「Memory Type」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a controller, in which matching of a nonvolatile memory with a relevant machine type can be confirmed, when mounting the controller a nonvolatile memory.例文帳に追加

制御装置内に不揮発性メモリーを実装しても該当機種と不揮発性メモリーが一致しているか否かを確認できるようにする。 - 特許庁

In memory assignment rule data 6, a memory assignment rule, using the parameter described in the profile data 4, is described for each network type.例文帳に追加

メモリ割付ルールデータ６には、ネットワーク種別ごとに、プロファイルデータ４に記述されているパラメータを用いたメモリ割付けルールが記述されている。 - 特許庁

A semiconductor memory device comprises: a plurality of memory cells; a plurality of bit lines; a plurality of word lines; and a controlling n-type transistor Tr1.例文帳に追加

半導体記憶装置は、複数のメモリセルと、複数のビット線と、複数のワード線と、制御用ｎ型トランジスタＴｒ１とを備えている。 - 特許庁

To sufficiently achieve both various characteristics of a memory cell transistor and a cut off characteristic of a select gate transistor in a NAND type flash memory.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおけるメモリセルトランジスタの様々な特性と選択ゲートトランジスタのカットオフ特性とを共に良好に実現する。 - 特許庁

To reduce the erroneous writing to a memory cell MC0 caused by an excessive boost voltage of a channel in a NAND type flash memory.例文帳に追加

本発明は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリにおいて、チャネルのブースト電圧過多によるメモリセルＭＣ０の誤書き込みを低減できるようにする。 - 特許庁

This digital camera 100' uses a memory card 56 to which a liquid crystal display element 10 constituting a display screen of memory type liquid crystal is stuck.例文帳に追加

メモリ性液晶を用いて表示画面を構成した液晶表示素子１０を貼着したメモリカード５６を使用するデジタルカメラ１００’。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory having MONOS-type memory cells using materials whose charge trapping efficiency is made as high as possible.例文帳に追加

電荷トラップ効率が可及的に高い材料を用いたＭＯＮＯＳ型メモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a static type semiconductor memory where a standby current is suppressed and replacement for relieving can be performed even if a fault occurs in the memory cell.例文帳に追加

欠陥メモリセルが発生しても、スタンバイ電流を抑制して置換救済が可能なスタティック型の半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a distributed memory type multiprocessor system capable of accelerating the execution speed of parallel loops and reducing a used memory amount.例文帳に追加

並列ループの実行速度を高速化できると共に、使用メモリ量を削減することができる分散メモリ型マルチプロセッサシステムを提供する。 - 特許庁

To perform data processing at a high speed by preventing useless memory read in the case of a cache error in a data processing system that adopts a write allocation type cache memory.例文帳に追加

ライトアロケート方式のキャッシュメモリを採用するデータ処理システムにおいて、キャッシュミス時の無駄なメモリリードを防ぎ、データ処理を高速に行う。 - 特許庁

A magnetic reluctance type memory is preferred for a nonvolatile memory from the standpoint of not causing a delay in the signal processing and the recording processing.例文帳に追加

なお、この不揮発性メモリとしては、信号処理や記録処理の遅延を生じさせない点から、磁気抵抗メモリを使用することが好ましい。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory integrated circuit in which sufficient read-out margin can be obtained by suppressing stress of a current driving type memory cell.例文帳に追加

電流駆動型メモリセルのストレスを抑えて、十分な読み出しマージンを得ることを可能とした半導体メモリ集積回路を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor memory which can hold storage data of ternary per one cell using a memory cell of one transistor one capacitor type.例文帳に追加

１トランジスタ１キャパシタ型のメモリセルを用いて、１セル当たり３値の記憶データを保持することが可能な半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory capable of writing data in a block erasure type nonvolatile memory at a low cost and efficiently at a high speed.例文帳に追加

ブロック消去型の不揮発性メモリへのデータ書き込みを低コストで効率よく高速に行うことができる半導体記憶装置を得る。 - 特許庁

SPUTTERING TARGET FOR PHASE CHANGE-TYPE MEMORY, FILM FOR PHASE CHANGE MEMORY FORMED BY USING THE TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE TARGET例文帳に追加

相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜並びに及び同ターゲットの製造方法 - 特許庁

To provide a memory interface circuit which can control memory devices which uses different type data strobe signals using the same LSIs.例文帳に追加

同一のＬＳＩを用いて、タイプの異なるデータストローブ信号を使用するメモリデバイスを制御することができるメモリインターフェース回路を提供する。 - 特許庁

To provide a memory device capable of managing a file with a hierarchical directory structure by use of a write-once type memory as a data storage medium.例文帳に追加

データ格納媒体としてライトワンス型メモリを用い、階層ディレクトリ構造でファイルの管理を行うことが可能なメモリ装置を提供する。 - 特許庁

To increase variation rate of bit line amplitude by reducing interference between bit lines at the time of read-out of memory cell data in a static type semiconductor memory.例文帳に追加

スタティック型半導体記憶装置においてメモリセルデータ読出時のビット線間干渉を低減し、ビット線振幅の変化速度を高速化する。 - 特許庁

A controller translates a source program by reading it from a card type flash memory, and stores the translated object program in the flash memory (S10-S30).例文帳に追加

制御装置はカード型フラッシュメモリからソースプログラムを読み込んで翻訳し、翻訳したオブジェクトプログラムをフラッシュメモリに格納する（Ｓ１０〜Ｓ３０）。 - 特許庁

A control unit 11 reads out an ID-3 tag recorded in a card type memory 12 or a USB (Universal Serial Bus) memory 13, and records the ID-3 tag into a hard disk device.例文帳に追加

制御部１１は、カード型メモリ１２又はＵＳＢメモリ１３に記録されているＩＤ３タグを読み出して、ハードディスク装置に記録する。 - 特許庁

A semiconductor memory device (31) includes a static type memory cell (MC), word lines (WL1 to WLm), and bit lines (BL1,/BL1 to BLn,/BLn).例文帳に追加

半導体記憶装置（３１）は、スタティック型のメモリセル（ＭＣ）と、ワード線（ＷＬ１〜ＷＬｍ）と、ビット線（ＢＬ１，／ＢＬ１〜ＢＬｎ，／ＢＬｎ）とを含む。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first transistor of a MONOS-type nonvolatile memory cell; and a second transistor for controlling or driving the memory cell.例文帳に追加

半導体装置は、ＭＯＮＯＳ型不揮発性記憶セルの第１のトランジスタと、記憶セルを制御または駆動するための第２のトランジスタを含む。 - 特許庁

A flicker decrease system for the random row access type imager has a memory connected to the imager and a controller connected to the memory and the imager.例文帳に追加

ランダム行アクセス式のイメージャ用のフリッカ減少システムは、イメージャに結合されたメモリと、メモリ及びイメージャに結合されたコントローラとを有する。 - 特許庁

An SIMD(single instruction multiple data stream) type processor 3 is provided with groups 211 and 212 of two-system skip registers, two-system input SAM (serial access memory) parts 221 and 222.例文帳に追加

ＳＩＭＤ型プロセッサ３は、２系統のスキップレジスタ群２１_1および２１_2と、２系統の入力ＳＡＭ（Serial Access Memory）部２２_1および２２_2を有している。 - 特許庁

To enable a memory unit to be viewed existence of it from the case outside in a data cartridge provided with the non contacting type memory unit in the inside of a case main body.例文帳に追加

ケース本体内に非接触型のメモリユニットを備えたデータカートリッジにおいて、ケース外部からメモリユニットの存在が目視できるようにする。 - 特許庁

To solve the problem that it takes time to replace an error block of a NAND-type flash memory, thereby hindering high-speed reading of data stored in the flash memory.例文帳に追加

NAND型フラッシュメモリのエラーブロックの代替え処理には時間がかかり、このフラッシュメモリが記憶するデータを高速に読み出す場合の妨げになる。 - 特許庁

A memory unit includes a system memory controller coupled to a plurality of memory clock oscillators and a plurality of respective voltage controllers, wherein each memory clock oscillator and respective voltage controller are coupled to a memory receptacle and thus provide a plurality of memory receptacles, each receptacle in the plurality of receptacles having a separate power boundary for operation of a memory type.例文帳に追加

メモリ・ユニットは、複数のメモリ・クロック発振器および複数のそれぞれの電圧コントローラに結合されたシステム・メモリ・コントローラを含み、各メモリ・クロック発振器およびそれぞれの電圧コントローラがメモリ・レセプタクルに結合され、したがって複数のメモリ・レセプタクルを提供し、複数のレセプタクル内の各レセプタクルはメモリ・タイプの動作に関する別々の電力境界を有する。 - 特許庁

When a USB memory 3 is inserted into a USB host I/F 16, a control part 11 reads a USB memory serial number from the USB memory 3 and reads the type of a deletion command from a command file stored in the USB memory 3.例文帳に追加

制御部１１は、ＵＳＢメモリ３がＵＳＢホストＩ／Ｆ１６に挿入されたときに、ＵＳＢメモリ３からＵＳＢメモリシリアル番号を読み取り、ＵＳＢメモリ３に格納されたコマンドファイルから消去コマンドの種別を読み取る。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory and a method of manufacturing the semiconductor memory which reduces a write/erase operating voltage for stack type memory cells to obtain a highly integrated memory cell structure and the reduction of power consumption.例文帳に追加

スタック型メモリセルの書き込み／消去動作電圧を低減し、これによりメモリセルの高集積化や消費電力低減を実現することが可能な半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rewritable non-volatile memory cell that is a type having a chance of inducing dielectric breakdown, which requires less space in the lateral direction, to provide a method of manufacturing the memory cell, and to provide a memory cell array having a plurality of such memory cells.例文帳に追加

絶縁破壊を誘発するタイプの書換え可能な不揮発性メモリセルにおいてラテラルな方向に場所を取らないもの、そして、そのようなメモリセルの製造方法、ならびに、そのようなメモリセルを多数有するメモリセルアレイを提供する。 - 特許庁

To provide a controller with a flash memory and a method of writing data to the flash memory which can enhance the writing efficiency of a CPU built-in type flash memory without using a memory region for writing management.例文帳に追加

メモリ領域を書込管理のために使用することなく、ＣＰＵ内蔵型のフラッシュメモリの書込みの効率化を図ることができる、フラッシュメモリを備えた制御装置及びフラッシュメモリへのデータ書込み方法を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor memory reproduction cassette as one embodiment of this invention has a connector which is connected detachably to a semiconductor memory such as a memory card and a reproducing circuit for the memory card in a cassette type housing in a magnetic tape shape.例文帳に追加

本発明の例示的一態様としての半導体メモリ再生カセットは、磁気テープ形状を有するカセット状筐体に、メモリ−カードなどの半導体メモリと着脱可能に接続するコネクタと、メモリカードの再生回路を有している。 - 特許庁

Insulating films 5 with charge storage layers 5b formed therein are formed between a memory gate electrode MG6n and a p-type well PW1 and between a control gate electrode CG4n and a memory gate electrode MG6n of a split-gate type nonvolatile memory.例文帳に追加

スプリットゲート型の不揮発性メモリのメモリゲート電極ＭＧ６ｎとｐ型ウエルＰＷ１との間および制御ゲート電極ＣＧ４ｎとメモリゲート電極ＭＧ６ｎとの間には、内部に電荷蓄積層５ｂを有する絶縁膜５が形成されている。 - 特許庁

Thereby, potential variation of a floating node at the time of holding data in a cross point type ferroelectric memory is prevented, while in an amplification type memory having a sense transistor Ts, timing control of data read-out operation from a memory cell can be simplified remarkably.例文帳に追加

これにより、クロスポイント型強誘電体メモリにおけるデータ保持時の浮遊ノードの電位変動を防ぐとともに、センストランジスタＴｓを有する増幅型のメモリにおいて、メモリセルからのデータ読出動作のタイミング制御を著しく簡略化させる。 - 特許庁

In this game ball lending machine and its system, when issue request information for the memory medium storing information about desired money is received, the desired money information is stored in a coin type memory medium not storing money information, and then, the coil type memory medium is issued.例文帳に追加

所望の金額情報が記憶された記憶媒体の発行希望情報を受領したときは貯留された金額情報が記憶されていないコイン型記憶媒体に所望の金額情報を記憶させてコイン型記憶媒体を発行する。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device, having memory cells, the memory cells are the same, a p-type channel MISFET and n-type channel MISFET constituting a memory cell constituted of a power feed portion to each formed well regions by a common cell topology.例文帳に追加

メモリセルを有する半導体集積回路装置において、メモリセルは同一であり、メモリセルを構成するｐチャネルＭＩＳＦＥＴとｎチャネルＭＩＳＦＥＴがそれぞれ形成されるウェル領域に対する給電部を共通セルトポロジーで構成する。 - 特許庁

The character ROM 187 is provided with a NAND type flash memory 187a and a NOR type ROM 187d, and while the image data and most of the program are stored in the NAND type flash memory 187a, a part of a boot program is stored in the NOR type ROM 187d.例文帳に追加

キャラクタＲＯＭ１８７には、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８７ａ及びＮＯＲ型ＲＯＭ１８７ｄが設けられており、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ１８７ａに画像データと大部分のプログラムとが記憶されているのに対し、ＮＯＲ型ＲＯＭ１８７ｄにブートプログラムの一部が記憶されている。 - 特許庁

A first memory cell provided with a first selection transistor and a first memory capacitor and a second memory cell provided with a second selection transistor and a second memory capacitor are provided, the first selection transistor is an n-type channel transistor, the second selection transistor is a p-type transistor, and the memory cell is formed in an SOI board having an insulation layer.例文帳に追加

第１の選択トランジスタと第１のメモリキャパシタを備えた第１のメモリセルと、第２の選択トランジスタと第２のメモリキャパシタを備えた第２のメモリセルを設け、前記第１の選択トランジスタはｎ形チャネルトランジスタであり、前記第２の選択トランジスタはｐ形チャネルトランジスタであり、前記メモリセルは、絶縁層を有したＳＯＩ基板内に形成する。 - 特許庁

Printing data or an address for storing the printing data is stored in a memory, based on whether the print job is a PUSH type one or a PULL type one, then, the availability of the memory is detected.例文帳に追加

印刷ジョブがＰＵＳＨ型の印刷ジョブかＰＵＬＬ型の印刷ジョブかに応じて、印刷データまたは印刷データが格納されるアドレスをメモリに格納し、メモリの空き容量を検出する。 - 特許庁

A memory cell of an AND type flash memory is composed of a selector gate, a floating gate, a control gate functioning as a word line WL and an n-type semiconductor region (source/drain) functioning as a local bit line BL.例文帳に追加

ＡＮＤ型フラッシュメモリのメモリセルは、選択ゲート、浮遊ゲート、ワード線ＷＬとして機能する制御ゲート、ローカルビット線ＢＬとして機能するｎ型半導体領域（ソース、ドレイン）で構成されている。 - 特許庁

After an n-type semiconductor region 6 is formed on the principal surface of a semiconductor substrate 1Sub, a memory gate electrode MG and the charge accumulation layer CSL of a split-gate type memory cell are formed thereon.例文帳に追加

半導体基板１Ｓｕｂの主面にｎ型の半導体領域６を形成した後、その上にスプリットゲート型のメモリセルのメモリゲート電極ＭＧおよび電荷蓄積層ＣＳＬを形成する。 - 特許庁

To provide an information display system, especially a digital camera, capable of automatically repairing the display disturbance of a display means composed of a memory type liquid crystal and sufficiently utilizing the property of a memory type display means.例文帳に追加

メモリ性液晶からなる表示手段の表示乱れを自動的修復でき、メモリ性表示手段の特質を十分に活かすことのできる情報表示システム、特にデジタルカメラを得る。 - 特許庁

The peripheral circuit forming area 7 can be shared by being electrically connected to both the NOR-type flash memory formation area 2 and DINOR-type flash memory formation area 3.例文帳に追加

周辺回路形成領域７はＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域２及びＤＩＮＯＲ型フラッシュメモリ形成領域３双方に電気的に接続されることにより共有可能である。 - 特許庁

To provide a device and a method for controlling a flash memory for updating flash memory control information stored in a predetermined volatile memory every time when the type of the flash memory is changed and using the updated control information to control the changed flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリを制御する装置および方法に関し、所定の揮発性メモリに格納されたフラッシュメモリの制御情報をフラッシュメモリの種類が変わる毎に更新し、更新された制御情報を用いて変更されたフラッシュメモリを制御するフラッシュメモリを制御する装置および方法を提供する。 - 特許庁

A memory cell comprises a ferroelectric gate type dual-gate thin-film transistor, wherein a thin transistor is provided on both surfaces of a ferroelectric thin film 1, a plurality of the memory cells are connected in series to constitute a memory block, and a plurality of memory blocks are arranged to form a memory cell array.例文帳に追加

強誘電体薄膜１の両面に薄膜トランジスタを設けた強誘電体ゲート型デュアルゲート薄膜トランジスタによりメモリセルを構成し、このメモリセルを複数個直列接続してメモリブロックを構成し、このメモリブロックを複数個配置してメモリセルアレイを構成する。 - 特許庁