「P elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type and n-type thermoelectric elements are respectively adhered to the contacts on the first and second heat sinks by flip-chip soldering process.例文帳に追加

ｐ型およびｎ型熱電素子は、フリップチップ・ハンダ・プロセスによって、それぞれ第１および第２の熱シンク上のコンタクトに接着される。 - 特許庁

A correction circuit 42 sequentially obtains gradation data P of the plurality of light emitting elements E to generate correction gradation data Q.例文帳に追加

補正回路４２は、複数の発光素子Ｅの各々の階調データＰを順次に取得して補正階調データＱを生成する。 - 特許庁

An LED chip 20 has in 2 rows by 2 columns a plurality of unit LED elements 40 each of which has an n electrode and p electrode on one surface.例文帳に追加

ＬＥＤチップ２０は、一つの面にｎ電極とｐ電極を備えた単位ＬＥＤ素子４０が２行２列で配列している。 - 特許庁

The p-type ground regions PGD are divided by the region adjacent to the region sandwiched between the pair of elements DR.例文帳に追加

ｐ型接地領域ＰＧＤは、１対の注入元素子ＤＲに挟まれる領域と隣り合う領域において分断されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a semiconductor substrate SUB, a pair of elements DR from which electrons are emitted, active barrier structures AB, and p-type ground regions PGD.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢと、１対の注入元素子ＤＲと、アクティブバリア構造ＡＢと、ｐ型接地領域ＰＧＤとを備える。 - 特許庁

Instead of adding content that is irrelevant to some handbooks, authors can add a condition to the following elements: section, subsection,body, note, impo,warn, pre, p,table, tr, ul, oland li.例文帳に追加

いくつかのハンドブックには関係のない内容を追加する代わりに、執筆者は次の要素に条件を追加できます。 table,tr,ul,ol,li. - Gentoo Linux

The built-in TEC comprises at least one coupling of an N-type electrode 116, a P-type electrode 118, and conductive elements 122-134 that couple the N-type electrode 116 and P-type electrode 118 to one another in series.例文帳に追加

内蔵ＴＥＣは、Ｎ型電極１１６およびＰ型電極１１８とそれらを直列に結合する導体素子１２２〜１３４からなるカップルの少なくとも１つから構成される。 - 特許庁

One mounting plate (40) for upper arm and multiple connecting plates (70) for upper arm are used as wiring for electrically connecting the upper arm-side switching elements (130) to a positive node (P) or output terminals (U, V, W).例文帳に追加

正側ノード（P）又は出力端子（U,V,W）に上アーム側スイッチング素子（130）を電気的に接続するための配線として、１つの上アーム用搭載板（40）及び複数の上アーム用接続板（70）が用いられている。 - 特許庁

The transmission system using a channel where fading is generated uses an improved filter matrix whose elements are represented by an expression (1) after phase compensation (where p(i) is a real number which is a function of iteration (i)).例文帳に追加

フェージングが発生するチャネルによる伝送システムにおいて、位相補償の後、その要素が として書かれる改良されたフィルタマトリックス（ここで、p(i)は実数の大きさで、反復iの関数である）を使用する。 - 特許庁

As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加

軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁

In the thermoelectric conversion module (1), the P-type and N-type thermoelectric conversion elements (2) are alternately arranged sequentially and caps (3) formed of insulators are put on the both end sides of the thermoelectric conversion elements.例文帳に追加

本発明の熱電変換モジュール（１）は、Ｐ型及びＮ型の熱電変換素子（２）が順次交互に配置されており、熱電変換素子の両端側に絶縁体からなるキャップ（３）が被せられている。 - 特許庁

As the essential additional elements, C, Cr, N, Mn, Ni and P are contained, and, as the optional additional elements, Nb, Ti, Si, W, Mo, V, Co, B, Zr, Mg, Ca and Cu are contained in an amount of prescribed mass%.例文帳に追加

必須添加元素をＣ、Ｃｒ、Ｎ、Ｍｎ、Ｎｉ及びＰとして、任意添加元素をＮｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｖ、Ｃｏ、Ｂ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｃａ及びＣｕとし、所定の質量％を含有する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion module 1 is provided with an insulating fixing member 2, which fixes many (n) type thermoelectric converting elements 3 and (p) type thermoelectric converting elements 4 at specified positions.例文帳に追加

熱電変換モジュール１には、絶縁性の固定部材２が設けられ、この絶縁性の固定部材２によって、多数のｎ型熱電変換素子３とｐ型熱電変換素子４が、所定位置に固定されている。 - 特許庁

The thermal power generation elements 15,16 are formed by joining the p-type semiconductors 17,19 and n-type semiconductors 18,20, and are molded with an electrical insulation member 24 provided to cover the surfaces of the same elements.例文帳に追加

Ｐ型半導体１７、１９とＮ型半導体１８、２０を互いに接合して形成された熱発電素子１５、１６の表面を覆うように電気的絶縁部材２４で成形する。 - 特許庁

P- and N-type semiconductor element rows, consisting of a plurality of P- and N-type semiconductor elements, respectively, are mutually provided so as to be at prescribed intervals, the plurality of P-type semiconductor elements are connected to the plurality of N-type ones in series by first and second electrodes.例文帳に追加

複数個のＰ型半導体素子からなるＰ型半導体素子列と複数個のＮ型半導体素子からなるＮ型半導体素子列とが所定の間隔を置いて交互に配設されており、該複数個のＰ型半導体素子と該複数個のＮ型半導体素子が第１の電極および第２の電極によって直列接続されている。 - 特許庁

The diffused laser beam P is emitted to a measuring target from laser beam sources 11 and 13a, a light detection element array DA comprising a plurality of light detection elements is arranged in the irradiation surface of the laser beam P and the absorbance of the laser beam P in the measuring target is measured, on the basis of the intensity signals outputted from the respective light detection elements.例文帳に追加

レーザ源１１、１３ａから測定対象物に向けて拡散させたレーザ光Ｐを出射し、当該レーザ光の照射面内に複数の光検出素子からなる光検出素子アレイＤＡを配置し、各光検出素子から出力される強度信号に基づいて測定対象物におけるレーザ光Ｐの吸光度を計測する。 - 特許庁

The jig 10 for manufacturing the thermoelectric module which is one embodiment of this invention houses and holds the thermoelectric elements P and N and electrodes T in a prescribed layout and sets the holding elements P and N and electrodes T to a prescribed position of the sintering device 1.例文帳に追加

また、本発明の一実施例である熱電モジュール製造用治具１０は、熱電素子Ｐ、Ｎと電極Ｔとを所定のレイアウトで収容保持するとともに、収容保持した熱電素子Ｐ、Ｎと電極Ｔとを放電プラズマ焼結装置１の所定位置にセットするものである。 - 特許庁

As a result, appropriate thermal and electric conduction is realized between the heat collecting substrate 1 and the high-temperature ends of the respective thermoelectric power generation elements N and P, and the generation of thermal stress between the electrode plate 5 and the high-temperature ends of the respective thermoelectric power generation elements N and P can be prevented in advance.例文帳に追加

その結果、集熱基板１から各熱電発電素子Ｎ，Ｐの高温端部への熱伝導および電気伝導が良好に行われるようになり、しかも、電極板５と各熱電発電素子Ｎ，Ｐの高温端部との間の熱応力の発生が未然に防止される。 - 特許庁

A liquid chamber 13a is formed in an almost recessed planar shape in such a manner as to surround the three sides of the heating element 12, and the plurality of heating elements 12 are arranged with a constant pitch P (2P in the adjacent heating elements 12) in the arranging directions of the heating elements 12.例文帳に追加

液室１３ａは、発熱素子１２の３方を囲むように平面形状が略凹状に形成され、複数の発熱素子１２は、発熱素子１２の並び方向において一定のピッチＰ（隣接する発熱素子１２間では、２Ｐ）で配列されている。 - 特許庁

The solder alloy may contain one or more kinds of elements selected from Fe, Ni, Co, Ru, Al, P and Ga by ≤0.1% in total.例文帳に追加

Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ａｌ、Ｐ、Ｇａのうちから選ばれる１種または２種以上の元素を合計で０．１％以下含んでもよい。 - 特許庁

A plurality of paired p-type and n-type thermoelectric elements are connected in series with each other by the lower and the upper electrodes.例文帳に追加

この下部電極及び上部電極２によりｐ型熱電素子１ａとｎ型熱電素子１ｂとが交互に直列に接続されている。 - 特許庁

The multiplexer applies time multiplex processing to the received signal and supplies the result to one delay line, consisting of N-stages and having P-sets of elements.例文帳に追加

このマルチプレクサは、受信した信号を時間多重化して、それをＰ個の素子を有するＮ段から成る１本の遅延線に供給する。 - 特許庁

When the temperature of the high-temperature side heat flux plate 21 is increased to that temperature, the p-type thermoelectric generating elements P and the n-type ones N start thermoelectric generations in response to heat influx to the high-temperature ends.例文帳に追加

高温側フィン付熱流板２１が所定の高温に上昇すると、ｐ型熱電発電素子Ｐおよびｎ型熱電発電素子Ｎは、その高温端への熱流入に応じて熱発電を開始する。 - 特許庁

M1 is at least one of Ni, Co, Mn, Fe and Cu, M2 is at least one of metal elements except M1 and semimetal elements, and X is at least one of O, S, N and P, wherein 0≤a<3.6, 0≤b<1 and 1≤c≤2.例文帳に追加

Ｍ１はＮｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕの少なくとも１種、Ｍ２はＭ１以外の金属元素および半金属元素の少なくとも１種、ＸはＯ，Ｓ，Ｎ，Ｐの少なくとも１種であり、０≦ａ＜３．６、０≦ｂ＜１、１≦ｃ≦２である。 - 特許庁

The thermoelectric conversion module 11 is constituted so that a plurality of P-type thermoelectric elements 12 and a plurality of N-type thermoelectric elements 13 are electrically connected in series through electrodes 14 and thermally arranged in parallel.例文帳に追加

熱電変換モジュール１１は、複数のＰ型熱電素子１２と複数のＮ型熱電素子１３とが電極１４を介して、電気的に直列に接続され、かつ熱的に並列に配置された構成である。 - 特許庁

In a sheet detection sensor 51, light from a line-like light emitting element 54 is shielded by a recording paper P and not injected into a light receiving element 55 just below the recording paper P, and injected only in light receiving elements 55 coming out of just above the recording paper P.例文帳に追加

シート検出センサ５１において、記録用紙Ｐが真上に存在する受光素子５５には、ライン状の発光素子５４からの光が記録用紙Ｐに遮られて入射せず、記録用紙Ｐの真上から外れる受光素子５５のみに、ライン状の発光素子５４からの光が入射する。 - 特許庁

An N-type transistor constituting the switch elements SS and SA for sampling and flip-around, respectively, is formed at a second P-type well PWL2 separated from the first P-type well PWL1, and a P-type transistor is formed at a second N-type well NWL2 separated from the first N-type well NWL1.例文帳に追加

サンプリング用及びフリップアラウンド用スイッチ素子ＳＳ、ＳＡを構成するＮ型トランジスタは第１のＰ型ウェルＰＷＬ１と分離された第２のＰ型ウェルＰＷＬ２に形成され、Ｐ型トランジスタは第１のＮ型ウェルＮＬ１と分離された第２のＮ型ウェルＮＷＬ２に形成される。 - 特許庁

Bar-shaped p type thermoelectric semiconductor elements 1 and n type thermoelectric semiconductor elements 2 whose length is almost the same as the width of the polymer sheets are alternately arrayed between those two polymer sheets 7 and 8, and those respective elements are soldered to the electrodes 3 and 4 on the end part side faces so as to be serially connected.例文帳に追加

２枚の高分子シート７及び８の間に、高分子シートの幅とほぼ同じ長さの棒状のｐ型熱電半導体エレメント１及びｎ型熱電半導体エレメント２を交互に配列し、各エレメントを端部側面で電極３及び４にはんだ付けし、直列に接続する。 - 特許庁

In order to stably produce an amorphous alloy even in the atmosphere, the glass alloy mainly includes three elements (Fe, Co and Ni) in an iron group, though further mainly including Fe; a small amount of Nb and Mo as elements for improving the degree of undercooling; and further Si, B, P and C at an appropriate blending ratio as metalloid elements.例文帳に追加

大気雰囲気でも安定してアモルファス化するために、主成分をＦｅ主体の鉄族三元素（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ）とし、少量の過冷度改善元素Ｎｂ、Ｍｏを含有し、更に半金属元素として、Ｓｉ，Ｂ及びＰ，Ｃを適切な配合比で含む。 - 特許庁

In the module, P type thermoelectric elements 3a and N type thermoelectric elements 3b are disposed as adjacent to each other, both the upper and lower sides of the elements 3 are connected to respective conductive electrodes 4, and heat exchange substrates 5 are fixed to the both electrodes 4.例文帳に追加

Ｐ型の熱電素子３ａ並びにＮ型の熱電素子３ｂを互いに隣り合せて配設すると共にこれらの熱電素子３の上下両側の面を導電性の電極４により接続し、かつ両電極４面上に熱交換基板５を固定して成る熱電モジュール１である。 - 特許庁

To reduce an area for elements, while an area for P-N junction is enlarged, when a diode structure is formed on a comparatively thin polycrystal line silicon layer.例文帳に追加

比較的薄い多結晶シリコン層上にダイオード構造を形成する場合に、ＰＮ接合の面積を大きくしながら、素子面積を低減する。 - 特許庁

In the phosphate film, preferably, the atomic ratio of (the transition metal element)/(the rare earth elements) is ≥8, and also, the atomic ratio of C/P is 1 to 10.例文帳に追加

前記リン酸塩被膜は、被膜の（遷移金属元素）／（希土類元素）の原子比が８以上であり、かつＣ／Ｐの原子比が１〜１０であることが好ましい。 - 特許庁

Voltage driven active elements (N type MOSFET 12a and P type MOSFET 12b) are used as the output active element for the voltage balancing circuit 5a.例文帳に追加

また、電圧バランス回路は、出力能動素子として、電圧駆動型能動素子（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１２ａとＰ型ＭＯＳＦＥＴ１２ｂ）を使用する。 - 特許庁

The top surfaces of the semiconductor laser elements 14 are so covered respectively with insulation films 54 as to expose p-side electrodes 28A-28D therefrom to the external.例文帳に追加

半導体レーザ素子１４は、それぞれ、上面が絶縁膜５４で被覆され、ｐ側電極２８Ａ〜Ｄを絶縁膜５４から露出させている。 - 特許庁

A P channel MOS transistor 22 and an N channel MOS transistor 23 act like switch elements to switch the activation/deactivation of the leading operation section 13.例文帳に追加

ＰチャネルＭＯＳトランジスタ２２およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ２３は、立上がり動作部１３の活性化／非活性化を切換えるスイッチ素子として機能する。 - 特許庁

Twenty hexagonal structural elements 11 are represented as A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, M, N, O, P, Q, R, S and T in order.例文帳に追加

２０個の六角形構造要素１１を順に要素Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ及びＴとする。 - 特許庁

A thermoelectric module 1 comprises thermoelectric elements 2(P) and 2(N) manufactured by the manufacturing method.例文帳に追加

また、本発明に関わる熱電モジュール１は、上述した如き製造方法によって製造された熱電素子２（Ｐ）、２（Ｎ）を用いて構成されることを特徴とする。 - 特許庁

The Cu alloy consists of 0.05 to 0.3 wt.%, in total, of P and at least one or more elements among Fe, Ni and Co and the balance Cu with inevitable components.例文帳に追加

また、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうち少なくとも１種類以上とＰを合計で０．０５〜０．３ｗｔ％含有し、残部がＣｕと不可避成分からなる。 - 特許庁

A P channel MOS transistor 32 and an N channel MOS transistor 33 act like switch elements to switch the activation/deactivation of the trailing operation section 14.例文帳に追加

ＰチャネルＭＯＳトランジスタ３２およびＮチャネルＭＯＳトランジスタ３３は、立下がり動作部１４の活性化／非活性化を切換えるスイッチ素子として機能する。 - 特許庁

The P electrodes and N electrodes, and the AC electrodes 26 to 28 are arranged as they are spanning above the board mounted with the semiconductor elements 23.例文帳に追加

これらＰ電極２４、Ｎ電極２５及び交流電極２６〜２８は、半導体素子２３が搭載された基板の上方に架橋配置されている。 - 特許庁

In one embodiment, back-to-back P-N junction diodes are formed by implanting ions in zones arranged among the adjacent transducer elements.例文帳に追加

１つの実施例において、隣接するトランスデューサ素子間に配置された区域にイオン注入することによりバックツーバックｐｎ接合ダイオードが形成される。 - 特許庁

The p-type thermoelectric conversion material 11 has a layered perovskite structure represented by a compositional formula: A_2BO_4 (wherein A and B represent one or more elements).例文帳に追加

ｐ型熱電変換材料１１は、組成式Ａ_2ＢＯ_4（ＡおよびＢは１個または複数個の元素）で示される層状ペロブスカイト構造を有している。 - 特許庁

If a pachinko ball P passes through through holes, the order of output changes of the detecting elements 10A, 10B differs depending on the direction of its movement.例文帳に追加

パチンコ玉Ｐが貫通孔を通過すると、その移動方向によって、検出部１０Ａ，検出部１０Ｂの出力の変化の順序が異なる。 - 特許庁

To provide a p-type electrode superior in light transmission for group III nitride semiconductor light emitting elements and a group III nitride semiconductor light emitting element utilizing the same.例文帳に追加

光透過性に優れた III族窒化物半導体発光素子用ｐ型電極と、それを利用した III族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

Connection of the upper electrode 20 and the n-type and p-type thermoelectric semiconductor elements 16 and 18 is made through the conductive part 54 of the insulating layer 50.例文帳に追加

上部電極２０とｎ型およびｐ型熱電半導体エレメント１６，１８との接続は、絶縁層５０の導電部５４を介して行われる。 - 特許庁