「PHOTO-DIODE」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Reflected light from a retroreflection material 42 provided on a stick 41 is received by a PIN photo diode 13 through a lens 33.例文帳に追加

杖４１に設けられた再帰反射材４２からの反射光は、レンズ３３を介してＰＩＮフォトダイオード１３により受光される。 - 特許庁

To improve the sensitivity of a photo diode in a CMOS image sensor and reduce the crosstalk (leakage) of charges to adjacent pixels.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサのフォトダイオード部において、感度向上を図るとともに、隣接画素への電荷のクロストーク（漏れ込み）を低減する。 - 特許庁

To obtain complementary two-phase signals from a signal of a photo diode in a preamplifier circuit and to obtain a low return loss from both outputs.例文帳に追加

前置増幅回路において、フォトダイオードの信号から相補的な両相信号を得、しかも、両出力とも低いリターンロスを得る。 - 特許庁

Advantageously, forming a photo detection diode separately is not required and the function can be constituted of, e.g. a drain of a standard CMOS transistor.例文帳に追加

光検出ダイオードを別途形成する必要はなく、例えば標準的なＣＭＯＳトランジスタのドレーンで構成できるので有利である。 - 特許庁

A light emitting diode 1 having a transparent photo-guide plate 2 is connected optically, where a transparent film 6 is attached to the main surface of the photo-guide plate 2, and a phosphor emitting fluorescent material upon being energized with light emission from the light emitting diode 1 is provided on the film 6, and a fine surface unevenness is provided at the film surface contacting the photo-guide plate 2.例文帳に追加

透明な導光板２の発光ダイオード１が光学的に接続され、導光板２の主面に透明なフィルム６が設けられており、そのフィルム６には前記発光ダイオ—ド１の発光により励起されて蛍光を発する蛍光物質が具備されており、さらに、フィルム６の導光板２と接する表面に微細な凹凸を施している。 - 特許庁

A lens for preventing optical diffusion is equipped either at the rear of a LD (laser diode) 41 arranged at a first transmission device 42 or at the front of a PD (photo diode) 43 arranged at a second transmission device 44, or at both the rear and front.例文帳に追加

第１の通信デバイス４２に設けたＬＤ４１の後、第２の通信デバイス４４に設けたＰＤ４３の前のどちらか、あるいは両方には光拡散防止用のレンズを備えている。 - 特許庁

The sensor module 30 has a light emitting diode 301 for emitting the near-infrared rays 4A and a photo diode 302 for receiving reflected light reflected by an object and outputting an electric signal.例文帳に追加

センサモジュール３０は、近赤外線４Ａを発光する発光ダイオード３０１と、対象物からの反射である反射光４Ｂを受光して電気信号を出力するフォトダイオード３０２と、を有する。 - 特許庁

Alternatively, when the output voltage of the photo diode array 13 becomes equal to or more than 20 V, the voltage drop in the resistor R2 is fixed to the forward direction voltage of the diode, so that the voltage of 20 V is applied.例文帳に追加

一方、フォトダイオードアレイ１３の出力電圧が２０Ｖ以上になると、抵抗Ｒ２における電圧降下がダイオードの順方向電圧で固定されるので、２０Ｖの電圧が印加される。 - 特許庁

An element separation groove 31 is formed like a step comprised of a first element separation groove 16 and a second element separation groove 17, so as to electrically separate a photo diode arranged on the surface of a silicon substrate from an active area of a MOSFET formed along with the photo diode.例文帳に追加

シリコン基板の表面部に配置するフォトダイオードと、フォトダイオードに付随して形成されるＭＯＳＦＥＴの活性領域とを電気的に分離する素子分離溝３１が第１の素子分離溝１６と第２の素子分離溝１７からなる階段状に形成される。 - 特許庁

When the light intercepting part is moved by the oscillation of the start lever (from 322a to 322b and further to 322c), the light from a light emitting diode D1, whose interception is released as the light intercepting part is moved, is detected by a photo-transistor T1, so that the oscillation is detected by the light emitting diode D1 and the photo-transistor T1.例文帳に追加

発光ダイオードＤ１及びフォトトランジスタＴ１により、スタートレバーの揺動動作による該光遮断部位の移動時（３２２ａから３２２ｂへ、更に３２２ｃへ）に、該移動に伴って遮断が解除される該光源からの光を該光検出器で検出することで、該揺動動作を検出する。 - 特許庁

A power unit 1 connects one end of the secondary winding T2 of a transformer T with an output terminal OUT1 via the first series connection with a photo transistor PC11 and a diode D11 are connected with each other in series and the second series connection with a photo transistor PC12 and a diode D12 connected in series.例文帳に追加

電源装置１は、トランスＴの２次巻線Ｔ２の一端と、出力端子ＯＵＴ１とを、フォトトランジスタＰＣ１１とダイオードＤ１１とを直列接続した第１直列接続部と、フォトトランジスタＰＣ１２とダイオードＤ１２とを直列接続した第２直列接続部と、により接続する。 - 特許庁

The solid-state imager includes a light receiving section consisting of M×N pixel portions P_1, 1 to P_M, N arranged in a two-dimensional M×N matrix form, each pixel portion including a photo diode PD for generating electric charges in conformity with the intensity of incident light and a switch SW_1 for reading out that is connected to the photo diode.例文帳に追加

固体撮像装置は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードＰＤと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチＳＷ_１と、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列された受光部を備える。 - 特許庁

The emission spectrum of the first light emission diode 12 has only a partial overlap region with the sensitivity spectrum of the photo initiator 20, while the emission spectrum of the second light emission diode 14 has a large overlap region with the sensitivity spectrum of the photo initiator 20.例文帳に追加

第１の発光ダイオード（１２）の放射スペクトルは光重合開始剤（２０）の感度スペクトルとの間で部分的な重複領域のみを有し、これに対して第２の発光ダイオード（１４）の放射スペクトルは光重合開始剤（２０）の感度スペクトルとの間でより大きな重複領域を有している。 - 特許庁

An optical receiving amplifier includes a photo diode, a transimpedance amplifier amplifying an output signal of the photo diode, and a DC electricity compensation circuit connected to the transimpedance amplifier in parallel and compensating a direct current electricity component of an output current of the transimpedance amplifier.例文帳に追加

フォトダイオードと、このフォトダイオードの出力信号を増幅するトランスインピーダンスアンプと、このトランスインピーダンスアンプと並列に接続され、トランスインピーダンスアンプの出力電流の直流電流成分を補償する直流電流補償回路、とを含むことを特徴とするもの。 - 特許庁

This image pickup device 1 is configured to drive an MOS type solid-state image pickup device 10 having a plurality of pixel cells for outputting signals corresponding to light receiving quantities, and each pixel cell is provided with a photo-diode and a charge holding part for holding a charge read from the photo-diode.例文帳に追加

撮像装置１は、受光量に応じた信号を出力する複数の画素セルを有するＭＯＳ型固体撮像素子１０を駆動する撮像装置１であって、各画素セルは、フォトダイオードと、フォトダイオードから読み出された電荷を保持する電荷保持部とを有する。 - 特許庁

The scatter of the output of the light receiving photo diode 31 is corrected using a parameter set in advance in a parameter table 34 for each model.例文帳に追加

フォトダイオード３１の受光出力のばらつきは、パラメータテーブル３４に予め機種毎に設定してあるパラメータに従って修正する。 - 特許庁

Furthermore, the blue light B passing through the filter 7 is made incident onto a filter 8, reflected from the filter 8 and then made incident onto a blue photo diode 4.例文帳に追加

また青色光Ｂは、フィルター７を透過してフィルター８に入射し、フィルター８で反射されて青色用フォトダイオード４に入射する。 - 特許庁

Each unit pixel of a solid-state imaging apparatus includes: a photo diode 1; a transfer transistor 2; an amplification transistor 3; a reset transistor 4; and a drive power supply 6.例文帳に追加

固体撮像装置の各単位画素は、フォトダイオード１、転送トランジスタ２、増幅トランジスタ３、リセットトランジスタ４、駆動電源６を有する。 - 特許庁

To provide an image sensor by which new integration of a transistorized circuitry and a photo diode is achieved, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

本発明は、トランジスタ回路（circuitry）とフォトダイオードの新たな集積を実現できるイメージセンサ及びその製造方法を提供するためのものである。 - 特許庁

A potential in a sensor P region 33 provided between a photo diode 32 and a surface layer portion is made variable so as to configure a buried sensor structure.例文帳に追加

埋込み型のセンサ構造とするためにフォトダイオード３２と表層部との間に設けられたセンサＰ領域３３の電位を可変とする。 - 特許庁

To provide an image sensor and its manufacturing method by which new integration of a transistorized circuitry and a photo diode is provided.例文帳に追加

本発明は、トランジスタ回路（circuitry）とフォトダイオードの新たな集積を提供できるイメージセンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a solid-state image pickup device with which signal charges stored in a photo-diode can be completely transferred even when a power supply voltage is low.例文帳に追加

電源電圧が低くても、フォトダイオードに蓄積された信号電荷を完全転送することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

Each receiving section 20 for the optical transceivers 1 and 2 contains a photo-diode 21, a TIA section 22, the dispersing equalizing section 23 for reception and the CDR section 24.例文帳に追加

光トランシーバ１，２それぞれの受信部２０は、フォトダイオード２１，ＴＩＡ部２２，受信用分散等化部２３およびＣＤＲ部２４を含む。 - 特許庁

An amplifier 32 amplifies the output of a light receiving photo diode 31 in a reception circuit 30 and an A/D converter 33 converts the output into a digital value.例文帳に追加

受信回路３０では、フォトダイオード３１の受光出力を増幅器３２で増幅し、Ａ／Ｄ変換器３３でデジタル値に変換する。 - 特許庁

To provide a stabilized light source device which can be manufactured at lower costs than a conventional stabilized light source device requiring a photo-diode.例文帳に追加

フォトダイオードを要する従来の安定化光源装置と比較して安価に製造することができる安定化光源装置を提供すること。 - 特許庁

Each unit pixel of the solid-state image pickup apparatus includes: a photo diode 1, a transfer transistor 2; an amplification transistor 3; a reset transistor 4; and a drive power supply 6.例文帳に追加

固体撮像装置の各単位画素は、フォトダイオード１、転送トランジスタ２、増幅トランジスタ３、リセットトランジスタ４、駆動電源６を有する。 - 特許庁

A residual amount sensor 14 uses a light emitting diode D_1, photo-diodes D_2 and D_3, and the light emitted by D_1 is fed incident to D_2 and D_3.例文帳に追加

用紙残量センサ１４は、発光ダイオードＤ１、フォトダイオードＤ２およびＤ３を使用し、Ｄ１の出力光はＤ２、Ｄ３に入射する。 - 特許庁

The driving circuit 14 includes a light receiving element 142 like a photo diode besides a driver IC 141 for driving the scan electrode, the data electrode, etc.例文帳に追加

駆動回路１４は、走査電極やデータ電極等を駆動するドライバＩＣ１４１の他に、フォトダイオードなどの受光素子１４２を含む。 - 特許庁

Another method includes altering a bias voltage of an avalanche photo diode in response to the temperature using empirically derived data.例文帳に追加

別の方法は、経験的に導出されたデータを使用して温度に応答してアバランシェ・フォト・ダイオードのバイアス電圧を変更するステップを含む。 - 特許庁

The bias control circuit 10 has a voltage source 16 for generating a variable DC voltage Vh to be fed to an avalanche photo diode (APD) 12.例文帳に追加

バイアス制御回路１０は、可変の直流電圧Ｖｈを生成してアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）１２に印加する電圧源１６を有する。 - 特許庁

The corresponding floating diffusions FD make a pair at every photo-diode PD shifted by one column in adjacent rows of the pixel array 10.例文帳に追加

また、画素アレイ１０の隣接する行同士では、１列ずれたフォトダイオードＰＤごとに、対応のフローティングディフュージョンＦＤが対を構成する。 - 特許庁

The signal charges produced by the laser beam received by the photo diode are stored matching the trail of the pulse of the pulse-modulated laser beam.例文帳に追加

フォトダイオードで受光されたレーザ光により生じる信号電荷をパルス変調されたレーザ光のパルスの立ち下がりに合わせて蓄積する。 - 特許庁

Voltage levels of the photo-diode are accumulated in the capacitor and read out through fourth and fifth transistors toward the end of the second exposure term.例文帳に追加

第２の露光期間の終了時に向かって、フォトダイオードの電圧レベルをキャパシタ内に蓄積して第４と第５のトランジスタを介して読み出す。 - 特許庁

The intensity of an optical signal photo-detected by the photo-diode PD is detected by a control part 12 and on the basis of a detecting signal, gain control of an electric signal resulting from converting the optical signal is performed by a variable attenuation part 11.例文帳に追加

フォトダイオードＰＤで受光された光信号の強度が制御部１２により検出され、検出信号に基づいて可変減衰部１１により光信号を変換した電気信号のゲインコントロールが行われる。 - 特許庁

A refractive index of an adhesive for forming the adhesive layer has a value slightly smaller than those of a reflection-preventive film provided in a photo-receiving surface of the photo-diode array 3 and the scintillators 1.例文帳に追加

そして、前記接着層を形成する接着剤の屈折率がフォトダイオードアレイ３の受光部表面に設けられた反射防止膜およびシンチレータ１の屈折率よりも若干小さい値のものを用いる。 - 特許庁

A bi-directional Zener diode having a Zener voltage which is lower than the minimum voltage necessary for turning on the photo-coupler and higher than 1/3 of the maximum voltage necessary for turning on the photo-coupler is inserted between an input terminal to which an input signal is applied and the photo-coupler.例文帳に追加

入力信号が印加される入力端子とフォトカプラとの間に、このフォトカプラをオンするために必要な最低電圧よりも低く、かつ前記フォトカプラをオンするために必要な最大電圧の１／３よりも高いツェナ電圧を有する双方向性ツェナダイオードを挿入するようにした。 - 特許庁

A solid-state imaging device 20 performs control to reset a photo diode out of a storage period, to simultaneously cancel resetting of photo diodes of all pixels in a predetermined region when starting the accumulation period, and to read signal charges from the photo diodes of all the pixels in the predetermined region after the end of the accumulation period.例文帳に追加

固体撮像素子20は、蓄積期間外にフォトダイオードのリセットを行い、蓄積期間の開始時に所定領域の全画素のフォトダイオードのリセットを同時に解除し、蓄積期間の終了後に所定領域の全画素のフォトダイオードから信号電荷を読み出す制御を行う。 - 特許庁

This semiconductor optical sensor comprises multiple photo diodes 1A and 2B with different illuminance-output characteristics, a switch 8 that selects any of multiple photo diodes, an amplifier 9 connected to the output of the photo diode selected by the switch and an output section (OUT) connecting to the amplifier 9.例文帳に追加

異なる照度−出力特性を持った複数のフォトダイオード部１Ａ、２Ｂと、複数のフォトダイオード部のいずれかを選択するスイッチ８と、スイッチにより選択されたフォトダイオード部の出力に接続された増幅器９と、増幅器９の出力に繋がる出力部（ＯＵＴ）とを備える。 - 特許庁

An oscillation circuit 102 is used to cause a current to flow to a diode 205 in a photo interrupt sensor 203 at intervals of a prescribed time, and the turn-on/off state of the photo interrupt sensor 203 in this period is kept, and thus, the turn-on/off state of the photo interrupt sensor 203 is monitored.例文帳に追加

ホトインタラプタセンサ２０３におけるダイオード２０５に対し、発振回路１０２を用いて所定時間間隔で電流を流し、その間のホトインタラプタセンサ２０３のオン／オフの状態をフリップフロップ２０８に保持し、これにより、ホトインタラプタセンサ２０３のオン／オフの状態を監視するように制御する。 - 特許庁

In the state of loading APC to a laser diode LD during an optical disk device reading state, laser light is detected by a photo-diode FPD, low frequency noise is extracted from a detection signal thereof, and a laser deterioration is judged.例文帳に追加

光ディスク装置のリード状態でレーザダイオードＬＤにＡＰＣが掛かっている状態で、レーザ光をフォトダイオードＦＰＤで検出し、その検出信号から低周波ノイズを抽出し、レーザの劣化判定を行う。 - 特許庁

The luminescence braille paving block is constituted by incorporating the reflective light emission diode and a lighting circuit 5 in the braille paving block having a projection on the upper surface and mounting the photo conductive board 3 leading the light from the reflective light emission diode to the outside.例文帳に追加

上表面に突部を有する点字ブロック内に、反射形発光ダイオードと点灯用回路５を内蔵し、反射形発光ダイオードからの光を外部に導く導光板３を装着して構成してある。 - 特許庁

A faulty point, an abnormal point, and the like of the optical multiplexer/demultiplexer can be identified easily by measuring the power of the light received by the photo-diode 8.例文帳に追加

フォトダイオード８により受光した光のパワーを計測することで、光合分波器の故障箇所や異常箇所等を容易に特定することができる。 - 特許庁

The photo diode 14a outputs an X-ray fluoroscopic image signal in accordance with an intensity of the X-ray transmitted through the commodity G with an predetermined scanning interval Ts.例文帳に追加

フォトダイオード１４ａは、商品Ｇを透過したＸ線の強さに応じたＸ線透視像信号を所定の走査間隔Ｔｓで出力する。 - 特許庁

The light from D_1 for D_2 decays in accordance with the number of sheets and reaches the photo-diode D_2, while the light from D_1 for D_2 reaches it without decay.例文帳に追加

Ｄ１→Ｄ２の光は用紙の枚数に応じて減衰しフォトダイオードＤ２に到達するが、Ｄ１→Ｄ３の光は減衰せずにフォトダイオードＤ３に到達する。 - 特許庁

An optical reception circuit according to the present invention is composed of a bias power source and a feedback control circuit, and includes a photo diode, a high voltage source, and a voltage control circuit.例文帳に追加

本発明の光受信回路は、フォトダイオードと高電圧源と電圧制御回路を含みバイアス電源と、帰還制御回路とで構成される。 - 特許庁