に追加

光デマルチプレクサの複数の出力ポートと光マルチプレクサの複数の入力ポートはそれぞれ複数の光パス６により接続される。 - 特許庁

In the barrier layer, the nitrogen atom content of a CuAl contact barrier layer touching the CuAl interconnect is less than 10 atm.%.例文帳に追加

また、バリア層において、ＣｕＡｌ配線と接触するＣｕＡｌ接触バリア層は、窒素原子含有量が１０原子％未満である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an aluminum interconnect layer in which electron migration resistance and stress migration resistance can be enhanced.例文帳に追加

エレクトロマイグレーション耐性やストレスマイグレーション耐性の向上を図れるアルミニウム配線層を有する半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method which can stably restore conductive films such as interconnect lines in semiconductor devices such as display devices.例文帳に追加

表示装置などの半導体装置において、配線などの導電膜を安定的に修復することが可能な加工方法を提供する。 - 特許庁

To design a propagation delay shorter than a predetermined time in a circuit where the inter-cell distance is very short by setting the metal interconnect width in a cell less than an interconnect width for the maximum drive capacity Cmax to be allowed in design, thereby reducing the capacity in the cell.例文帳に追加

セル内のメタル配線幅を、設計上許容すべき最大駆動容量Ｃｍａｘ未満の配線幅に設定して、セル内の容量を削減し、セル相互間距離が非常に近い回路などにおいて伝播遅延を所定時間以下に設計することができるようにする。 - 特許庁

In the alignment method of a semiconductor device utilizing aluminium interconnect lines 30 on the uppermost layer of a semiconductor substrate 10 as an alignment pattern for trimming, thickness of an antireflection film 30a on the surface of the aluminium interconnect lines 30 is set in the range of 200-400 Å.例文帳に追加

半導体基板１０上の最上層のアルミニウム配線３０をトリミング用のアライメントパターンとして利用する半導体装置のアライメント方法において、上記アルミニウム配線３０の表面の反射防止膜３０ａの膜厚を２００Å〜４００Åとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents the generation of notch of an insulating layer in a via hole bottom formed in a semiconductor substrate, avoid a damage which may be caused in an interconnect layer under the via hole, and can reduce electric insulating deterioration and poor connection of the interconnect layer, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

半導体基板に形成される貫通孔底部での絶縁層のノッチの発生、貫通孔下の配線層へのダメージを抑制し、電気的絶縁性の低下や配線層の接続不良を低減できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In integrated circuits produced by etching and damascene techniques, it is common for cracking to occur in dielectric material surrounding an interconnect metal layer (400) integrated into the device, presumably as a result of the transfer of stresses from the interconnect metal layer to the surrounding dielectric material.例文帳に追加

エッチング及びダマシン法を用いて製造される集積回路においては、金属配線層から周囲の誘電体材料に応力が伝達されることによって、デバイスに組み込まれる配線層（４００）の周囲の誘電体材料にクラックが発生することが一般的である。 - 特許庁

As an etching stopper layer 25 being provided between interconnect line forming layers 24 (interlayer insulating film layers) or a hard mask layer 23 for protecting the surface of the interconnect line forming layers 24, a silica based coating being formed using coating liquid containing a hydrolysis product of trialkoxy silane is employed.例文帳に追加

配線形成層２４（層間絶縁膜層）間に設けられるエッチングストッパー層２５、または配線形成層２４表面を保護するためのハードマスク層２３として、トリアルコキシシランの加水分解生成物を含む塗布液を用いて形成されるシリカ系被膜を用いる。 - 特許庁

Also, a method for manufacturing the surface acoustic wave device 1 includes the steps of applying a resist R3 onto the IDT electrode 9 and the connection interconnect 13, and patterning the resist R3 to cover at least a portion connecting the IDT electrode 9 and the connection interconnect 13.例文帳に追加

また、本発明に係る弾性表面波装置１の製造方法は、ＩＤＴ電極９及び接続配線１３上にレジストＲ３を塗布し、ＩＤＴ電極９と接続配線１３との接続部分を少なくとも覆うようにレジストＲ３をパターニングする工程を含む。 - 特許庁

The wiring board is equipped with interconnect lines provided in an insulating film formed on a transparent board, board connection pads which are connected to the interconnect lines and provided on its surface as arranged in the same layout with the element connection pads of the semiconductor element and exposed, and a board alignment mark that is provided on its surface for alignment.例文帳に追加

配線基板は、透明基板上の絶縁膜内に設けられた配線と、配線に接続され、半導体素子の素子接続パッドと同じ配置で表面に露出して設けられた基板接続パッドと、表面に設けられた位置合わせ用の基板アライメントマークとを備える。 - 特許庁

In the process for manufacturing an imaging device provided with a frame-like base mound 1 of uniform thickness having an opening, interconnect lines attached to one surface thereof to extend outward from the opening side, and an image sensor mounted on the surface attached with the interconnect lines such that the light receiving region faces the opening.例文帳に追加

開口部を有する枠状で厚みが一様な基台と、その一方の面に開口部側から外側に亘って付設された配線と、受光領域が開口部に面するように配線の付設面に搭載された撮像素子とを備えた撮像装置の製法。 - 特許庁

A plurality of sets of transmission reception signal lines 14a, 14b are used to interconnect the bridge 18 and the 1 system hub 12 and the 2 system hub 13 in a star form and a set of transmission reception signal lines 19a, 19b are used to interconnect the bridge 18 and the terminals 11.例文帳に追加

ブリッジ装置１８と１系ハブ装置１２および２系ハブ装置１３との間はスター型に複数組の送受信信号線１４ａ、１４ｂで接続され、ブリッジ装置１８と端末１１との間は１組の送受信信号線１９ａ、１９ｂで接続される。 - 特許庁