「P elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

As the solid solution elements other than N, He, Li, B, C, O, Ne, Mg, P, S, Ar, Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Zr, Nb, Mo, Sn, Hf, Ta and W are given.例文帳に追加

Ｎ以外の固溶元素としては、Ｈｅ，Ｌｉ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎｅ，Ｍｇ，Ｐ，Ｓ，Ａｒ，Ｔｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｔａ，及びＷがある。 - 特許庁

The treatment elements 7 are provided to make the shoulder parts of the seated person P moved upward by the air bags 3a, 3b hit the treatment elements 7 from below.例文帳に追加

施療子７は、上腿マッサージ用空気袋３ａ，３ｂにより上方に移動される着座者Ｐの肩部が下側から押し当たるように設けられている。 - 特許庁

Switching elements Q2, Q4, Q5, Q6 consist of the enhancement type N-channel FETs, and switching elements Q1, Q3 consist of the enhancement type P-channel FETs.例文帳に追加

スイッチング素子Ｑ２、Ｑ４、Ｑ５、Ｑ６はエンハンスメント型のＮチャンネルＦＥＴから成り、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ３はエンハンスメント型のＰチャンネルＦＥＴから成る。 - 特許庁

If the number of gradations displayable for every pixel is 2p, the n and the p are related by n+1=2p, and n pieces of display elements are classified into p groups and the 2i-1 display elements are assigned to an i-th group (1≤i≤p).例文帳に追加

１画素あたり表示可能な階調数が２^ｐ階調であるとき、前記ｎと前記ｐはｎ＋１＝２^ｐの関係にあり、前記ｎ個の表示素子はｐ個のグループに分類されていて、ｉ（１≦ｉ≦ｐ）番目のグループには２^ｉ^−１個の表示素子を割り当てる。 - 特許庁

Also, the coil springs 15 maintain the contact state of ends on the high-temperature side of the n-type thermoelectric power generation elements N or p-type thermoelectric power generation elements P, by displacing the points of application on which their pressing force is exerted in the direction of pressing.例文帳に追加

そして、コイルばね１５は、押圧力を作用させる作用点が押圧方向に変位することでｎ型熱電発電素子Ｎやｐ型熱電発電素子Ｐの高温側端部の接触状態を維持する。 - 特許庁

The n-side and p-side bumps 23 and 24 are gold-plated bumps and the LED elements 13 are parallel-connected to each other.例文帳に追加

このときｎ側及びｐ側バンプ２３，２４は金メッキバンプであり、各ＬＥＤ素子１３は並列接続する。 - 特許庁

A preferable system has n- and p-type thermoelectric elements each connected to a common conduction region.例文帳に追加

好ましいシステムは、ｎ型およびｐ型熱電素子を有し、それぞれが共通の伝導区域に接続している。 - 特許庁

Each time the pattern of pulses emitted from three Hall elements P, O, G changes, a reference signal is transmitted.例文帳に追加

３個のホール素子Ｐ，Ｏ，Ｇから発せられるパルスのパターンが変化するごとに、基準信号が発せられる。 - 特許庁

The p-channelMOS transistor 30 is separated from other elements by trench separation of trenches 6.例文帳に追加

このｐ−ｃｈＭＯＳトランジスタ３０は、溝６によるトレンチ分離により他の素子から電気的に分離されている。 - 特許庁

Further, the respective pitch elements 12 have at least one spike hole 13 capable of carrying a spike pin P, respectively.例文帳に追加

しかも各基準ピッチ要素１２は、スパイクピンＰを装着可能なスパイクホール１３を少なくとも１つ具える。 - 特許庁

This chromium steel contains C, Si, Mn, P, Cr, Al and Nb, and the balance Fe with inevitable impurity elements.例文帳に追加

Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｐ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ、を含有し、残部Ｆｅ並びに不可避的不純物元素からなるクロム鋼。 - 特許庁

A resistance circuit includes resistive elements R1, TR, and R2 comprising a p-type diffusion layer formed in an n-type layer.例文帳に追加

抵抗回路は、Ｎ型層に形成されたＰ型拡散層からなる抵抗素子Ｒ１，ＴＲ，Ｒ２を含む。 - 特許庁

A plurality of transistor elements connected in parallel with each other are formed on a p-type substrate 8, and a well contact 1 is configured of a p-type diffusion layer so as to surround them.例文帳に追加

互いに並列接続された複数のトランジスタ素子をＰ型基板８上に形成し、これらを取り囲むようにウェルコンタクト１をＰ型拡散層により構成する。 - 特許庁

Light emitted from a display device 101 is p-polarized light, and transmission holographic optical elements 104, 105 have diffraction efficiency with respect to these p-polarized lights, respectively.例文帳に追加

表示素子１０１からの射出光はｐ偏光であり、透過型ホログラフィック光学素子１０４，１０５は夫々このｐ偏光に対して回折効率を有する。 - 特許庁

To provide a forming method of p-type group III nitride semiconductor regions and group III nitride semiconductor elements which is performed by activating p-type dopants present in group III nitride semiconductor regions.例文帳に追加

III族窒化物半導体領域中のｐ型ドーパントを活性化するｐ型のIII族窒化物半導体領域を形成する方法、および半導体素子を提供する。 - 特許庁

A plurality of P-type and N-type thermoelectric conversion elements 5 (5a, 5b) are connected via a solder 9 and an electrode 2 to form a circuit of the thermoelectric conversion elements 5 (5a, 5b).例文帳に追加

Ｐ型とＮ型の熱電変換素子５（５ａ，５ｂ）を、互いに半田９と電極２を介して複数接続して熱電変換素子５（５ａ，５ｂ）の回路を形成する。 - 特許庁

Moreover, a horizontal azimuth of the obstruction P is found by the phase difference between received signals at the elements A, B, and a vertical azimuth is found by the phase difference between signals at the elements A, C.例文帳に追加

また、受信信号の素子Ａ，Ｂにおける位相差によって障害物Ｐの水平方位を求め、素子Ａ，Ｃにおける位相差によって垂直方位を求める。 - 特許庁

Assuming that output voltages of the Hall elements 1-n are V_1-V_n, and that output voltages of the Hall elements 1'-n' are V'_1-V'_n, the position P' of the magnet 9 for the Hall element is determined from equation: P'=F(V_1-V'_1, V_2-V'_2, etc, V_n-V'_n).例文帳に追加

ホール素子用磁石９の位置Ｐ’は、ホール素子１〜ｎの出力電圧Ｖ_１〜Ｖ_ｎ、ホール素子１’〜ｎ’の出力電圧をＶ’_１〜Ｖ’_ｎとすると、Ｐ’＝Ｆ（Ｖ_１−Ｖ’_１，Ｖ_２−Ｖ’_２，・・・，Ｖ_ｎ−Ｖ’_ｎ）より求まる。 - 特許庁

A motion element 11 is constructed by using a rod type shape memory alloy and a plurality of P-type Peltier elements and N-type Peltier elements serving as thermoelectric conversion elements arranged in the longitudinal direction of the shape memory alloy.例文帳に追加

運動素子１１は棒状の形状記憶合金と、この形状記憶合金の長手方向に複数個配置された熱電変換素子としてのＰ型ペルチェ素子とＮ型ペルチェ素子を用いて構成されている。 - 特許庁

The luminescence region 45 of the organic EL elements constituting the array of the organic EL elements 40, is characteristic in that the width M of each luminescent element in the direction where the elements are arrayed, is not less than 2.5 times the film thickness of an interlayer insulation layer, and not more than 83% of the array pitch P of the elements.例文帳に追加

有機ＥＬ素子アレイ４０を構成する有機ＥＬ素子の発光領域４５について、発光素子が並ぶ方向における幅Ｍを、層間絶縁層の膜厚の２．５倍以上であり、かつ、発光素子の配列ピッチＰの８３％以下とする。 - 特許庁

As the Li source, the Fe source, and the P source, the raw material is used in which remaining elements is C when elements which become gas or steam under a temperature of the reaction process are further taken out from residual elements when Li, Fe and PO_4 are taken out from constituting elements of the raw material.例文帳に追加

Ｌｉ源、Ｆｅ源及びＰ源としては、構成元素からＬｉ、Ｆｅ、及びＰＯ_4を差し引いた残りの元素から、反応工程の温度下においてガス又は蒸気となる元素をさらに差し引いた残りの元素がＣとなるような原料を用いる。 - 特許庁

It is also available to incorporate p saturation elements 51 having a fixed saturation value in a control compensator.例文帳に追加

また、飽和要素５１のように、固定の飽和値を持つｐ個の飽和要素５１を制御補償器内に設けてもよい。 - 特許庁

A signal is fed by using the vertexes of the first and second antenna elements 11 and 12 as a feeding point P.例文帳に追加

第１のアンテナ素子１１および第２のアンテナ素子１２の頂点を給電点Ｐとして信号を給電する。 - 特許庁

In Pelter elements 40, n-type semiconductors and p-type semiconductors are sandwiched and installed between quadrangular metal plates 41, 41.例文帳に追加

ペルチエ素子４０は四角形の金属板４１、４１の間に、ｎ形およびｐ形半導体が挟み設けられている。 - 特許庁

Thermo-elements 18, 19 are constituted by connecting a p-type thermo-element and an n-type thermo-element in series electrically.例文帳に追加

熱電素子１８，１９は、ｐ型熱電素子とｎ型熱電素子とが電気的に直列に接続されたものである。 - 特許庁

In the expressions, Me is at least one element selected from among elements belonging to groups 2A, 7A, 8, 1B and 2B; x, y, z, and w mean the molar ratios of Me, Al, P, and Si, respectively.例文帳に追加

また、ｘ，ｙ，ｚ，ｗは、Ｍｅ、Ａｌ、Ｐ及びＳｉの合計に対する、Ｍｅ，Ａｌ，Ｐ，Ｓｉそれぞれのモル比を示す。 - 特許庁

P-type diffusion regions 44 are formed on the surface of the substrate 21 below the respective circuit elements and serve as junction isolation.例文帳に追加

各回路素子の下部の基板２１表面にＰ型の拡散領域４４を形成し、接合分離の役割を果たす。 - 特許庁

An integrated circuit 1 includes a substrate of P-type semiconductor, and a plurality of circuit formation elements where a P-type semiconductor part of P-type semiconductor is interposed between adjoining N wells, locally including the N well.例文帳に追加

さらに、集積回路１は、Ｐ型半導体から成る基板と、Ｎウェルを一部に有し、隣接するＮウェルの間にＰ型半導体から成るＰ型半導体部が介在されて構成されている複数の回路形成素子とを備える。 - 特許庁

In the thermoelectric module comprising N type and P type thermoelectric elements, a titanium layer or a titanium alloy layer having a thickness of 10 μm or above is formed in at least one of the N type and P type thermoelectric elements.例文帳に追加

Ｎ型の熱電素子とＰ型の熱電素子とを備えた熱電モジュールにおいて、Ｎ型の熱電素子とＰ型の熱電素子との内の少なくとも一方に１０μｍ以上の厚さを有するチタン層又はチタン合金層が形成されている。 - 特許庁

In this calibration method for the pressure-sensitive sensor distribution-arranged with a plurality of pressure-sensitive elements, an approximation expression for expressing a relation between an output X and pressure P is determined based on an observed data of the output X to the pressure P, in every of the plurality of pressure-sensitive elements.例文帳に追加

複数個の感圧素子が分散配置された感圧センサのキャリブレーション方法であって、複数個の感圧素子ごとに、出力Ｘ対圧力Ｐの実測データに基づいて出力Ｘ対圧力Ｐの関係を表わす近似式を定める。 - 特許庁

The method for producing the p-xylylene-phenol resin comprises controlling the content of transition metal elements and typical metal elements in α, α'-dichloro-p-xylylene is controlled in a range of 10-0.01 ppm.例文帳に追加

α，α’−ジクロロ−ｐ−キシリレン中に含まれる遷移金属元素および典型金属元素の各元素の含有量を１０ｐｐｍ〜０．０１ｐｐｍに制御することを特徴とするｐ−フェニレン−フェノール樹脂の製造方法により解決される。 - 特許庁

The wavelength plate 10 is formed by using a plurality of wavelength plate elements each having the rugged periodical structure of λ/2<P<λ, determining the structural dimensions of each of wavelength plate elements 11 and 12 so as to increase the light transmittance and combining the wavelength plate elements with each other.例文帳に追加

この波長板１０は、λ/２＜Ｐ＜λの凹凸周期構造を有する波長板素子を複数枚用い、光透過率が高くなるように各波長板素子１１，１２の構造寸法を決定して組み合わせたものである。 - 特許庁

The thermoelectric module comprises a plurality of Peltier elements 20 comprising thermoelectric elements 21 composed of P-type semiconductor and thermoelectric elements 22 composed of N-type semiconductor arranged between a pair of multi-layer substrates 10 and 10 facing each other, and electrodes 13 and 14 formed on the facing surface of each substrate 10 and 10 in electrically connecting P, N, P, N, in series in this order.例文帳に追加

本発明の熱電モジュールは、相対向して配置された一対の多層基板１０，１０の間に複数個のＰ型半導体よりなる熱電素子２１とＮ型半導体よりなる熱電素子２２とからなるペルチェ素子２０が配置され、各基板１０，１０の対向面に形成された電極１３，１４によりＰ，Ｎ，Ｐ，Ｎの順に電気的に直列に接続されている。 - 特許庁

Further, without inclusion of resistor elements and capacitor elements, other elements such as, for example, transistor elements M1, M3, M2, etc., configure a means for notifying of the source voltage VDD having reached the value for operating the P-channel MOS transistor Mp and the N-channel MOS transistor Mn.例文帳に追加

また、抵抗素子および容量素子を含むことなく、それ以外の例えばトランジスタ素子Ｍ１，Ｍ３，Ｍ２等により、電源電圧ＶＤＤがＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐとＮチャネルＭＯＳトランジスタＭｎが動作可能となる値になったことを知らせる手段を構成する。 - 特許庁

Moreover, a means fo notifying that the supply voltage VDD has reached a sufficient value for operating the P-channel MOS transistor Mp and the N-channel MOS transistor Mn by other elements such as transistor elements M1, M3, M2, without resistive elements and capacitive elements.例文帳に追加

また、抵抗素子および容量素子を含むことなく、それ以外の例えばトランジスタ素子Ｍ１，Ｍ３，Ｍ２等により、電源電圧ＶＤＤがＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐとＮチャネルＭＯＳトランジスタＭｎが動作可能となる値になったことを知らせる手段を構成する。 - 特許庁

Further, without resistor elements and capacitor elements, with other elements such as transistor elements M1, M3, M2, etc., the divce constitutes a means for notifying that the power voltage VDD has reached to a sufficient value for operating a P-channel MOS transistor Mp and an N-channel MOS transistor Mn.例文帳に追加

また、抵抗素子および容量素子を含むことなく、それ以外の例えばトランジスタ素子Ｍ１，Ｍ３，Ｍ２等により、電源電圧ＶＤＤがＰチャネルＭＯＳトランジスタＭｐとＮチャネルＭＯＳトランジスタＭｎが動作可能となる値になったことを知らせる手段を構成する。 - 特許庁

The semiconductor elements S, S' are bonded to the insulating substrate P such that two or more semiconductor elements of the same kind are not mounted on the one insulating substrate P, and the area A of a surface of the second metal plate M2 which is opposed to the heat sink B is set to be 1 to 2.5 times as large as the overall area At of the semiconductor elements S, S'.例文帳に追加

半導体素子Ｓ，Ｓ′は、一枚の絶縁基板Ｐに対し同種の半導体素子が２個以上は搭載されないようにして、絶縁基板Ｐに接合され、第２金属板Ｍ２の放熱板Ｂとの対向面の面積Ａが、半導体素子Ｓ，Ｓ′の総面積Ａｔの１〜２．５倍に設定される。 - 特許庁

A thermoelectric element 1 is equipped with P-type elements 3 formed of P-type thermoelectric semiconductor material, N-type elements 4 formed of N-type thermoelectric semiconductor material, and boards 2B and 2A provided with metal electrodes 5 which are capable of forming PN junction pairs by joining pairs of the dissimilar elements 3 and 4 together.例文帳に追加

Ｐ型熱電半導体材料からなるＰ型エレメント３と、Ｎ型熱電半導体材料からなるＮ型エレメント４と、これらＰ型及びＮ型の異種エレメント３、４を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極５を有する基板２Ｂ、２Ａを備えた熱電素子１である。 - 特許庁

The thermoelectric element layer 41 is constituted as a skeleton type thermoelectric element made by bonding p-type elements and n-type elements with a soft layer, and is fixed to an inner face of the bellows 36.例文帳に追加

この熱電素子層４１は、ｐ型素子とｎ型素子とが柔軟層により拘束されたスケルトン型の熱電素子として構成されており、ベローズ３６の内側の面に固定されている。 - 特許庁

The correction circuit 42 corrects each gradation data P of the plurality of light emitting elements E by utilizing reference data R corresponding to the past correction gradation data Q of the light emitting elements E.例文帳に追加

補正回路４２は、複数の発光素子Ｅの各々の階調データＰを、当該発光素子Ｅの過去の補正階調データＱに対応した参照データＲを利用して補正する - 特許庁

Fine elements (P) are arranged at small intervals as the respective hologram elements (1A) to increase a diffraction spread angle θ of each diffracted beam, thereby making the view angle of the three-dimensional image large.例文帳に追加

各ホログラム要素（１Ａ）に微小素子（Ｐ）を小ピッチで配置すれば、各回折光の回折拡がり角度θは大きくなり、三次元画像の視野角を大きくすることができる。 - 特許庁

The additive contains one or more elements selected from Si, Al, P, Mg, Mn, Y, V, Mo, Co, Nb, Fe, and Cr.例文帳に追加

この添加物は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｎｂ、ＦｅおよびＣｒのうち一つ以上の元素を含んでいる。 - 特許庁

To prevent punch-through effect between elements, the p+ type punch-through preventing region 6 is also formed directly under an insulation separation layer 10.例文帳に追加

また、ｐ^＋ 型パンチスルー防止領域６は、素子間のパンチスルー防止のため、絶縁分離層１０の直下にも形成される。 - 特許庁

As an n-type oxide 2, ZnO is used and as the p-type oxide layer 4, NiO doping 1A base elements L1 is used.例文帳に追加

ｎ型酸化物２としてＺｎＯを、ｐ型酸化物層４として１Ａ族元素のＬｉをドープしたＮｉＯを用いている。 - 特許庁

A thermoelectric element comprises P type elements 3 made of a P type thermoelectric material, N type elements 4 made of an N type thermoelectric material, and two substrates 2 having metal electrodes 5 which can form pairs of PN junction by bonding these different kinds of element 3, 4 in pair.例文帳に追加

Ｐ型熱電材料からなるＰ型エレメント３と、Ｎ型熱電材料からなるＮ型エレメント４と、これら異種エレメント３、４を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極５を有する２枚の基板２等、から構成されている。 - 特許庁