「R3」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

The air chamber R2 is forced to communicate with the air chamber 13b of the left rear wheel at an operation position after the switching, and the air chamber R3 is connected to communicate with the air chamber 11b of the left front wheel.例文帳に追加

そして、切り換え後の作動位置において空気室Ｒ２を左後輪のエアチャンバ１３ｂに連通させ、空気室Ｒ３を左前輪のエアチャンバ１１ｂに連通させる。 - 特許庁

The signal suppression means 22 references the signal Z to suppress other color signals (G2 and B2 in the example above) so that the configuration ratio of outputted color signals R3, G3, B3 is the same as the calculated configuration ratio.例文帳に追加

信号抑圧手段２２が、信号Ｚを参照して、出力される色信号Ｒ３，Ｇ３，Ｂ３の構成比が、算出した構成比と同じになるように、他の色信号（前例でいえばＧ２とＢ２）を抑圧する。 - 特許庁

After the elapse of a constant time, the transmission ultrasonic sensor S2 and the receiving ultrasonic sensors R2 and R3 on both sides thereof are operated to detect the obstruction.例文帳に追加

そして、一定時間が経過すると、今度は送信用超音波センサＳ２とその両隣の受信用超音波センサＲ２，Ｒ３を動作させて障害物検知を行う。 - 特許庁

Detection voltage Er proportional to a high-voltage HV is obtained by resistors R3 and R4 and is applied to an arithmetic amplifier (comparator) OP.AMP 1 as Er to be compared with a reference voltage Es, to obtain output voltage Eo.例文帳に追加

抵抗Ｒ_3，Ｒ_4により高圧ＨＶに比例した検知電圧Ｅ_rを得て、この検知電圧を演算増幅器（比較器）ＯＰ．ＡＭＰ１にＥ_rとして加え、基準電圧Ｅ_sと比較し、出力電圧Ｅ_oを得る。 - 特許庁

The switch means S selects the plurality of transistors into two groups such that two groups have a prescribed division ratio, and changes over a diode group connected to the first resistor R1 and the third resistor R3 with time.例文帳に追加

スイッチ手段Ｓは複数のトランジスタを所定の分割比となるように２グループに選別するとともに、第１抵抗Ｒ１と第３抵抗Ｒ３に接続されるダイオード群を時間とともに切換えてゆく。 - 特許庁

In the display part 50, only the red sub-pixel 51a is turned on in the pixel 51 located in a region R3 including the other end 642a of the insulation layer 64a.例文帳に追加

表示部５０は、絶縁層６４ａの他方端部６４２ａを含む領域Ｒ３に位置する画素５１において、赤色の副画素５１ａのみを点灯する。 - 特許庁

In the formula, R3 represents a 1-20C alkyl group; AO represents an oxyalkylene group; and n and m are identical or different numbers from each other, each from 0 to 100 satisfying n+m=1 to 200.例文帳に追加

式中、Ｒ３は炭素数１〜２０のアルキル基、ＡＯはオキシアルキレン基、ｎ、ｍは同一又は異なるそれぞれ０〜１００の数で、ｎ＋ｍ＝１〜２００となる数を示す。 - 特許庁

The second circular arc has the same center A as that of a first circular arc 111, a radius R1 which is larger than the radius R3, and a central angle T2 which is smaller than the central angle T1.例文帳に追加

第２円弧は、第１円弧１１１と同一の中心Ａと、半径Ｒ３より大きな半径Ｒ１と、中心角Ｔ１よりも小さな中心角Ｔ２とを有している。 - 特許庁

A plastic resin flowing through the first passage R1 is branched by a branch passage R3 into the second passage R2, and the inner sheath layer 53 is formed by plastic resin supplied via the second passage R2.例文帳に追加

第１の流路Ｒ1を流れる軟化樹脂は分岐流路Ｒ3により分岐して第２の流路Ｒ2側に流れ込み、この第２の流路Ｒ2を経て供給される軟化樹脂により内部シース層５３が形成される。 - 特許庁

Then, when any one of L1 to L3 and R1 to R3 is larger than threshold L1a to L3a and R1a to R3a in a wakeful state, it is detected that the eyebrow is raised and drowsiness occurs.例文帳に追加

そして、Ｌ１〜Ｌ３，Ｒ１〜Ｒ３の何れかが、覚醒状態における閾値Ｌ１ａ〜Ｌ３ａ，Ｒ１ａ〜Ｒ３ａよりも大きくなったときに、眉が上がったと検出し、眠気が発生したことを検出する。 - 特許庁

A reverse input terminal of an operational amplifier 20 is connected to a node N1 of the sense resistor 11 through a resistor R3, and a nonreverse input terminal of the operational amplifier 20 is connected to a node N2 through a resistor 12.例文帳に追加

センス抵抗１１のノードＮ１に抵抗Ｒ３を介して演算増幅器２０の反転入力端子が接続され、ノードＮ２には抵抗１２を介して演算増幅器２０の非反転入力端子が接続される。 - 特許庁

The power voltage VDD=Vres, when a signal POR# is reversed, is Vres=1.33 V when the threshold voltage of an inverter 15 is 0.8 V and R2:R3=2:3.例文帳に追加

信号ＰＯＲ♯が反転するときの電源電圧ＶＤＤ＝Ｖｒｅｓは、インバータ１５のしきい値電圧を０．８Ｖとし、Ｒ２：Ｒ３＝２：３とすると、Ｖｒｅｓ＝１．３３Ｖとなる。 - 特許庁

The input impedance changing section 2 includes, for example, a plurality of input impedance devices 6 (R1 to R3 in the present embodiment) and a rotary switch (a selecting means) 5 for selecting either one of the input impedance devices 6.例文帳に追加

入力インピーダンス可変部２は、例えば、複数のインピーダンス素子６（本実施けたいではＲ１〜Ｒ３）と、入力インピーダンス素子６の何れか１つを選択するロータリスイッチ（選択手段）５と、を備えている。 - 特許庁

Voltages applied to a U-phase, a V-phase and a W-phase respectively are detected, and inputted to an operational amplifier (summer) OP1 via input resistors R1, R2 and R3, respectively.例文帳に追加

Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の各相に印加されている電圧を検出し、それぞれ入力抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３を介して演算増幅器（加算器）ＯＰ１に入力する。 - 特許庁

A differential input stage 11 and an output stage 12 are provided in accordance with a gain resistor R3, and a differential input stage 21 and an output stage 22 are provided in accordance with a gain resistor R4.例文帳に追加

ゲイン抵抗Ｒ３に対応させて差動入力段１１および出力段１２を、ゲイン抵抗Ｒ４に対応させて差動入力段２１および出力段２２を設ける。 - 特許庁

A specific aspect includes a compound of formula 1, wherein R3 to R6 are a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; Z is a group of formula 2 or H; Z' is a group shown as formula 2'; n is an integer of 1 to 20.例文帳に追加

（Ｒ^３〜Ｒ^６は水素原子又はＣ数１〜４のアルキル基、Ｚは式２の基又はＨ、Ｚ′は式２′で示される基、ｎは１〜２０の整数を表わす） - 特許庁

A divided range R4 of a full throttle opening area with less frequency of occurrence of gear shifting is overlapped with a divided range R3 of a virtual throttle opening area with more frequency of occurrence of gear shifting.例文帳に追加

変速発生頻度の少ないフルスロットル開度領域の分割範囲Ｒ４を、変速発生頻度の多いパーシャルスロットル開度領域の分割範囲Ｒ３にオーバーラップさせる。 - 特許庁

A conductive thin film 7 is formed line-symmetrically with respect to the center axis of the diaphragm 2 on the surface of an insulating film 6 corresponding to the surface of the diaphragm 2 and surfaces of piezo-resistive elements R1, R2, R3 and R4.例文帳に追加

ダイヤフラム部２表面及びピエゾ抵抗素子Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４表面に対応する絶縁膜６の表面にはダイヤフラム部２の中心軸に対し線対称に導電性薄膜７が形成されている。 - 特許庁

An image forming apparatus 2 of a complex machine 1 is structured so that resist rollers R8 and R3 are installed in the sheet transporting path from a manuscript tray 22 whereon manuscript sheets are placed till the image reading region where image reading is performed.例文帳に追加

複合機１の画像読取装置２は、シートとしての原稿が配置されている原稿トレイ２２から原稿読取りを行う画像読取領域までのシートの搬送経路に、レジストローラＲ８とレジストローラＲ３とを備えている。 - 特許庁

A synthesizing circuit 230 inputs signals representing pixel ratio coefficients R2, R3 from a pixel ratio coefficient determination circuit 210, and simultaneously inputs frame image data D1 in which over-scanning is performed from a first latch circuit 272 in a pixel unit.例文帳に追加

合成回路２３０は、画素比率係数決定回路２１０から画素比率係数Ｒ２，Ｒ３を表す信号を入力するとともに、オーバスキャンされたフレーム画像データＤ１を画素単位で第１ラッチ回路２７２から入力する。 - 特許庁

(In the formula, R1, R2 and R3 show hydrogen atom, fluorine atom, hydrocarbon, nitro group, cyano group, an aldehyde group or an alkanoyl group, R4 and R5 show an alkyl group, alkenyl group, aralkyl group or cycloalkyl group, X shows a halogen atom.).例文帳に追加

（式中、Ｒ_１，Ｒ_２，Ｒ_３は水素原子、フッ素原子、炭化水素、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基またはアルカノイル基を、Ｒ_４，Ｒ_５はアルキル基、アルケニル基、アラルキル基またはシクロアルキル基を、Ｘはハロゲン原子を表す） - 特許庁

The isocyanate reactive composition contains a polyester polyol, water and a urethane catalyst composition containing a dialkyl aliphatic alkyl amine of formula (1): R1R2NR3 (wherein, R1 and R2 are each independently a 1-4C alkyl group, and R3 is 8-36C aliphatic alkyl).例文帳に追加

ポリエステルポリオール、水及び式（１）：Ｒ１Ｒ２ＮＲ３（式中、Ｒ１及びＲ２は、独立して、Ｃ１〜Ｃ４のアルキル基であり、そしてＲ３は、Ｃ８〜Ｃ３６の脂肪族アルキルである）のジアルキル脂肪族アルキルアミンを含むウレタン触媒組成物を含むイソシアネート反応性組成物。 - 特許庁

(In the above formula (1) and formula (2), A is phenylene or cyclohexylene; B is the derivative group of the additionally reacted alkenyl compound; R1, R2 and R3 are each independently H or the derivative group of the additionally reacted alkenyl compound).例文帳に追加

Ｈ_２Ｎ−Ｈ_２Ｃ−Ａ−ＣＨ_２−ＮＨ_２ （１） （Ａはフェニレン基またはシクロヘキシレン基を、Ｂは付加反応したアルケニル化合物の誘導体基を、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は独立して水素または付加反応したアルケニル化合物の誘導体基を示す。） - 特許庁

The photosensitive composition curable by YAG laser light contains an active energy ray polymerization initiator (X component) having a structure (1): R1-C(=NO-R2)-R3 in the molecule and a polyfunctional thiol compound (Y component) having at least two mercapto groups in the molecule.例文帳に追加

分子内に下記の構造（１）を有する活性エネルギー線重合開始剤（Ｘ成分）と、分子内に少なくとも２個のメルカプト基を有する多官能チオール化合物（Ｙ成分）とを含有するＹＡＧレーザーで硬化する感光性組成物。 - 特許庁

In this formula (1), R1, R2, and R3 each independently express a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkyloxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an aryl alkyl group, an aryl alkyloxy group, and aryl alkylthio group.例文帳に追加

（式中、Ｒ^1、Ｒ^2およびＲ^3はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基等を表す。） - 特許庁

A capacity information storage circuit 1, a bus width information storage circuit 2, and a burst length information storage circuit 3 store capacity information R1, bus width information R2, and burst length information R3 supplied externally as memory operation specification information.例文帳に追加

メモリ動作仕様情報として、容量情報Ｒ１、バス幅情報Ｒ２、バースト長情報Ｒ３が外部から入力され容量情報格納回路１、バス幅情報格納回路２、バースト長情報格納回路３に格納される。 - 特許庁

Thus, the adjustment of a sheet resistance of the ion injection resistor R3 adjusts the rate of change of the ion injection current Io to the change of Vcc and more reduces Vcc dependence of gm so that the said versatility can be increased.例文帳に追加

こうしてイオン注入抵抗Ｒ３のシート抵抗値を調整することによって、Ｖｃｃの変化に対する基準電流Ｉｏの変化率を調整し、ｇｍのＶｃｃに対する依存性を一層小さくし、汎用性を拡大することができる。 - 特許庁

This organopolysiloxane is expressed by formula (2), for example in which a silatran residue expressed by formula (1) is bound to a silicon atom in the molecule mediated by alkylene or alkyleneoxyalkylene groups represented by R2 and/or R3 in the formula (1).例文帳に追加

一般式（１）： で表されるシラトラン残基を前記Ｒ^2および／または前記Ｒ^3のアルキレン基もしくはアルキレンオキシアルキレン基を介して分子中のケイ素原子に結合しているオルガノポリシロキサン例えば下記式（２）、およびその製造方法。 - 特許庁

This material is made to contain a specific phenolic compound expressed by the following general formula (I) (wherein R1, R2 and R3 denote individually straight-chain or branched alkyl, alkoxy, alkenyl or hydroxyl which may have a substituent containing a hydrogen atom or a halogen atom) as an electron acceptor.例文帳に追加

電子受容性化合物として下記一般式（Ｉ） （式中、Ｒ_1、Ｒ_2、およびＲ_3はそれぞれ独立に、水素原子またはハロゲン原子を含む置換基を有してもよい直鎖もしくは分岐状のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基または水酸基を示す。）で表される特定フェノール化合物を含有させる。 - 特許庁

The adhesive composition contains an epoxy resin, an acrylic monomer including an amino group-containing acrylic monomer having a structural formula of the figure (wherein, R1 is a hydrogen atom or a methyl group; and R2 and R3 are each a hydrogen atom or a 1-3C alkyl group), and a specific camphorquinone.例文帳に追加

エポキシ樹脂、下記構造式のアミノ基含有アクリル単量体を含むアクリル単量体、（ここで、Ｒ１は、水素原子またはメチル基、Ｒ２，Ｒ３は、水素原子または炭素原子数１〜３個のアルキル基を表す。）および、特定のカンファーキノンを含む接着剤組成物を提供する。 - 特許庁

Diodes with smaller capacitance in an OFF state than diodes D4, D5 provided in other resonators are employed for diodes D1, D2, D3 provided in resonators R1, R2 of each stage of a transmission filter and a resonator R3 at a first stage of a reception filter respectively.例文帳に追加

送信フィルタの各段の共振器Ｒ１，Ｒ２および受信フィルタの初段の共振器Ｒ３にそれぞれ設けるダイオードＤ１，Ｄ２，Ｄ３として、他の共振器に設けるダイオードＤ４，Ｄ５より、オフ時の端子間静電容量の小さなダイオードを用いる。 - 特許庁

Also as to the first and third weight ranks R1 and R3 at both ends, target weight values Wt1 and Wt3 are set so that articles constituting an optimum combination are chosen in a balanced manner from respective domains.例文帳に追加

そして、両端の第１重量ランクＲ１および第３重量ランクＲ３についても、それぞれの領域から最適組合せを構成する物品がバランスよく選択されるように、目標重量値Ｗｔ１およびＷｔ３が設定される。 - 特許庁

In formula (I), R1 and R2 are a straight or branched alkylene the same as or different from each other, R3 is a one or more kind of straight or branched alkylene, Y is a polyisocyanate residue and n and m are each an integer.例文帳に追加

ここで、化７に於いて、Ｒ^1及びＲ^2は、それぞれ直鎖又は分岐のアルキレン基であって互いに同一又は異なっていてもよく、Ｒ^3は直鎖又は分岐の単一又は二種以上の混合アルキレン基、Ｙはポリイソシアネート残基、ｎ及びｍは整数である。 - 特許庁

Each of the second annular route R2 and the third annular route R3 includes a series of partial routes R111 forming a part of the first annular route R1 half by half and commonly includes a central route Rc along with the symmetry plane F0.例文帳に追加

第二の環状経路Ｒ２及び第三の環状経路Ｒ３は、それぞれが第一の環状経路Ｒ１の一部をなす一連の部分経路Ｒ１１１の半分ずつを含むとともに対称面Ｆ０に沿う中央経路Ｒｃを共通に含む。 - 特許庁

A terminal on the front seat has radio communication through a repeater R1, a terminal on the second seat has radio communication through a repeater R2, and a terminal on the 3rd seat has radio communication through a repeater R3.例文帳に追加

したがって、フロントシートにある端末は中継器Ｒ１を介して無線通信を行い、セカンドシートにある端末は中継器Ｒ２を介して無線通信を行い、サードシートにある端末は中継器Ｒ３を介して無線通信を行うことができる。 - 特許庁

An atmosphere valve seat 43a is formed in an annular disk 43 extending to the radial outer direction of the input member 40, and an annular atmosphere chamber R3 is formed of an annular diaphragm 44 fitted to the input member 40 is formed forward of the annular disk 43.例文帳に追加

大気弁座４３ａは入力部材４０の径外方に延びる環状ディスク４３に形成されていて、環状ディスク４３の前方には入力部材４０に組付けた環状のダイアフラム４４によって環状の大気室Ｒ３が形成されている。 - 特許庁

The organic semiconductor material is represented by a chemical formula 1 where R1 and R2 are identical alkyl groups of 7-20C, or is represented by a chemical formula 2 where R3 and R4 are identical alkyl groups of 7-20C.例文帳に追加

下記化学式１で表され、式中、Ｒ１及びＲ２が炭素数７〜２０の同一のアルキル基である有機半導体材料、又は、下記化学式２で表され、式中、Ｒ３及びＲ４が炭素数７〜２０の同一のアルキル基である有機半導体材料により、上記課題を解決する。 - 特許庁

The apparatus is configured so that a developer conveyance area in the main scanning direction narrows toward an opposite position (R3) along the developer conveyance direction (TTD) from the upstream side in the developer conveyance direction (TTD).例文帳に追加

本装置は、現像剤搬送方向（ＴＴＤ）における上流側から当該現像剤搬送方向（ＴＴＤ）に沿って対向位置（Ｒ３）に向かうにつれて、主走査方向における現像剤の搬送領域が狭くなるように構成されている。 - 特許庁

The cover 7 is provided with bias parts 7b abutting against the middle parts of the carbon nanotubes CNT constituting the gauge resistors R1, R3 and pressing the middle parts of the carbon nanotubes CNT to bend them in the state in which no pressure is applied to the sensor structural body 1.例文帳に追加

カバー７には、ゲージ抵抗Ｒ１，Ｒ３を構成するカーボンナノチューブＣＮＴの中間部に当接しセンサ用構造体１に圧力が働いていない状態でカーボンナノチューブＣＮＴの中間部を押圧して折曲させるバイアス部７ｂを備える。 - 特許庁

During idling operation in an engine cold state, the ignition timing of the engine in the motor idling mode is retarded in a relative manner, and the retard amounts R3, R4 are increased more than retard amounts R1, R2 in the engine idling mode.例文帳に追加

エンジン冷機状態におけるアイドル運転時には、モータアイドルモードにおけるエンジンの点火時期を相対的に遅角させて、そのリタード量Ｒ３，Ｒ４を、エンジンアイドルモードでのリタード量Ｒ１，Ｒ２よりも拡大する。 - 特許庁

The control section selects a dispatch destination server R2 and a customer server R3 based on the connection situation stored in the communication management information database, and receives the communication content information from the relay servers for storing in the communication content information database.例文帳に追加

制御部は、通信管理情報データベースに記憶された接続状況に基づいて派遣先サーバＲ２及び客先サーバＲ３を選択して、これらの中継サーバから通信内容情報を受信し、通信内容情報データベースに記憶する。 - 特許庁

When replicas R2, R3 receive Propose including the same agenda number "100" from the old master (database device 10A) and the new master (replica R4), a log update and a block update are performed according to the replica with the greater master generation number.例文帳に追加

そして、レプリカＲ２，Ｒ３が、旧マスタ（データベース装置１０Ａ）および新しいマスタ（レプリカＲ４）から同じ議題番号「１００」を含むProposeを受信した時に、マスタ世代番号の大きい方に基づいて、ログ更新およびブロック更新を行う。 - 特許庁

The cathodes of the diodes D1, D2 are connected to an inverting input terminal of an operational amplifier OP1 via resistors R1, R2, and the anodes of the diodes D3, D4 are connected to an non-inverting input terminal of the operational amplifier OP1 via resistors R3, R4.例文帳に追加

また、ダイオードＤ１，Ｄ２のカソードは、抵抗Ｒ１，Ｒ２を介してオペアンプＯＰ１の反転入力端子に接続され、ダイオードＤ３，Ｄ４のアノードは、抵抗Ｒ３，Ｒ４を介してオペアンプＯＰ１の非反転入力端子に接続される。 - 特許庁

At regions where the femoral component 10 interfaces with the insert 20 during extension and during an initial range of flexion of the knee, the femoral component's radius of curvature (R1) for flexion rotation is larger than its radius of curvature (R3) for varus/valgus rotation.例文帳に追加

膝の伸張の間と初期屈曲域において大腿骨コンポーネント１０がインサート２０と界面接触する領域では、屈曲回転のための大腿骨の曲率半径（Ｒ１）は、内反／外反回転のための曲率半径（Ｒ３）よりも長い。 - 特許庁

The first to fourth regions R1-R4 are so formed that the friction coefficient of the first region R1 and the friction coefficient of the third region R3 are larger than the friction coefficient of the second region R2 and the friction coefficient of the fourth region R4.例文帳に追加

第１領域Ｒ１〜第４領域Ｒ４は、第１領域Ｒ１の摩擦係数および第３領域Ｒ３の摩擦係数が、第２領域Ｒ２の摩擦係数および第４領域Ｒ４の摩擦係数よりも大きくなるように形成されている。 - 特許庁