「Scribe Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The work WS is divided by forming a scribe groove 2 on the thin plate-like work WS having brittleness to position on a dividing line 1, applying a paste like break medium 3 having higher thermal expansion coefficient than that of the work WS on the formed scribe groove 2, curing the applied break medium 3 and heating the cured break medium 3 to utilize the expansion force of the break medium 3.例文帳に追加

脆性を有する薄板状のワークＷＳに対し、分割線１上に位置してスクライブ溝２を形成し、形成したスクライブ溝２に、ワークＷＳより熱膨張係数の高いペースト状のブレーク媒体３を塗着し、塗着したブレーク媒体３を硬化させ、硬化後のブレーク媒体３を加熱して、ブレーク媒体３の膨張力によりワークＷＳを分割する。 - 特許庁

The conducting film pattern formed in the scribe line region is made smaller than a pad pitch of an external terminal pad and greater than a lead wire width, thereby making it possible to prevent the occurrence of the short circuit between lead wires, when the conducting film is rolled up by dicing.例文帳に追加

このスクライブライン領域に形成する導電膜パターンを、外部端子パッドのパッドピッチより小さく且つリード線幅より広くする事により導電膜がダイシングにより捲れ上がってもリード線間ショートの発生を防止できる。 - 特許庁

To provide a method for scribing a brittle material substrate capable of processing the brittle material substrate by internal cutting without externally cutting the brittle material substrate in spite of using a normal cutter wheel when a scribe line is formed to the brittle material substrate.例文帳に追加

脆性材料基板にスクライブラインを形成する際にノーマルカッターホイールを使用するものでありながら、脆性材料基板を外切りすることなく、内切りで加工することのできる脆性材料基板のスクライブ方法を提供する。 - 特許庁

The reticle for metal patterning includes an IC pattern ensemble region and a TEG pattern region patterned next to each other, interposing a light non-transmitting solid region (region A), and has a scribe line in the region A.例文帳に追加

ＩＣパターン集合領域とTEGパターン領域が光非透過ベタ領域（領域Ａ）をはさんで並んでパターニングされている金属膜パターニング用レチクルにおいて、前記領域Ａにスクライブラインを有する金属パターニング用レチクルとした。 - 特許庁

After this, a groove part 12 is formed between adjacent chips by applying dicing cut to the glass wafer until the depth position in the adhesive resin layer 9 from the glass wafer 11 side on a scribe line 10 by a first dicing blade having a coarse grain size and a wide blade width.例文帳に追加

その後、粒度が粗くブレード幅の広い第１ダイシングブレードにより、スクライブライン１０上をガラスウェハ１１側から接着樹脂層９内の深さ位置までダイシングカットして、隣接チップ間に溝部１２を形成する。 - 特許庁

The coordinate (X1, Y1) of the center of rotation of the chuck table is indexed from three arbitrary points of the annular scribe line, and the coordinate (X2, Y2) of the center of the wafer for test is indexed from three arbitrary points on the outer peripheral edge of the wafer for test.例文帳に追加

環状罫書き線の任意の３点からチャックテーブルの回転中心位置座標（Ｘ１，Ｙ１）を割り出し、試験用ウエーハの外周縁の任意の３点から試験用ウエーハの中心位置座標（Ｘ２，Ｙ２）を割り出す。 - 特許庁

To provide a scribing apparatus that achieves a fine adjustment with a low load, shaves off a thin film of a solar cell substrate with precision, and eliminates occurrence of irregular peeling of the thin film, and forms a straight and precise scribe line.例文帳に追加

低荷重での微妙な調整を可能にして、太陽電池基板の薄膜をきれいに削り、不規則な薄膜の剥離の発生をなくして直線的できれいなスクライブラインを形成することができるスクライブ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a severing method enabling breaking by a three-point bending moment without damaging an electronic circuited part even if the width of depressible buffer zone is 250 μm or less in the vicinity of each scribe line.例文帳に追加

各スクライブライン近傍で押圧可能な緩衝領域の幅が片側２５０μｍ以下であっても、電子回路形成部分に損傷を与えることなく、３点曲げモーメントによってブレイクすることのできる分断方法を提供する。 - 特許庁

When two passive element units are adjacent to each other in the second direction, the scribe line electrically connects an electrode having the opposite polarity between the passive element units, thereby the passive element units are connected in series.例文帳に追加

２つの受動素子ユニットが第２方向に隣接する場合、スクライブラインは、受動素子ユニット間に反対極性の電極を電気的に連結し、これにより、これら受動素子ユニット間に直列接続を提供するようになる。 - 特許庁

Pads 10a and 10b connected electrically with a semiconductor chip, seal rings 11a and 11b for protecting the semiconductor chip during dicing and a circuit characteristic evaluator 20 for a scribe line 12 are provided on a wafer made of semiconductor.例文帳に追加

半導体からなるウエハー上に、半導体チップと電気的に接続されるパッド１０ａ、１０ｂと、ダイシング時に半導体チップを保護するシールリング１１ａ、１１ｂと、スクライブライン１２の回路特性評価部２０が設けられている。 - 特許庁

To provide a method for cutting glass comprising the step of irradiating a laser beam onto a glass sheet to form a scribe line thereon, wherein the efficiency of a cutting work is improved by enhancing the utilization rate of the laser beam.例文帳に追加

レーザビームをガラス板に照射してスクライブラインを形成する工程を有するガラス切断方法において、レーザビームの利用効率を高めることによって切断作業の効率を向上させる方法を提供することにある。 - 特許庁

The exposure region of the semiconductor substrate surface other than the element formation region includes a ring-like region from a peripheral exposure region boundary of a semiconductor wafer to a film formation region boundary of a high-melting-point metal, and a scribe line region.例文帳に追加

素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域は、半導体ウェハの周辺露光領域境界から高融点金属の成膜領域境界までのリング状の領域、スクライブラインの領域を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the glass substrate includes a process for subjecting a mother glass substrate to a chemical tempering treatment and a process for forming a scribe line in the mother glass substrate subjected to the chemical tempering treatment by rotating a wheel cutter 3.例文帳に追加

本発明に係るガラス基板の製造方法は、マザーガラス基板に化学強化処理を施す工程と、化学強化処理が施されたマザーガラス基板にホイールカッター３を回転させてスクライブ線を形成する工程とを備える。 - 特許庁

To provide a breaking device for parting a hard fragile plate such as a glass plate along a scribe line on a surface, capable of simplifying a structure, shortening a working time, and dispensing with a reversing operation of the hard fragile plate.例文帳に追加

ガラス板を代表とする硬質脆性板を、表面のスクライブ線に沿って分断するブレーク装置に関し、構造が簡単で作業時間が短く、硬質脆性板の反転操作も必要としない装置を提供する。 - 特許庁

In the scribe line region 2 on a substrate 3, an alignment mark 5 having a clear initial difference in level t1 is formed by forming a LOCOS oxide film 4 on the surface of a substrate 3, and then by removing the LOCOS oxide film 4.例文帳に追加

本発明では、基板３のスクライブライン領域２では、基板３表面にＬＯＣＯＳ酸化膜４を形成し、その後、ＬＯＣＯＳ酸化膜４を除去することで、初期段差ｔ１の深いアライメントマーク５を形成する。 - 特許庁

After that, this manufacturing method comprises a dicing step that performs the dicing of the semiconductor wafer 10 along the scribe line region 16, and pick-up step that picks up good chips from multiple semiconductor chips 14 after the dicing step.例文帳に追加

その後、スクライブライン領域１６に沿って半導体ウエハ１０をダイシングするダイシング工程、およびダイシング工程よりも後に複数の半導体チップ１４の中から良品チップをピックアップするピックアップ工程を経て、半導体装置を得る。 - 特許庁

In this way, in the scribing apparatus 1, even when each formation necessary for forming the scribe line is moved in relation to the surface of the brittle material substrate S, the occurrence of variation in the forming positions of a heating area and a cooling area is prevented.例文帳に追加

これにより、スクライブ装置１では、スクライブラインの形成に必要な各構成を脆性材料基板Ｓの表面に対して移動させても、加熱領域及び冷却領域の形成位置に変動が生じることが防止される。 - 特許庁

A plurality of sections exposed by one shot are defined on a surface of a substrate to be exposed, an outer peripheral near region of each section overlaps with an outer peripheral near region of an adjacent section, and the overlap portion corresponds to a scribe line.例文帳に追加

露光すべき基板の表面上に、１ショットで露光する複数の区画が画定され、各区画の外周近傍領域が、隣の区画の外周近傍領域と重なり、この重なり部分がスクライブラインに相当する。 - 特許庁

Stress, generated when the second glass substrate G2 is broken, reaches the first glass substrate G1 through the sealing material 5, thereby the first glass substrate G1 is broken along the scribe line at substantially same time with the breakage of the second glass substrate G2.例文帳に追加

第２ガラス基板Ｇ２が割断する際に発生する応力がシーリング材５を介して第１ガラス基板Ｇ１に伝わることにより、第２ガラス基板Ｇ２の割断と実質的に同時に、第１ガラス基板Ｇ１をスクライブラインに沿って割断する。 - 特許庁

Dam-shaped projections 11 are provided along a scribe line 16 for cutting the couple of original substrates by scribing and also provided with cut parts 12 and step parts 13 on both edges along a row of connection pads 15.例文帳に追加

一対の原基板をスクライブにより切断するためのスクライブ線１６に沿って堰堤状突起１１を設けるとともに、接続パッド１５の列に沿った個所において、堰堤状突起１１に抜き部１２、及び両縁の段部１３を設けておく。 - 特許庁

Since an interlayer film 3 is formed in such a way that it covers the proximity of a scribe line 10, the surface of a silicon wafer 2 is not damaged by anisotropic etching for forming aluminum wiring 4 and passivation films 5a and 5b during manufacturing operations.例文帳に追加

層間膜３はスクライブライン１０近傍を覆って形成されているため、製造工程において、アルミ配線４やパッシベーション膜５ａ、５ｂを形成するための異方性エッチングによってシリコンウエハー２表面がダメージを受けることがない。 - 特許庁

A semiconductor wafer 1 where a semiconductor layer 3 is formed on the surface of a substrate 2 is scribed by means of a cutter 22 while applying vibration at least to the contact point of the cutter 22 on the semiconductor wafer 1 thus forming a scribe line 4.例文帳に追加

基板２の表面上に半導体層３が形成されてなる半導体ウエハー１を、少なくとも該半導体ウエハー１におけるカッター２２の接触点に振動を加えながら、該カッター２２によりスクライブしてスクライブライン４を形成する。 - 特許庁

This reticle is provided with a chip region which is within a projection range of an exposure device and is formed with semiconductor circuit patterns and a plurality of marks for measurement for measuring the superposition accuracy in a scribe line region which is the region exclusive of the chip region.例文帳に追加

本発明のレチクルは、露光装置の投影範囲内であり、半導体回路パターンが形成されたチップ領域と、チップ領域以外の領域であるスクライブライン領域に重ね合わせ精度を測定する為の測定用マークが複数設けられる。 - 特許庁

An element structure 4 to be measured having the same pattern as that of a structure 2 being the object of the management, of the film thickness of the residual film of an inter-layer insulating film in a chip 1 and optical film thickness measuring patterns 5 and 6 are arranged in a scribe line 3 outside the chip 1 as a pair.例文帳に追加

チップ１内の層間絶縁膜の残膜の膜厚を管理する対象となる構造２と同じパターンの被測定対象素子構造４と、光学式膜厚測定パターン５，６とを１組にして、チップ１外のスクライブライン３に設ける。 - 特許庁

When cutting by a cutter 2 is performed to provide a scribe line 4, steam or vapor or mist of an organic solvent such as kerosine is locally sprayed to a cutting surface and an area (5) 1-3 mm in diameter peripheral thereto with a time lag of 0.1-0.01 second from the cutting.例文帳に追加

スクライブライン４を設けるべくカッター２による切削を行う際、切削から0.1〜0.01秒のタイムラグで、切削面及びその周辺の1〜3mm径の領域５に、水蒸気、または、ケロシンその他の有機溶媒の蒸気またはミストを局所的に吹き付ける。 - 特許庁

A semiconductor chip is formed by mutually separating the chip constitution sections 2 by cutting the semiconductor wafer 1 along a scribe line 4 extended to cross the connection wiring 3 between the mutually adjacent chip constitution sections 2.例文帳に追加

相互に隣り合うチップ構成部２の間において接続配線３と交差するように延伸するスクライブ線４に沿って、半導体ウェハ１を切断することによって、チップ構成部２の各々を相互に分離させて半導体チップを形成する。 - 特許庁

The depth of the scribe line 17 does not reach other surface of the glass substrate 11 by emitting the cooling mist 16 within a time until the temperature of the glass substrate 11 heated by the laser spot 14 is transmitted on the other surface of the glass substrate 11.例文帳に追加

レーザスポット１４により加熱されたガラス基板１１の温度がガラス基板１１の他面上に伝わるまでの時間内に冷却ミスト１６を放射することにより、スクライブ線１７の深さはガラス基板１１の他面に到達しない。 - 特許庁

First back electrodes 141 arranged in the adjoining solar cell formation regions 120 out of the plurality of solar cell formation regions 120 are interconnected by a second back electrode 142 arranged on a part of the scribe line 121.例文帳に追加

複数の太陽電池形成領域１２０のうちで互いに隣接する太陽電池形成領域１２０に位置する第１裏面電極１４１同士は、スクライブ線１２１上の一部に位置する第２裏面電極１４２により繋がっている。 - 特許庁

A scribe line 160 having a crack with a prescribed depth is formed by irradiating a cutting path set on the nonmetallic substrate with a first laser beam 120 having a wavelength for breaking the molecular bond of a material constituting the nonmetallic substrate.例文帳に追加

非メタル基板に設定された切断経路上に前記非メタル基板を構成する物質の分子間の結合を切断することができる波長の第１レーザビーム１２０を照射して所定深さのクラックを有するスクライブライン１６０を形成する。 - 特許庁

Trenches 4a-4c are provided at the position of a scribe line SL of semiconductor substrates 1a to 1c, and after the substrates 1a to 1c are laminated, a conductive material 11 is filled inside the trenches 4a to 4c provided at cut-sections of the substrates 1a to 1c.例文帳に追加

半導体基板１ａ〜１ｃのスクライブラインＳＬの位置に溝４ａ〜４ｃを設け、半導体基板１ａ〜１ｃを積層した後、半導体基板１ａ〜１ｃの切断面に設けられた溝４ａ〜４ｃ内に導電材料１１を充填する。 - 特許庁

In the substrate separating method, liquid is charged in a bag body 2 formed of a polymeric material so as to have elasticity, and then the bag body 2 is made abut against a substrate P to be parted which has a scribe line S formed on one surface, and is then pressed.例文帳に追加

基板分断方法は、高分子材料によって弾性を有するように形成された袋体２の内部に流体を充填した後、袋体２を一面にスクライブラインＳが形成されている被分断基板Ｐに当接させて押圧する。 - 特許庁

After that, the dicing cut is applied to the wafer from the glass wafer 11 side till the bottom surface of the semiconductor wafer 1 in the photosensitive resin layer 13 and its lower layer on the scribe line 10 by a second dicing blade having fine abrasive grains and a narrow blade width to divide the groove for every chip.例文帳に追加

その後、砥粒が細かくブレード幅の狭い第２ダイシングブレードによって、スクライブライン１０上を、ガラスウェハ１１側から感光性樹脂層１３並びにその下層の半導体ウェハ１底面までダイシングカットしてチップ毎に分割する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a glass substrate, in which a scribe line can be formed on a main surface of a mother substrate on which a transparent conductive film is formed, without harming the transparent conductive film, and which can suppress the contamination of a member.例文帳に追加

マザー基板の透明導電膜が形成されている側の主面に、透明導電膜にキズをつけることなくスクライブラインを形成でき、部材の汚染を抑制できる、透明導電膜を有するガラス基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A virtual wafer 10 and a mask 19 are moved relatively, after an orientation flat 12 is overlapped on a scribe line 16x in an X-direction and the number of non-defective products is counted, and a result corresponding to the quantity of relative movement is stored every time, when the number of non-defective products varies.例文帳に追加

仮想的なウェハ１０及びマスク１９とを、オリフラ１２をＸ方向のスクライブライン１６xに重ね、良品１４の個数を数えた後、相対移動させ、良品個数が変化する毎に、相対移動量と対応付けて記憶しておく。 - 特許庁

The first substrate includes scribe marks 50, provided on a part positioned at the panel peripheral edge on the outer side of the sealant 40 on the display medium layer side; a plurality of pixel electrodes formed by a transparent conductive oxide film; and an electrode line formed by a metal material, respectively.例文帳に追加

第１基板は、表示媒体層側に、シール４０の外側のパネル周縁に位置する部分に設けられたスクライブマーク５０と、各々、透明導電性酸化膜で形成された複数の画素電極と、金属材料で形成された電極線と、を有する。 - 特許庁

To provide a break device capable of breaking a work by adding a perpendicular load along a scribe line of the work remaining, in such a state that the work is held by a ring member using a dicing ring with a slightly bigger diameter than the diameter of the work, such as a circle.例文帳に追加

円形等のワークの直径に対し、少しだけ大きな直径のダイシングリングを用いたリング部材でワークを保持した状態のままで、ワークのスクライブラインに沿って垂直な荷重を加えるようにしてブレイクすることが可能なブレイク装置を提供する。 - 特許庁

A closed space covering a region including a scribe line formed on an upper face of the fragile substrate at the center and having a predetermined width is created, and a pressure in the closed space is reduced to break the fragile substrate by curving it slightly into a reverse V shape.例文帳に追加

脆性基板の上面に形成したスクライブラインに対し、そのスクライブラインを中央に含むようにして所定幅の領域を覆う閉空間を作り、その閉空間を減圧することにより、脆性基板を逆Ｖ字状に僅かに湾曲させてブレイクを行う。 - 特許庁

After making a desired wiring pattern and a pattern plating for depositing a metal on the minimum required part by opening the protective resist and applying an electricity in the vicinity thereof, the protective resist is removed, and unnecessary seed layers including a scribe line are collectively removed by a wet etching.例文帳に追加

所望の配線パターン、及び、その近傍で保護レジストを開口して通電し、必要最小限の部分に金属を堆積させるパターンめっきを行った後に、保護レジストを除去し、ウエットエッチングによりスクライブラインを含めた不要なシード層を一括して除去する。 - 特許庁

The first substrate has a scribe mark 50 arranged at a part positioned at the panel peripheral edge of the outside of the seal 40, and a plurality of pixel electrodes formed of a transparent conductive oxide film and an electrode line formed of a metal material, respectively, on the display medium layer side.例文帳に追加

第１基板は、表示媒体層側に、シール４０の外側のパネル周縁に位置する部分に設けられたスクライブマーク５０と、各々、透明導電性酸化膜で形成された複数の画素電極と、金属材料で形成された電極線とを有する。 - 特許庁

When the edged tool 4 for peeling the polarizing plate of a cutting off operation portion 10 approaches the upper side of a scribe line 3, the device 20Y for manufacturing the liquid crystal display panel elevates the edged tool 4 for peeling the polarizing plate from a multiple formation substrate 1 based on the direction of a positioning controlling portion 7.例文帳に追加

液晶表示パネル製造装置２０Ｙは、分断稼動部１０の偏光板剥離用刃物４がスクライブライン３上に近づくと、位置決め制御部７からの指令に基づき、偏光板剥離用刃物４を多面取り基板１から上昇させる。 - 特許庁

Then a ruled line is formed by applying a scribe processing on one face of the glass substrate through the first film and the first film is peeled from the glass substrate and a second film having the tackiness is stuck again on one face.例文帳に追加

そして、前記第１のフィルムを介して前記ガラス基板の一方の面にスクライブ加工して、罫書き線を形成し、前記第１のフィルムを前記ガラス基板の前記一方の面より剥がして、前記一方の面に再び粘着性を有する第２のフィルムを貼り付ける。 - 特許庁

The substrate separating apparatus 1 has a pressing member, capable of contacting and leaving the substrate P to be parted which has the scribe line S formed on one surface, the pressing member formed by the polymer so as to have elasticity; and the pressing member is set as a the bag body 2 which can be filled with the liquid.例文帳に追加

基板分断装置１では、一面にスクライブラインＳが形成されている被分断基板Ｐに接離可能な押圧部材を高分子によって弾性を有するように形成し、該押圧部材がその内部に流体を充填可能な袋体２とされる。 - 特許庁

A multilayer wiring structure is formed by laminating multiple layers of interlayer insulating films 15, 17, and 19 using a Low-k film having a porous structure to assure low dielectricity and laser dicing is conducted along a scribe line until the front surface of a semiconductor substrate 11 is exposed.例文帳に追加

低誘電性を確保するために多孔質な構造を有するＬow‐ｋ膜を用いた層間絶縁膜１５,１７,１９を多層に積層して多層配線構造を形成し、スクライブラインに沿ってレーザーダイシングを半導体基板１１表面が露出するまで行う。 - 特許庁

The electrically conductive light shielding film 124 is circularly left on the outer peripheral part of the TFT substrate 110 in order to make the upper light shielding film of a scribe line side hard to peel during etching and cleaning when the upper light shielding film is formed on the TFT substrate 110.例文帳に追加

導電性遮光膜１２４は、ＴＦＴ基板１１０に上層遮光膜を形成する場合に、スクライブライン側の上層遮光膜がエッチング時や洗浄時に剥離しにくくするため、ＴＦＴ基板１１０の外周部に環状に残すようにしたものである。 - 特許庁

The electronic device 1 is arranged such that an antenna section 3 and an RF circuit section 4 can conduct respective functions, even if they are separated from each other and a scribe line 6 for separating the antenna section 3 and the RF circuit section 4 is made in a ceramic substrate 2.例文帳に追加

アンテナ部３とＲＦ回路部４とを分離したとしても、分離したアンテナ部３及びＲＦ回路部４が各々の機能を果たせるように電子装置１を構成し、セラミック基板２に、アンテナ部３とＲＦ回路部４とを分離するためのスクライブライン６を形成する。 - 特許庁