「SCHOTTKY BARRIER DIODE」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The Schottky barrier diode D1 forming region SDR is allocated at the center in the short direction of the semiconductor chip 5b, and the forming region of the power MOSFET of low side is allocated in both sides thereof.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲを半導体チップ５ｂの短方向の中央に配置し、その両側にローサイドのパワーＭＯＳ・ＦＥＴの形成領域を配置した。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that satisfactorily reduces the reverse leakage current, suppresses the forward voltage drop, and can maintain linearity in the forward direction.例文帳に追加

逆方向リーク電流を十分に低減させ、しかも、順方向の電圧降下を抑制して、順方向の直線性を維持することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

A semiconductor device 1 includes: a semiconductor substrate 11 of a first conductivity type; a semiconductor layer 12 of the first conductivity type; a field effect transistor (MOS) 200; and a Schottky barrier diode (SBD) 100.例文帳に追加

半導体装置１は、第１導電型の半導体基板１１、第１導電型の半導体層１２、電界効果トランジスタ（ＭＯＳ）２００、及びショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）１００を備えている。 - 特許庁

Conventionally, circuits that prevent reverse currents from a secondary battery to a solar cell use a Schottky barrier diode with reduced forward voltage and the like, and energy loss is thereby reduced.例文帳に追加

二次電池から太陽電池への逆流防止回路は、従来、順方向電圧を小さくしたショットキーバリアダイオードなどが用いられエネルギー損失を小さくしていた。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which has a low forward voltage VF and a small backward leakage current IR and high element withstand voltage by improving both the forward voltage VF and backward leakage current IR.例文帳に追加

順方向電圧ＶＦと逆方向漏れ電流ＩＲとの両方を改善し、順方向電圧が低くかつ逆方向漏れ電流の少く、素子耐圧の高いショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

A region 6 where the Schottky barrier diode 17 is formed is nearer to the emitter layer 4 than to the central part of the base layers 3 and 7, relative to that one direction.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１７が形成された領域６は上記一方向に関してベース層３，７の中央部よりもエミッタ層４に近い位置にある。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode 11, a conduction type semiconductor region 13 has a first region 13a, a second region 13b and a third region 13c.例文帳に追加

ショットキバリアダイオード１１では、一導電型半導体領域１３は、第１の領域１３ａ、第２の領域１３ｂ、第３の領域１３ｃ有する。 - 特許庁

On the second well 4, a first MOS transistor T1 on the first well 3, a second MOS transistor T2 on the third well 5, a first Schottky barrier diode D1 are equipped.例文帳に追加

第２ウェル４上には、第１ＭＯＳトランジスタＴ１、第１ウェル３上には第２ＭＯＳトランジスタＴ２、第３ウェル５上には、第１ショットキーバリアダイオードＤ１を備える。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode for easy integration with MOSFET capable of flowing a current of wanted capacity at a low resistance, even if an SOI substrate is used.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いた場合であっても、ＭＯＳＦＥＴと集積化が容易で、低抵抗で所望の大きさの電流を流すことができるショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

The rectifying circuit 51 comprises a schottky-barrier diode, forms a bridge circuit, and full- wave-rectifies the AC voltage Vin fed to the AC input terminals 31 and 32.例文帳に追加

整流回路５１は、ショットキバリアダイオードからなり、ブリッジ回路を形成し、交流入力端子３１、３２に供給された交流電圧Ｖｉｎを全波整流する。 - 特許庁

Consequently the diode having a Schottky barrier by which the current capacity is increased without increasing the chip size and forward voltage is reduced can be obtained.例文帳に追加

以上により、チップサイズの増大させることなく、電流容量が増大され、順方向電圧が低減されたショットキ障壁を有するダイオードを得ることができる。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode capable of obtaining effect of a rise in reverse breakdown voltage through relaxation of electric field concentration by a field plate structure.例文帳に追加

フィールドプレート構造による電界集中緩和が起こり、逆方向耐電圧上昇の効果が得られる、ショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a junction barrier Schottky diode in which many SiC advantages are not lost, and static operational loss is not significantly increased.例文帳に追加

ＳｉＣの多くの利点が失われず、静的な動作損失が膨大に増加することがないジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that easily performs control in manufacturing, and can reduce a reverse recovery time Trr without increasing leakage in the opposite direction.例文帳に追加

製造上の制御が容易で、逆方向のリークを増大することなく、逆回復時間Ｔｒｒを短縮できるショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which can be markedly lessened in reverse current, reduced in electrostatic capacity, and enhanced in high-frequency characteristic.例文帳に追加

逆方向電流を大幅に小さくすることができ、かつ静電容量も低減できる高周波特性に優れたショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

Further, the anode of the first Schottky barrier diode 21 is connected to a second output line 18 via a connection metal member 32 on which an inductance L2 is parasitic.例文帳に追加

さらに、第１のショットキーバリアダイオード２１のアノードは、インダクタンスＬ２が寄生している接続金属部材３２を介して、第２出力線１８に接続されている。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode that improves trade-off characteristics between a forward surge breakdown voltage and a forward drop voltage VF and prevents an increase in backward leakage current IR.例文帳に追加

順方向サージ耐圧と順方向降下電圧ＶＦとのトレードオフ特性を改善することが可能で、かつ、逆方向漏れ電流ＩＲが増加してしまうことのないショットキーバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

The Schottky barrier diode D1 forming region SDR is allocated at the center in the short direction of the semiconductor chip 5b, and the forming region of the power MOSFET of low side is allocated in both sides thereof.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲを半導体チップ５ｂの短方向の中央に配置し、その両側にローサイドのパワーＭＯＳ・ＦＥＴの形成領域を配置した。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode capable of reducing forward direction applied voltage by suppressing resistance of an operative region as small as possible, along with making high the withstand voltage in a reverse characteristic direction, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

動作領域の抵抗を小さく抑えることで順方向印加電圧を下げ、かつ、逆方向特性の耐圧を高くすることができるショットキーバリアダイオード及びその製造方法の提供。 - 特許庁

In the high-speed turn-off synchronous rectification circuit 10 the drain terminal of FETS2 for synchronous rectification as a reflux switch and the drain terminal of FETS3 for synchronous rectification are series-connected with each other, and a Schottky barrier diode D1 is parallel-connected with them.例文帳に追加

高速ターンオフ同期整流回路１０は、同期整流用ＦＥＴＳ２、同期整流用ＦＥＴＳ３を直列にドレイン端子Ｄ同士を接続しこれらと並列にショットキバリアダイオードＤ１が接続されている。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing an SiC Schottky barrier diode which can suppress an increase in leakage current at the time of a reverse bias without generating surface roughness.例文帳に追加

表面荒れを発生させることなく、逆方向のバイアス時にリーク電流の増加を抑制できるSiCショットキバリアダイオードの製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can resolve problems of current collapse and long-term reliability by alleviating electric field concentration generated at an electrode end when a reverse voltage is applied to a device, such as an SBD (Schottky Barrier Diode), an HEMT (High Electron Mobility Transistor), and the like.例文帳に追加

本発明は、ＳＢＤ、ＨＥＭＴ等のデバイスに逆方向電圧をかけたときの電極端部に生じる電界集中を緩和して電流コラプス、及び長期信頼性の問題を解決した半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode which is reducible in capacity and suitable to high frequencies, specially, for a mixer, etc., while maintaining forward and backward characteristics.例文帳に追加

順方向特性及び逆方向特性を維持しつつ、かつ容量も小さくすることができ、特にミキサ用など高周波用に適したショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

To fabricate a Schottky barrier diode in which a decrease in on current caused by parasitic resistance is suppressed, variations in on current are suppressed, and an increase in off current is suppressed.例文帳に追加

寄生抵抗によるオン電流の低下を抑え、かつ、オン電流のばらつきを抑え、さらに、オフ電流の上昇を抑えたショットキーバリアダイオードを作製する。 - 特許庁

In a junction barrier Schottky diode, the gradient of a pn-junction present at the side of a p-type region forming the pn-junction is sharper than the gradient of a pn-junction present at the bottom of the p-type region.例文帳に追加

本発明は、ジャンクションバリアショットキーダイオードにおいて、ｐｎ接合を形成するｐ型領域の側部に存在するｐｎ接合の傾きが、当該ｐ型領域の底部に存在するｐｎ接合の傾きより急峻である。 - 特許庁

An insulating film having an opening is provided below a region of the Schottky barrier diode where at least an external connection means is fixed, to form a Schottky metal layer, and the diode characteristics are prevented from deteriorating owing to the mechanical damage when the anode electrode made of, for example, aluminum and an aluminum wire are connected to each other.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの少なくとも外部接続手段を固着する領域の下方に開口部を有する絶縁膜を設けショットキー金属層を形成し、例えばアルミニウムからなるアノード電極とアルミニウムワイヤの接合時の機械的ダメージによるダイオード特性の劣化を防止することができる。 - 特許庁

In the semiconductor device composed of a semiconductor wafer 1, an element isolation region 3 formed on the surface of this semiconductor wafer, a complementary MIS transistor formed on the semiconductor wafer and a Schottky barrier diode formed inside a region, which is surrounded with the element isolation region, on the semiconductor wafer, Schottky junction 8a comprising the Schottky barrier diode is formed away from the element isolation region for a fixed distance.例文帳に追加

半導体基板１と、該半導体基板表面に形成された素子分離領域３と、前記半導体基板上に形成された相補型ＭＩＳトランジスタと、前記素子分離領域に囲まれた半導体基板上の領域内に形成されたショットキーバリアダイオードとからなり、該ショットキーバリアダイオードを構成するショットキー接合８ａが前記素子分離領域から一定距離離れて形成されてなる半導体装置。 - 特許庁

In the Schottky barrier diode element 10, a depletion layer is generated in a contact surface on the side of the n-type semiconductor substrate 3 by bringing a barrier film 1 constituted of metal and the n-type semiconductor substrate 3 into contact with each other.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード素子１０において、金属で構成されるバリア膜１とｎ型半導体基板３とを接触させることで、ｎ型半導体基板３側の接触面に空乏層が生じ、ショットキー障壁が発生する。 - 特許庁

The barrier potential (33) at metal-to-semiconductor junction varies depending on the type of metal to be used (16), and using particular metals lowers the diode's Schottky barrier potential (33), results in a V_f in the range of 0.1-0.3 V.例文帳に追加

金属−半導体接合での障壁ポテンシャル（３３）は、使用する金属（１６）のタイプに応じて変動し、特定の金属を使用することにより、ダイオードのショットキー障壁のポテンシャル（３３）が下がり、Ｖ_fが０．１〜０．３Ｖの範囲となる。 - 特許庁

A vacuum deposition device is equipped with a wafer support substrate, a lamp heater, and a first and a second evaporation source that are all installed in the same vacuum device, and three processes of forming the barrier metal layer of the Schottky barrier diode, carrying out an annealing process, and forming a surface electrode are continuously carried out in the same vacuum device.例文帳に追加

同一真空装置内にウェハ支持基板、ランプヒーター、第１および第２の蒸発源を設置した真空蒸着装置を用い、ショットキーバリアダイオードのバリアメタル層形成、アニール処理、表面電極形成の３工程を同一真空装置内で連続して行う。 - 特許庁

The gas sensors are each formed by forming FET using a semiconductor substrate, a gate-control-type p-n junction diode, or the gate area of a Schottky diode or a conductive oxyacid salt and collector or a solid electrolyte, conductive oxyacid salt, and collector on a rectification barrier electrode.例文帳に追加

本発明のガスセンサは、半導体基板を用いたFET、ゲート制御型ｐｎ接合ダイオード、あるいはショットキーダイオードのゲート領域あるいは整流障壁電極上に導電性酸素酸塩と集電体、あるいは固体電解質と導電性酸素酸塩と集電体を形成することからなる。 - 特許庁

In this DC power supply device 1A, a reverse leak current Ir generated by the temperature of the Schottky barrier diode (SBD) D51B thermally connected to a rectifying diode D51A is made to flow to the photocoupler PC1 in an output voltage detection circuit 10A.例文帳に追加

直流電源装置１Ａにおいて、整流ダイオードＤ５１Ａと熱的に結合されたショットキーバリアダイオード(ＳＢＤ)Ｄ５１Ｂの温度による逆方向漏れ電流Ｉｒを、出力電圧検出回路１０Ａ内のフォトカプラＰＣ１に流すようにする。 - 特許庁

To obtain a composite semiconductor device having low conduction loss and low recovery loss characteristics and suitable for a circuit technology of soft switching system inexpensively from a configuration including an SJ-MOSFET and a Schottky barrier diode connected in parallel with the built-in body diode of the SJ-MOSFET.例文帳に追加

ＳＪ−ＭＯＳＦＥＴと、このＳＪ−ＭＯＳＦＥＴの内蔵ボディダイオードと並列接続するショットキーバリアダイオードとを備える構成を、安価に、低導通損失と低リカバリー損失特性を有しソフトスイッチング方式の回路技術に適する複合半導体装置にすること。 - 特許庁

To provide a technology of simultaneously achieving improvement of recovery characteristic of a reflux diode and sure maintenance of avalanche resistance of MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) in a semiconductor device with the MOSFET and SBD (Schottky Barrier Diode) in reverse parallel with the MOSFET formed on the same semiconductor substrate.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴと、ＭＯＳＦＥＴと逆並列となるＳＢＤとが同一半導体基板に形成された半導体装置において、還流ダイオードのリカバリ特性の改善と、ＭＯＳＦＥＴのアバランシェ耐量の確保との両立が可能な技術を提供する。 - 特許庁

When it is assumed that the charge amounts are made to coincide with each other, design of each part can be easily carried out, and a JBS (junction barrier Schottky diode) capable of balancing provision of a high breakdown voltage with reduction of resistance of the p-type layers 8a-8e for forming a PN diode can be easily designed.例文帳に追加

このようにチャージ量を一致させることを前提とすれば、各部の設計を容易に行うことが可能となると共に、高耐圧を得ることとＰＮダイオードを構成するためのｐ型層８ａ〜８ｅを低抵抗にすることの両立を図ることができるＪＢＳを容易に設計することが可能となる。 - 特許庁

The method of regulating the temperature dependence of the junction barrier Schottky diode of a semiconductor material, having an energy band gap exceeding 2eV between a valence band and a conductive band includes a step of regulating an on-state resistance of the grid of a diode so as to obtain the temperature dependence of the diode characteristics that are suitable for the intended use, during the manufacturing of the diode.例文帳に追加

価電子帯と伝導帯との間に２ｅＶを超えるエネルギーギャップを有する半導体材料のジャンクション・バリア・ショットキ・ダイオードの温度依存性を制御する方法は、このダイオードの製造中に、意図された使用に適合するダイオードの特性の温度依存性を得るように、ダイオードのグリッド部のオン状態抵抗を調節することを含む。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode with a high breakdown voltage and a large current where a leakage current in an opposite direction is reduced by forming a second conductivity type first surface layer with large depth and mutual interval and a second conductivity type second surface layer with small depth and mutual interval on the main surface of a first conductivity type SiC semiconductor substrate for forming Schottky junction.例文帳に追加

ショットキ接合を形成する第１導電型のＳｉＣ半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第２導電型の第１表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第２導電型の第２表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。 - 特許庁

To provide a Schottky barrier diode in which concentration of an external stress on the vicinity of the top face of the sidewall of a trench can be relaxed by dispersing the stress in a barrier metal layer even when the external stress generated from an electrode metal layer acts on the joint interface of the barrier metal layer and a conductor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

バリア金属層と導電体との接合界面に電極金属層等から生じる外部応力が作用した場合においても、この応力をバリア金属層内にて分散させることにより、外部応力がトレンチの側壁上面付近に集中するのを緩和することができ、逆方向電流（ＩＲ）を小さくすることができるショットキーバリアダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a compact integrated circuit having a high-voltage Schottky barrier diode (SBD) and integrated high voltage SBDs so as to prevent the breakdown voltage of each SBD from decreasing, and applying different voltages to the electrodes of multiple SBDs.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）の耐圧が低下することを防止すると共に、複数のＳＢＤのそれぞれの電極に異なる電圧を印加できるようにして、高耐圧のＳＢＤ及び高耐圧のＳＢＤが集積化されたコンパクトな集積回路を実現できるようにする。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 1 includes a GaN self-supporting substrate 2 having a surface 2a, a GaN epitaxial layer 3 formed on the surface 2a, and an insulating layer 4 formed on the surface 3a of the GaN epitaxial layer 3 with an opening formed thereon.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、表面２ａを有するＧａＮ自立基板２と、表面２ａ上に形成されたＧａＮエピタキシャル層３と、ＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａ上に形成され、開口部が形成されている絶縁層４とを備える。 - 特許庁

To provide a trench Schottky barrier diode that improves the relation of trade-off between a leakage current IR in reverse direction and a forward drop voltage VF even when the carrier balance is excessive in n because of the variation of production.例文帳に追加

製造ばらつきに起因してキャリアバンスがｎ過多となった場合でも、逆方向リーク電流ＩＲと順方向降下電圧ＶＦとの間にあるトレードオフの関係を改善することが可能なトレンチショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁

A Schottky barrier diode constituting a majority carrier device is connected in parallel with a PN junction capable of being forward-biased so that a minority carrier may not be generated by the PN junction forward-biased, and thereby suppressing the parasitic effect.例文帳に追加

順方向バイアスされる可能性のあるＰＮ接合に並列に多数キャリアデバイスであるショットキーバリアダイオードを接続することで、ＰＮ接合が順バイアスされ少数キャリアが発生しないようにし、寄生効果を抑制する。 - 特許庁

Moreover, a plurality of gate fingers 6b are extensively allocated to hold the forming region SDR toward the forming region SDR of the Schottky barrier diode D1 at the center from the gate finger 6a at the area near both longer sides at the main surface of the semiconductor chip 5b.例文帳に追加

また、半導体チップ５ｂの主面の両長辺近傍のゲートフィンガ６ａから中央のショットキーバリアダイオードＤ１の形成領域ＳＤＲに向かって、その形成領域ＳＤＲを挟み込むように複数本のゲートフィンガ６ｂを延在配置した。 - 特許庁

An n-type gallium nitride based semiconductor layer 19 of a Schottky barrier diode includes a substrate 11 having a principal surface 11a and a first semiconductor region 19a of a forward mesa shape having a side surface 19d and a top surface 19c and provided on the principal surface 11a of the substrate 11.例文帳に追加

ショットキバリアダイオードのｎ^−型窒化ガリウム系半導体層１９は、主面１１ａを有する基板１１と、側面１９ｄと上面１９ｃを有しており順メサ形状の第１の半導体領域１９ａを含み基板１１の主面１１ａ上に設けられている。 - 特許庁

The discharging PTC element 3 and the charging PTC element 5 are connected to the secondary battery 2 in series, and a Schottky barrier diode 6, that sets the flow direction of the discharge current to the forward direction, is connected to the discharging PTC element 5 in parallel.例文帳に追加

放電用ＰＴＣ素子３および充電用ＰＴＣ素子５は、二次電池２に対して直列に接続されており、充電用ＰＴＣ素子５には、放電電流の流れる方向を順方向とするショットキーバリアダイオード６が並列に接続されている。 - 特許庁