「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(89ページ目) - Weblio英語例文検索

A field region 15 surrounding the insulated isolation trench 13 is provided thereon with an electrode pad 16 electrically connected to the field region 15, an electrode pad 17 electrically connected to the element forming region 12a, and an electrode pad 19 electrically connected to buried polysilicon filled into the insulated isolation trench 13.例文帳に追加

絶縁分離トレンチ１３の周囲のフィールド領域１５上には、フィールド領域１５と電気的に接続された電極パッド１６、素子形成領域１２ａと電気的に接続された電極パッド１７並びに絶縁分離トレンチ１３内に充填された埋込ポリシリコンと電気的に接続された電極パッド１９が設けられる。 - 特許庁

After ion implantation is performed for an isolation region which isolates a plurality of elements of a semiconductor board 1, wherein a plurality of elements are formed, the semiconductor board 1 is subjected to heat treatment in non-oxidizing atmosphere of a first heat treatment temperature, and thereby the crystal defects is formed in an isolation region.例文帳に追加

複数の素子が形成される半導体基板１の複数の前記素子同士を分離する素子分離領域にイオン注入を行った後、半導体基板１を第１の熱処理温度の非酸化性雰囲気中で熱処理することにより前記素子分離領域に結晶欠陥を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving a gate breakdown voltage comparing to the conventional identically sized semiconductor device, reducing an area of element isolation region by making an element isolation layer the structure including no bird's beak to miniaturize the element, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

従来の同一サイズの半導体装置と比較してゲート耐圧を向上させるとともに、素子分離層をバーズビークを含まない構造とすることにより素子分割領域の面積を縮小し、素子の微細化を図ることができる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A void detector 1 has: a semiconductor substrate on which a plurality of activation regions 11 and a plurality of ditch-type element isolation regions 25 are alternately formed in a striped shape; a plurality of electrodes 41 connected to the surface of the ditch-type element isolation regions 25; and a plurality of interconnections 12a and 12b connected to each of the electrodes 41.例文帳に追加

ボイド検出装置１は、複数の活性化領域１１と、複数の溝型素子分離領域２５とが交互に縞状に形成された半導体基板と、溝型素子分離領域２５の表面に接続される複数の電極４１と、電極４１の各々に接続される複数の配線１２ａ及び１２ｂを備える。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a drain region 121, a P-type isolation region 13 working as a gate, and a source leadout layer 23 of a JFET via a channel region in which the P-type element isolation region 13 is reversely biased by a voltage applied to the drain region 121 and a depletion layer extends, and the JFET is formed.例文帳に追加

ドレイン領域１２１と、ゲートとして機能するＰ型分離領域１３とドレイン領域１２１に印加される電圧により、Ｐ型素子分離領域１３が逆バイアスされて空乏層が延びるチャネル領域を介して、ＪＦＥＴのソース引出層２３が配置され、ＪＦＥＴが形成される。 - 特許庁

To provide a construction method for a building floor capable of eliminating creeping-in work of worker to clearance between a foundation and a floor for removing timbering, and capable of forming a building in a base isolation type and an earthquake damping type by interposing a base isolation device and an earthquake damping device having a low height sliding bearing between the foundation and the floor.例文帳に追加

支保工を除去するための基礎と床との間の隙間への作業員のもぐり込み作業をなくし得、しかも、滑り支承等のその高さが低い免震装置、制震装置等を基礎と床との間に介在させて建物を免震化、制震化できる建物床の施工方法を提供すること。 - 特許庁

A plurality of N-type shallow well areas 14 and 14 which is independent from each other can be easily formed so that the N-type shallow well areas 14 and 14 in the both sides of isolation areas are separated by a P-type bottom separation area 18 formed in the vicinity of the bottom of a portion of the isolation area.例文帳に追加

一部の素子分離領域１６の底部近傍に形成したＰ型の底部分離領域１８によって、素子分離領域１６の両側のＮ型の浅いウェル領域１４，１４が分離されるから、互いに独立したＮ型の浅いウェル領域１４，１４を容易に複数形成することができる。 - 特許庁

This structure has a lower floor skeleton 3 composed of a rigid-frame skeleton having a shell 1d of a seismic response control damper 1a, a base isolation device including isolators 7a to 7g arranged just above columns 5a to 5g constituting the lower floor skeleton 3, and an upper floor skeleton 9 constituting the upper floor of a building above the base isolation device.例文帳に追加

制震ダンパー１ａ殻１ｄを有するラーメン骨組みからなる下階骨組３と、下階骨組３を構成する柱５ａ〜５ｇの直上に設置されたアイソレータ７ａ〜７ｇを含む免震装置と、該免震装置の上方にて建物の上階を構成する上階骨組９を備えてなる。 - 特許庁

To provide a deformation-quantity limiter for a base-isolation bearing device surely limiting a displacement in the horizontal direction of the base-isolation bearing device for a building in the case of an earthquake or the like within a fixed range or applying force in the restoration direction to the building and a building bearing structure adopting the limiter.例文帳に追加

地震時等における建物用免震支承装置の水平方向の変位を確実に所定範囲内に制限することができる、また、建物に復位方向に力を加えることができる免震支承装置用変形量制限装置と、これを採用した建物支承構造を提供する。 - 特許庁

The CAD data of a system or the like are stored in a large capacity storage device 5, and a facility whose isolation should be set is displayed at a display device 9 by using this, and the isolation setting of actual facilities 12,..., 17 is executed according to a setting input from a key input device 10 or the like based on this.例文帳に追加

系統のＣＡＤデータなどを大容量ストレージデバイス５に記憶しておき、これを用いて隔離設定すべき設備を表示デバイス９に表示させ、それに応じたキー入力デバイス１０などからの設定入力に応じて実際の設備１２，・・・，１７に対して隔離設定を行うものである。 - 特許庁

The semiconductor device includes gate electrode parts G21a-G21c formed over a P type diffusion region, an N type diffusion region, and an element isolation region, and arranged on a diffusion region; and a plurality of gate polysilicon films G20a-G20c having gate wiring parts G22a-G22c arranged on the element isolation region.例文帳に追加

半導体装置は、Ｐ型拡散領域，Ｎ型拡散領域及び素子分離領域に跨って形成され、拡散領域上に位置するゲート電極部Ｇ２１ａ〜Ｇ２１ｃと、素子分離領域上に位置するゲート配線部Ｇ２２ａ〜Ｇ２２ｃとを有する複数のゲートポリシリコン膜Ｇ２０ａ〜Ｇ２０ｃを備えている。 - 特許庁

In the method for manufacturing the semiconductor device having an element isolation structure of a shallow trench isolation system, after a trench 14 is formed on a surface of a silicon substrate 11; an inner surface 14a of the trench 14 is cleaned to remove a pollutant, and next a defective layer 15 of the inner surface 14a of the trench 14 is removed.例文帳に追加

シャロートレンチアイソレーション方式の素子分離構造を有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板１１の表面に溝１４を形成した後に、溝１４の内表面１４ａを洗浄して汚染物を除去し、次いで、溝１４の内表面１４ａの欠陥層１５を除去する。 - 特許庁

To either one of the upper structure 8 or the lower structure 9, the horizontal base isolation device 3 is fixed leaving a clearance with respect to the other, and a constraint member 4 locked on the horizontal base isolation device 3 during the relative horizontal displacement of the upper structure 8 with respect to the lower structure 9 to transmit a horizontal force is fixed to the other structure.例文帳に追加

上部構造８と下部構造９のいずれか一方に、他方との間にクリアランスを置いて水平免震装置３を固定し、他方に、下部構造９に対する上部構造８の相対的な水平変位時に水平免震装置３に係止し、水平力を伝達する拘束部材４を固定する。 - 特許庁

In this base-isolation structure 1, an upper structure 4 is constructed through a base isolation device 6 in the head of a foundation pile 5 driven in the ground 2, a space 8 for maintenance is formed only in the periphery of the foundation pile 5 between the upper structure 4 and the ground 2, and the spaces 8 for maintenance are connected to each other by a connecting passage 9.例文帳に追加

免震構造物１は、地盤２に打設された基礎杭５の頭部における免震装置６を介して上部構造４が構築され、該上部構造４と地盤２との間における基礎杭５の周囲にのみメンテナンス用空間８が形成され、該メンテナンス用空間８が連絡用通路９で連結されたものである。 - 特許庁

In a nonvolatile semiconductor memory device, a first element isolation insulating layer in a memory cell region is configured by embedding a first oxide film in a first element isolation groove in the memory cell region, and the top surface of the first oxide film exists between the top surface of a semiconductor substrate and the top surface of a first gate electrode.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、メモリセル領域の第１素子分離絶縁層が当該メモリセル領域の第１素子分離溝内に第１の酸化膜を埋め込んで構成され、第１の酸化膜の上面が半導体基板の上面と第１ゲート電極の上面との間に存在するように構成されている。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device having an air isolation structure comprises a step for removing sacrifice polymer from an air isolation structure precursor where the sacrifice polymer, produced by adding a vinyl based organic crosslinking agent to a polymer including a repetition unit of a cyclohexane based monomer, is arranged between metallizations.例文帳に追加

シクロヘキサジエン系単量体からなる繰り返し単位を含む重合体に、ビニル系有機架橋剤を加えて反応させて得られる犠牲ポリマーが、金属配線間に配置されたエアアイソレーション構造前駆体から、犠牲ポリマーを除去することからなるエアアイソレーション構造を有する半導体装置の製造法。 - 特許庁

To provide a method for synthetic reaction, by which an N-alkoxycarbonyl-tert-leucine is synthesized in a high reaction yield and a recovery method by which an isolation operation after the reaction is simplified and the N-alkoxycarbonyl-tert-leucine is obtained in a high yield after the isolation operation.例文帳に追加

高い反応収率でＮ−アルコキシカルボニル−ｔｅｒｔ−ロイシンを合成できる合成反応方法及び反応後の単離操作を簡略化することができると共に、単離操作後に高い取得収率でＮ−アルコキシカルボニル−ｔｅｒｔ−ロイシンを得ることが可能な回収方法を提供する。 - 特許庁

Between an upper structure 8 and a lower structure 9 divided vertically, the vertical base isolation devices 2 for absorbing the vertical vibration of the upper structure 8 with respect to the lower structure 9 and the horizontal base isolation device 3 for absorbing the horizontal vibration of the upper structure 8 with respect to the lower structure 9 are installed.例文帳に追加

上下に分離した上部構造８と下部構造９との間に、下部構造９に対する上部構造８の鉛直方向の振動を吸収する鉛直免震装置２と、下部構造９に対する上部構造８の水平方向の振動を吸収する水平免震装置３を設置する。 - 特許庁

The HDP oxide film 108 which is formed on a small area isolating active region 105, the large area active region 106 and the small area crowding active region 107 is polished and eliminated, and an insulating film 108a for isolation whose surface is flattened is formed only in the element isolation trench 104.例文帳に追加

その後、小面積孤立活性領域１０５、大面積活性領域１０６及び小面積密集活性領域１０７上に形成されているＨＤＰ酸化膜１０８を研磨除去して、素子分離溝１０４内のみに表面の平坦化された分離用絶縁膜１０８ａを形成する。 - 特許庁

In a sliding type vibration isolation apparatus having a sliding bearing arranged between a lower framework and an upper framework, at least one of the sliding faces of the sliding bearing generating the sliding in vibration isolation is made of the sliding face of a resin compound at least blending porous silica and lubricant.例文帳に追加

下部躯体と上部躯体との間に配設されるすべり支承を備えてなるすべり免震装置であって、上記すべり支承は、免震時にすべりを発生する摺動面の少なくとも一方が、多孔質シリカおよび潤滑剤を少なくとも配合した樹脂組成物の摺動面からなる。 - 特許庁

For the first and second base-isolation layers 26 and 27, each base-isolation support 25 is located on a predetermined imaginary arc drawn within an imaginary vertical plane, with the axis of each support oriented in a direction to pass through the point of intersection between a vertical axis passing through the center of the imaginary arc and the imaginary arc.例文帳に追加

そして、第一および第二の免震層２６，２７において、各免震支承２５を、仮想鉛直平面内に描かれる所定の仮想円弧上に位置するようにそれぞれ設け、かつ、その中心軸線が、仮想円弧の中心を通る鉛直軸と仮想円弧の交点を通るような向きに配置した。 - 特許庁

In the main control board, all space excepting arrangement space of electronic parts is made to be solid grounding, and at the same time, an isolation line ISO for isolating the solid grounding inside and outside a circuit board is provided excepting a current exit part EXT adjacent to the power supply connector CN2, and all connectors are arranged outside the isolation line.例文帳に追加

主制御基板は、電子部品の配置スペースを除く全てのスペースがベタアースとされる一方、電源コネクタＣＮ２に隣接する電流出口部ＥＸＴを除いて、ベアアースを回路基板の内外に分離する隔離ラインＩＳＯが設けられ、全てのコネクタが隔離ラインの外側に配置される。 - 特許庁

To achieve higher performance of base-isolation by controlling plastic deformation of rigid material layers 7 even though shearing strain of elastic material layers 6 is increased under a high load to a base-isolation device A composed of a laminate part 5 which is vertically laminated with the elastic material layers 6 and the rigid material layers 7 alternately.例文帳に追加

弾性材料層６と剛性材料層７とが上下方向に交互に積層された積層部５を備えた免震装置Ａに対して、高荷重下において弾性材料層６のせん断ひずみを大きくしても剛性材料層７の塑性変形を抑制して、より高性能化を図る。 - 特許庁

The magnetic layer contains a plurality of magnetic crystals isolated by an isolation phase made of a nonmagnetic material and having a large variance within ±10%, the magnetic crystal axes of the magnetic crystals are within 90±5° with respect to the surface of the substrate, and the wall surface of the isolation phase is rugged.例文帳に追加

前記磁性層は、非磁性体からなる隔離相により隔離され、大きさのバラツキが±１０％以内の複数の磁性結晶体を含み、前記磁性結晶体の磁気結晶軸は、前記基板表面に対して９０±５°以内であり、前記隔離相の壁面に凹凸を有することを特徴とする。 - 特許庁

A suitable method for forming the dopant region selectively formed along the sidewall of the isolation structure includes an externally diffusing process that the dopant material present in a material layer formed and doped along a selected portion of the isolation structure is driven into the substrate located beneath during annealing.例文帳に追加

分離構造体の側壁に沿って選択的に形成されたドーパント領域を形成するための、対応する方法は、分離構造体の選択された部分に沿って形成されドープされた材料層に存在するドーパント材料が、アニールの間に、下にある基板の中へ追いやられるという、外方拡散プロセスを含む。 - 特許庁

To provide an oil damper for a base isolation device capable of reinforcing and holding damping force when enormous earthquake beyond assumption occurs without using electric power and preventing occurrence of damage and breakage of an upper part building by suppressing relative displacement between a foundation and the upper part building within an allowable stroke of the base isolation device securely.例文帳に追加

電力を用いることなく、想定を超える巨大地震時に減衰力を増強するとともに保持し、基礎と上部建物との間の相対変位を免震装置の許容ストローク内に確実に抑制することで、上部建物の損傷や破損を防止できる免震装置用のオイルダンパを提供する。 - 特許庁

Then, a first conductive isolation diffusion area 4 which reaches the semiconductor substrate 1 from the front surface of the n^--type semiconductor layer 2 is formed, and an Al metal film 7 e.g. is formed in ohmic contact with the surface of the isolation diffusion area 4 to be electrically connected with the first electrode 5.例文帳に追加

そして、ｎ^−形半導体層２表面から半導体基板１に達する第１導電形アイソレーション拡散領域４が形成され、そのアイソレーション拡散領域４の表面にオーミック接触するように、たとえばＡｌ金属膜７が設けられることにより、第１電極５と電気的に接続している。 - 特許庁

To provide a silicon substrate achieving electrical isolation of a wide voltage region of 500 V or larger, in a manufacturing process allowing coexistence with STI and having an isolation structure for blocking the physical movement of metal to the depth of a through-electrode, while ensuring surface planarity and metal contamination gettering performance.例文帳に追加

表面平坦性と金属汚染ゲタリング機能を確保しながら、ＳＴＩと共存できる製造工程で５００Ｖ以上の広い電圧領域の電気的アイソレイションを実現するとともに、貫通電極全体の深さにいたる物理的な金属移動の阻止のためのアイソレイシヨン構造を有する。 - 特許庁

An element isolation oxide film 103 is formed on the surface of a semiconductor substrate 101, a silicon nitride film 104 is formed on the surface of the element isolation oxide film, an oxide film 108 is formed on the surface of the semiconductor substrate 101, and a process for etching the oxide film is included for forming an element.例文帳に追加

半導体基板１０１の表面に素子分離酸化膜１０３を形成し、かつ素子分離酸化膜の表面上にシリコン窒化膜１０４を形成した上で、半導体基板１０１の表面上に酸化膜１０８を形成し、かつ当該酸化膜をエッチングする工程を含んで素子を形成する。 - 特許庁

According to the three-core integrated connection box 1, a three-core integrated isolation case 6 is connected in a sealed state to the three-core integrated insulative connection unit 11 and an insulating oil 61 is injected into the three-core integrated isolation case 6 so that DC withstand voltage test is carried out on the CV cable 3.例文帳に追加

この３心一括型接続箱１は、３心一括遮蔽ケース６が３心一括絶縁接続ユニット１１に密封状態に接続され、３心一括遮蔽ケース６の内部に絶縁油６１が注入されることによって、ＣＶケーブル３に対してＤＣ耐電圧試験を行うことができる。 - 特許庁

Furthermore, one strut 1 is erected in the center of the construction 2 throughout the construction 2, and the seismic isolation device 3 can also be mounted between the vertically movable construction 2 and the strut 1, and it is preferable to mount, via the seismic isolation device 3, a slide member having a slider that slides along the strut 1.例文帳に追加

また１本の支柱１を建造物２の中央に貫通して立設させ、上下移動可能な建造物２と支柱１の間に免震装置３を取付けるものとしても良く、又、支柱１に沿って滑動する滑動体を有した滑動部材が、免震装置３を介して取付けられるのが好ましい。 - 特許庁

The boss body 2 includes a rotary shaft fixing part 20 which is made of metal and includes the rotary shaft insertion through hole 202 and a fixing screw insertion through hole 203, and a vibration isolation member fixing part 21 which is made of resin and includes a fixing surface 211 arranged with sifted in the axial direction from the fixing screw insertion through hole 203 and having the vibration isolation member 4 fixed thereon.例文帳に追加

ボス本体２は、金属製であって回転軸挿通孔２０２と固定ネジ挿通孔２０３とを有する回転軸固定部２０と、樹脂製であって固定ネジ挿通孔２０３に対して軸方向にずれて配置され防振部材４が固定される固定面２１１を有する防振部材固定部２１と、を有する。 - 特許庁

When shaking or vibration is large and the relative movement amount between the lower plate 104 and the upper plate 102 exceeds the elastic deformation range of the spherical body 110, the spherical body 110 rolls in the horizontal direction between the lower plate 104 and the upper plate 102, and displays a base isolation effect for absorbing the shaking as a rolling base isolation support.例文帳に追加

揺れや振動が大きく下部板１０４と上部板１０２との相対移動量が球体１１０の弾性変形範囲を越えると、球体１１０は下部板１０４と上部板１０２との間を水平方向に転がり、転がり免震支承として揺れを吸収する免震作用を発揮する。 - 特許庁

A vibration isolation part 26 abutting on a side of a casing 18 of the reduction gear 2 and a co-rotation preventing member 22 pressing the vibration isolation part 26 toward the side of the casing 18 and including a pressing part 25 fixed on the frame 3 are arranged between the side surface of the casing 18 of the reduction gear 2 and the upper surface of the frame 3.例文帳に追加

また、減速機２のケーシング１８の側面と架台３の上面との間に、減速機２のケーシング１８の側方に当接する防振部２６と、この防振部２６をケーシング１８の側方に向けて押圧すると共に、架台３に固定された押圧部２５とを有するつれ回り防止部材２２を配置する。 - 特許庁

To provide a fluid-sealed vibration control device having a new structure, which stably provides a desired vibration isolation effect by increasing the degree of freedom of design while downsizing it.例文帳に追加

コンパクト化が図られつつ、設計自由度が大きくされて、所期の防振効果が安定して得られる、新規な構造の流体封入式防振装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an SRAM where the characteristic variation of a MIS transistor caused by the stress of an element isolation area is suppressed, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離領域の応力によるＭＩＳトランジスタの特性変動を抑制したＳＲＡＭを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The non-sacrificial aerogel layer is positioned to provide at least one of thermal, electrical or acoustic isolation between the microfabricated thermal component and the base layer.例文帳に追加

非犠牲エーロゲル層は、微細加工の熱的素子と基層の間に、熱的絶縁、電気的絶縁、または音響絶縁のうち少なくとも１つをもたらすように配置される。 - 特許庁

The seismic isolation device 16 having the laminated rubber 20 and a sliding device 22 is provided between a lower structure 12 and a upper structure 14 which are relatively moved from each other.例文帳に追加

相対移動する下部構造物１２と上部構造物１４との間に、積層ゴム２０と滑り装置２２を有する免震装置１６が設けられている。 - 特許庁

Bases of the bipolar transistors 24, 25 are connected to the constant voltage generating circuit 61 via resistors 28, 29 so as to apply a bias voltage to the circuit 61 through the isolation from the power supply system of the circuit 61.例文帳に追加

バイポーラトランジスタ２４，２５のベースは、抵抗２８，２９を介して定電圧発生回路６１と接続され、電源系と分離してバイアス電圧が供給される。 - 特許庁

To provide a high-frequency switch unit with a built-in controller capable of improving a resistance against a surge without impairing low loss, high isolation and low distortion characteristics.例文帳に追加

低損失、高アイソレーション、及び低歪みの特性を損なうことなく、サージに対する耐性を向上できる、制御部内蔵型の高周波スイッチ装置を提供すること。 - 特許庁

The invention relates to the identification and isolation of new DNAs encoding the human Toll proteins PRO285, PRO286 and PRO358, and to methods and means for the recombinant production of these proteins.例文帳に追加

本発明は、ヒトトールたんぱく質PRO285、PRO286またはPRO358をコードする新規DNAの同定および単離、およびこれらのたんぱく質の組換え生産方法と手段に関する。 - 特許庁

An isolation terminal 5 of a power mixer 18 is connected to a DC output terminal 22 via a 1st filter 19, a rectifier circuit 20 and a 2nd filter 21.例文帳に追加

電力合成器１８のアイソレーション端子５には、第１のフィルタ１９，整流回路２０，第２のフィルタ２１を介して直流出力端子２２に接続する。 - 特許庁

To provide a high frequency module capable of realizing high isolation and a low loss by specifying a positional relation between the terminal arrangement of a high frequency switch and the terminal arrangement of the high frequency module.例文帳に追加

高周波スイッチの端子配置と、高周波モジュールの端子配置との位置関係を規定することにより、高アイソレーション化および低ロス化を実現する。 - 特許庁

To provide a high-frequency distribution circuit of a low cost capable of preventing the fluctuations of a received signal level and isolation deterioration due to the presence of the usage of output terminals.例文帳に追加

出力端子の使用の有無による受信信号レベルの変動やアイソレーション劣化を防止することが可能な低価格の高周波分配回路を提供する。 - 特許庁

The scintillators 6 are separated by an isolation plate 7, and a light reflection member/light-shielding member 8 is provided at both the ends in the longitudinal direction of the scintillators for composing a multiple element detector.例文帳に追加

シンチレータは隔離板７で分離し、シンチレータの長手方向の両端部に光反射部材兼遮光部材８を設けて多素子検出器を構成する。 - 特許庁