「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(93ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a base isolation device capable of being formed of a single- axis rail without using a double-axis rail and preventing a moment load from being applied to a guide block.例文帳に追加

２軸のレールを用いることなく、一軸のレールから免震装置を構成することができ、しかもガイドブロックにモーメント荷重が負荷されることのない免震装置を提供する。 - 特許庁

To provide an earthquake-resistant mechanism (a base isolation mechanism and a vibration damping mechanism) of a shuttle boom type container crane, capable of precisely improving earthquake-resistant performance in the shuttle boom type container crane.例文帳に追加

シャトルブーム式コンテナクレーンの耐震性能を的確に向上させることができるシャトルブーム式コンテナクレーンの耐震機構（免震機構・制振機構）を提供する。 - 特許庁

A high dielectric constant film 6 as a gate insulating film is formed extended from a first upper portion 1a onto a second active region 1b through an element isolation region 2.例文帳に追加

第１の活性領域１ａ上から素子分離領域２上を経て第２の活性領域１ｂ上まで、ゲート絶縁膜となる高誘電率膜６が形成されている。 - 特許庁

To provide a cylindrical nonaqueous electrolyte secondary battery having excellent charge and discharge cycle characteristics in which the occurrence of internal short circuit is suppressed by using an isolation layer including cellulose.例文帳に追加

セルロースを含む隔離層を用いて、内部短絡の発生が抑制された、優れた充放電サイクル特性を有する円筒型非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

An array of plural photodiodes 1 and vertical transfer regions 2 are formed alternately, with element isolation formed between the photodiodes 1 adjacent to each other in the vertical direction.例文帳に追加

複数のフォトダイオード１の列と垂直転送領域２が交互に形成され、垂直方向に互いに隣接するフォトダイオード１間には素子分離が形成される。 - 特許庁

The reaction vessel 1 is formed from a lower reaction vessel 2a, a lid 2b and an isolation member 9 for isolating the plurality of susceptors 4 from each other mounted on the lower surface of the lid 2b.例文帳に追加

反応容器１は下部反応容器２ａと蓋２ｂからなり、蓋２ｂの下面には複数のサセプタ４を互いに隔離する隔離部材９が取り付けられている。 - 特許庁

The control gate 125 is composed of a first polysilicon layer and formed on an isolation structure 115 and superimposed on an extending part of a floating gate 135b of the FG-PMOS 150b.例文帳に追加

制御ゲート１２５は、第１のポリシリコン層からなり、アイソレーション構造１１５上に形成され、ＦＧ−ＰＭＯＳ１５０ｂの浮遊ゲート１３５ｂの延伸部分と重畳する。 - 特許庁

To control leak current flowing through a substrate in formation of a contact hole in a boundary region between an active region and an element isolation region in the substrate.例文帳に追加

基板の内部であって、活性領域と素子分離領域との境界領域にコンタクトホールが形成された場合に、基板に流れるリーク電流を抑制できるようにする。 - 特許庁

A first oxide film 32 is deposited by a CVD method on an inner circumferential surface of the trench 31 for element isolation, and the active portion trench 35 is buried with the first oxide film 32.例文帳に追加

ＣＶＤ法により素子分離用トレンチ３１の内周面に第１酸化膜３２を堆積するとともに、活性部トレンチ３５を第１酸化膜３２で埋める。 - 特許庁

The transducers 50 may be mounted at housings 14, isolation valves 24, 26 and 28, fuel injectors, a pump assembly 16, fluid paths 13 and/or liquid flowmeters 40.例文帳に追加

トランスジューサ５０は、ハウジング１４、隔離弁２４、２６、２８、燃料噴射器、ポンプアッセンブリ１６、流体路１３、および／または液体流量計４０に装着されてよい。 - 特許庁

An SiO_2 isolation structure 185, whose refractive index is lower than that of the ITO clad structure 180, is formed so as to face each other, sandwiching the ITO upper cladding structure 180.例文帳に追加

ＩＴＯ上部クラッド構造１８０を挟んで屈折率がＩＴＯ上部クラッド構造１８０より低いＳｉＯ_２絶縁構造１８５が、向かい合うように形成される。 - 特許庁

As for the toner T, the isolation ratio of the base particle is set to be ≤15%, and the roundness of the fine base particle whose particle diameter is 1.5 to 2.5 μm is set to be 0.85 to 0.95.例文帳に追加

トナーＴは、母粒子遊離率が１５％以下に設定され、また粒径１.５〜２.５μｍの微小粒子の母粒子１８の円形度が０.８５〜０.９５に設定される。 - 特許庁

To provide a brake device capable of being used for preventing erroneous transfer in the transfer of a heavy article, and capable of being used as a free vibration generator of a base isolation device.例文帳に追加

重量物移動時の逸送防止用として、また、免震装置の自由振動発生装置用として利用することができるブレーキ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a installation method for a packing which can be easily installed in a short time and has vibration isolation and compression resistance.例文帳に追加

本発明は作業が容易かつ、短時間で行えると共に、防振性と抗圧縮性を兼ね備えたパッキングの敷設方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To efficiently transfer a signal charge without affected by potential of an element isolation region even when a pixel is miniaturized and a gate width of a transfer gate is reduced.例文帳に追加

本発明は、画素を微細化してトランスファゲートのゲート幅が縮小されても、素子分離領域の電位の影響を受けずに信号電荷を転送することを特徴とする。 - 特許庁

This vibration isolation material isolates the driving shaft housing from vibration moved in a radial, axial, or torsion movement without using any intermediate components.例文帳に追加

この振動絶縁材料は、中間構成部材を用いることなく、半径方向、軸方向及びねじれ方向に運動する振動から駆動軸ハウジングを絶縁する。 - 特許庁

This elevator device is installed in the building of the intermediate base isolation structure constituted of the low-rise part 2 and the high-rise part 1 installed on the high-rise part 1 via a base isolator 3.例文帳に追加

低層部２と、高層部１に免震装置３を介して設置された高層部１とからなる中間免震構造の建造物内に、エレベーター装置が設置されている。 - 特許庁

An element isolation structure 11 is formed on a silicon wafer 10, a dummy gate oxide film and a dummy gate are formed in an active region, and the entire surface of the wafer is covered with a thin silicon nitride film 31.例文帳に追加

シリコンウェハ10上に素子分離構造11を形成し、活性領域にダミーゲート酸化膜およびダミーゲートを形成し、ウエハ全面を薄い窒化シリコン膜31で覆う。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus that decides an image area with high precision even at an end part of an image when deciding the image area according to a calculated isolation quantity.例文帳に追加

算出された孤立量に基づいて像域判定を行うにあたり、画像の端部においても高い精度の像域判定を実現することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a lock device for a seismic isolation component capable of offering an excellent operation reliability and a sufficient lock state while utilizing the advantages of a granular body chamber type lock device.例文帳に追加

粒状体チャンバ式のロック装置の長所を活かしたまま、動作信頼性に優れ、充分なロック状態を得ることができる免震建物のロック装置を得ること。 - 特許庁

In the surface of the filler for isolation 31, an arrangement is made in such a manner that the end parts of the floating electrodes 5 that are adjacent in the gate width direction are separated from each other.例文帳に追加

分離用充填材３１の表面において、ゲート幅方向に隣接する浮遊電極５の端部のそれぞれが互いに離間するように配置される。 - 特許庁

Load of the upper structure 15 is transferred on the ground 19 side through a foundation beam 16 of the upper structure 15, the base isolation device 11, the holder 7, the upper pile 3 and the lower pile 2.例文帳に追加

上部構造１５の荷重は、上部構造１５の基礎梁１６、免震装置１１、架台７、上杭３、及び下杭２を介して地盤１９側に伝達される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and its manufacturing method, in which proper isolation can be ensured between an upper line and a contact hole, even if the distance between the contact holes is decreased.例文帳に追加

コンタクトホール間の距離が縮小しても良好な上部配線およびコンタクトホールの分離ができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Vibration isolation devices 13, 13... are arranged among foundation sections 9, 9... under lowermost floors 8, 8... in the lower section of both end sections of the party walls 9, 9... in a lowermost floor and ground foundations 12, 12....例文帳に追加

更に、免震装置１３，１３…を最下階の該戸境壁３，３…の両端部の下方で最下階床８，８…下の基礎部９，９…と地盤基礎１２，１２…との間に配設する。 - 特許庁

To provide a radar system capable of attaining high isolation and a low electric power consumption, even when used, for example, in a high frequency such as a microwave band and a millimeter wave band.例文帳に追加

例えば、マイクロ波帯やミリ波帯などの高周波で使用されても、高アイソレーション、および低消費電力を実現することができるレーダ装置を提供する。 - 特許庁

A gate insulating film 13 and a gate electrode 14 are formed on an active region which is partitioned by an element isolation region 12 formed on a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１に形成された素子分離領域１２によって区画された活性領域上にゲート絶縁膜１３及びゲート電極１４が形成されている。 - 特許庁

Since both the adjacent external electrodes, 14a, 14c and 14b, 14d ends up being covered with respective insulators, respective creeping distances become infinite, and the transformer functions as a satisfactory isolation transformer.例文帳に追加

外部電極１４ａ，１４ｃ間、１４ｂ，１４ｄ間は絶縁物で覆われることになり、各沿面距離は無限大となり、良好な絶縁トランスとして機能する。 - 特許庁

The structure consists of a Ge absorbing layer on a thin SOI substrate, and utilizes isolation regions, alternating n- and p-type contacts, and low-resistance surface electrodes.例文帳に追加

本構造は、薄いＳＯＩ基板の上のＧｅ吸収層から成り、分離領域、交互になるｎ型およびｐ型コンタクト、および低抵抗表面電極を利用する。 - 特許庁

To miniaturize a picture element cell in a solid-state imaging device with trench isolation without decreasing saturation and sensitivity characteristics of an imaging element while avoiding leakage current.例文帳に追加

トレンチ分離を有する固体撮像装置において、リーク電流を避けながら撮像画素の飽和特性や感度特性を低下させることなく、画素セルを微細化すること。 - 特許庁

The cylindrical nonaqueous electrolyte secondary battery comprises a pair of electrodes 5, 6 and a group of electrodes wound by a laminate including an isolation layer 7 arranged between the pair of electrodes.例文帳に追加

一対の電極５，６、および一対の電極の間に配された隔離層７からなる積層体を捲回した電極群を備えた円筒型非水電解質二次電池。 - 特許庁

To suppress cracking in an element isolation region as a layer under a metal wiring to be removed by laser trimming in a semiconductor device having the metal wiring.例文帳に追加

レーザートリミングによって除去される金属配線を有した半導体装置において、金属配線の下層の素子分離領域においてクラックの発生を抑止する。 - 特許庁

To provide an elastomer composition excellent in workability and used for manufacturing a plug in a base isolation structure having sufficient damping performance, displacement follow-up capability and the like.例文帳に追加

十分な減衰性能、変位追従性等を有する免震構造体用プラグの作製に用いられる、加工性が良好なエラストマー組成物を提供する。 - 特許庁

A protection layer 9 is formed at the end on the side of the element isolation insulating film in the source drain layer 8 so as to prevent the formation of an alloy layer at the end thereof.例文帳に追加

ソース・ドレイン層８における素子分離絶縁膜２側の端部には、当該端部における合金層の形成を防止する保護層９が形成されている。 - 特許庁

To provide a base isolation structure of a building capable of coping with the enormous kinetic energy of an earthquake and causing the building to restore its original position after the earthquake ceases.例文帳に追加

地震の巨大な運動エネルギーにも対応可能で、地震が止った後には元の位置に自動的に回復することが可能な建築物の免震構造を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a wide trench isolation region is formed which does not hollow the silicon substrate, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

広幅トレンチ分離帯を形成しても、シリコン基板のえぐれが生じないトレンチ分離帯を形成する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a base isolation type rail clamp device capable of safely absorbing external force vibration in a rail extension direction even if a work machine is in a runaway prevention state.例文帳に追加

作業機械が逸走防止状態にあっても、レールの延在方向の外力振動を安全に吸収することができる免振型レールクランプ装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a wavelength multiplexed light coupler which has high isolation while reducing reflection loss of incident light and is small in size and inexpensive, and to provide a manufacturing method of the wavelength multiplexed light coupler.例文帳に追加

入射光の反射損失を低減しつつ高いアイソレーションを有し、かつ小型で安価な波長多重光カプラおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The upper end part of a temporary receiving jack disposed around the column or the base on which the base isolation device is installed is abutted on a beam on a right above floor positioned right above the jack.例文帳に追加

免震装置を設置する柱又は基礎の周辺に配置した仮受けジャッキの上端部を、その直上に位置する直上階の梁に当接させる。 - 特許庁

An inductor 9 and switches 5-8 are arranged and a capacity component at the time of turning off the switches 1-4 and the inductor 9 are resonated in parallel to improve isolation characteristics.例文帳に追加

インダクタ９とスイッチ５〜８を配置し、スイッチ１〜４のオフ時の容量成分とインダクタ９とを並列共振させることによってアイソレーション特性を高める。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method which can reduce crystal defects, etc. occurring from an element isolation region, and also to provide a semiconductor device manufactured by the same.例文帳に追加

素子分離領域から発生する結晶欠陥等の発生を低減することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent characteristics in a non-volatile semiconductor memory device from being deteriorated by an electromagnetic wave incident on an element isolation area in a plasma process out of manufacturing processes.例文帳に追加

製造工程中のプラズマ工程において、素子分離領域に入射した電磁波が不揮発性半導体記憶装置の特性を劣化させるのを防止する。 - 特許庁

To provide a method for producing a (S)-5-substituted-5-hydroxy-3-oxopentanoate derivative by an industrially suitable simple method in a high optical purity and in a high isolation yield.例文帳に追加

高い光学純度及び高い単離収率で、工業的に好適な簡便な方法によって、(S)-5-置換-5-ヒドロキシ-3-オキソペンタン酸エステル誘導体の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a multi-frequency shared antenna, wherein the isolation between antenna elements at a low frequency band can be improved or adjusted so as to obtain the desired electrical characteristics.例文帳に追加

低周波帯域でのアンテナ素子間のアイソレーションを改善するかあるいは調整することができ、所望の電気特性が得られる多周波共用アンテナを提供する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is sectioned into a memory circuit 30 and a logic circuit 40 by an isolation film 2 and a level difference step 1a is formed in the memory circuit part 30.例文帳に追加

半導体基板１は素子分離絶縁膜２により記憶回路部３０と論理回路部４０に区画され、記憶回路部３０には段差部１ａが形成されている。 - 特許庁

HETEROGENEOUS COMPUTING SYSTEM INCLUDING SWITCH/NETWORK ADAPTER PORT INTERFACE UTILIZING LOAD REDUCED DUAL-INLINE-MEMORY MODULE (LR-DIMM) HAVING ISOLATION MEMORY BUFFER BUILT IN例文帳に追加

アイソレーションメモリバッファを組み込んだロードリデュースド・デュアル・インライン・メモリ・モジュール（ＬＲ−ＤＩＭＭ）を利用したスイッチ／ネットワークアダプタ・ポートインターフェースを含むヘテロジニアスコンピューティングシステム - 特許庁