「Scribe Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

Then a brake blade is pressed on the wafer 10 from the upper side of a scribe line so as to divide it into semiconductor elements.例文帳に追加

その後、スクライブ線６０上方から前記ウエハ１０へ向ってブレイク刃を押し当て、前記ウエハ１０を個々の半導体素子に分割する。 - 特許庁

One or a plurality of strip-like films are provided on at least one side of a scribe line of the circuit forming surface of a wafer.例文帳に追加

ウェハーの回路構成面のスクライブラインの少なくとも片側に帯状の膜を一本ないし複数本設けることを特徴とする。 - 特許庁

In a first process, a scheduled process line L1 is arranged in a gap between the sealing materials 5 of the adjacent cells, and a laser beam is irradiated along the scheduled process line L1 to form a scribe line on the first glass substrate G1.例文帳に追加

第１工程では、隣接するセルのシーリング材５の間隙に加工予定線Ｌ１を配置し、加工予定線Ｌ１に沿って、第１ガラス基板Ｇ１にレーザを照射し、第１ガラス基板Ｇ１にスクライブラインを形成する。 - 特許庁

Then a ruled line is formed by applying the scribe processing on the other face of the glass substrate so as to cross the ruled line through the first film and the glass substrate is divided along the ruled line.例文帳に追加

次いで、前記ガラス基板の他方の面に、前記罫書き線と交差するようにスクライブ加工により前記第１のフィルムを介して罫書き線を形成し、前記ガラス基板を前記罫書き線に沿って分割する。 - 特許庁

The dicing blade 4 is provided with a first blade 4a comprising a wide blade to cut Al patterns 2, 4 which are formed on the scribe line 1, and with a second blade 4b provided for the wide blade of the first blade and comprising a thin blade to cut the scribe line 1.例文帳に追加

このダイシングブレード４は、スクライブライン１上に形成されたＡｌパターン２，４を削りとるための広幅の刃を有する第１ブレード部４ａと、第１ブレード部の広幅の刃に設けられ、スクライブライン１を切断するための細幅の刃を有する第２ブレード部と４ｂ、を具備するものである。 - 特許庁

Product chips 10 are arrayed in a matrix form, and there are formed, in scribe regions 27, malfunction decision parts 20 and transmission line paths 25 which have a predetermined characteristic impedance, and cross either a center line 28H or 28V of the scribe regions 27 at least at one location.例文帳に追加

製品チップ１０をマトリックス状に配列し、スクライブ領域２７には、誤動作判定部２０と、所定の特性インピーダンス値を有し少なくとも１箇所でスクライブ領域２７の中心線２８Ｈ或いは２８Ｖのいずれかを横断する伝送線路２５を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device includes the process of forming a protective film on a layer including a scribe line 103 and the semiconductor device 102, and the process of selectively removing the protective film so as to remain at least at the scribe line part 103 of a substrate outer periphery and then polishing the back surface of a substrate 101.例文帳に追加

スクライブライン部１０３と半導体装置１０２を含む層上に保護膜を形成する工程と、保護膜を、少なくとも基板外周部のスクライブライン部１０３に残るように選択的に除去した後、基板１０１の裏面を研磨する工程とを含む。 - 特許庁

Next, as shown in Fig. 1(c), the wheel 21 is moved back while being rolled to the left in the X axis direction to form the second broken line-shaped scribe groove 14x2 in the non-continuous part 14xn of the first scribe groove 14x1.例文帳に追加

次に、図１（ｃ）に示すように、ホイール２１をＸ軸方向左方に転がしながら復行移動させて第１スクライブ溝１４ｘ１の非連続部１４ｘｎに第２スクライブ溝１４ｘ２を破線状に形成する。 - 特許庁

The aligned substrate 1 comprising a pair of substrates aligned to each other is segmented along a scribe line to form one or more cells.例文帳に追加

一対の基板が貼り合わせられた貼り合わせ基板１を、スクライブラインに沿って分断することにより１または２以上のセルが形成される。 - 特許庁

After the ion implantation, a thickness of the resist film is measured using an ellipsometer by selecting a part on a scribe line, a large-pattern portion, etc., of the resist pattern.例文帳に追加

イオン注入後、レジストパターンのうちスクライブ線上やパターンの大きなところなどを選択してエリプソメーターでレジスト膜厚を測定する。 - 特許庁

To insert a scribe line in an unintentional metal film solid portion formed on a semiconductor wafer, and to prevent associated peeling of the metal film at dicing.例文帳に追加

半導体ウエハ上にできる意図しない金属膜ベタ部部にスクライブラインを挿入し、ダイシング時の金属膜剥れにつながることを防止する。 - 特許庁

To provide a laser dicing apparatus which can dice a wafer into chips quickly while avoiding a mark formed on a scribe line.例文帳に追加

本発明の目的は、スクライブラインに形成されたマークを避けて迅速にチップの切り分けを行うことができるレーザダイシング装置を提供すること。 - 特許庁

To prevent generation of a step-difference in a cutting surface, while the ineffective part of a scribe line of a semiconductor substrate is reduced to a minimum.例文帳に追加

半導体基板のスクライブラインの無効部分を極力小さくしながらも、切断面部分における段差形状の発生を防止する。 - 特許庁

As a result, the upper layer film material flowing out from the scribe line 112 when developing becomes a smooth flow, thereby preventing developing unevenness or adherence of foreign matters.例文帳に追加

この結果、現像時にスクライブライン１１２から流れ出す上層膜材が滑らかな流れとなり、現像ムラや異物の付着を防止できる。 - 特許庁

To form vertical crack up to a deep position while suppressing the occurrence of horizontal crack when a scribe line is formed on a glass plate using a cutter wheel.例文帳に追加

ガラス板にカッターホイールを用いてスクライブラインを形成する際に、水平クラックを抑制しつつ深い位置にまで垂直クラックを形成する。 - 特許庁

The step for forming an N type epitaxial layer is carried out on the surface of an N type buried layer 51 for a portion where a scribe line is formed.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層形成工程は、スクライブラインが形成される部分については、Ｎ型埋め込み層５１の表面に対して行なわれる。 - 特許庁

To provide a scribe line forming method for excellently dividing a substrate even in the vicinity of an end part of a division projected line when forming the division projected line composed of a reforming area by condensing laser beams inside the substrate, and to provide the substrate with a division projected line.例文帳に追加

基板内部にレーザ光を集光することで改質領域からなる分割予定線を形成する際に、分割予定線の端部付近においても良好に基板の分割を可能とするスクライブライン形成方法、分割予定線付き基板を提案する。 - 特許庁

To provide a scribe line forming method capable of excellently dividing a substrate even in a vicinity of an end of a division projected line when forming the division projected line consisting of a reforming area by condensing laser beams inside the substrate.例文帳に追加

基板内部にレーザ光を集光することで改質領域からなる分割予定線を形成する際に、分割予定線の端部付近においても良好に基板の分割を可能とするスクライブライン形成方法等を提案する。 - 特許庁

IC chip 2 is isolated, and on a scribe line 3 which is later cut, an inspection pad 4 electrically connected to an internal circuit of the IC chip 2 is formed.例文帳に追加

ＩＣチップ２を隔離し、後に切断されるスクライブライン３上に、ＩＣチップ２の内部回路に電気的に接続された検査用パッド４を形成する。 - 特許庁

To provide a scribing wheel capable of satisfactorily forming a scribe line on a brittle material substrate, and to provide a scribing apparatus including the scribing wheel.例文帳に追加

脆性材料基板に良好なスクライブラインを形成することができるスクライビングホイール、および、このスクライビングホイールを有するスクライブ装置を提供する。 - 特許庁

A mechanical impact is imparted by the vibration and a crack 5 is generated from the bottom of the scribe line 4 substantially in the thickness direction of the semiconductor wafer 1 and developed.例文帳に追加

加えられた振動により機械的衝撃が与えられ、スクライブライン４の底から半導体ウエハー１の略厚さ方向に亀裂５が発生し進展する。 - 特許庁

The inspection pad 4 is used for inspecting the behavior of the IC chip 2 in an inspection process, and is cut off together with the scribe line 3 in a cut process.例文帳に追加

検査用パッド４は、検査工程において、ＩＣチップ２の動作を検査するために使用され、切断工程において、スクライブライン３とともに切り落とされる。 - 特許庁

A laser processing method for dividing a brittle material substrate by applying a laser beam includes a scribe line-forming process and a division process.例文帳に追加

このレーザ加工方法は、レーザ光を照射して脆性材料基板を分断する加工方法であって、スクライブライン形成工程と、分断工程と、を備えている。 - 特許庁

Then, a recess 12 is formed along a scribe line 11 from the surface of the semiconductor wafer 2, and then the semiconductor wafer is cut into individual pieces by carrying out backface grinding.例文帳に追加

続いて、半導体ウェーハ２の表面からスクライブライン１１に沿って凹部１２を形成した後に、裏面研磨を行って半導体ウェーハを個片化する。 - 特許庁

In this case when the first scribe line 52a is irradiated again, the maximum width of irradiated width in the irradiation spot of the laser beams LB is made 1.0 mm or less.例文帳に追加

このとき第１スクライブライン５２ａに再度照射するレーザビームＬＢの照射スポットの照射幅の最大幅を１．０ｍｍ以下とする。 - 特許庁

A set of a resistance element region and an identification region of the first and second wiring layers is formed on a TEG chip or a scribe line.例文帳に追加

第１配線層および第２配線層の抵抗素子領域および識別領域の組がＴＥＧチップまたはスクライブラインに形成されている。 - 特許庁

To provide a processing method for a sapphire wafer which can reduce chipping and crack generation and can form a scribe line deep enough for cleavage.例文帳に追加

チッピングやクラックの発生を低減し、劈開するのに十分な深さのスクライブラインを形成可能なサファイアウエーハの加工方法を提供することである。 - 特許庁

A semiconductor device has a semiconductor chip and the scribe line provided in contact with a periphery of the semiconductor chip and having an interlayer insulating film and an accessory.例文帳に追加

半導体装置は、半導体チップと、半導体チップの周囲に接するように設けられ層間絶縁膜とアクセサリとを有するスクライブラインとを有する。 - 特許庁

In order to optimize the coolant distribution, a cooling nozzle is used that achieves distribution in which the coolant has symmetry on both sides of the scribe line behind the heated region.例文帳に追加

また後者では冷却液が加熱領域の後方にスクライブ線の両側で対称性を有する分布を実現する冷却ノズルを使用した。 - 特許庁

A scribe line SLy1 extending in a (y) direction on the external surface of the first glass substrate 301 is formed with a mechanical cutter to break the first glass substrate.例文帳に追加

そして、第１ガラス基板３０１の外側表面においてｙ方向に延在するスクライブラインＳＬｙ１を、メカニカルカッターによって形成しブレイクする。 - 特許庁

To increase the number of semiconductor devices that can be arranged in one reticle region by eliminating a restriction due to a scribe line width.例文帳に追加

本発明は、スクライブライン幅による制約を取り除いて一つのレチクル領域内に配置できる半導体素子の数を増大することを課題とする。 - 特許庁

A scribe line SLx1 extending in an (x) direction on an external surface of a first glass substrate 301 is formed with a laser cutter to break the first glass substrate.例文帳に追加

第１ガラス基板３０１の外側表面においてｘ方向に延在するスクライブラインＳＬｘ１を、レーザーカッターによって形成しブレイクする。 - 特許庁

Then a scribe line SLy2 extending in the (y) direction on the external surface of the second glass substrate 302 is formed with the mechanical cutter to break the second glass substrate.例文帳に追加

そして、第２ガラス基板３０２の外側表面においてｙ方向に延在するスクライブラインＳＬｙ２を、メカニカルカッターによって形成しブレイクする。 - 特許庁

A plurality of chip element forming regions and a scribe line region separating the plurality of the chip elements forming regions from one another are formed on a wafer 10.例文帳に追加

ウェハ１０には、複数のチップ用素子形成領域と、複数のチップ用素子形成領域を互いに分けるためのスクライブライン領域とが設けられている。 - 特許庁

In addition, no laser radiation is performed prior to dicing to the scribe line of a predetermined or less width on which a metal-containing accessory pattern is provided.例文帳に追加

また、金属を含むアクセサリパターンを配置したスクライブラインであって、所定の幅以下のスクライブラインには、ダイシングに先立つレーザ照射を行わないようにした。 - 特許庁

To solve such a problem that, when a press-formed glass plate is cut by a scribe method, cracks intruding from a cut line to the inner part of the glass plate propagate in various directions.例文帳に追加

プレス成形されたガラス板をスクライブ法にて切断する場合、切り筋からガラス板の内部に貫入する亀裂の方向がばらついてしまう。 - 特許庁

The inspection pads 5_n are used for inspecting the characteristics of the substrate 1 and formed on the first scribe line 3 at a prescribed interval.例文帳に追加

検査用パッド５_ｎは、基板１の特性を検査するためのものであって、第１スクライブライン３上に所定間隔を開けて複数形成されている。 - 特許庁

The first mark is formed by arranging a plurality of slender X measurement marks (X1 to X4) so that the longitudinal direction orthogonally crosses the scribe line.例文帳に追加

第１マークは、細長い形状の複数のＸ計測マーク（Ｘ１〜Ｘ４）が、その長手方向がスクライブラインと直交するように並べられて形成される。 - 特許庁

When the second section is exposed, margin regions of the first and second reticles correspond to the scribe line where the first section and second section overlap with each other.例文帳に追加

第２の区画を露光するときに、第１及び第２のレチクルの各々のマージン領域が第１の区画と第２の区画との重なったスクライブラインに対応する。 - 特許庁

A groove 5 for reducing the thickness is formed on the surface at a semiconductor layer formation side of a semiconductor wafer 1 and a scribe line 6 as a division groove is formed.例文帳に追加

半導体ウエハー１の半導体層形成側の表面に減厚用溝５を形成するとともに分割用溝としてのスクライブライン６を形成する。 - 特許庁

Then a scribe line SLx2 extending in the (x) direction on an external surface of a second glass substrate 302 is formed with the laser cutter to break the second glass substrate.例文帳に追加

そして、第２ガラス基板３０２の外側表面においてｘ方向に延在するスクライブラインＳＬｘ２を、レーザーカッターによって形成しブレイクする。 - 特許庁

The resin material is cured and then resin members 4 are formed on both sides of each scribe line 7 on the one surface of the device glass mother substrate 5.例文帳に追加

この樹脂材料が硬化することにより、デバイスガラス母基板５の一方面において、各スクライブ線７の両側に樹脂部材４が形成される。 - 特許庁

To protect a semiconductor element under fabrication against impact of auto-doping from a scribe line portion in the process for fabricating a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法において、スクライブライン部分からのオートドーピングの影響が形成中の半導体素子に及び難いようにすることを課題とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device, preventing a scribe line from having an abnormal appearance with respect to overetching for opening a pad, and to provide the semiconductor device.例文帳に追加

パッド開口時のオーバーエッチングに対し、スクライブラインが外観異常とならないような半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

The distance d1 between at least two marks 6a, 6d in the direction approximately orthogonal to the extended direction of the setting line 4a is approximately equal to the permissible deviation amount of the scribe line.例文帳に追加

設定ライン４ａが延びる方向に対して略直交する方向における前記少なくとも２つのマーク６ａ，６ｄ間の距離ｄ１は前記スクライブラインの許容ずれ量と略等しい。 - 特許庁