「P elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

When the moving body 40 alternately having optical ON sections X and optical OFF sections Y at a constant pitch P passes in one direction D, the outputs A1+, A2+, ..., A4- of respective light emitting elements have values according to incoming or non-incoming of the light from the light emitting element.例文帳に追加

一方向Ｄに沿って、光オン部Ｘおよび光オフ部Ｙを一定ピッチＰで交互に有する移動体４０が通過するとき、各受光素子の出力Ａ１＋，Ａ２＋，…，Ａ４−は、発光素子からの光が入射し又は入射しないのに応じた値をとる。 - 特許庁

To suppress, as much as possible, the formation of a difference in shapes of elements formed in each region to prevent the breakage of a gate oxide film for simultaneously etching the region where a doped dopant is different, and the region where the amount of doping is different as in the case of an n-type region and a p-type region.例文帳に追加

ｎ型領域とｐ型領域などのように，ドープされたドーパントの異なる領域又はドープ量の異なる領域を同時にエッチングする際に，各領域に形成された素子の形状差の発生を極力抑え，ゲート酸化膜破れを防止する。 - 特許庁

The adsorbent comprises zeolite containing at least Al and P as elements constituting a skeleton thereof, wherein the zeolite has pores of 2.0-3.0 angstroms diameter and a three-dimensional structure consisting of an oxygen-containing six-member ring and, particularly, the zeolite has an SOD structure or an AST structure.例文帳に追加

骨格を構成する元素として少なくともＡｌとＰを含み、且つ、細孔が径２．０から３．０オングストロームの酸素６員環からなる３次元構造であるゼオライト、特にゼオライトがＳＯＤ構造またはＡＳＴ構造からなる吸着剤を用いる。 - 特許庁

The incident surfaces of transmission type elements which are changed in the incident angles, including image formation lenses for converging the light beams onto the surface to be scanned, are formed as transmission surfaces approximately equal in the transmissivity to the S polarized light and the transmissivity to the P polarized light at the arbitrary incident angle.例文帳に追加

また、光ビームを被走査面上に収束させる結像レンズをはじめ、入射角が変化する透過型素子の入射面を、Ｓ偏光に対する透過率とＰ偏光に対する透過率が任意の入射角において略等しい透過面とする。 - 特許庁

Each of transistor elements comprises a drain 4 and a source 5 configured with a n-type diffusion layer, a gate 3 formed on a channel region between the drain 4 and the source 5, and the well contact 1 configured of a p-type diffusion layer at a position adjacent to the drain 4.例文帳に追加

各トランジスタ素子は、Ｎ型拡散層により構成されたドレイン４及びソース５と、ドレイン４とソース５との間のチャネル領域上に形成されたゲート３と、ドレイン４に隣接する位置にＰ型拡散層により構成されたウェルコンタクト１とを有する。 - 特許庁

In a pre-amorphous process, an amorphous region is formed in a semiconductor region by performing the ion implantation of a IV group element, or an ion implantation of at least any one of arsenic (As), phosphorous (P), halogen, and inert gas elements, or an ion implantation under the conditions of a low temperature lower than -10°C.例文帳に追加

半導体領域内に、プレアモルファス工程では、IV族元素のイオン注入、又はヒ素（Ａｓ），リン（Ｐ），ハロゲン元素及び不活性ガス元素のうち少なくともいずれか１つのイオン注入、又は−１０℃よりも低い低温条件でイオン注入を行なってアモルファス領域を形成する。 - 特許庁

A reflector unit 50 consisting of reflectors 52 extending along the opposite sides of the light emitting diode array being fabricated by surface mounting a plurality of light emitting diode elements 9 in an array and a frame 51 for supporting the reflector is mounted on a printed wiring board P.例文帳に追加

複数の発光ダイオード素子９を列状に表面実装することにより作り出される発光ダイオードアレイの両側に沿って延びる反射体５２とこの反射体を支持する枠体５１とからなる反射体ユニット５０が前記プリント配線基板Ｐ上に実装されている。 - 特許庁

The surface of a negative electrode is coated with one of amorphous compounds containing at least C, F, P, Li and at least one kind from among transition metal elements, and it is desirable that the transition metal element of the amorphous compound is Mn and that a divalent oxidation state should be exist.例文帳に追加

負極の表面が少なくともＣ、Ｆ、Ｐ、Ｌｉと遷移金属元素の少なくとも１種を含む非晶質の化合物で被覆され、好ましくはその非晶質化合物の遷移金属元素がMnであって、酸化状態が２価で存在するようにしたものである。 - 特許庁

When the cutoff frequency of the optical band limiting filters 120-1 to 120-N is defined as fo, the pixel pitch of the imaging elements 140-1 to 140-N is defined as p and the cutoff frequency of the band limiting processing part 30 is defined as fc, the imaging apparatus satisfies 1/2p<fo≤1/2s and fc≤fo.例文帳に追加

撮像装置は、光学的帯域制限フィルタ１２０−１〜１２０−Ｎのカットオフ周波数をｆｏとし、撮像素子１４０−１〜１４０−Ｎの画素ピッチをｐとし、帯域制限処理部３０のカットオフ周波数をｆｃとする場合に、１／２ｐ＜ｆｏ≦１／２ｓ及びｆｃ≦ｆｏを満たす。 - 特許庁

The exfoliation of the electrode can be prevented by being equipped with a GaNX contact layer containing one or more elements X selected from among As, P, or Sb in contact with an area to the electrode containing at least on of a nitride semiconductor layer, Pd, and Pt.例文帳に追加

本発明は、窒化物半導体層とＰｄもしくはＰｔのうち少なくとも何れかを含む電極との間に接して、Ａｓ、ＰまたはＳｂから選ばれる１種類以上の元素Ｘを含む、ＧａＮＸコンタクト層を具備することによって、電極剥離を防止することが可能である。 - 特許庁

To provide a method capable of inexpensively manufacturing a Mg-doped p-type gallium nitride semiconductor which is excellent in crystal quality and low in resistance, without giving an after treatment, such as electron beam irradiation, annealing, etc, after the growth of crystals, and preventing a yield reduction of elements due to the after treatment.例文帳に追加

結晶成長後に電子線照射やアニーリング等の後処理を施さなくても、結晶品質が良好で低抵抗なＭｇドープのｐ型窒化ガリウム系半導体を低価格で得ることができ、後処理による素子の歩留まり低下を防ぐ方法を提供する。 - 特許庁

In the recording method using a thermal transfer printer 1 where ink is transferred onto a recording sheet by heating the heating elements of a thermal head 5 selectively based on record information, ink is transferred onto the recording sheet P to form a high density recorded part having reflection density of 2.5 or above.例文帳に追加

記録情報に基づいてサーマルヘッド５の発熱素子を選択的に発熱させ、インクを記録紙上に転写させる熱転写プリンタ１を用いた記録方法であって、前記インクを記録紙Ｐ上に２．５以上の反射濃度を有する高濃度記録部として形成するように転写する。 - 特許庁

A comparing part 73 compares not only two discrimination elements 81a, 81b read by a discrimination element sensor 74 but also the detection timing of the discrimination element 81a and that of paper P due to a paper sensor 75 to judge the validity of a page based on the comparing result.例文帳に追加

比較部７３は、識別子センサ７４により読み取られた２つの識別子８１ａ、８１ｂを比較すると共に、識別子８１ａの検知タイミングと用紙センサ７５による用紙Ｐの検知タイミングとを比較し、比較結果に基づいて当該ページの正当性を判定する。 - 特許庁

In the method for processing the silicon substrate, a hydrogen stabilization treatment in which silicon elements on at least one main surface of a p-type silicon substrate are coupled with hydrogen, is applied, a thin film is formed a mask thin film formation step, and the thin film in a partial area of the thin film is removed in a mask thin film partial removal step.例文帳に追加

ｐ型のシリコン基板の少なくとも一主面表面のシリコン元素が水素と結合する水素安定化処理がなされ、マスク薄膜形成工程において薄膜が形成され、マスク薄膜部分除去工程において薄膜のうち一部領域にある薄膜部分が除去される。 - 特許庁

The anticorrosive conductive coating has Ti, a first element (for instance, Fe) different from Ti and with the oxidation number capable of becoming +α (for instance, 3), and a second element (for instance, P, N) structured of an element with the oxidation number capable of becoming -α, as indispensable constituent elements.例文帳に追加

本発明の耐食導電性皮膜は、Ｔｉと、該Ｔｉとは異なる元素であり酸化数が＋α（例えば、３）となり得る第１元素（例えば、Ｆｅ）と、酸化数が−αとなり得る元素から構成される第２元素（例えば、Ｐ、Ｎ）とを必須構成元素とする。 - 特許庁

The pin driving mechanism 20 for driving the braille pins 16 is provided with a driving unit 4 which transfers to the braille line direction X with a fingertip P and three pin selection elements 21 capable of simultaneously driving the braille pins 16 for one vertical column of braille mounted on the driving unit 4.例文帳に追加

点字ピン１６を駆動するためのピン駆動機構２０は指先Ｐと共に点字行方向Ｘに移動する駆動ユニット４と、駆動ユニット４に搭載された点字縦一列分の点字ピン１６を同時に駆動可能な３個のピン選択素子２１とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor laser 30 is provided with two semiconductor laser elements which have laminated structures formed of different materials and p-side electrodes having the same height and are formed in a monolithic structure on a common substrate and the laser 30 is mounted on a sub-mount substrate.例文帳に追加

本半導体レーザ装置３０は、それぞれの積層構造の材料が相互に異なり、ｐ側電極が同じ高さで、共通の基板上にモノリシック構造で形成された２個の半導体レーザ素子を有する半導体レーザ装置であって、サブマウント基板上に装着されている。 - 特許庁

Consequently, elimination of the pull-up transistor 20 can suppress the through current generated in the pull-up transistor 20 and other logic elements in a drive signal generation circuit when the P-channel MOS transistor 1 is turned off in the conventional semiconductor device arising from the pull-up transistor 20.例文帳に追加

その結果、プルアップトランジスタ２０を排除したことから、プルアップトランジスタ２０に起因する従来の半導体装置において課題であった、Ｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタ１のＯＦＦ時に駆動信号生成回路内のプルアップトランジスタ２０と他の論理素子とに生じる貫通電流を抑制できる。 - 特許庁

This organic electroluminescent device 1 is equipped with the light emitting element 200 containing the organic functional layer 40 held between a pair of electrodes 41, 54, the pixel region 71 formed by disposing a plurality of the light emitting elements 200, and banks 50 partitioning the pixel region 71, on a substrate P.例文帳に追加

基板Ｐ上に、一対の電極４１，５４間に挟持された有機機能層４０を含む発光素子２００と、発光素子２００が複数配置されてなる画素領域７１と、画素領域７１を区画するバンク５０と、を備える有機エレクトロルミネッセンス素子１である。 - 特許庁

Substrates 3, 4 formed in a ring shape are arranged at the inside and the outside at intervals opposingly and a plurality of P- and N-type thermoelectric conversion elements 5 (5a, 5b) are provided in a ring circumferential direction at intervals between the inner and outer substrates 3, 4 each.例文帳に追加

リング状に形成された基板３，４を互いに間隔を介して内側と外側に配置して対向させ、これらの内側基板３と外側基板４の間にはＰ型とＮ型の熱電変換素子５（５ａ，５ｂ）を互いにリング周方向に間隔を介して複数配設する。 - 特許庁

The Fe-Cr soft magnetic sintered alloy with high electric resistance has a composition consisting of 5 to 20% Cr, 1 to 8% Sn and the balance Fe with inevitable impurities and further containing, if necessary, 0.1 to 4%, in total, of one or more elements among Si, Al, Mn, V and P.例文帳に追加

Ｃｒ：５〜２０％、Ｓｎ：１〜８％を含有し、さらに、必要に応じてＳｉ，Ａｌ，Ｍｎ，ＶおよびＰのうちの種または２種以上を合計で０．１〜４％を含有し、残部がＦｅおよび不可避不純物からなることを特徴とする電気抵抗の高いＦｅ−Ｃｒ系軟磁性焼結合金。 - 特許庁

When a heat collecting substrate 1 becomes higher in temperature while it is being used, an electrode plate 5 and the high-temperature ends of respective thermoelectric power generation elements N and P are got in contact with each other flexibly and appropriately by means of a melted low-melting-point metal layer 8A.例文帳に追加

使用状態において集熱基板１が高温となると、各熱電発電素子Ｎ，Ｐの高温端部と電極板５との間で溶融した低融点金属層８Ａを介して電極板５と各熱電発電素子Ｎ，Ｐの高温端部とが柔軟性をもって良好に接触する。 - 特許庁

A pattern (main pattern) is formed at the first reticule 101 where each end of a plurality of linear elements which are divisions of an element graphic of a pattern P is so extended as to be connected to a membrane part (skirt part) at the end of a pattern region on the reticule or to the other linear element.例文帳に追加

第１のレチクル１０１には、パターンＰの要素図形を複数の直線要素に分割した直線要素の各々の端を、レチクル上のパターン領域の端のメンブレン部（スカート部）又は他の直線要素に接続されるまで延長したパターン（主パターン）を形成する。 - 特許庁

The PID operation part 20 is provided with a P element 21 weighted by frequency for proportion operation, an I element 22 for integration operation, a D element 23 for differential operation of imperfect differential calculus and an output adder 24 adding each output from the elements 21-23.例文帳に追加

ＰＩＤ演算部２０は、比例演算を行う周波数重み付きのＰ要素２１、積分演算を行うＩ要素２２、不完全微分の微分演算を行うＤ要素２３、これらの要素２１〜２３からの各出力を加算する出力加算器２４、を備えている。 - 特許庁

A polarization conversion element 300 according to the present invention comprises: translucent substrates 311; polarization separation sections 312; optical elements 310 having reflection sections 313; and retardation plates 320 being disposed on a light emission surface 310E and converting P-polarized light to S-polarized light so as to emit the S-polarized light.例文帳に追加

本発明の偏光変換素子３００は、透光性基板３１１と、偏光分離部３１２と、反射部３１３とを有する光学素子３１０と、光出射面３１０Ｅに配置され、Ｐ偏光をＳ偏光に変換して出射する位相差板３２０とを備える。 - 特許庁

The light guide plate 13 includes a reflection surface that has a shape where a light beam P in an average color (white) of light beams emitted from the plurality of LED elements 11 is reflected once by the reflection surface, and emitted from an emission surface before reaching the center of a lighting area.例文帳に追加

そして、導光板１３は、反射面を有し、複数のＬＥＤ素子１１から射出された光線のうち平均色（白色）の光線Ｐが、該反射面で１回反射され、射出面から射出された後、照明領域の中央に到達するような形状とされている。 - 特許庁

An organic thin film photoelectric conversion element 10 is configured of a porous layer 12 of oxide particles 16 of n type oxide semiconductor materials having an electron acceptor 20 for conducting electrons and a p type organic semiconductor layer 14 having electron donor for transporting a hole as primary configuring elements.例文帳に追加

有機薄膜光電変換素子１０は、電子を伝導する、電子アクセプター２０を有するｎ型酸化物半導体材料の酸化物微粒子１６の多孔質層１２と、ホールを輸送する、電子ドナーを有するｐ型有機半導体層１４を主要な構成要素とする。 - 特許庁

In an electromagnetic steel sheet that contains Al and/or Si as essential elements and has an insulating coating film on its surface, one or more kinds of nitriding suppressing components selected from Se, Te, As, Sb, P, Bi, Sn and B in a range from 0.005 to 0.5 mass % are contained in the whole steel sheet including the insulating coating film.例文帳に追加

Alおよび／またはSiを必須元素として含有し、表面に絶縁被膜をそなえる電磁鋼板において、絶縁被膜を含む鋼板全体中に、Se, Te, As, Sb, Ｐ, Bi, SnおよびＢのうちから選んだ１種または２種以上の窒化抑制成分を 0.005〜0.5 mass％の範囲で含有させる。 - 特許庁

The Pb-free soldering alloy with Zn as a principal component comprises 1.0-9.0 mass% Al, preferably 3.0-7.0 mass%, 0.002-0.800 mass% P, preferably 0.005-0.500 mass% and the balance being Zn and other elements inevitable during production process.例文帳に追加

Ｚｎを主成分とするＰｂフリーはんだ合金であって、Ａｌを１.０〜９.０質量％、好ましくは３.０〜７.０質量％含有し、Ｐを０.００２〜０.８００質量％、好ましくは０.００５〜０.５００質量％含有し、残部が製造上、不可避的に含まれる元素を除きＺｎから成る。 - 特許庁

This is an insulation coating in which indispensable constituting elements are a first element group composed of P and O, and a second element to produce positive ions of divalence or more in which an ion radius in 6 coordination number defined by Shannon is not less than 0.073 nm, and in which B is not substantially contained.例文帳に追加

ＰとＯとからなる第１元素群と、シャノンにより定義された６配位のイオン半径が０．０７３ｎｍ以上である２価以上の陽イオンを生じ得る第２元素とを必須構成元素とし、Ｂを実質的に含まないことを特徴とする絶縁皮膜。 - 特許庁

The thermoelement module is provided where conductive metal electrodes are jointed to the facing surfaces of a plurality of facing substrates, respectively, and a plurality of n-type thermoelectric semiconductor elements and p-type thermoelectric semiconductor elements are adjoined with the metal electrode in between.例文帳に追加

対向する複数枚の各基板の対向面にそれぞれ導電性の金属電極を接合し、該金属電極を介して複数のｎ型及びｐ型の熱電半導体素子を互に隣り合せて配設してなる熱電素子モジュールにおいて、各熱電半導体素子の電極との接続面以外の面に、下記（ａ）〜（ｄ）の被膜形成性成分から選ばれる被膜を施すと共に、隣り合う熱電素子同士を離間させて配設する。 - 特許庁

In the thermoelectric module, p-type thermoelectric semiconductor elements and n-type thermoelectric semiconductor elements arranged in parallel are connected in series through electrodes on upper and lower end faces thereof and insulating substrates are secured to outer surfaces of upper and lower electrodes.例文帳に追加

並列に配置されたｐ型の熱電半導体素子とｎ型の熱電半導体素子とをそれらの上下両端面において電極により直列に接続するとともに、上下の電極の外面に絶縁性の基板を固定してなる熱電モジュールであって、前記熱電半導体素子間の空隙及び前記熱電半導体素子を介して対構造となっている基板の間に多孔体が充填されている熱電モジュール。 - 特許庁

Radiation elements are arranged to both the outsides of a 1st radiation element array 20 in the order of a lower frequency fn (where n is a positive integer) in the unit of two radiation elements, the interval between which is selected to be an Ln, where a value resulting from dividing the interval Ln by a wavelength equivalent to the frequency fn lower than a frequency fu is about p/2.例文帳に追加

第１放射素子列２０の両側に、ｎを正の整数とした際に、配列された２本の放射素子間の間隔がＬ_nとされ、周波数ｆ_uより低い周波数をｆ_nとした際に、その間隔Ｌ_nを前記周波数ｆ_nの波長で除算した値が、略ｐ／２となるような周波数ｆ_nとされていると共に、周波数ｆ_nが低くなる順に２本の放射素子を単位として外側に配列する。 - 特許庁

In the Fe-Si-P based sintering soft magnetic material containing iron (Fe) as the main component and silicon (Si) and phosphorous (P) as secondary components, the sintering soft magnetic material has crystal grain boundaries distributed inside, and further contains grains precipitated into the crystal grain boundaries and composed of the carbide, nitride or sulfide of one or more crystal grain-micronized metal elements or a mixture thereof.例文帳に追加

主たる成分としての鉄（Ｆｅ）ならびに従たる成分としてのケイ素（Ｓｉ）及びリン（Ｐ）を含むＦｅ−Ｓｉ−Ｐ系の焼結軟磁性材料において、該焼結軟磁性材料が、内部に分布した結晶粒界を有し、その結晶粒界に析出した、１種類もしくはそれ以上の結晶粒微細化金属元素の炭化物、窒化物、硫化物又はその混合物からなる粒子をさらに含んでなるように構成する。 - 特許庁

Image data P, Q, R, S obtained from respective imaging elements 14 formed on a semiconductor wafer 16 are mapped on virtual positions corresponding to positions on the semicoductor wafer 16 to generate synthetic image data 18, and a synthetic image based on the synthetic image data 18 is displayed on a display device 11.例文帳に追加

半導体ウエハ１６に形成された複数の撮像素子１４の各々から得られた画像データＰ，Ｑ，Ｒ，Ｓを、半導体ウエハ１６上の位置に対応する仮想上の位置にマッピングして、合成画像データ１８を生成し、合成画像データ１８に基づく合成画像を表示装置１１に表示させる。 - 特許庁

In the formula (P), M is at least one kind of element selected from among a group of Bi and lanthanide elements, 0.05≤x≤0.4, 0<y≤0.7, where although the standard composition is such that δ=0 and z=3, these values may deviate from the reference values, so long as a perovskite structure can be obtained.例文帳に追加

（Ｐｂ_１−ｘ＋δＭ_ｘ）（Ｚｒ_ｙＴｉ_１−ｙ）Ｏ_ｚ・・・（Ｐ）（式中、ＭはＢｉ及びランタニド元素からなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。０．０５≦ｘ≦０．４。０＜ｙ≦０．７。δ＝０及びｚ＝３が標準であるが、これらの値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準値からずれてもよい。） - 特許庁

The active layer 5, in which a light is generated by current injection is pinched by an N-type clad layer 4 and a P-type clad layer 6, whose band gap energy is larger than the active layer 5, which is composed of compound semiconductor containing Zn, O and group VI elements other than O.例文帳に追加

電流注入により発光する活性層５が、その活性層５よりバンドギャップエネルギーが大きい材料からなるｎ形クラッド層４およびｐ形クラッド層６により挟持される構造で、前記活性層５がＺｎと、Ｏと、Ｏ以外のVI族の元素を含む化合物半導体からなっている。 - 特許庁

The current supply circuit 11 is equipped with: N-channel transistors N3, N4 having sources connected to drains of the first transistors N1, N2; and P-channel transistors P3, P4 as current limiting elements each having one end connected to the power supply line VDDL and the other end connected to a drain of the transistor N3 or N4.例文帳に追加

電流供給回路１１は、ソースが第１のトランジスタＮ１，Ｎ２のドレインに接続されたＮチャネルトランジスタＮ３，Ｎ４と、一端が電源ラインＶＤＤＬに接続され、他端がトランジスタＮ３，Ｎ４のドレインに接続された電流制限素子としてのＰチャネルトランジスタＰ３，Ｐ４とを備えている。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element 10 can be connected to another element by the electrode 6 mounted at another side of the insulating supporter 1 in the thermoelectic conversion element 10, and can be connected in series at the upper and lower surfaces of the p-type and the n-type semiconductor elements 2a, 2b without using an electrode plate.例文帳に追加

熱電変換素子１０の絶縁支持体１他端側の側部に設置した電極６により、熱電変換素子１０同士を接続させることができ、ｐ型半導体素子２ａおよびｎ型半導体素子２ｂの上下面で電極板を用いることなしに熱電変換素子を直列に接続することができる。 - 特許庁

The display device includes a pixel section in which display elements and a plurality of the pixels including the P type transistors are arranged in a matrix form, a signal line driving circuit and a scanning line driving circuit, and it is characterised in that either or both of the signal line driving circuit and the scanning line driving circuit include circuits for aging.例文帳に追加

本発明の表示装置は、表示素子及びＰ型トランジスタを含む複数の画素がマトリクス状に配置された画素部と、信号線駆動回路及び走査線駆動回路とを具備し、該信号線駆動回路及び該走査線駆動回路の一方又は両方がエージング用回路を具備することを特徴とする。 - 特許庁

The high purity calcium hydroxide powder has a purity of ≥99.9 mass%, a total content of specific heavy metals (Pb, Hg, Bi, Cd, Sn, and Cu) of ≤1 mass ppm, and a total content of specific elements A (Ba, Bi, Cd, Pb, Tl, Zr, and P) of ≤1 mass ppm.例文帳に追加

純度が９９．９質量％以上、特定重金属（Ｐｂ、Ｈｇ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｓｎ及びＣｕ）の合計含有量が、１質量ｐｐｍ以下、及び特定元素Ａ（Ｂａ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｐｂ、Ｔｌ、Ｚｒ及びＰ）の合計含有量が０．１質量ｐｐｍ以下である、高純度水酸化カルシウム粉末である。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor device including a FET in which a short-channel effect is suppressed and at the same time the gradation of pinch-off characteristics caused by the conduction of a p-type impurity in an area other than a channel is suppressed, and the leakage between adjacent elements is suppressed in the FET with a high-concentration and thin-layer active layer.例文帳に追加

高濃度で薄層の能動層を有するＦＥＴにおいて、ショートチャネル効果を抑制しつつ、チャネル以外のｐ型不純物伝導に起因するピンチオフ特性劣化の抑制及び隣接素子間のリークの抑制を実現したＦＥＴを含む化合物半導体装置を提供すること - 特許庁

The thermoelectric conversion module comprises an upper board of a heat absorbing side for absorbing a heat, a lower board of a heat dissipating side for dissipating the heat, a plurality of upper electrodes 12 and lower electrodes 11 formed on opposed surfaces of the upper and lower boards, and a plurality of p-type and n-type thermoelectric elements 13 disposed between the upper board and the lower board.例文帳に追加

熱を吸収する吸熱側の上基板と、熱を放出する放出側の下基板と、上基板及び下基板の各対向面に形成された夫々複数個の上部電極１２及び下部電極１１と、上基板と下基板との間に配置された複数個のＰ型及びＮ型の熱電素子１３とを有する。 - 特許庁

To provide an Sb based solder alloy essentially consisting of Sn and solving both the problem of defects caused by the yellowing and the reduction of metallic luster upon the formation of a solder ball or the formation of a solder bump and the problem in the reduction of solderability caused by the addition of Ga and P elements, and to provide a solder ball.例文帳に追加

本発明の目的は、Ｓｎを主体とし、はんだボール形成時やはんだバンプ形成時の黄化や金属光沢の低下に起因した不良の問題と、これらの元素の添加によるはんだ付け性低下の問題の双方を解決するＳｎ系はんだ合金ならびにはんだボールを提供することにある。 - 特許庁

The liquid crystal display can be manufactured by combining formation of a gettering sink outside a p-channel type TFT region and a process of self-alignedly removing a part of a region, where the elements of a catalyst are gettered that is located outside the TFT region, by a source interconnection or drain interconnection.例文帳に追加

Ｐチャネル型ＴＦＴ領域の外側にゲッタリングシンクを設けることと、触媒元素をゲッタリングさせた領域の内、ＴＦＴ領域の外側に設けられている領域をソース配線あるいはドレイン配線により自己整合的に除去する工程とを組み合わせることにより、上記課題を解決できる。 - 特許庁