「P elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The p-type ground regions PGD are formed closer to an end side of the primary surface than to the pair of elements DR and the active barrier structures AB so as to keep away from the region sandwiched by the pair of elements DR on the primary surface, and are the regions to which ground potential can be applied and are electrically connected to the p-type regions.例文帳に追加

ｐ型接地領域ＰＧＤは、主表面において１対の注入元素子ＤＲに挟まれる領域を避けて１対の注入元素子ＤＲおよびアクティブバリア構造ＡＢよりも主表面の端部側に形成され、かつｐ型領域に電気的に接続された、接地電位を印加可能な領域である。 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor device for ensuring stability in device characteristics by suppressing device characteristic deterioration, with the passage of time, caused by diffusion of 1A base elements on a p/n bonding interface or p/i/n bonding interface.例文帳に追加

ｐ／ｎ接合界面又はｐ／ｉ／ｎ接合界面における１Ａ族元素の拡散による素子特性の経時的劣化を抑制し、素子特性の安定性を確保することを目的とした酸化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

The laser elements 10 and 20 are respectively constituted by successively laminating n-type clad layers 11 and 21, MQW active layers 12 and 22, p-type clad layers 13 and 23, current blocking layers 14 and 24, and p-type contact layers 15 and 25 upon another in this order.例文帳に追加

第１および第２の半導体レーザ素子１０，２０は、ｎ−クラッド層１１，２１、ＭＱＷ活性層１２，２２、ｐ−クラッド層１３，２３、電流ブロック層１４，２４およびｐ−コンタクト層１５，２５が順に積層されてなる。 - 特許庁

When an armature chopper device 5 having the switching elements 5a-5d, 5b-5c of two phases connected in serial is connected between P, N bus-bars 6a, 6b, disconnection means 21a, 21d, 21b, 21c are connected between both ends of the element of respective phases and the P, N bus-bars 6a, 6b.例文帳に追加

Ｐ，Ｎ母線6a，6b間に２相のシリアル接続されたスイッチング素子5a−5d、5b−5cをもった電機子チョッパ装置5を接続するに際し、各相の素子両端部とＰ，Ｎ母線6a，6bとの間に切断手段21a，21d，21b，21cを接続する。 - 特許庁

An X-ray tube irradiates X rays on a subject, and the detector elements disposed on the detector surface of a multirow X-ray detector or an area X-ray detector detect the X-rays transmitting through the reconstruction region P and output projection data.例文帳に追加

X線管によって被検体にX線を照射し、多列X線検出器またはエリア状X線検出器の検出器面に配置されている検出器素子により再構成領域Pを透過するX線を検出し投影データを出力する。 - 特許庁

A complex linear operation circuit 108 stores the inverse matrix of a matrix consisting of q rows and p columns of exp(2πjk_pn_q/N) about a set {k_p} using the carrier numbers of M effective carriers as elements and a set {n_q} using sample numbers 0 to M-1 as elements.例文帳に追加

複素線形演算回路108には、M本の有効キャリアの番号を要素とする集合｛k_p｝、サンプル番号0乃至M-1を要素とする集合｛n_q｝について、ｑ行ｐ列がexp(2πjk_pn_q／N)である行列の逆行列が記憶されている。 - 特許庁

The pair of p-type and n-type thermoelectric elements 13 are connected to the electrodes 12 and 11, and the elements 13 are connected in series or in parallel via the electrodes 12 and 11.例文帳に追加

上部電極１２及び下部電極１１には、夫々Ｐ型及びＮ型の１対の熱電素子１３が接続され、上部電極１２及び下部電極１１により熱電素子１３が直列又は並列に接続されている。 - 特許庁

Since the foods P to be warmed and the heating elements 6 are alternately stacked, the frequency of contact of the heating elements 6 with air increases, the warming condition stabilizes and a plurality of foods can be warmed for a relatively long time.例文帳に追加

保温される食品Ｐと発熱体６とを交互に積み重ねているので、発熱体６と空気との接触頻度が高くなり、保温状況が安定化し、複数の食品を比較的長時間保温することができる。 - 特許庁

To provide a thermoelectric conversion module in which the resistance of a part of a circuit constituted of a plurality of electrodes, a plurality of p-type thermoelectric conversion elements and a plurality of n-type thermoelectric conversion elements can be measured, and to provide its evaluation method.例文帳に追加

複数の電極、複数のｐ型熱電変換素子及び複数のｎ型熱電変換素子により構成される回路の一部の抵抗値を測定可能な熱電変換モジュール及びその評価方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an ICP emission spectroscopic analyzer capable of very accurate analysis of nonmetallic elements such as S, P, As, Se and Sb as well as metallic elements such as Fe, Mn, Cu, Ni and Cr contained in a metal.例文帳に追加

金属中に含まれるＦｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属元素は勿論のこと、Ｓ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｂなどの非金属元素についても精度よく分析することができるＩＣＰ発光分光分析装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a photovoltaic device, which is a lamination of a plurality of unit elements having p-n or p-i-n structures made of a silicon-based non-single crystal semiconductor material, with its photovoltaic efficiency enhanced by stabilizing the p/n interface structures for improvement on interfacial characteristics and in film adhesion.例文帳に追加

シリコン系非単結晶半導体材料からなるｐｎ又はｐｉｎ構造を有する複数の単位素子を積層した光起電力素子において、ｐ／ｎ界面の構造を安定させ、界面特性および膜密着性を向上させることにより、光電変換効率の高い光起電力素子を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device 1 for which many unit elements of the T-IGBT of N channel are formed in parallel on a semiconductor substrate, a p^+ region 3 where an impurity concentration is higher than a base p^- region 58 is formed between the digit part 2-2 of an emitter n^+ region 2 formed in a ladder shape and the base p^- region 58.例文帳に追加

ＮチャネルのＴ−ＩＧＢＴの単位素子が半導体基板上に多数並列に形成される半導体装置１において、梯子型に形成されるエミッタｎ^+領域２の桁部分２−２とベースｐ^-領域５８との間に、ベースｐ^-領域５８よりも不純物濃度が高いｐ^+領域３を形成する。 - 特許庁

First and second output buffers 4 and 5 are formed using two kinds of operational amplifiers, such as an N-channel operational amplifier and a P-channel operational amplifier, in which the number of elements is few.例文帳に追加

第１及び第２の出力バッファ４、５をそれぞれＮチャネル型オペアンプ、Ｐチャネル型オペアンプという素子数が少ない２種類のオペアンプを用いて形成する。 - 特許庁

The policy information is stored in which a plurality of policy elements P(i) including a policy identifier, a transmission source/destination address range, and a port number range and action are arranged in an evaluation order.例文帳に追加

ポリシ識別子、送信元／宛先アドレス範囲、ポート番号範囲及びアクションを含む複数のポリシ要素Ｐ(i)を評価順序に並べたポリシ情報を記憶する。 - 特許庁

A light emitting device D has a plurality of data lines 13 extending in a Y direction and a plurality of unit elements P which are arrayed in an X direction and connected to the respective data lines 13.例文帳に追加

発光装置Ｄは、Ｙ方向に延在する複数のデータ線１３と、Ｘ方向に配列して各データ線１３に接続された複数の単位素子Ｐとを具備する。 - 特許庁

The photovoltaic device is characterized in that the oxygen atom condensation level or/and the carbon atom density level attains a peak near the p/n interface between two or more unit elements and shows a maximum value there.例文帳に追加

複数の単位素子間のｐ／ｎ界面近傍に、酸素原子濃度または／及び炭素原子濃度が極大値となるピークを持つことを特徴とする。 - 特許庁

Injecting ions of impurity elements through the reflection preventing film 12 form N type and P type impurity diffusion layers 32, 33 in the light receiving region.例文帳に追加

前記受光領域のＮ型およびＰ型不純物拡散層３２，３３は、反射防止膜１２を通して不純物元素をイオン注入することによって形成される。 - 特許庁

The magnetizing direction (the P direction) of fixed magnetic layers configuring the magnetic detecting elements R1 to R4 is directed in the plan view direction C of an external magnetic field working from a plane coil.例文帳に追加

磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４を構成する固定磁性層の磁化方向（Ｐ方向）は、平面コイルから作用する外部磁界の平面視方向Ｃを向いている。 - 特許庁

Element housing recessed parts 34 and 36 are formed on a housing part 32, to contain and support optical elements 20 and 25 with a predetermined space along the introducing direction P of an optical fiber 15.例文帳に追加

ハウジング部３２に、光ファイバ１５の導入方向Ｐに沿って所定間隔開けて光素子２０，２５を収容保持する素子収容凹部３４，３６が形成される。 - 特許庁

The clad part contains at least elements selected from a group of boron(B), germanium(Ge), phosphorus(P), nitrogen(N) and fluorine (F) as an additive dopant of a quartz-based material.例文帳に追加

クラッド部は、石英系素材の付加ドーパントとして、少なくとも、硼素（Ｂ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、窒素（Ｎ）、およびフッ素（Ｆ）からなる群から選択される元素を含む。 - 特許庁

At an interface between the contact layer 113 and the p side electrode 115, there is formed an alloy layer 120, consisting of elements which constitute Ni, Au, Zn and the contact layer 113.例文帳に追加

上記コンタクト層１１３とｐ側電極１１５との界面に、ＮiとＡuとＺnおよびコンタクト層１１３を構成する元素とからなる合金層１２０を形成する。 - 特許庁

A p-side transparent electrode 8 and n electrode 7 of respective GaN semiconductor elements D are formed on a light take-out face or a light receiving face for the semiconductor element D.例文帳に追加

各ＧａＮ系半導体素子Ｄのｐ側透明電極８及びｎ電極７が半導体素子Ｄの光の取り出し面又は受光面側に形成される。 - 特許庁

In the method of manufacturing the thermoelectric module, alternately arranged thermoelectric elements P and N are collectively coupled with electrodes T by means of a discharge plasma sintering device 1.例文帳に追加

本発明に関わる熱電モジュール製造方法では、交互に配置された熱電素子Ｐ、Ｎと電極Ｔとを、放電プラズマ焼結装置１により一括して結合している。 - 特許庁

The thermoelectric conversion element is constituted by interposing an insulating layer 50 between an upper electrode 20 on the upper substrate side and n-type and p-type thermoelectric semiconductor elements 16 and 18.例文帳に追加

熱電変換素子は、上部基板側の上部電極２０とｎ型およびｐ型熱電半導体エレメント１６，１８との間に絶縁層５０が介挿されて構成される。 - 特許庁

Each of semiconductor laser elements is provided with a laser stripe 18 on a mesa 16 and has a p-side electrode 20, on a ridge stripe and an n-side electrode 22 on a contact layer by the side of the mesa.例文帳に追加

半導体レーザ素子は、レーザストライプ１８をメサ１６上に備え、リッジストライプ上にｐ側電極２０を、メサ脇のコンタクト層上にｎ側電極２２を有する。 - 特許庁

The organic electroluminescent device 1 is provided with light-emitting elements 200 having an organic function layer 40 pinched between a cathode 54 and an anode 41 on a substrate P.例文帳に追加

陰極５４及び陽極４１間に有機機能層４０が挟持されてなる発光素子２００を基板Ｐ上に有する有機エレクトロルミネッセンス装置１である。 - 特許庁

As a result, sufficient heat flow penetrating each of thermoelectric power generation elements N and P is ensured so that the reduction of power generation performance of the thermoelectric power generation module 12 can be suppressed.例文帳に追加

その結果、各熱電発電素子Ｎ，Ｐを貫通する熱流量が十分に確保され、熱電発電モジュール１２の発電性能の低下が抑制される。 - 特許庁

A circuit for thermoelectric conversion elements 5 is formed by fitting to insert p-type and n-type thermoelectric conversion elements 5 (5a, 5b) to element fitting holes 3 of an insulating board 30, and electrically connecting the thermoelectric conversion elements 5 corresponding to each other via electrodes 2 provided to one-end side and the other-end side in a piercing direction.例文帳に追加

絶縁性基板３０の複数の素子嵌合孔３に、各々Ｐ型とＮ型の対応する熱電変換素子５（５ａ，５ｂ）を貫通嵌合し、この貫通方向の一端側と他端側に設けられた電極２を介して対応する熱電変換素子５を電気的に接続し、熱電変換素子５の回路を形成する。 - 特許庁

The outdoor advertisement P is constituted, by laminating square elements 10 to 60 as a plurality of fraction elements on a base board leaving no space, wherein the adjacent portions of the elements 10 to 60 are firmly laminated to each other by a paste margin N, where no printing ink is deposited, outside an additionally printed area M.例文帳に追加

複数枚に分割された矩形の要素１０〜６０を台板上に隙間なく貼合わせることによって構成される屋外広告Ｐにおいて、要素１０〜６０の隣合う部分が、塗り足しＭの外側にある、印刷用インクが載っていない糊代Ｎによって、互いに強固に貼合わされるようにした。 - 特許庁

In this method for manufacturing this thermoelectric converting device, a set of array bodies where only the p type thermoelectric semiconductor elements 1 and the n type thermoelectric semiconductor elements 2 are arrayed are preliminarily manufactured on the polymer sheets 7 and 8, and both of them are fit to each other, and those respective elements are bonded to the electrodes at predetermined positions so as to be integrated.例文帳に追加

製造にあたっては、予め高分子シート７及び８上に、それぞれ、ｐ型熱電半導体エレメント１及びｎ型熱電半導体エレメント２のみを配置した１組の配列体を予め作製しておき、両者を嵌め合せ、各エレメントを所定の位置で電極に接合して、一体化する。 - 特許庁

A transfer position of the fingertip P, namely, the transfer position of the driving unit 4 is detected, three braille pins 16 corresponding to the position are selected by the three pin selection elements 21 of the driving unit 4 and selectively projected with force of transfer of the fingertip P.例文帳に追加

指先Ｐの移動位置、即ち駆動ユニット４の移動位置を検出し、当該位置に対応する３本の点字ピン１６を、駆動ユニット４の３個のピン選択素子２１により選択し、指先Ｐの移動の力で選択的に突出させる。 - 特許庁

Without using silver, by using a copper alloy in which Sn, Ni and P are added elements, tensile strength and an bending resistant characteristic preferable especially for utilization as the exothermic body for a seat heater of an automobile or the like can be obtained.例文帳に追加

線径：0.02〜0.1mm 引張強度：900MPa以上 抵抗値：6.5〜30.0Ω／m 銀を用いることなく、Sn、NiおよびPを添加元素とする銅合金を用いることで、特に、自動車などのシートヒータ用の発熱体としての利用に好ましい引張強度・耐屈曲性を得ることができる。 - 特許庁

The high Mn-contained molten metal can further contain by mass% of one or more elements selected in the group composed of ≤1% Si, ≤0.5% P, ≤0.5% S, ≤20% Cr, ≤1% Cu, and ≤10% Ni in stead of a part of Mn and Fe.例文帳に追加

高Ｍｎ含有溶融金属が,Mnおよび鉄の一部に代えて,Siを1質量%以下,Pを0.5質量%以下,Sを0.5質量%以下,Crを20質量%以下,Cuを1質量%以下およびNiを10質量%以下からなる群から選ばれた一種以上をさらに含有してもよい。 - 特許庁

The optical axes of lenses 1, 2 forming a lens array 11 and adjacent to each other in a longitudinal or lateral direction are selected in parallel with a shift of (n+0.5)×P, where P is a size of pixels of sensor elements 3a, 3b-3n and n is an integer of 2 or over.例文帳に追加

レンズアレイ１１を形成しているレンズ１、２は、縦又は横方向に隣接するレンズ１、２同士の光軸が、センサ素子３ａ、３ｂ〜３ｎの画素のサイズをＰとし、ｎを２以上の整数とすると、（ｎ＋０．５）×Ｐずれて平行に設定する。 - 特許庁

A terminal electrode 12B is formed, extending along the arranged direction of the plurality of p-type thermoelectric elements and n-type thermoelectric elements and along the rim of one of thin-film substrates 10 that has the terminal electrode 12B formed.例文帳に追加

複数のｐ型熱電素子およびｎ型熱電素子の配列方向に沿い、かつ端部電極１２Ｂの形成された一方側薄膜基板１０の縁部に沿う態様で、端部電極１２Ｂを延在させて形成したことを特徴としている。 - 特許庁

The deflecting elements 11-14 reduce light quantity loss by deflection through the use of inner surface reflection type optical elements 12 and 13 in deflection in the case of p- polarization and through the use of dielectric mirrors 11 and 14 in deflection in the case of s-polarization.例文帳に追加

偏向素子１１〜１４はｐ偏光時の偏向には本発明の内面反射型光学素子（１２、１３）を用い、ｓ偏光時の偏向には誘電体ミラー（１１、１４）を用いることで、偏向による光量損失を低減させる。 - 特許庁

A semiconductor device 50 is provided with an n-type MOS transistor, formed in a p-type well 14 formed into a p-type substrate 12, an n-type well 30 formed adjacent to the well 14, and first, and second protective elements 24 and 28 connected to a gate electrode 20.例文帳に追加

本半導体装置５０は、ｐ型基板１２上のｐウエル１４内に形成されたｎＭＯＳトランジスタ１０と、ｐウエルに隣接して形成されたｎウエル３０と、ゲート電極２０に接続された第１の保護素子２４と第２の保護素子２８とを備えている。 - 特許庁

The light-emitting display is arranged in a dot-matrix with the light-emitting elements 3 with a residual portion excepting a p-side electrode 36 portion serving as a light-emitting face 11, by providing a p-side electrode 36 for supplying an electric power source to a main light-emitting face 10.例文帳に追加

発光表示装置は、主発光面１０に電源を供給するｐ側電極３６が設けられていることで、ｐ側電極３６部分を除いた残余を光出射面１１とした発光素子３をドットマトリクス状に配置したものである。 - 特許庁

This core is a hydroforming core wherein plural ball shape or disc shape deform prevention elements 11 are flexibly connected with connecting members 12 and, is used by setting it inside a metal pipe P before starting hydroforming for preventing the metal pipe P from being deformed inwards.例文帳に追加

球状または円板状の複数の変形防止エレメント１１を連結部材１２により柔軟に連結したハイドロフォーミング用中子であり、金属管Ｐの内側への変形を防止するために、ハイドロフォーミング開始前に金属管Ｐの内部にセットして用いられる。 - 特許庁

Among N recording elements 51-5N arranged by an interval of P dots in a sub scanning direction, n recording elements are selected by an interval of k dots to satisfy the condition that k=mP and at the same time, n and k are prime to each other and integers while m is an integer not smaller than 1.例文帳に追加

副走査方向にＰドット間隔で配列したＮ個の記録素子５1〜５N中から、ｍを１以上の整数として、ｋ＝ｍＰ且つｎとｋは互いに素である整数、なる条件を満たすよう、ｋドットの間隔でｎ個の記録素子を選択する。 - 特許庁

LED elements 13 having n-side bumps 23 at corner portions are disposed so that the n-side bumps 23 are directed toward the center line of a circuit board 12 and a positive electrode 15 connected to p-side bumps 24 is set wide so as to lie off mounting regions of the LED elements 13.例文帳に追加

角部にｎ側バンプ２３を備えるＬＥＤ素子１３を、ｎ側バンプ２３が回路基板１２の中心線を向くように配置し、ｐ側バンプ２４と接続する＋電極１５をＬＥＤ素子１３の実装領域をはみ出すように広くとる。 - 特許庁

Plurality of first and second electrodes 3, 4 are respectively formed on the opposite surfaces of first and second substrates 1, 2, and N-type thermoelectric elements 5 and P-type thermoelectric elements 6 are arranged so as to be held between the first electrodes 3 and the second electrodes 4.例文帳に追加

第１及び第２の基板１，２の対向面上に、夫々複数個の第１及び第２の電極３，４が形成されており、Ｎ型熱電素子５及びＰ型熱電素子６が第１の電極１と第２の電極２との間に挟まれるように配置されている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the porous titanic oxide of high purity, the hydrated titanic oxide before drying, and firing contains one or ≥2 compounds of elements selected from Si, P, Mg, Ca, Ba, Mn, Al, and Zr elements as a grain growth regulation agent.例文帳に追加

また、乾燥・焼成前の含水酸化チタン中に粒子成長調整剤としてケイ素、燐、マグネシウム、カルシウム、バリウム、マンガン、アルミニウム、及びジルコニウムから選ばれた１種又は２種以上の元素の化合物を存在せしめる高純度多孔質酸化チタンの製造方法である。 - 特許庁

When determining that the game period P becomes longer than the prescribed period X, this game machine detects a prescribed timing when a performance picture to be displayed on a display part is changed to a performance picture of performance elements different from the performance elements under execution of the performance (S50).例文帳に追加

遊技期間Ｐが所定期間Ｘよりも長くなったと判断された後に、表示部に表示される演出画像が、演出実行中の演出要素と異なる演出要素の演出画像に切り替わるタ所定のイミングを検出する（Ｓ５０）。 - 特許庁

Rod elements 11 and 12 composed of an n-type thermoelectric conductor and a p-type thermoelectric conductor are arranged and fixed regularly, with an insulating layer 30 in between and end surfaces of the rod type elements 11 and 12 are exposed respectively to form two wiring surfaces 40a and 40b.例文帳に追加

ｎ型熱電半導体とｐ型熱電半導体からなる複数の棒状素子１１、１２を絶縁層３０を介して規則的に配置して固定し、各棒状素子１１、１２の端面をそれぞれ露出させて二面の配線面４０ａ、４０ｂを作る。 - 特許庁