「Scribe Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

As a result, the scribe line is formed while freely changing the running direction of the scribing wheel to shorten the distance enabling the scribe line to be scribed in a desired direction.例文帳に追加

こうすればスクライビングホイールの走行方向を自在に変えながらスクライブラインを形成することができ、所望の方向にスクライブできるようになるまでの距離を短くすることができる。 - 特許庁

Since the scribe line is formed continuously, no crack is generated on the surface of the wafer 10 and the wafer 10 can be divided along the extension line of the scribe line 60 on the surface of the wafer 10.例文帳に追加

その結果、スクライブ線が連続して形成されている為、ウエハ１０表面に亀裂が生じることがなく、ウエハ１０表面のスクライブ線６０の延長線に沿ってウエハ１０を分割することができる。 - 特許庁

In a scribe line, a region where interlayer insulating films 2, 4 and 6 do not exist on both sides of the scribe line and a surface of a semiconductor substrate 1 is exposed is provided, and the interlayer insulting films 2, 4 and 6 are left at a middle position of the scribe line, namely in a region held between grooves T.例文帳に追加

スクライブライン内において、スクライブラインの両側では層間絶縁膜２、４、６が存在せず半導体基板１の表面が露出する領域を設け、スクライブラインの中央位置、つまり溝Ｔの間に挟まれた領域には層間絶縁膜２、４、６を残す。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a liquid crystal display panel preventing a scribe line from skipping and reducing a defective cutting in a scribe/break cutting step and a crack and a chip.例文帳に追加

スクライブライン飛びを防ぎ、スクライブ／ブレイク割断工程における割断不良、ワレカケを低減する液晶表示パネルの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Further, scribe regions 10 in which there is no alignment mark 12 are formed in all regions crossing a scribe line 8 in the blank region 6.例文帳に追加

また、ブランク領域６におけるスクライブライン８と交差する全ての領域にはアライメントマーク１２が存在しないスクライブ領域１０が形成されている。 - 特許庁

As a result, a scribe is formed by the scribing wheel 24 with one scanning and the substrate is divided along the scribe line by the dividing wheel 34.例文帳に追加

これにより１回の走査でスクライビングホイール２４によりスクライブを形成し、更に分断ホイール３４によりスクライブラインに沿って基板を分断することができる。 - 特許庁

Making a scribe line SL as a starting point, the InP layer 24 and the InP substrate 10a are cleaved.例文帳に追加

スクライブラインＳＬを起点として、ＩｎＰ層２４、及びＩｎＰ基板１０ａを劈開する。 - 特許庁

The first scribe line 18 is as wide as a minimum width that allows cutting of the semiconductor substrate 10.例文帳に追加

第１のスクライブライン１８の幅は、半導体基板１０を切断し得る最小の幅に等しい。 - 特許庁

The cutting strength of the scribe line area 4 is made lower than those of the other area.例文帳に追加

スクライブライン領域４の切断強度が、他の領域の切断強度よりも弱くされている。 - 特許庁

The process mark that has been conventionally formed in the scribe line region is formed in the semiconductor region.例文帳に追加

従来はスクライブ線領域に形成されていたプロセスマークを半導体領域に形成する。 - 特許庁

To provide a break device for breaking a brittle material substrate along a scribe line in a noncontact state.例文帳に追加

脆性材料基板をスクライブラインに沿って非接触でブレイクするブレイク装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dicing method capable of narrowing a scribe line by using a thin dicing blade.例文帳に追加

薄いダイシングブレードを用いてスクライブラインを狭くすることのできるダイシング方法を提供する。 - 特許庁

A seal layer 30 is formed on a first glass substrate 10 in such a manner that it includes a straight line part parallel to a line on which a scribe line SL is formed.例文帳に追加

第１のガラス基板１０上に、スクライブラインＳＬが形成される予定の線に対して平行な直線部分を含むように、シール層３０を形成する。 - 特許庁

The laser processing method is a laser processing method for forming a scribe groove by irradiating a laser beam along a scribe intended line of a brittle material substrate surface, and it includes a preliminary working process, and a scribe process.例文帳に追加

このレーザ加工方法は、脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成するレーザ加工方法であって、予備加工工程と、スクライブ工程と、を備えている。 - 特許庁

The additional circuit 2 is arranged on a scribe line and is scribed off together with a part of the scribe line of the wafer at the time of cutting and separating the semiconductor circuit devices 1a and 1b, etc.例文帳に追加

付加回路２は、スクライブライン上に配置され、各半導体回路装置１ａ、１ｂ等が切り分けられる際には、ウエハのスクライブラインに沿った部分とともに削り取られるようになっている。 - 特許庁

A force is applied downward on an area surrounded with the first scribe line 31, and the area surrounded with the first scribe line 31 is removed from a glass substrate 1 to form a through-hole 11 in the glass substrate 1.例文帳に追加

そして、第１スクライブライン３１で囲まれた領域に下方に力を加えて、第１スクライブライン３１で囲まれた領域をガラス基板１から抜き落とし、ガラス基板１に貫通孔１１を形成する。 - 特許庁

The alignment mark has a first mark that can be utilized in global alignment measurement regarding a scribe line direction, and a second mark that can be utilized in prealignment measurement regarding the direction that orthogonally crosses the scribe line direction.例文帳に追加

アライメントマークは、スクライブライン方向に関してグローバルアライメント計測に利用可能な第１マークと、スクライブライン方向に直交する方向に関してプリアライメント計測に利用可能な第２マークを有する。 - 特許庁

In the method of the technology, a scribe line 9 is formed on a surface of a semiconductor wafer 1, and then the semiconductor wafer 1 is cleft along the scribe line 9 by using a cleaving blade 8, thereby separating off a wafer piece 1b.例文帳に追加

半導体ウエハ１の表面にスクライブライン９を入れた後、劈開用ブレード８を用いて、このスクライブライン９に沿った半導体ウエハ１の劈開を行い、ウエハ片１ｂを分断する。 - 特許庁

A signal line 420 for damage test, which extends for a plurality of blocks along a scribe line while a plurality of dies are formed is formed in the wafer W where a plurality of dies divided by the scribe line are formed.例文帳に追加

スクライブラインにより区画された複数のダイが形成されるウエハＷに、前記複数のダイが形成された状態で、前記スクライブラインに沿って複数の区画に亘って延びる損傷試験用の信号線路４２０を形成する。 - 特許庁

To provide a mark arrangement inspection method capable of reducing errors in arranging marks to be arranged on scribe lines such as an alignment mark and a measurement mark in designing scribe line data.例文帳に追加

スクライブラインデータの設計時に、アライメントマークや計測マークなどのスクライブライン上に配置されるマークの配置ミスを低減することができるマーク配置検査方法を提供する。 - 特許庁

To cut a fuse with high precision in a semiconductor device that trims the fuse with a laser and reduce the area of a laser trimming positioning pattern in the scribe line region.例文帳に追加

ヒューズをレーザトリミングをする半導体装置において、高精度でヒューズを切断すること。 - 特許庁

To provide a scribing method capable of forming a good scribe line on a brittle material substrate.例文帳に追加

脆性材料基板に良好なスクライブラインを形成することができるスクライブ方法を提供する。 - 特許庁

The scribe line 5 is provided with semiconductor elements 7 for monitoring the process and the electrode pads 11 for monitoring the process.例文帳に追加

スクライブライン５にプロセスモニタ用半導体素子７とプロセスモニタ用電極パッド１１を備えている。 - 特許庁

Subsequently, the first glass substrate 10 is broken along the scribe line S1 formed first (step A3).例文帳に追加

次に、最初に形成されたスクライブラインＳ１に沿って第１のガラス基板１０をブレイクする（ステップＡ３）。 - 特許庁

A scribe line is formed in the space between grooves 11 formed on the surface of a silicon wafer W.例文帳に追加

シリコンウエハＷの表面に形成された溝１１の相互間によってスクライブラインを構成する。 - 特許庁

A scribe line S2 is cut into a mother TFT (thin film transistor) substrate 120a using a second scribing device 125.例文帳に追加

そして第２のスクライブ装置１２５を用いてマザーＴＦＴ基板１２０ａにスクライブラインＳ２を入れる。 - 特許庁

To prevent fixing of a vertical crack of a scribe line first formed in a region wherein two scribe lines cross with each other when breaking a brittle material substrate by forming the two scribe lines crossing each other using a laser beam.例文帳に追加

レーザビームを用いて、互いに交差する２方向のスクライブラインを形成し、脆性材料基板を割断する場合に、２つのスクライブラインが交差する領域において、最初に形成したスクライブラインの垂直クラックの固着発生を抑える。 - 特許庁

Then, the inner side of the first scribe line 31 is scribed along the first scribe line 31 by the cutter 2, and inclined in the substrate thickness direction to form a second scribed line 32 including a second crack 42 merging with the first crack 41.例文帳に追加

次いで、第１スクライブライン３１の内側を第１スクライブライン３１に沿ってカッター２によってスクライブし、基板厚み方向に対して傾斜し、第１クラック４１に合流する第２クラック４２からなる第２スクライブライン３２を形成する。 - 特許庁

Since an area A of the first glass substrate 10 where the scribe line S1 is disconnected does not hinder cutting because it has been cut along a virtual line L1 by the step A3, the first glass substrate 10 is easily broken along a virtual line L2, namely along the scribe line S2.例文帳に追加

このとき、第１のガラス基板１０において、スクライブラインＳ１の途切れた領域ＡはステップＡ３で仮想線Ｌ１に沿って切断されており、切断の障害とならないことから、第１のガラス基板１０は、仮想線Ｌ２、即ちスクライブラインＳ２に沿って正常にブレイクされ易くなる。 - 特許庁

When forming a second scribe line 52b that crosses with a first scribe line 52a that has been first formed, the amount of a cooling water used for cooling the brittle material substrate 50 is adjusted to ≤0.5 ml/min.例文帳に追加

第１スクライブライン５２ａを形成した後、第１スクライブライン５２ａと交差する第２スクライブライン５２ｂを形成する際、脆性材料基板５０を冷却するための冷却水量を０．５ｍｌ／ｍｉｎ以下とする。 - 特許庁

A first scribe line 52a made of a vertical crack 53a and a second scribe line 52b made of a vertical crack 53b are formed by irradiation with a laser beam LB and spraying a cooling medium from a cooling nozzle 37.例文帳に追加

レーザビームＬＢの照射と、冷却ノズル３７からの冷却媒体の吹き付けによって、垂直クラック５３ａからなる第１スクライブライン５２ａと、垂直クラック５３ｂからなる第２スクライブライン５２ｂとを形成する。 - 特許庁

In another method, the wafer is partitioned by applying an etching process engraving by etching a scribe line from the surface side of the wafer, and another etching process engraving the scribe line by etching from the rear side of the wafer to manufacture a plurality of semiconductor chips.例文帳に追加

若しくは、ウェハの表面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理と、ウェハの裏面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理とを行うことによりウェハを分割して複数の半導体チップを製造する。 - 特許庁

A water-soluble protective film F is formed on a part region of a surface of base plate glass 10 on which a scribe line 11 is scribed, that is, on a belt-like zone having about 15 mm width across the scribe line 11.例文帳に追加

素板ガラス１０のスクライブ線１１を刻設した面の一部領域、すなわちスクライブ線１１を跨ぐようにして約１５ｍｍの幅寸法を有する帯状の領域に水溶性の保護膜Ｆを形成した。 - 特許庁

Then, a dummy seal layer 30D is formed on the first glass substrate 10 in such a manner that it is in line symmetry with only the straight line part of the seal layer 30 with respect to the line on which the scribe line SL is formed.例文帳に追加

次に、第１のガラス基板１０上に、スクライブラインＳＬが形成される予定の線に対してシール層３０の直線部分のみと線対称となるように、ダミーシール層３０Ｄを形成する。 - 特許庁

In addition, the scribe line 16, that is etch-stopped at the arbitrary depth of the SiO_2 film 104, is formed simultaneously.例文帳に追加

また、これと同時にＳｉＯ_２膜１０４の任意の深さでエッチングが留められたスクライブライン１６が形成される。 - 特許庁

The area 48 includes a band-like shape extending in the c-axis direction in conformity to the length of the scribe line 45a.例文帳に追加

エリア４８は、スクライブ線４５ａの長さに合わせて、ｃ軸方向に延在する帯状の形状を有する。 - 特許庁

The transmission path 18 is formed on a scribe line 19, and a testing circuit is disconnected at the time of separating a wafer.例文帳に追加

伝送線路１８は、スクライブ線１９上に形成し、ウエハを切り離す際に試験回路を切断する。 - 特許庁

This invention is characterized in that a scribe line is formed along the arrangement direction of unit substrates without rotating a mother substrate.例文帳に追加

母基板を回転させずに単位基板の配列方向に沿ってスクライブラインを形成することを特徴とする。 - 特許庁

As etching proceeds, the pair of glass substrates are separated into individual cells divided in the section having the scribe line.例文帳に追加

エッチングが進行するにつれて一対のガラス基板はスクライブを入れた部分で分断された個別のセルに別れる。 - 特許庁

To scribe a cutting-off line on both surfaces of a liquid crystal panel having a thin thickness and a large size, by the reversion of the panel.例文帳に追加

薄肉厚で、かつ大判な液晶パネルの反転により両面に切断線を入れるようにする。 - 特許庁

The integrated circuit chip regions are spaced from each other by a scribe line region SLA, having a width w1.例文帳に追加

集積回路チップ領域ＣＡどうしは、幅ｗ１を有するスクライブライン領域ＳＬＡを隔てて離間する。 - 特許庁

To correctly, rapidly and efficiently apply the scribe line working to a large glass substrate.例文帳に追加

大型のガラス基板に対して正確で高速かつ効率的にスクライブ線加工を施すことができるようにする。 - 特許庁

To provide a polishing material capable of efficiently forming a scribe line for connecting a solar battery element in series.例文帳に追加

太陽電池素子を直列接続するためのスクライブラインを効率的に形成させる研磨材を提供する。 - 特許庁

To scribe X-axial and Y-axial cutting lines on a surface A of a supplied large-size liquid crystal panel on a scribe stage of one line, to scribe cutting lines for large division and cutting lines for small division on a surface B, and to break the liquid crystal panel along the respective cutting lines.例文帳に追加

供給した大判な液晶パネルを１本のラインのスクライブステージ上でＡ面にＸ軸、Ｙ軸方向の切断線をスクライブし、次いでＢ面に大割の切断線を、小割の切断線をスクライブすると共に、各切断線をブレークする。 - 特許庁

In the scribing process, pulse laser beams are irradiated along the scribe-scheduled line at a scanning speed of at least 40 mm/s and at most 120 mm/s to form the scribe groove by means of ablasion machining.例文帳に追加

スクライブ工程は、パルスレーザ光をスクライブ予定ラインに沿って４０mm/s以上、１２０mm/s以下の走査速度で照射し、アブレーション加工によってスクライブ溝を形成する工程である。 - 特許庁