「P elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of circuits in which discharge resistors Re1, Re2,... and switching elements So1, So2,... are connected in series are connected in parallel between a DC positive line P and a DC negative line N, and an overvoltage protecting operation and DC voltage control are performed.例文帳に追加

直流プラスラインＰと直流マイナスラインＮとの間に、放電抵抗Re1，Re2とスイッチング素子So1，So2，…とを直列に接続した回路を複数並列に接続し、過電圧保護動作及び直流電圧制御を行うようにした。 - 特許庁

As alloy components other than Fe, one or more elements chosen from 0.01-0.1 mass% P, 0.01-1.0 mass% Zn and 0.01-0.5 mass% Sn are added, either alone or in combination.例文帳に追加

合金成分として、前記Ｆｅの他さらに、Ｐ：０．０１〜０．１ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０１〜１．０ｍａｓｓ％、Ｓｎ：０．０１〜０．５ｍａｓｓ％の範囲で、これらの元素の一種以上を単独で、あるいは複合して添加することができる。 - 特許庁

A front end part of the element F on the insertion side of the elements A to F is taken as a measurement point P while the three-dimensional coordinates of two points, an end part and a joint part of the element A on the opposite side, are taken as known points P1 and P2.例文帳に追加

各測定要素Ａ〜Ｆにおける挿入側の測定要素Ｆの先端部を測定点Ｐとし、その反対側の測定要素Ａの端部及び継合部の２点の三次元座標を既知点Ｐ１，Ｐ２とする。 - 特許庁

In a tumor treatment equipment 1, an applicator 3 is brought into contact with a patient P and ultrasonic waves generated by a group 21 of piezoelectric elements driven by a high frequency power supply 9 are converged at the affected part R to heat the affected part R and cure a tumor.例文帳に追加

腫瘍治療装置１は、アプリケータ３を患者Ｐに接して、高周波電源装置９で駆動される圧電素子群２１から発せられる超音波を患部Ｒに収束させ、患部Ｒを加熱し腫瘍を治療する。 - 特許庁

The electronic component has at least a part of the functional elements 1 disposed in a sealed space K formed between one substrate P and the other substrate 1, and includes a sealing thin film 2 for maintaining the environment in the sealed space K.例文帳に追加

一方の基板Ｐと他方の基板１との間に形成された封止空間Ｋ内に少なくとも機能素子１の一部が配置された電子部品であって、封止空間Ｋ内の環境を維持するための封止薄膜２を備える。 - 特許庁

A compound semiconductor element comprises the compound semiconductor layer comprising at least Al as a main constituent element, the compound semiconductor layer comprising at least As and P as main constituent elements, and a compound semiconductor layer, i.e. an intermediate layer, partially or entirely comprising at least As and P with mixed crystal composition varying slantingly or stepwise.例文帳に追加

本発明によれば、主構成元素として少なくともＡｌを含む化合物半導体層と主構成元素として少なくともＡｓとＰを含む化合物半導体層の中間層として、その一部、或いは全部に少なくともＡｌとＰが用いられており、尚且つ、混晶組成が傾斜的、或いは段階的に変化している化合物半導体層を設ける。 - 特許庁

The isolation separation trenches are formed so that each element formation region forming the dual-face electrode element includes a p-conductivity type semiconductor region and an n-conductivity type semiconductor region forming the pn column region, and the dual-face electrode elements are formed to use the p- or n-conductivity type semiconductor region as a drift region.例文帳に追加

そして、両面電極素子を構成する各素子形成領域がｐｎコラム領域を構成するｐ導電型半導体領域とｎ導電型半導体領域を含むように絶縁分離トレンチを形成し、両面電極素子がｐ導電型半導体領域又はｎ導電型半導体領域をドリフト領域とするようにした。 - 特許庁

The method of manufacturing the titanium oxide photocatalyst comprises mixing a compound of formula TiX (wherein, X is at least one nonmetallic element selected from P, N, S_2 and C) with a titanium compound in a solvent and heating and crystallizing the mixture to obtain the titanium oxide photocatalyst and enables uniform doping of nonmetallic elements in the resultant titanium oxide photocatalyst.例文帳に追加

この発明に係る酸化チタン光触媒体の製造方法は、TiX（X=P、N、S_2、Cなど非金属元素）化合物をチタン化合物に溶媒中で混合して加熱結晶化して酸化チタン光触媒体を得る方法であり、この方法により、得られる酸化チタン光触媒体中に非金属元素を均一にドープすることができる。 - 特許庁

This nitride semiconductor light emitting device comprises: an n-type clad layer 120; an active layer 130 formed on the n-type clad layer; an electron blocking layer 140 which is formed on the active layer and consists of a p-type nitride semiconductor containing Group III transition elements; and a p-type clad layer 150 formed on the electron blocking layer.例文帳に追加

窒化物系半導体発光素子は、ｎ型クラッド層１２０と、前記ｎ型クラッド層上に形成された活性層１３０と、前記活性層上に形成され、第３族転移元素を含むｐ型窒化物半導体からなる電子遮断層１４０と、前記電子遮断層上に形成されたｐ型クラッド層１５０とを含む。 - 特許庁

A plurality of first electrodes corresponding to a plurality of light-emitting elements respectively are formed on an upper surface of the p-type nitride semiconductor layer, a first metal layer is formed so as to cover surfaces of the plurality of first electrodes and the p-type nitride semiconductor layer, and the first substrate and a second substrate are joined each other via a second metal layer formed on an upper surface of the second substrate.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体層の上面に、複数の発光素子のそれぞれに対応する複数の第１電極を形成し、複数の第１電極およびｐ型窒化物半導体層の表面を覆うように第１メタル層を形成し、第２基板の上面に形成された第２メタル層を介して、第１基板と第２基板を接合する。 - 特許庁

The respective elements of existent Latin square set to an array 10 for storing the Latin square are replaced with the element of replacement information P stored in the part 11, thereby obtains the same effect as varying the selecting order of the array of the stored elements though the storage pattern of the Latin square is kept as it is.例文帳に追加

ラテン方陣記憶用配列１０に設定されている既存のラテン方陣のそれぞれの要素を、入れ替え情報記憶部１１に記憶されている入れ替え情報Ｐの要素に入れ替えることによって、ラテン方陣の記憶パターンはそのままであるが、記憶されている要素の配列の選択順を変化させたのと同じ効果を得る。 - 特許庁

A thermoelectric module 10 includes: a first substrate 11 having a first surface on which multiple plate like first electrodes 13 are provided; a second substrate 12 which has a second surface on which multiple plate like second electrodes 14 are provided and facing the first surface; and multiple P type thermoelectric elements 15 and multiple N type thermoelectric elements 16.例文帳に追加

複数の板状の第１電極１３が設けられる第１表面を有する第１基材１１と、複数の板状の第２電極１４が設けられ、かつ第１表面と対向する第２表面を有する第２基材１２と、複数のＰ型熱電素子１５及び複数のＮ型熱電素子１６と、を備えた熱電モジュール１０である。 - 特許庁

The thermoelectric conversion unit 1 in which a plurality of P type thermoelectric elements 11p and a plurality of N type thermoelectric elements 11n are connected electrically and alternately by an upper electrode 7 and a lower electrode 8 provided with thin planar bases 15 and 17 and pin-like members 16 and 18 extending in the vertical direction therefrom.例文帳に追加

複数のＰ型熱電素子１１ｐおよび複数のＮ型熱電素子１１ｎを、薄板状のベース部１５および１７と、そこから垂直方向に延びたピン状の部材１６および１８とをそれぞれ備えた上側電極７および下側電極８により交互に電気的に直列に接続した熱電変換ユニット１を提供する。 - 特許庁

A semiconductor device includes a first and second delay elements 121 and 122 having mutually different operating conditions, a detecting circuit 123 for detecting a transmission rate difference of a pulse signal P simultaneously input to the first and second delay elements 121 and 122, and a set-up circuit 124 for generating a selection signal SEL based on the detected result of the detecting circuit 123.例文帳に追加

互いに動作条件が異なる第１及び第２の遅延素子列１２１，１２２と、第１及び第２の遅延素子列１２１，１２２に同時に入力されたパルス信号Ｐの伝搬速度差を検出する検出回路１２３と、検出回路１２３による検出結果に基づいて選択信号ＳＥＬを生成する設定回路１２４とを備える。 - 特許庁

Six semiconductor elements 23 formed of MOS transistors are built in a semiconductor module 21, for instance, P electrodes 24 connected to the drain electrodes of the upper arm-side (on the left side in Fig. 1) semiconductor elements 23 and N electrodes 25 connected to the source electrodes of the lower arm-side (on the right side in Fig. 1) are inserted into the center side 22a of a case 22.例文帳に追加

半導体モジュール２１は、ＭＯＳトランジスタからなる６個の半導体素子２３が内蔵され、例えば、上アーム側（図１左側）半導体素子２３のドレイン電極と接続されるＰ電極２４と、下アーム側（図１右側）半導体素子２３のソース電極と接続されるＮ電極２５が、ケース２２の略中央部の辺２２ａにインサートされている。 - 特許庁

A thermo-module 10 is constituted by joining a plurality of pairs of P type thermoelectric semiconductor elements 13a and N type thermoelectric semiconductor elements 13b between a ceramic substrate 11 on the heat dissipation side and a ceramic substrate 12 on the cooling side, and joining a lead wire 15 or a post 16 for power supply to a lead wire mounting land part 112a-1 of the ceramic substrate 11.例文帳に追加

サーモモジュール１０は、放熱側のセラミック基板１１と冷却側のセラミック基板１２との間にＰ型熱電半導体素子１３ａとＮ型熱電半導体素子１３ｂを複数対接合し、セラミック基板１１のリード線取付ランド部１１２ａ−１に電力供給用のリード線１５またはポスト１６を接合して成る。 - 特許庁

In the cast slab having a white cast iron structure, the concentration of phosphorus atoms [P] is ≥0.015 mass%, and provided that molar concentration of the phosphorus atoms [P_mol] is ≥0.4×[P_mol], the molar concentration of rare earth elements [REM_mol] is ≥0.4×[P_mol].例文帳に追加

白鋳鉄組織を有する鋳片であって、リン原子の濃度［Ｐ］が０．０１５質量％以上であり、希土類元素のモル濃度［ＲＥＭ_ｍｏｌ］が、リン原子のモル濃度を［Ｐ_mol］としたときに、０．４×［Ｐ_mol］以上であることを特徴とする鋳片である。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element array has semiconductor light emitting elements arranged in a two-dimensional matrix-like form, and each semiconductor light emitting element constitutes a surface emission laser structure composed of a P-type clad layer 23, an active layer 24 and an N-type clad layer 25.例文帳に追加

半導体発光素子アレイは、２次元マトリックス状に配置した半導体発光素子を有し、各半導体発光素子は、Ｐ型クラッド層（２３）、活性層（２４）及びＮ型クラッド層（２５）により構成される面発光レーザ構造体を構成する。 - 特許庁

A submount is provided with a first junction electrode 24 to be bonded with the p-side electrode 20, while being mutually electrically insulated and a second junction electrode 26 to be bonded with the n-side electrode 22 on a jointing surface 14a with the semiconductor laser elements.例文帳に追加

サブマウントは、半導体レーザ素子との接合面１４ａ上に、相互に電気的に絶縁された状態で、ｐ側電極２０と接合する第１接合電極２４、及びｎ側電極２２と接合する第２接合電極２６を備える。 - 特許庁

When composting, a nutrient containing three major elements (N, P and K) of fertilizer and an activating agent containing micronutrients such as Fe, Ca, Mg, K, Na, S, Mn, Cu, I, Ce, Zn, other minerals (inorganic salts), amino acids, seaweed extracts, vitamins and the like are added properly.例文帳に追加

堆肥化に際して、肥料三要素（Ｎ、Ｐ、Ｋ）を含有する栄養剤や、Ｆｅ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｎａ、Ｓ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｉ、Ｃｅ、Ｃｅ、Ｚｎ、その他ミネラル(無機塩)、アミノ酸、海藻エキス、ビタミン等の微量要素を含有する活性化剤を適宜添加する。 - 特許庁

By adopting gettering sites using ion doping at the same time, impurity elements such as heavy metals can be removed from the channel formation region of a TFT (amorphous silicon) and the depletion layer region of a p-n junction, thereby enhancing the gettering capability and the gettering efficiency.例文帳に追加

さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 - 特許庁

The steel wire for straight polarity MAG welding containing, by mass, ≤0.20% C, 0.25 to 2.5% Si, 0.45 to 3.5% Mn, 0.005 to 0.040% rare earth elements, ≤0.05% P and ≤0.05% S, and the balance Fe with inevitable impurities is produced.例文帳に追加

Ｃを0.20質量％以下，Siを0.25〜2.5 質量％，Mnを0.45〜3.5 質量％，希土類元素を 0.005〜0.040 質量％，Ｐを0.05質量％以下，Ｓを0.05質量％以下を含有し、残部Feおよび不可避的不純物からなる正極性ＭＡＧ溶接用鋼ワイヤを製造する。 - 特許庁

The insulating film is composed of a first element group of B, P, and O and a second element, capable of generating a cation of bivalent or higher valence having a 6 coordination defined by Shannon and an ionic radius of 0.073 nm or above as indispensable constituent component elements.例文帳に追加

ＢとＰとＯとからなる第１元素群と、シャノンにより定義された６配位のイオン半径が０．０７３ｎｍ以上である２価以上の陽イオンを生じ得る第２元素と、を必須構成元素とすることを特徴とする絶縁皮膜。 - 特許庁

Each of solar cell elements 2 is provided with a bar-like support bar 3, wherein a reflecting electrode 5, a P-type semiconductor layer 7, an I-type semiconductor layer 9, an N-type semiconductor layer 11 and a transparent electrode 13 are stacked sequentially on the external circumferential surface of the support bar 3.例文帳に追加

太陽電池素子２は、棒状の支持棒３を備え、支持棒３の外周面に、反射電極５、Ｐ型半導体層７、Ｉ型半導体層９、Ｎ型半導体層１１及び透明電極１３が順に積層されている。 - 特許庁

The wiring electrodes and the substrate electrodes are bonded through a bonding material such as solder, etc. Preferably the bonding material has a lower tensile strength than those of the substrate electrode and the wiring electrode and is a solder material or it has an insulation layer in the gap between the n-type and p-type rod-like elements.例文帳に追加

望ましくは接合部材は基板電極と配線電極に比べ、引っ張り強度が低い、さらに接合部材はハンダ材料である、あるいはｎ型棒状素子とｐ型棒状素子との間隙には絶縁層を有する。 - 特許庁

The insulating film is composed of a first element group of P, O, and N and a second element, capable of generating a cation of bivalent or higher valence having a 6 coordination defined by Shannon and an ionic radius of 0.073 nm or above as indispensable constituent component elements.例文帳に追加

本発明の絶縁被膜は、Ｐ、ＯおよびＮからなる第１元素群と、シャノンにより定義された６配位のイオン半径が０．０７３ｎｍ以上である２価以上の陽イオンを生じさせ得る第２元素とを必須構成元素とする。 - 特許庁

The driving device comprises a magnetic field generating member 7 for generating a magnetic field; a magnetic field detecting means 6 formed of first, second, and third magnetic field detection elements 6A, 6B and 6C for detecting a magnetic field; and a piezoelectric actuator P for moving the magnetic field generating member 7.例文帳に追加

磁界を発生させる磁界発生部材７と、磁界を検出する第１，第２，第３の磁界検出素子６Ａ，６Ｂ，６Ｃから成る磁界検出手段６と、磁界発生部材７を移動させる圧電アクチュエータＰとを備える。 - 特許庁

A strain detection part of the strain sensor chip comprises a bridge circuit by piezoresistive elements with <110> direction of p-type silicon and a direction vertical thereto as current direction, the <110> direction being matched to a direction of connecting the two connection areas (X-direction).例文帳に追加

歪センサーチップの歪検出部はｐ型シリコンの＜１１０＞方向、およびそれに垂直な方向を電流方向とするピエゾ抵抗素子でブリッジ回路を構成し、＜１１０＞方向を、前記２箇所の接続エリアを結ぶ方向（Ｘ方向）と一致させる。 - 特許庁

The occurrence of a dislocation is suppressed, therefore, and the rise of diffusion resistance is suppressed, the yield ratio and the reliability of the devices is improved by implanting suitable dislocation suppressive elements into the P-type well layer 4 and the N-type well layer 5, respectively.例文帳に追加

これにより転位の発生を抑制しつつ、かつ、Ｐウエル層４とＮウエル層５それぞれに適した転移抑制元素を打ち分けることで拡散抵抗の上昇を抑制し、歩留まりを向上させ、素子の信頼性を高めることができる。 - 特許庁

On the tip end surface of the punch main body 2, recessed parts 7, 8 to form projecting parts 107, 108 on a material W to be worked are formed in a morpheme that the recessed inner surfaces mount over two punch elements 4, 5 and 5, 6 coming in contact with each other on a punch dividing surface P.例文帳に追加

そして、パンチ本体２の先端面には、被加工材Ｗに凸部１０７，１０８を形成するための凹部７，８が、パンチ分割面Ｐにて互いに接する２つのパンチ要素４，５ないし５、６に、内面がまたがる形態で形成される。 - 特許庁

An X-ray detector 19 detects the X-rays generated from the X-ray tube 17 and transmitted through a subject P placed on a top plate 15, and includes a plurality of detector rows where a plurality of X-ray detection elements are arranged in the channel direction.例文帳に追加

Ｘ線検出器１９は、Ｘ線管１７から発生され天板１５に載置された被検体Ｐを透過したＸ線を検出するものであり、Ｘ線検出素子をチャンネル方向に複数配置してなる検出器列を複数列備える。 - 特許庁

In an element region, its bottom face is divided by a buried insulating film 11 which is formed on a p-type support substrate 10, while its side face is divided by a trench insulating film 14 and a polysilicon film 15, and the element region is insulated and isolated from other elements to be protected from static electricity.例文帳に追加

素子領域は、底面をｐ型支持基板１０上に形成された埋め込み絶縁膜１１で、側面をトレンチ絶縁膜１４およびポリシリコン膜１５で区画され、静電気から保護すべき他の素子と絶縁分離している。 - 特許庁

Each memory cell includes a two-element latch circuit consisting of a first transistor (N type MOSFET), and of a second transistor (P type MOSFET) being two elements latch circuit, and a third transistor (N type MOSFET) connected to an input-cum-output terminal of the latch circuit.例文帳に追加

各メモリセルは、第１のトランジスタ（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ）と、第２のトランジスタ（Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ）なる２素子ラッチ回路と、前記ラッチ回路の入力端子兼出力端子に接続されている第３のトランジスタ（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ）を含む。 - 特許庁

A pair of magnetic detection elements 21a and 21b are arranged on a tip part of the rotation detection sensor 13a in a pitch d matching with a pitch P between the N pole and the S pole present on a surface to be detected of a permanent magnet 15 constituting an encoder 12.例文帳に追加

この回転検出センサ１３ａの先端部に１対の磁気検出素子２１ａ、２１ｂを、エンコーダ１２を構成する永久磁石１５の被検出面に存在する、Ｎ極とＳ極とのピッチＰに一致するピッチｄで配置する。 - 特許庁

Then, it is possible to set the drilling diameter d in reference to other elements under utilization of the fact that sin 3α.c.P2.M has an equivalent relation with (π/4)d2(M-P)A (A is a specific weight of explosive) applied under an equation calculating volume of a column.例文帳に追加

そして、そのｓｉｎ３α・ｃ・Ｐ２・Ｍが円柱の体積を求める公式を応用した（π／４）ｄ２（Ｍ−Ｐ）Ａ（Ａは火薬比重）と等価関係にあることを利用して、せん孔径ｄを他の要素と関連させて設定することができる。 - 特許庁

Therefore, the withdrawal direction of the output cable 6 can be bent to an arbitrary directions to both the detector elements 1a, 1a of the Hall IC, and so the wheel velocity sensor P with neatly contained output cable 6 can be obtained.例文帳に追加

このため、ホールＩＣの両検出素子１ａ、１ａの並列方向に対し、出力ケーブル６の引き出し方向を任意の方向に屈曲させることができ、出力ケーブル６の納まりが良い車輪速センサＰを容易に得ることができる。 - 特許庁

In a stream of a 'low' priority, its I picture is decoded by the processing system B, and in a P picture and a B picture, a spatial area zero insertion circuit 40 substitutes zero for all elements and the compensation circuit 30 subsequently performs motion compensation.例文帳に追加

「低」の優先度のストリームは、そのＩピクチャが復号化処理系Ｂにより復号化され、Ｐピクチャ及びＢピクチャは、空間領域０挿入回路４０により全要素に０を代入された上で、動き補償回路３０により動き補償される。 - 特許庁

This n-channel MOS transistor includes the gate electrode pattern made of a conductive metal nitride formed on a p-type silicon active region through a gate insulating film, n-type source and drain regions formed on one side of the gate electrode pattern and on the other side respectively in the p-type silicon active region, and the conductive metal oxide contains Si and V group elements.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳトランジスタは、ｐ型シリコン活性領域上にゲート絶縁膜を介して形成された導電性金属窒化物よりなるゲート電極パターンと、前記ｐ型シリコン活性領域中、前記ゲート電極パターンの一方および他方の側にそれぞれ形成されたｎ型のソースおよびドレイン領域と、を含み、前記導電性金属窒化物は、ＳｉおよびＶ族元素を含む。 - 特許庁

Still further, a method for manufacturing the semiconductor device from structure elements comprises a step for applying the thin film composition onto an insulating film, and a step for calcining a semiconductor, the insulating film, and the thin film composition to form the electrode, where the structure elements are the semiconductor having a p-n junction and the insulating film formed on a main surface.例文帳に追加

さらに、ｐ−ｎ接合を有する半導体と、この半導体の主要面上に形成された絶縁膜とからなる構造要素から半導体デバイスを製造する方法を対象とし、この方法は、絶縁膜上に、厚膜組成物を付着させるステップと、前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含む。 - 特許庁

In this thermoelectric module, plural (p) type and (n) type thermoelectric elements 4 are alternately arrayed, and each thermoelectric element 4 is connected by plural electrodes 2 so as to be serially connected, and at least one substrate 1 is connected with the electrode 2.例文帳に追加

熱電モジュールは、ｐ型及びｎ型の複数個の熱電素子４が交互に配列され、各熱電素子４が直列に接続されるように複数個の電極２により接続され、更に電極２に少なくとも１枚以上の基板１が接合されている。 - 特許庁

Wasteful heat influx to high-temperature ends for p-type thermoelectric generating elements and n-type ones N are interrupted and exhaust heats are stored in a high-temperature side heat flux plate 21 with fins until the temperature of the high-temperature side heat flux plate 21 with fins is increased to a predetermined temperature.例文帳に追加

高温側フィン付熱流板２１が所定の高温に上昇するまでは、ｐ型熱電発電素子Ｐおよびｎ型熱電発電素子Ｎの高温端への無駄な熱流入が遮断されて排気熱が高温側フィン付熱流板２１に蓄熱される。 - 特許庁

If the pitch D of both detecting elements 13a, 13b is regulated accurately, the rotational speed of the encoder 7a can be found accurately and quickly, even if the precision of the pitch P of changes in property of the surface to be detected is not made higher especially, and former problems can be solved.例文帳に追加

上記両検出素子１３ａ、１３ｂのピッチＤを正確に規制すれば、被検出面の特性変化のピッチＰの精度を特に高くしなくても、上記エンコーダ７ａの回転速度を正確且つ迅速に求められて、上記課題を解決できる。 - 特許庁

The first and second ridge directions p and q extend in directions perpendicular to directions w_1 and w_2 determined by connecting the darkest spots of a light-irradiated object that are darkest when the light distributing means 9 is not used to light-emitting elements 4a closest to the darkest spots.例文帳に追加

第１の稜線方向ｐと第２の稜線方向ｑは、配光手段を用いない場合に被照射物で最暗部になる箇所と、最暗部から直近の発光素子４ａとを結んだ方向ｗ_１，ｗ_２と直交する方向に延在している。 - 特許庁

In the inverter, each arm A contains normally-on elements P and N-channel MOS transistors Q connected in series, built-in diodes D for the N-channel MOS transistors Q are used as free wheel diodes and the breakdown voltage of each N-channel MOS transistor Q is 10 to 50 V.例文帳に追加

このインバータでは、各アームＡは直列接続されたノーマリーオン素子ＰおよびＮチャネルＭＯＳトランジスタＱを含み、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱの内蔵ダイオードＤはフリーホイールダイオードとして使用され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱの耐圧は１０〜５０Ｖである。 - 特許庁

The CPU 7 divides a discharge electric charges amount and a charged potential phase into q and p pieces, respectively, to represent a phase ϕ-electric charges amount q by a plurality of elements, thereby acquiring a ϕ-q-n pattern allocating the number of occurrence to a value of each element, and calculating the age-based change amount.例文帳に追加

ＣＰＵ７は、放電電荷量と課電位相をそれぞれｑ，ｐ個に分割して位相φ−電荷量ｑを複数の要素で表し各要素の値に発生数を割り当てたφ−ｑ−ｎパターンを求め、その経時変化量を計算する。 - 特許庁