「P elements」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, since the longitudinal direction of the trench 6 is formed perpendicularly to the longitudinal direction of the p-type deep layer 10, displacement in the mask for forming these elements does not affect device characteristics.例文帳に追加

また、トレンチ６の長手方向とｐ型ディープ層１０の長手方向とが垂直とされているため、これらを形成するためのマスクずれがデバイス特性に影響を与えることはない。 - 特許庁

To provide a non-single crystal solar battery preventing the dispersion to an i layer of elements included in p type or n type impurities and material gas and improving power generation efficiency.例文帳に追加

ｐ型あるいはｎ型不純物および材料ガスに含まれる元素のｉ層への拡散を防止し、発電効率の向上を図った非単結晶太陽電池を提供する。 - 特許庁

To prevent the diffusion or the like of an element at a joint in a thermoelectric module employing N type and P type thermoelectric elements exhibiting excellent characteristics to a high temperature zone of 500°C or thereabout.例文帳に追加

温度が５００℃周辺の高温域まで優れた特性を有するＮ型及びＰ型の熱電素子を用いた熱電モジュールにおいて、接合部における元素の拡散等を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can suppress the through current flowing in the pull-up transistor and other elements in a drive signal generation circuit when turning off a P-channel MOS transistor.例文帳に追加

Ｐチャンネル型ＭＯＳトランジスタをＯＦＦさせる時に、駆動信号生成回路内のプルアップトランジスタと他の素子に流れる貫通電流を抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5 and a p-type GaN layer 6 are sequentially laminated and a separation groove A for separating between the elements is formed.例文帳に追加

ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。 - 特許庁

A dust core 10 comprises an insulator layer 2 including a particulate metallic oxide 3 among a metal powder 1, in which the insulator layer 2 includes Ca, P, O, Si, and C as elements.例文帳に追加

圧粉磁心１０は、金属粉１間に、粒子状金属酸化物３を含む絶縁層２を備えた圧粉磁心であって、絶縁層２は、元素としてＣａ、Ｐ、Ｏ、Ｓｉ及びＣを含む。 - 特許庁

The copper alloy further contains at least one of B, P, Zr, Fe, Co, Cr, Ag, Ca and rare earth elements, and the content thereof is 0.01 atom% or more but 1 atom% or less.例文帳に追加

さらに、Ｂ，Ｐ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ａｇ，Ｃａ，希土類元素のうちの少なくとも１種以上を含み、その含有量が０．０１原子％以上１原子％以下とされていることを特徴とする。 - 特許庁

Lithium cobaltate or lithium nickelate, into which at least one kind of elements selected from a group of B, Bi, Mo, P, Cr, and V is added, are used as the positive electrode active material.例文帳に追加

Ｂ、Ｂｉ、Ｍｏ、Ｐ、Ｃｒ、Ｖ及びＷからなる群から選ばれる少なくとも１種類の元素を添加してなるコバルト酸リチウム又はニッケル酸リチウムを正極活物質として用いる。 - 特許庁

By using a cooling means, which is composed of heat spreaders 2a, 2b, Peltier elements 3a, 3b, a heat sink 14 and the like, the semiconductor laser element 1 is cooled from both the p-side and the n-side.例文帳に追加

ヒートスプレッダー２ａ、２ｂとペルチェ素子３ａ、３ｂとヒートシンク14等からなる冷却手段を用いて、半導体レーザ素子１をそのｐ側およびｎ側の双方から冷却する。 - 特許庁

A determination means 11 determines whether the high-brightness picture elements P extracted by the high-brightness picture element extracting means 10 run in line over a prescribed number or more on the sample image or not.例文帳に追加

判定手段１１は、高輝度画素抽出手段１０で抽出された高輝度画素Ｐがその試料像上において所定個数以上連なっているかどうかを判定する。 - 特許庁

First and third TFT elements 1, 3 consisting of (n) type MOSs are turned an and a second TFT element 2 consisting of a (p) type MOS is turned off by making a scanning line GL1 to be at +15 V.例文帳に追加

走査線ＧＬ１を＋１５Ｖにして、ｎ型ＭＯＳからなる第１、第３のＴＦＴ素子１，３をオンにして、ｐ型ＭＯＳからなる第２のＴＦＴ素子２をオフにする。 - 特許庁

On the AlN buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-type GaN layer 4, an active layer 5, and a p-type GaN layer 6 are laminated in order, and an isolation groove A isolating elements is formed.例文帳に追加

ＡｌＮバッファ層２上には、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮ層４、活性層５、ｐ型ＧａＮ層６が順に積層され、素子間を分離する分離溝Ａが形成される。 - 特許庁

The p-type and the n-type thermoelectric elements 1a, 1b have rectangular sections, and a sectional surface in the longitudinal direction is disposed diagonal to an insulating substrate in the longitudinal direction.例文帳に追加

このｐ型及びｎ型の熱電素子は、その横断面が長方形になっており、断面の長手方向と絶縁基板３の長手方向とが直交するように配置されている。 - 特許庁

Before charging refuse Q into the inside of a carbide generator 1, a porous inorganic particulate P is charged until the electric heating elements 12 provided in the carbide generator 1 are covered.例文帳に追加

塵芥Ｑを炭化物生成機１の内部に投入する前に、この炭化物生成機１に設けられた電気発熱体１２が覆われるまで多孔質無機粒状物Ｐを充填する。 - 特許庁

The determination means 11 transmits a signal for stopping ion beam emission to the sample, to an ion gun control means 12, when determining that the high-brightness picture elements P run in line over the prescribed number or more.例文帳に追加

判定手段１１は、高輝度画素Ｐが所定個数以上連なっていると判定した場合、試料へのイオンビーム照射を停止させる信号をイオン銃制御手段１２に送る。 - 特許庁

The surface layer contains 3-25 atom% of carbon and 5×10^10 to 200×10^10 atoms/cm^2 of p-type metal elements.例文帳に追加

当該表面層は、３ａｔ．％の〜２５ａｔ．％の炭素を含み、且つ、５×１０^１０原子／ｃｍ^２〜２００×１０^１０原子／ｃｍ^２のｐ型金属元素を含んでいる。 - 特許庁

A Lithium ion conductor comprises a compound oxide with Li, P, O, halogen element X, and element L as constituent elements; and is represented by a composition formula: Li_aPO_bX_cL_d.例文帳に追加

複合酸化物からなるリチウムイオン導電体であって、前記複合酸化物は、Ｌｉ、Ｐ、Ｏ、ハロゲン元素Ｘおよび元素Ｌからなり、かつ、以下の組成式： Ｌｉ_aＰＯ_bＸ_cＬ_dで表される。 - 特許庁

A group of the thermoelectric conversion elements obtained by connecting n-type semiconductors 6a and p-type semiconductors 6b in series with electrodes 3 alternately are inserted and held between a pair of ceramic substrates 4.例文帳に追加

ｎ型半導体６ａとｐ型半導体６ｂとが交互に電極３をもって直列に接続される熱電変換素子群が一対のセラミックス基板４をもって挟持されている。 - 特許庁

The beams photoreceived by the photoreceiving elements 15a, 15b serve respectively as alternating current signals A, B having V/p of frequency to a moving speed V of a speckle pattern.例文帳に追加

受光素子１５ａ、１５ｂで受光される光束は、それぞれ移動物体Ｓにおけるスペックルパターンの移動速度Ｖに対してＶ／ｐの周波数の交流信号Ａ、Ｂとなる。 - 特許庁

The element section 3 and a termination section 5 are both formed in a superjunction structure, where p-type epitaxial buried layers 122, 123 and a pair (elements cell 2) of n-type epitaxial layers 124 are alternately arranged.例文帳に追加

素子部３と終端部５をともに、ｐ型エピタキシャル埋込層１２２，１２３とｎ型エピタキシャル層１２４の対（素子セル２）が交互に配列されたスーパージャンクション構造にする。 - 特許庁

The semiconductor device 60 comprises the PNP type bipolar transistor 66 wherein elements are isolated by an element isolation region 62 and an insulating well region 64, in a p-type substrate 68.例文帳に追加

本半導体装置６０は、素子分離領域６２及び絶縁ウエル領域６４により素子分離されているＰＮＰ型バイポーラトランジスタ６６をｐ型基板６８に備えている。 - 特許庁

A light-emitting diode contains n-type or p-type laminated gallium nitride compound semiconductor light-emitting elements; and fluorescent paints or fluorescent pigments that emit the visible light of wavelength longer than excitation wavelength through excitation, by the visible light emitted from the above gallium nitride compound semiconductor light-emitting elements to compensate the colors of the above gallium nitride compound semiconductor light-emitting elements.例文帳に追加

発光ダイオードは、ｎ型及びｐ型に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子と、前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子からの可視光により励起されて、励起波長よりも長波長の可視光を出して前記窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の色補正をする蛍光染料又は蛍光顔料とを有する。 - 特許庁

The thermoelectric conversion device 1 is provided with a first insulative substrate 9 having a plurality of electrodes 10 and a cover connection electrode 12, a second substrate 3 having a plurality of electrodes 4, a plurality of p-type thermoelectric elements 7, a plurality of n-type thermoelectric elements 8, a regulating member 11 to regulate the positions of the respective thermoelectric elements, and a cover 2.例文帳に追加

熱電変換装置１は、複数の電極１０及び蓋部接続用電極１２を備えた絶縁性の第１基板９と複数の電極４を備えた絶縁性の第２基板３と、複数のｐ型熱電素子７及びｎ型熱電素子８と、各熱電素子の位置を規定する規定部材１１と、蓋部２とを備える。 - 特許庁

The ZnO based compound semiconductor element includes: an n-type semiconductor layer which is doped with nitrogen (N) together with group III elements; a p-type semiconductor layer which is formed over the n-type semiconductor layer; and the active layer formed between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

ＺｎＯ系化合物半導体素子は、ＩＩＩ族元素とともに窒素（Ｎ）がドープされたｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層の上方に形成されたｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に形成された活性層とを含む。 - 特許庁

Conductive layers 56A-56D are so extended on the insulation films 54 from the p-side electrodes 28A-28D to the bonding pads 58A-58D provided on the outsides of the semiconductor laser elements 14A, 14D as to connect electrically the p-side electrodes 28A-28D with the bonding pads 58A-58D.例文帳に追加

導電層５６Ａ〜Ｄが、ｐ側電極２８Ａ〜Ｄから半導体レーザ素子１４Ａ、１４Ｄの外側に設けられているボンディングパッド５８Ａ〜Ｄまで絶縁膜５４上に延在し、ｐ側電極２８Ａ〜Ｄをボンディングパッド５８Ａ〜Ｄに電気的に接続している。 - 特許庁

Polarization separating elements 21 are constituted by including a translucent substrate 21A made of a crystalline material having birefringence and optical rotatory power and a polarization separating part 21B which is provided on an incident side surface of the translucent substrate 21A and transmits P polarization P and reflects S polarization S.例文帳に追加

複屈折性と旋光性を有する結晶材料の透光性基板２１Ａと、この透光性基板２１Ａの入射側表面に設けられ、Ｐ偏光Ｐを透過させ、かつ、Ｓ偏光Ｓを反射する偏光分離部２１Ｂとを備えて偏光分離素子２１を構成する。 - 特許庁

The sintered material of phosphor bronze composite comprises including 0.01-0.5% P and 3-10% Sn as essential elements, and (a) 1% or less Pb, 1% or less Bi, 2% or less Ag and/or 8% or less Ni, as needed, and that grain sizes equivalent to an average circle are 5-50 μm.例文帳に追加

０.０１〜０.５％のP及び３〜１０％のSnを必須元素として含有し、必要により（ａ）１％以下のPb， １％以下のBi，２％以下のAg，及び／または８％以下のNiを含有し、平均円相当の結晶粒径が５〜５０μmであるリン青銅複合焼結材。 - 特許庁

The plurality of signal beams included in the bundle of rays becoming converged beam by the lens 61 are converted into P-polarized beam by a change optical elements 192, 193, the stray beam is made incident on a polarizor 64 while kept S-polarized, and only P-polarized beam is made incident on a light receiver PD through a detecting lens 58.例文帳に追加

レンズ６１で収束光となった戻り光束に含まれる複数の信号光は変更光学素子１９２、１９３でＰ偏光に変換され、迷光はＳ偏光のままで偏光子６４に入射し、Ｐ偏光のみが検出レンズ５８を介して受光器ＰＤに入射する。 - 特許庁

In the early 1960s, Jerome McCarthy, an American marketing professor, suggested a basic marketing theory called the “marketing mix,” wherein sales strategy is implemented by combining four elements starting with the letter P, i.e. product, price, place and promotion, in the most adequately balanced manner.例文帳に追加

米国のマーケティング学者であるジェローム・マッカーシーは1960年代前半にマーケティング・ミックスというマーケティング基礎理論を提唱したが、それは構成要素である4つのPの製品（Product）、流通（Place）、価格（Price）、プロモーション（Promotion）をもっとも適したバランスで組み合わせて販売戦略を展開するものである。 - 経済産業省

The fluorophosphate glass containing phosphorus, oxygen and fluorine as glass components is characterized by containing one or more halogen elements selected from among chlorine, bromine and iodine and having a molar ratio O^2-/P^5+ of the content of O^2- to the content of P^5+ of 3.5 or more.例文帳に追加

ガラス成分として、リン、酸素およびフッ素を含むフツリン酸ガラスにおいて、塩素、臭素およびヨウ素の中から選ばれる１種以上のハロゲン元素を含み、Ｐ^５＋の含有量に対するＯ^２−の含有量のモル比Ｏ^２−／Ｐ^５＋が３．５以上であることを特徴とするフツリン酸ガラスである。 - 特許庁

Pairs of P-type elements 22 and N-type elements 24 are connected in series via a copper pattern 28 formed on a ceramic substrate 30 through metallization, an outer circuit 34 is formed along an outer edge of the substrate 30, and an inner circuit 36 is formed inside the outer circuit 34.例文帳に追加

セラミック基板（３０）上にメタライジングによって形成した銅パターン（２８）を介して、Ｐ型素子（２２）とＮ型素子（２４）からなる素子対を直列接続し、セラミック基板（３０）の外縁に沿って外側回路（３４）を形成し、該外側回路（３４）の内側に内側回路（３６）を形成する。 - 特許庁

This vertical structure semiconductor light emitting device according to the present invention comprises an Si-Al alloy substrate; and a p-type semiconductor layer comprising compounds of elements belonging to the III-V Groups, an activated layer and an n-type semiconductor layer comprising compounds of elements belonging to the III-V Groups, which are sequentially laminated on the Si-Al alloy substrate.例文帳に追加

本発明による垂直構造半導体発光素子は、Ｓｉ−Ａｌ合金基板と、上記Ｓｉ−Ａｌ合金基板上に順次積層されているｐ型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層及びｎ型ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を含む。 - 特許庁

The image heating device has: the energized heating elements 302a and 302b for heating a developed image formed on a recording medium P; a current detection means 507 for detecting the current applied to the energized heating elements; and a control means 501 for controlling the energizing of the energized heating element.例文帳に追加

記録媒体Ｐ上に形成された現像像を加熱するための通電発熱体３０２ａ，３０２ｂと、通電発熱体に通電される電流を検出する電流検出手段５０７と、通電発熱体の通電を制御する制御手段５０１と、を有する。 - 特許庁

In the organic EL element 2, elements 7 each having an organic layer 6 including a luminescent layer sandwiched between a positive electrode 4 including wire 4a and negative electrodes 6 including wire 6a are formed as films on a substrate 3, and connection points P of the wires 4a, 6a are placed between luminescent parts 8 of the elements 7.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２は、配線４ａを含む陽極４と、配線６ａを含む陰極６との間に発光層を含む有機層５が挟まれた素子７が基板３の上に成膜され、素子７の発光部８間を配線４ａ，６ａの接続点Ｐとしている。 - 特許庁

This copper alloy contains 2.0-4.0 mass% Ti, and 0.01-0.50 mass% one or more elements of Fe, Co, Ni, Cr, V, Zr, B and P as the third element group; and makes 50% or more of the content of the elements exist as second phase particles.例文帳に追加

Ｔｉを２．０〜４．０質量％含有し、第３元素群としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｚｒ、ＢおよびＰの中から１種以上を０．０１〜０．５０質量％含有し、これらの元素の含有量の５０％以上を第２相粒子として存在させる。 - 特許庁

Disclosed is an n-type Mg intermetallic compound(Mg_2X) having an inverse fluorite structure and expressed by general formula: Mg_2X (X denotes one kind or a plurality of elements selected from the group 4 elements, Si, Ge and Sn, and includes at least either Si or Ge), and P is added as a donor additive.例文帳に追加

逆ホタル石構造を有する一般式：Ｍｇ_２Ｘ（Ｘは４族元素Ｓｉ及びＧｅ及びＳｎから選択される一種または複数の元素であって、少なくともＳｉとＧｅの一方を含む）であって、ドナー添加物として、Ｐを添加するようにした。 - 特許庁

Disclosed is a copper based sintered contact material, wherein one or more intermetallic compounds, each of which comprises two or more elements selected from the group consisting of Ni, Si, Ti, Co, Al, V and P, are dispersed, and wherein the amount of one or more intermetallic compounds is adjusted such that the total amount of two or more elements is 0.5 to 10 wt.%.例文帳に追加

Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｖ、Ｐの２種以上よりなる金属間化合物が１種以上分散され、その添加量がＮｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｖ、Ｐの２種以上の合計添加量で０．５〜１０質量％になるようにされている。 - 特許庁

Each of the steps comprises the following elements: a starting condition S(i) of the step; a delay timer T(i) for setting a delay time from after the establishment of the starting condition; a target arrival position P(i); and a moving velocity V(i).例文帳に追加

各工程は、その工程の起動条件Ｓ（ｉ）、起動条件成立後からの遅延時間を設定する遅延タイマＴ（ｉ）、目標到達位置Ｐ（ｉ）、移動速度Ｖ（ｉ）の要素で構成する。 - 特許庁

To provide a steel sheet in which, in addition to the control of elements known as HIC generation causes heretofore such as Mn, P and S, in particular, HIC generation caused by the carbonitrides of Nb and Ti can be prevented.例文帳に追加

特にＭｎ、Ｐ、Ｓ等の従来よりＨＩＣ発生起因として知られる元素の制御に加えて、ＮｂやＴｉの炭窒化物に起因したＨＩＣ発生を防止できる鋼板を提供する。 - 特許庁

A light receiving unit includes a plurality of light receiving elements Pd(m, n) which are arranged in a plurality of columns in a main scanning direction by receiving the light of BR, BG, BB reflected by the original P.例文帳に追加

受光部は、原稿Ｐにおいて反射した光ＢＲ，ＢＧ，ＢＢを受光し、主走査方向に延在する複数本の列を複数の受光素子Ｐｄ（ｍ，ｎ）がなすことにより構成されている。 - 特許庁

First current constriction layers 5a and 5b and second current constriction layers 11a and 11b are laminated and formed on both sides of ridge parts of p-type semiconductor layers 4a and 4b of both semiconductor laser elements.例文帳に追加

両半導体レーザ素子のｐ形半導体層４ａ、４ｂのリッジ部の両側には第１電流狭窄層５ａ、５ｂと第２電流狭窄層１１ａ、１１ｂが積層して形成されている。 - 特許庁

Further, the sheet is 50 to 150 μm in thickness and contains ≤0.5%, in total, of one or more elements selected from Fe, Co, Ni, Cr, V, Nb, W, Mo, Mn, Zr, Si, Mg, B and P.例文帳に追加

更に、厚みが５０〜１５０μｍであり、また更に、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂ、およびＰから選択される１種以上を総計で０．５％まで含有する。 - 特許庁

At least the well layer of the layers constituting the light emitting layer 106 is composed of a nitride semiconductor containing one or more kinds of elements X selected from among a group composed of As, P, and Sb, N, and Ga.例文帳に追加

発光層１０６を構成する層のうち少なくとも井戸層は、Ａｓ、ＰおよびＳｂよりなる群から選ばれる一種以上の元素Ｘ、ＮおよびＧａを含む窒化物半導体からなる。 - 特許庁

At least the well layer among the layers constituting the light emission layer 103 is made of a nitride semiconductor containing at least one kind of elements X, N, and Ga selected from a group of As, P, and Sb.例文帳に追加

発光層１０３を構成する層のうち少なくとも井戸層は、Ａｓ、ＰおよびＳｂよりなる群から選ばれる一種以上の元素Ｘ、ＮおよびＧａを含む窒化物半導体からなる。 - 特許庁

The upper electrode 20 is sandwiched by an upper substrate composed of an insulating material and the insulating layer 50 and has a structure not touching the n-type and p-type thermoelectric semiconductor elements 16 and 18 directly.例文帳に追加

上部電極２０は、絶縁材料からなる上部基板と絶縁層５０とに狭持され、ｎ型およびｐ型熱電半導体エレメント１６，１８と直接接触しない構造となる。 - 特許庁