「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(91ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a vibration isolation device in which attaines not only a manufacturing cost reduction but also a space-saving as well as an easy detachment brought about by thinning and flattening an abutting member.例文帳に追加

製造コストを低減するだけでなく、当接材を薄くフラット化することにより着脱を容易にすると共に省スペース化を達成する防振装置を得る。 - 特許庁

To provide a base isolation device capable of providing upper and lower plates and ball itself with friction damper function having constant coefficient of friction and preventing it from staggering at a central position and having a simple structure.例文帳に追加

上下皿やボール自体に摩擦係数一定の摩擦ダンパ機能を持たせ、さらに中心位置でのふらつきの無い構造が簡単な免震装置を提供。 - 特許庁

To provide foundation packing for a wooden building, which enables sufficient base isolation properties to be secured by increasing displacement, and which enables reconstruction after earthquakes by suppressing costs.例文帳に追加

変位量を増大することで十分な免震性を確保でき、しかもコストを抑制して地震後の復興も可能な木造建築用基礎パッキンを提供すること。 - 特許庁

A conductive film 9 as a semiconductor element, formed of the same material as that of the conductive film 9 as the floating gate electrode, is embedded in an element isolation part 6.例文帳に追加

そして、フローティングゲート電極としての導電膜９と同一材料の、半導体素子としての導電膜９が素子分離部分６に埋め込まれている。 - 特許庁

To provide a compact and highly integrated high-frequency switch device which improves the isolation between switches on a semiconductor chip, and an electronic device using the same.例文帳に追加

半導体チップ上に形成されたスイッチ間のアイソレーションを改善して、小型かつ高集積度の高周波スイッチ装置及び及びこれを用いた電子装置を提供する。 - 特許庁

The polysilicon resistive element 10 having terminal portions 11 and a resistance portion 12 formed between the terminal portions 11 is formed on the upper part of the element isolation-insulating film 3.例文帳に追加

この素子分離絶縁膜３上方には、端子部１１とこの端子１１間に形成された抵抗部１２とを備えたポリシリコン抵抗素子１０が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for reducing reference between the first wells by improving an isolation breakdown voltage between the first wells, and also to provide a method of manufacturing the device.例文帳に追加

第１ウェル間の分離耐圧を向上させ、第１ウェル間の基準を縮小することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The two gates may be each entirely disposed on the isolation structure or partially overlap a side portion of the middle region of the active area.例文帳に追加

これら２つのゲートの各々は、その全体がアイソレーション構造上に配置されてもよいし、部分的にアクティブ領域の中央領域の側方部分に重なってもよい。 - 特許庁

To provide an oscillation circuit module the output level and the frequency load stability of which are enhanced by ensuring isolation between a collector and a base of a transistor of a signal output section.例文帳に追加

信号出力部のトランジスタのコレクタ−ベース間のアイソレーションを確保して、出力レベルおよび周波数負荷安定度を高めた発振回路モジュールを構成する。 - 特許庁

An organic SOG film 13 is deposited on the surface of a silicon substrate 11 having an element isolation trench 12, and an impurity is then implanted thereto to form a denatured SOG film 13a.例文帳に追加

素子分離トレンチ１２を有するシリコン基板１１の表面に有機ＳＯＧ膜１３を堆積し、これに不純物を注入して改質ＳＯＧ膜１３ａとする。 - 特許庁

To provide an isolation damper pulley capable of reducing the weight and thickness of a rotation fluctuation absorbing rubber elastic body, and providing a low resonance frequency.例文帳に追加

回転変動吸収用ゴム弾性体の軽量化および薄肉化を図ることができると共に、低い共振周波数を得ることができるアイソレーションダンパプーリを提供する。 - 特許庁

To obtain a laminated transmission line cross chip being optimum for transmitting a high frequency signal, where isolation between transmission lines is sufficient without combination and impedance mismatching does not occur.例文帳に追加

伝送線路間のアイソレーションが十分で結合することなく、インピーダンス不整合の発生もない、高周波信号の伝送に最適な積層型伝送線路交差チップを得る。 - 特許庁

These first and second isolation valves 22 and 23 are connected to a merging line 19, which 19 is connected to a control rod drive line 15 and a reactor coolant purification system line 16.例文帳に追加

この第１および第２の隔離弁22，23は合流配管19に接続し、合流配管19は制御棒駆動ライン15と原子炉冷却材浄化系ライン16に接続する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a junction leakage due to silicidation is prevented by suppressing formation of a divot (depression) on an interface between an active region and a device isolation insulating film.例文帳に追加

半導体装置において、活性領域と素子分離絶縁膜の界面に形成されるディボット(窪み)を抑制して、シリサイド化による接合リークの発生を防止する。 - 特許庁

Thereby, the step between the fifth oxide film and the sixth oxide film is minimized, and generation of residue in a trench isolation part is prevented.例文帳に追加

これにより、第５酸化膜４と第６酸化膜２６との間の段差が可及的に少なくなり、トレンチアイソレーション部に残さが発生しないようにすることができる。 - 特許庁

To realize a switching circuit, requiring no high-speed analog arithmetic circuit with proper off-isolation characteristic at high frequency and an IC tester using it.例文帳に追加

高周波でのオフアイソレーション特性がよく、高速のアナログ加算回路を必要としないスイッチ回路及びこれを用いたＩＣテスタを実現することを目的にする。 - 特許庁

An isolation valve is closed when no gas is used for stopping flow rate measurement, thus reducing the battery capacity required for the electronic flow rate measurement section.例文帳に追加

ガス未使用時には遮断弁を閉じてしまい、流量計測を停止することによって、電子式流量計測部に必要な電池容量の削減を可能にする。 - 特許庁

The method also comprises the steps of thereafter removing the resist film 66, oxidizing the silicon layer 16, and forming a cross-shaped active region 82 partitioned by an isolation region 80.例文帳に追加

その後、レジスト膜６６を除去してシリコン単結晶層１６を酸化し、分離領域８０によって区画された十字状アクティブ領域８２を形成する。 - 特許庁

An STI element isolation layer 2 is formed on a semiconductor substrate 1, a gate oxide film 3 and a conductive film 4 are formed (a), the resulting laminate is subjected to a patterning process to form a gate electrode 5.例文帳に追加

半導体基板１上にＳＴＩ素子分離２を形成し、ゲート酸化膜３と導電膜４とを形成し（ａ）、これらをパターニングしてゲート電極５を形成する。 - 特許庁

The solid state imaging apparatus 1 comprises a photodiode 70, a power supply line Vcc, an overflow drain region 23 (33), an element isolation film 81, and a channel stop region 9.例文帳に追加

固体撮像装置１は、フォトダイオード７０と、電源線Ｖｃｃと、オーバーフロードレイン領域２３（３３）と、素子分離領膜８１と、チャネルストップ領域９とを備える。 - 特許庁

Further, the multiple SOI-Si layers 14 and 15 with properly different heights are formed after the device isolation region 13 with an even height has been formed on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

また、半導体基板に一様な高さの素子分離領域１３を形成してから複数の適宜に高さの異なるＳＯＩ−Ｓｉ層１４、１５を形成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that makes it possible to secure controllability of a width of an STI insulating layer for element isolation while controlling a depression in a trench.例文帳に追加

トレンチの窪みを抑制し、かつＳＴＩの素子分離のための絶縁層の幅の制御性を確保することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To realize a semiconductor device with a MISFET for high voltage, capable of also forming a push-pull circuit or the like on one chip by optimizing a junction isolation structure.例文帳に追加

接合分離構造の最適化によって、１チップ上にプッシュプル回路なども形成可能な高電圧用ＭＩＳＦＥＴを備える半導体装置を実現すること。 - 特許庁

To contribute to improvement in device characteristics by making it possible to set a resist size difference between an element formation region and an element isolation region during ion injection to be a desired value or below.例文帳に追加

イオン注入時における素子形成領域と素子分離領域とのレジスト寸法差を所望の値以下とすることができ、デバイス特性の改善に寄与する。 - 特許庁

To provide a base isolation device restricted in the amount of flexure to zero or a small value up to a predetermined load and exhibiting the base isolating effect to a certain value or more of load.例文帳に追加

所定の荷重まではたわみ量が無いか、あるいは、小さく、一定値以上の荷重に対しては免震作用を発揮させる免震装置を提供すること。 - 特許庁

Since the ONO film is separated completely in units of memory element cell, erroneous operation of the element due to interference between adjacent memory cells can be avoided at the time of isolation operation.例文帳に追加

ＯＮＯ膜がメモリ素子セル単位で完全に分離され、これにより、素子分離動作時隣接したメモリセルの間の干渉による素子誤動作を避けることができる。 - 特許庁

A surface layer on a side wall and a bottom surface of the recess 6 is provided with a p-type region 8, and the p^+-type isolation layer 11 and p-type collector region 7 are electrically connected.例文帳に追加

凹部６の側壁および底面の表面層には、ｐ型領域８が設けられており、ｐ^+型分離層１１とｐ型コレクタ領域７とを電気的に接続する。 - 特許庁

Since the power of a part giving no bad influence on productivity of the image forming apparatus is reduced, power consumption is reduced in isolation while maintaining the high processing speed.例文帳に追加

画像形成装置の生産性に悪影響を与えない箇所の電力が削減されるので、高い処理速度を維持しつつ孤立的に消費電力が削減される。 - 特許庁

To provide a method of forming a high-reliability element isolation structure capable of filling a field insulating film even in a narrow trench having a large aspect ratio without a failure.例文帳に追加

アスペクト比の大きな狭幅のトレンチ内にもフィールド絶縁膜を不良無く充填することが可能な、信頼性の高い素子分離構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

Since collector voltage of the power amplifier 102 in off state does not fall, deterioration in pass isolation of the power amplifier is reduced.例文帳に追加

この構成では、Ｖｃｃ制御時にも、オフ中の電力増幅器１０２のコレクタ電圧が低下しないので、電力増幅器の通過アイソレーションの悪化を軽減できる。 - 特許庁

In a p-type well 3 formed on a semiconductor substrate 100, an element isolation insulation film 4 is embedded in trenches 3 formed along the longitudinal direction of a bit line BL.例文帳に追加

半導体基板１００上に形成されるｐ型ウェル２には、ビット線ＢＬの長手方向に沿って形成されたトレンチ３に素子分離絶縁膜４が埋め込まれている。 - 特許庁

To suppress remaining of a High-k gate insulating film material and a gate electrode material at a periphery of an element isolation film even when an etching amount is made small.例文帳に追加

エッチング量を少なくしても素子分離膜の周辺にＨｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜材料やゲート電極材料が残ることを抑制できるようにする。 - 特許庁

The QoS function includes a service such as event sequencing, event-isolation, high-availability, event-filtering, or flow-control generally needed in a clustered event processing database system.例文帳に追加

ＱｏＳ機能は、クラスタ化されたイベント処理データベース・システムで一般に必要とされるイベント順序付け、イベント分離、高可用性、イベント・フィルタリング、フロー制御のようなサービスを含む。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device capable of significantly reducing mutual interference of heat between semiconductor optical components without cleaving a semiconductor substrate by an element isolation groove.例文帳に追加

半導体基板が素子分離溝で劈開されることなく、半導体光部品間の熱の相互干渉を大幅に低減する光半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with high reliability by surely checking an insulation quality of an isolation insulating film 3 of a semiconductor substrate 10 having an SOI structure, etc.例文帳に追加

ＳＯＩ構造等を有する半導体基板１０の分離絶縁膜３の絶縁性を確実にチェックすることにより、信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

Intermediate electrodes 4, which is made electrically floating, are provided in each of the element isolation, and vertical transfer electrodes 3 are provided in the vertical transfer regions 2.例文帳に追加

各素子分離上には電気的にフローティングとされた中間電極４が設けられ、また垂直転送領域２上には垂直転送電極３が設けられる。 - 特許庁

In the channel width direction D, the semiconductor device has a semiconductor region (silicon region 20) connecting the pair of diffusion regions 5 between the gate groove 4 and element isolation region 3.例文帳に追加

チャネル幅方向Ｄにおいて、ゲート溝４と素子分離領域３との間に、一対の拡散領域５を繋ぐ半導体領域（シリコン領域２０）を有している。 - 特許庁

On the semiconductor substrate 12, an isolation structure 70 and a lifetime control region 41 are formed between a diode drift region 28 and an IGBT drift region 50.例文帳に追加

半導体基板１２には、ダイオードドリフト領域２８とＩＧＢＴドリフト領域５０の間に、分離構造７０とライフタイム制御領域４１が形成されている。 - 特許庁

As the inorganic layered compound is not modified with an organic substance, the adhesive layer 4 hardly induces modification or the like by isolation of an organic substance, which prevents decrease in the adhesive force.例文帳に追加

無機層状化合物が有機物で修飾されていないため、有機物の遊離による粘着剤層４の変性等が生じにくく、粘着力が低下しにくい。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing composition accelerating removal of silicon oxide and silicon nitride used in the final process of a 3-process CMP-STI (Chemical Mechanical Polishing-Shallow Trench Isolation) method.例文帳に追加

３工程ＣＭＰ−ＳＴＩ法の最終工程で使用するための、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の両方の除去を促進するケミカルメカニカル研磨組成物を提供する。 - 特許庁

The solid-state imaging device has a floating diffusion region FD of the second conductivity type formed in a region isolated by the element isolation region 28 in the first semiconductor region.例文帳に追加

第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型のフローティングディフージョン領域ＦＤを有する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the circuit device, a first isolation trench 41 is formed on the surface of a conductive foil 40, and the conductive pattern to be formed is formed in a projected shape.例文帳に追加

本発明の回路装置の製造方法では、導電箔４０の表面に第1の分離溝４１を設けて、形成予定の導電パターンを凸状に形成する。 - 特許庁

To provide a micro relay in which the armature substrate is operated stably, spring constant can be freely established and the isolation characteristics to a pair of stationary contacts in the open condition is improved.例文帳に追加

アーマチュア基板を安定動作させ、ばね定数を自由に設定できるようにし、開状態の一対の固定接点に対するアイソレーション特性を良くする。 - 特許庁

To provide a transmitting and receiving circuit module which can perform high performance transmission and reception by surely preventing a deterioration in isolation and can be made compact.例文帳に追加

アイソレーションの劣化を確実に防いで高性能の送受信を行うことができ、モジュールの小型化も図ることのできる送受信回路モジュールを提供すること。 - 特許庁

To provide a base isolation device having a low device height and a simple constitution, and capable of widening an applicable vibration range.例文帳に追加

本発明は、免震装置に関し、適用できる振動範囲を広げると共に、簡単に構成できて、且つ、装置高さの低い免震装置を提供することが課題である。 - 特許庁