「Scribe Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

A power distributing film 30 is formed on a scribe line 3 for individually separating a plurality of semiconductor devices 50 on a wafer 1, and a wiring film is also formed on a semiconductor device 50.例文帳に追加

ウエハ１が含む複数の半導体装置５０を個々に隔てるスクライブライン３上に配電膜３０を形成すると共に、半導体装置５０上に配線膜を形成する。 - 特許庁

The dicing method according to an embodiment comprises a method for dicing a semiconductor wafer 90, by making a blade 10 undergo reciprocating motion along the same scribe line on the semiconductor wafer 90.例文帳に追加

実施形態に係るダイシング方法は、半導体ウエハ９０上の同一のスクライブラインに沿ってブレード１０を往復させることにより、半導体ウエハ９０をダイシングする方法である。 - 特許庁

After heating by casting a laser beam 21 on a groove lower part 8 only along a scribe line 6, liquid nitrogen 22 is immediately brought into contact with the entire semiconductor wafer 1, and thermal impact is given.例文帳に追加

スクライブライン６に沿った溝下部分８のみにレーザービーム２１を照射して加熱した後、直ちに半導体ウエハー１全体に液体窒素２２を接触させて熱衝撃を与える。 - 特許庁

Before parting a substrate 1 to be parted, crack proceeding direction constraining means 4 each of which constrains the proceeding direction of a crack C are formed at least at both ends of the scribe line SL forming part of the substrate 1 so that the crack C proceeding from the scribe line SL proceeds in the thickness direction of the substrate 1 during the parting of the substrate by a pressing member.例文帳に追加

被分断基板１を分断する前に、被分断基板１のスクライブラインＳＬ形成位置の少なくとも両端部に、押圧部材により被分断基板１を分断するに際し、スクライブラインＳＬから進行するクラックＣが被分断基板１の厚さ方向に進行するようにクラックＣの進行方向を拘束するクラック進行方向拘束手段４を形成する。 - 特許庁

To provide a scribing wheel, a scribing apparatus and a scribing method which are suitable for forming a scribe line at a ceramic substrate (particularly, a low temperature-fired ceramic substrate) achieving high penetration and having a long life.例文帳に追加

高浸透可能で寿命の長いセラミックス基板（特に低温焼成セラミックス基板）にスクライブラインを形成するために好適なスクライビングホイール、スクライブ装置及びスクラブ方法を提供する。 - 特許庁

Initial stage of a process for exposing a specified mask pattern such that a plurality of integrated circuit chip regions 12 are formed on a semiconductor wafer WF while being spaced apart by a scribe line region 13 is shown.例文帳に追加

半導体ウェハＷＦ上に複数の集積回路チップ領域１２がスクライブライン領域１３を隔てて形成されるよう所定のマスクパターンを露光するプロセスの初期段階を示している。 - 特許庁

A semiconductor wafer comprises a plurality of chip regions 3 which are separated mutually by a scribe line 5 and are disposed in a matrix manner, and bonding pads 9 and probing pads 11 are disposed in the chip regions 3.例文帳に追加

スクライブライン５によって互いに分離されてマトリクス状に配置された複数のチップ領域３を備え、それらのチップ領域３にボンディング用パッド９とプロービング用パッド９が配置されている。 - 特許庁

Since a micro crack which extends from the scribe line to in the thickness direction of the ceramic mother board is generated, the ceramic mother board is bent by hands, then the aluminum nitride is cleaved along the micro crack to isolate the insulated substrate 1.例文帳に追加

スクライブ線からセラミックス母板の肉厚方向に伸びるマイクロクラックが生じるので、セラミックス母板を手で折り曲げ、マイクロクラックに沿って窒化アルミニウムがへき開して絶縁基板を分離できる。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing a semiconductor device capable of closing a clearance between a scribe line and a protective tape until it reaches the periphery of a wafer and preventing the infiltration of the cutting water at a time when a backside of the wafer is cut.例文帳に追加

スクライブラインと保護テープの隙間をウェハの外周部に達するまでに閉じ、ウェハの裏面切削時における切削水の浸入を防ぐことができる半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

An electrical connection between a front and a back side of a wafer is made by utilizing a side surface of a through hole formed at a specific point on a scribe line of the wafer, and electrodes for a board mounting are placed on the back side of the wafer.例文帳に追加

ウエハのスクライブライン上の特定箇所に形成したスルーホールの側面を利用して,ウエハ表裏間の電気接合を取り、前記ウェハの裏面側に基板実装用の電極を配置する。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor wafer level package includes: joining a semiconductor wafer 1 to a cap wafer 3; carrying out half-cut 4 from either the semiconductor wafer 1 or the cap wafer 3 side along a scribe line; and partially dividing lateral chips.例文帳に追加

半導体ウエハ１とキャップウエハ３を接合した後で、半導体ウエハ１またはキャップウエハ３側からスクライブラインに沿ってハーフカット４し、横方向のチップ同士を部分的に分割する。 - 特許庁

After a first groove 102 is formed in a scribe line region 101 of the wafer 100, a filled part 103 is formed by filling material different from a wafer structuring material in the first groove 102.例文帳に追加

ウエハ１００におけるスクライブライン領域１０１に第１の溝１０２を形成した後、第１の溝１０２に、ウエハ構成材料とは異なる材料を充填して充填部１０３を形成する。 - 特許庁

Whole formation necessary for forming a scribe line on the brittle material substrate of a laser beam oscillator 3, an optical unit 4, a bend mirror 5, a cooling jet 6, and a trigger mechanism 7 is fitted integrally to a support 2.例文帳に追加

レーザ発振器３、光学系ユニット４、ベンドミラー５、冷却ジェット６、トリガ機構７の脆性材料基板にスクライブラインを形成するのに必要な全構成を、支持台２に一体的に取り付けた。 - 特許庁

To provide a printing mask capable of suppressing the resin inflow into a scribe line and the exposure of wiring upon buffer layer printing, and to provide a direction for use of the printing mask and a manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

バッファ層印刷時にスクライブラインへの樹脂の流れ込み及び配線の露出を抑制できる印刷用マスク、印刷用マスクの使用方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

For instance, the aperture 3 is formed so that a part of the electrode pad 2 exists on the center of the aperture 3, and that the electrode pad 2 substantially exists on the center in the widthwise direction of the scribe line 1.例文帳に追加

例えば、電極パッド２の一部を開口部３の中心に存在するように開口部３を形成し、また、電極パッド２をスクライブライン１の幅方向の略中央に位置するように形成する。 - 特許庁

To prevent a crack generated when separating each of semiconductor devices on a wafer from reaching a moisture-resistant ring shield, when a scribe line region is reduced.例文帳に追加

本発明の課題は、スクライブライン領域を縮小化すると、ウエハ上に形成された半導体装置それぞれを分離するときに発生するクラックが、耐湿リングシールドに達することを防止することにある。 - 特許庁

This cutting is performed by simultaneously cutting the silicon substrate 15 and parts constituting bottoms of the notch trenches 17 of the glass substrate 16, in such a manner that the notch trenches 17 are connected along the scribe line S.例文帳に追加

この切断は、スクライブラインＳに沿って、切込み溝１７につなげるようにして、シリコン基板１５とガラス基板１６の切込み溝１７の底を構成する部分とを同時に切断することにより行なう。 - 特許庁

A scribe line 4s, comprising a protruding pattern 4 surrounding a chip region 1a on a substrate 1, is formed in the same process in which active regions 4a comprising the protruding patterns 4 are formed.例文帳に追加

基板１上のチップ領域１ａに凸パターン４からなるアクティブ領域４ａを形成すると同一工程で、チップ領域１ａを囲む凸パターン４からなるスクライブライン４ｓを形成する。 - 特許庁

When a laser beam LB is irradiated along a scribe line 52 formed at a brittle material substrate 50, the brittle material substrate 50 is curved in such a manner that the irradiation side of the laser beam LB is made into a recessed shape.例文帳に追加

脆性材料基板５０に形成されたスクライブライン５２に沿ってレーザビームＬＢを照射する際、レーザビームＬＢの照射側が凹形状となるように脆性材料基板５０を湾曲させる。 - 特許庁

In the method for manufacturing electronic components, a groove is formed along a cut-off line of a laminated body of ceramics green sheets by the laser scribe, the laminated body is baked and made into a single piece following the groove.例文帳に追加

本発明に係る電子部品の製造方法は、レーザスクライブによりセラミックスグリーンシートの積層体の切断ラインに沿って溝を形成した後、積層体を焼成し、溝に従って個片化する。 - 特許庁

This scribing wheel 160 is a tool formed of a diamond-containing material, and forming a scribe line on the brittle material substrate 4 by being moved relative to the brittle material substrate 4.例文帳に追加

スクライビングホイール１６０は、ダイヤモンド含有物により成形されており、脆性材料基板４に対して移動させられることによって、脆性材料基板４上にスクライブラインを形成するツールである。 - 特許庁

To provide a substrate dividing method for dividing the substrate so that a break end surface is perpendicular to the thickness direction and the width direction along a scribe line, and to provide a device for dividing the substrate.例文帳に追加

ブレイク端面が、スクライブラインに沿って厚み方向におよび幅方向において垂直になるように基板を分割することができる基板の分割方法および基板の分割装置を提供すること。 - 特許庁

Since the edge of the diamond scriber is formed in the shape of the ridge, according to this constitution, enlargement of the groove width of a wafer can be suppressed to be prescribed and the excellent scribe line can be maintained for a long time.例文帳に追加

このように、ダイヤモンドスクライバーの刃先がリッジ状に形成されているため、ウエハーの溝幅の広がりを一定に抑えることができ、良好なスクライブラインを長く維持することができる。 - 特許庁

A loop-shaped sealing ring 60 is arranged in scribe-line regions, and a part of a p-type semiconductor region 35, included in the sealing ring 60, extends to a layout pattern region lying in the inside of the chip.例文帳に追加

スクライブライン領域に環状のシールリング６０が設けられており、シールリング６０に含まれるｐ型半導体領域３５の一部がチップの内側のレイアウトパターン領域にまで延在している。 - 特許庁

On the occasion of the cleavage of a discrete element 80 during a manufacture of a semiconductor laser diode 70, first of all a laser beam 9 is scanned along a scribe line 7 which perpendicularly intersects with a c-axis in the discrete element 80.例文帳に追加

半導体レーザダイオード７０の製造時における、個別素子８０の劈開に際しては、まず、個別素子８０におけるｃ軸に直交するスクライブライン７に沿って、レーザ光９が走査される。 - 特許庁

In the semiconductor device cut into individual pieces along a scribe line from a wafer, TEG elements 12 for monitoring are arranged in an empty region in the lower layer of an assembly pad 11 provided in each individual piece.例文帳に追加

ウェハからスクライブ線に沿って個片に切り出される半導体装置において、各個片に設けた組み立てパッド１１の下層の空いた領域に、モニタ用のＴＥＧ素子１２を配置した。 - 特許庁

To form a scribe line along the scheduled line by suppressing any excessively advancing phenomenon that a crack is generated in the non-predictable direction from a trigger crack in a method of cutting a brittle material substrate by using laser beam of high transmittance to the brittle material substrate.例文帳に追加

脆性材料基板に対する透過率の高いレーザビームを用いて、脆性材料基板を割断する方法において、トリガークラックから予測できない方向にクラックが生じる先走り現象を抑え、スクライブラインが予定ラインに沿って形成されるようにする。 - 特許庁

On the cutting position of both faces of a panel wherein an upper board 25 and a lower board 35 are pasted through a seal material 24, a scribe line is previously formed, and by providing a laser injection device, a laser beam is radiated respectively to the scribe lines of the both faces to part the panel 26 (or 27) and obtain a liquid crystal panel 28 of the product size.例文帳に追加

上基板２５と下基板３５とがシール材２４を介して貼り合わされたパネル２６（又は２７）の両方の面の切断箇所に予めスクライブラインを形成しておいて、レーザー射出装置を備え、それら両面のスクライブラインにレーザ光をそれぞれ照射してパネル２６（又は２７）を割断し、製品サイズの液晶パネル２８を得る。 - 特許庁

Therefore, the thickness of the black color seal material 30 at the scribe line 15 can be decreased, so that even if the black color seal material 30 is formed till the end portion of the TFT substrate 10, scribing can be stably carried out.例文帳に追加

これによってスクライブ線１５における黒色シール材３０の厚さを小さくできるので、ＴＦＴ基板１００の端部にまで黒色シール材３０を形成しても安定してスクライブすることが可能になる。 - 特許庁

To suppress increase in the area of a scribe line area even when the number of alignment marks is increased, to sufficiently secure theoretical yield in the manufacture of a semiconductor chip and to suppress the increase of a manufacture cost.例文帳に追加

アライメントマーク数が増加した場合でも、スクライブライン領域の面積の増加を抑制することができ、半導体チップの製造における理論収量を十分に確保することができ、製造コストの増加を抑制する。 - 特許庁

The laser beam machining method comprises: a laser beam emission stage where a pulse laser beam is condensed and is emitted to the surface of a brittle material substrate; and a laser beam scattering stage where the laser beam is scanned along a scribe schedule line.例文帳に追加

このレーザ加工方法は、パルスレーザ光を集光して脆性材料基板表面に照射するレーザ光照射工程と、レーザ光をスクライブ予定ラインに沿って走査するレーザ光走査工程と、を含んでいる。 - 特許庁

A dividing groove 5_nc in parallel with the first scribe line 3 is provided at the center of each inspection pad 5_n, so that the inspection pad 5_n is divided into the inspection pads 5_na and 5_nb by the dividing groove 5_nc.例文帳に追加

各検査用パッド５_ｎの中央部には、第１スクライブライン３と平行な分割溝５_ｎｃが形成され、この分割溝５_ｎｃによって各検査用パッド５_ｎは、検査用パッド部５_ｎａ及び５_ｎｂに分割されている。 - 特許庁

The welding, forming of a scribe line and conveying can be carried out in a state that the substrate 11 and the sealing substrate 18 are overlapped and placed on the support substrate 12 which is thicker and less deflected than those substrates.例文帳に追加

基板１１および封止基板１８を、これらよりも厚く、たわみ量の少ない支持基板１２の上に重ねて載置した状態のまま融着やスクライブ線の形成、あるいは搬送などを行うことができる。 - 特許庁

An insulating film is formed so as to coat a scribe line, a field plate or an open electrode 5 included on the surface of a silicon substrate 1, and then an Ni electroless plating is performed on a metal electrode 4, to form a plating.例文帳に追加

シリコン基板１の表面に有するスクライブラインやフイールドプレートあるいはオープン電極５を覆うように絶縁膜を形成した上でＮｉの無電解めっきを金属電極４に行い、めっきを形成する。 - 特許庁

The plane shape of the first dummy part 13 includes two first long sides perpendicular to the longitudinal direction of the scribe line 150, and two first short sides located near the outer periphery of the first check element pad 10.例文帳に追加

第１ダミー部１３の平面形状は、スクライブ線１５０の長手方向と垂直な２つの第１長辺と、第１チェック素子パッド１０の外周部近傍に配置される２つの第１短辺とを含む。 - 特許庁

The square dummy patterns disposed in a knight jump manner automatically generable at high uniformity in a chip, and the rectangular dummy patterns in lattice arrangement which have high chipping resistance is formed in a scribe line area.例文帳に追加

チップ内部では、自動発生時に高い均一性で発生することができる正方形の桂馬とび配置のダミーパターンを、スクライブ線上には高い対チッピング耐性をもった格子状配置の矩形ダミーパターンを形成する。 - 特許庁

A groove processing tool 2 for a thin film solar cell is held by a holder 17 and is reciprocated relative to the scheduled scribe line of a substrate together with the holder 17, to form a groove on the substrate.例文帳に追加

この薄膜太陽電池用溝加工ツール２は、ホルダ１７に保持され、ホルダ１７とともに基板のスクライブ予定ラインに沿って相対的に往復移動させて基板上に溝を形成するためのツールである。 - 特許庁

To form a scribe line having an enough depth for cleaving a substrate without thermal damage in device circuits formed in the substrate even the substrate is relatively transparent with a lower energy absorption efficiency.例文帳に追加

エネルギ吸収効率の低い比較的透明な基板であっても、それに作り込まれたデバイス回路に熱的損傷を与えることなく、これに割断に必要な十分な深さのスクライブ線を形成すること。 - 特許庁

To form a scribe line on an optional position of a brittle substrate by surely preventing scratches formed on the surface of the brittle substrate by cullet produced in a work for scribing the surface of the brittle substrate such as a glass plate.例文帳に追加

ガラス板などの脆性基板の表面にスクライブ加工を施す時に発生するカレットにより、脆性基板の表面に傷が付くことを確実に防止して、脆性基板の任意の位置にスクライブラインを形成する。 - 特許庁

When two passive element units are adjacent to each other in the first direction, the scribe line electrically connects an electrode having the same polarity between the passive element units, thereby the passive element units are connected in parallel.例文帳に追加

２つの受動素子ユニットが第１方向に互いに隣接する場合、スクライブラインは、受動素子ユニット間に同一極性の電極を電気的に連結し、これにより、受動素子ユニットを並列で連結するようになる。 - 特許庁

To properly split a brittle material by a splitting apparatus by reducing or eliminating the non-continuous part of a broken line-shaped scribe groove formed in the surface of the brittle material.例文帳に追加

脆性材料の表面に形成される破線状のスクライブ溝の非連続部を低減あるいは皆無にして、割断装置による脆性材料の割断を適正に行うことができるスクライブ方法を提供する。 - 特許庁

After that, any processing isn't given to a front surface of the discrete element 80, but a stress is applied along the scribe line 7 in which the processing region 24 is formed, and cracks are generated from the processing region 24 to perform the cleavage.例文帳に追加

その後は、個別素子８０の表面に対して加工が施されず、加工領域２４が形成されたスクライブライン７に沿って応力が加えられ、加工領域２４から亀裂を発生させて劈開が行なわれる。 - 特許庁

A semiconductor wafer is provided with a structure that serves as a mark for a dicing step of a scribe line adjacent to a specific product chip in each block of the semiconductor wafer in which a plurality of blocks, each of which consists of a plurality of product chips, are arranged.例文帳に追加

複数の製品チップからなるブロックを複数個配置した半導体ウェーハの各ブロックにおいて、特定の製品チップに隣接するスクライブラインにダイシング工程における目印になる構造を設ける。 - 特許庁

Recesses (scribe line) 45 are cut in the P--type Si layer 25 beyond the N+-type Si layer 24, and a positive electrode 32 is filled into the recess 45 through the intermediary of a P+-type Si layer 26.例文帳に追加

半導体層２４、２５の裏面に、ｎ^+型Ｓｉ層２４を超えｐ^-型Ｓｉ層２５をもえぐる凹部（スクライブライン）４５があり、前記凹部４５のなかにｐ^+型Ｓｉ層２６を介して正電極３２が埋め込まれている。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate having structure by which an electrode pad can be formed on a scribe line so as not to be easily left after dicing, a semiconductor device, a method for manufacturing the semiconductor device, and to provide a method for measuring the semiconductor device.例文帳に追加

スクライブラインに形成された電極パッドを、ダイシング後に残存しにくく形成することができる構造を有する半導体基板、半導体装置及びその製造方法ならびに測定方法を提供する。 - 特許庁