「Scribe Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

In a scribe-line region 3 on the wafer 1, a first stress-absorbing pattern 33 is formed at the same time when the wiring 31 of a first layer is formed in the chip region 2.例文帳に追加

また、ウェハ１上のスクライブライン領域３には、チップ領域２に第１層の配線３１を形成するときに、第１の応力吸収パターン３３を同時に形成する。 - 特許庁

In the scribe line region 5 of the semiconductor wafer, a first monitoring pattern 7, a second monitoring pattern 9 and a third monitoring pattern 11 are formed as the watermark monitoring patterns.例文帳に追加

半導体ウェハのスクライブライン領域５に、ウォーターマークモニタ用パターンとして第１モニタ用パターン７、第２モニタ用パターン９及び第３モニタ用パターン１１が形成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a display device in which a substrate made by connecting a plurality of cells used for a display device is divided at scribe line parts by the cells.例文帳に追加

表示装置に用いられるセルが複数連結された基板を、前記各セル毎にスクライブライン部分で分割する表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a phenomenon in which a crack is not uniformly formed by a wheel 10 of a glass cutter when a projection or an earlier-formed scribe line is present on glass.例文帳に追加

ガラス上に凸部あるいはさきに形成されたスクライブラインが存在するときに、ガラスカッターのホイール１０によるクラックが均一に形成されない現象を対策する。 - 特許庁

To increase the number of semiconductor device that can be formed on a wafer by reducing a region of a scribe line by shortening a dicing width in a simple method.例文帳に追加

簡単な方法でダイシング幅を縮小化しスクライブラインの領域を縮小化することによって、ウエハに形成可能な半導体素子の数量を増加させる。 - 特許庁

To provide a dummy pattern for chemical mechanical polishing (CMP) of a metal where high uniformity is provided in a chip and high chipping resistance is provided for a scribe line.例文帳に追加

チップ内では高い均一性を、スクライブ線では高い対チッピング耐性をもった金属の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）用のダミーパターンを提供することにある。 - 特許庁

A surface wiring line 6 is connected from the bonding pad 3 to the through via 5 of the target chip 2-1 or adjacent chip 2-2 through the scribe region 4.例文帳に追加

表面配線６は、ボンディングパッド３からスクライブ領域４を介して対象チップ２−１又は隣接チップ２−２の表面の貫通ビア５に接続されている。 - 特許庁

If impact is given to the TFT substrate preform by a breaking device, a yTFT cutting surface 116y orthogonal to the principal surface of the TFT substrate preform from the yTFT scribe line is formed.例文帳に追加

ブレイク装置で衝撃を与えると、ｙＴＦＴスクライブラインからＴＦＴ基板母材の主面に直交するｙＴＦＴ分断面１１６ｙが形成される。 - 特許庁

In a semiconductor device 12, a scribe line region 14 is formed in the circumference of a semiconductor element region 20 where a ring-like equipotential ring 22 is formed.例文帳に追加

本発明の半導体装置１２は、リング状の等電位リング２２が形成されている半導体素子領域２０の周囲にスクライブ線領域１４が形成されている。 - 特許庁

An alignment mark 1 is formed by densely arranging patterns of element configuring components in a scribe line region 3 of a reticle 5 used for pattern transfer to the wafer.例文帳に追加

アライメントマーク１は、ウェハに対するパターン転写に用いられるレチクル５のスクライブライン領域３に、素子構成要素のパターンを密集して配置することにより構成されている。 - 特許庁

Irradiating point of the laser beam B on the amorphous silicon thin film 17 is moved linearly to the scribe line 19 of a device 18 on the glass substrate 16 by means of a scan mirror 23.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜１７へのレーザビームＢの照射点を、スキャンミラー２３にてガラス基板１６上のデバイス１８のスクライブライン１９まで直線状に移動する。 - 特許庁

The reticle for metal patterning has a scribe line, in a non-transmitting solid region (B) adjacent to the counter side of the side of the TEG pattern region adjacent to the region A.例文帳に追加

また、前記領域Ａと接しているTEGパターン領域の辺の対辺と接している光非透過ベタ領域（領域B）にスクライブラインを有する金属パターニング用レチクルとした。 - 特許庁

A liquid crystal mother glass substrate 120 is placed with its mother counter substrate 120b upside, and a scribe line S1 is cut into the mother counter substrate 120b using a first scribing device 124.例文帳に追加

液晶マザーガラス基板１２０のマザー対向基板１２０ｂを上にし、第１のスクライブ装置１２４を用いてマザー対向基板１２０ｂにスクライブラインＳ１を入れる。 - 特許庁

This suppresses a film thickness reduction of a resist 21 used as a mask during formation of a third wiring layer 7, in the vicinity of a boundary position between the scribe line and a chip.例文帳に追加

これにより、スクライブラインとチップとの境界位置近傍において、第３配線層７を形成する際のマスクとして用いるレジスト２１が膜減りすることを抑制できる。 - 特許庁

To provide a carpenter's square which makes it possible to surely scribe a line by putting the main body of the square against a cut face of a board even when the board is thin.例文帳に追加

薄い板材であっても、その切断面に曲尺本体を押し当てて、確実に線を罫書くことができるようにした曲尺の提供を目的とする。 - 特許庁

Stoppers 25 each having a height nearly equal to the glass substrate 24 are arranged at both sides of the glass substrate 24, and according to the scribe line, pressing is carried out with a breaking bar 27 from upper part.例文帳に追加

ガラス基板２４の両側にはガラス基板２４の高さとほぼ等しい高さのストッパ２５を配置し、上部よりスクライブラインに合わせてブレークバー２７で押圧する。 - 特許庁

This polishing material is constituted by an inorganic particle powder capable of satisfying a specific maximum particle diameter, a specified average particle diameter, a specified indefinite index of the particle and specified Moh's hardness according to the width of the scribe line.例文帳に追加

スクライブライン幅に応じて、特定の最大粒子径、平均粒子径、粒子の不定形指数、及びモース硬度を満足する無機粒子粉体からなる。 - 特許庁

To provide a method for dividing a brittle material substrate where, even in a brittle material substrate having a low linear expansion coefficient, the vertical crack of a scribe line is made to elongate to a thickness direction of the substrate by laser beam irradiation.例文帳に追加

線膨張係数の小さい脆性材料基板であっても、レーザビーム照射によってスクライブラインの垂直クラックが基板厚み方向に伸展するようにする - 特許庁

Also, since a space which is required when the interlayer film 3 near the scribe line 10 is eliminated according to the conventional technology is no longer necessary, the semiconductor device can be miniaturized.例文帳に追加

また、従来技術のようにスクライブライン１０近傍の層間膜３を除去した場合に必要なスペースが不要であり、半導体装置の微細化を実現できる。 - 特許庁

Conductive support structure 114 is also formed inside a scribe line region 104, and support the interlevel dielectric layer in the region of the integrated circuit.例文帳に追加

導電性支持構造（１１４）は、スクライブ・ライン領域（１０４）内部にも形成し、集積回路のこの領域内にあるレベル間誘電体層に対する支持も与える。 - 特許庁

Test scribing is performed as long as a circumferential length by using the scribing wheel 10, and a distance d1 from a contact point with the substrate to a point where a scribe line is formed is detected.例文帳に追加

スクライビングホイール１０を用いて円周の長さだけテストスクライブし、基板と接触した点からスクライブラインが形成されるまでの距離ｄ１を検出する。 - 特許庁

The length of a part of the scribe line 121 where the second back electrode 142 is arranged is shorter than the length where the second back electrode 142 is not arranged.例文帳に追加

スクライブ線１２１上において、第２裏面電極１４２が位置している部分の長さは、第２裏面電極１４２が位置していない部分の長さより短い。 - 特許庁

To provide a disruption apparatus capable of rationalizing a disruption system by executing a scribe line step and a disruption step simultaneously without reversing a substrate.例文帳に追加

スクライブライン工程と分断工程とを基板を反転することなく同時に行うことにより、分断システムの合理化を図ることのできる分断装置を提供する。 - 特許庁

To cut a fuse with high accuracy and lessen the area of a pattern for positioning in trimming that it occupies in a scribe line region, in an IC where the fuse is trimmed with a laser.例文帳に追加

ヒューズをレーザトリミングをするＩＣにおいて、高精度でヒューズを切断し、及びスクライブライン領域に占めるトリミング位置決め用パターンの面積を小さくすること。 - 特許庁

A wiring 1 is formed in the scribe line region, so as to surround each of the chip element forming regions and to extend to close-to-edge regions P of the wafer.例文帳に追加

このスクライブライン領域には、配線１が、チップ用素子形成領域を取囲むように、かつウェハの端縁近傍領域Ｐにまで延びるように形成されている。 - 特許庁

A corner section 4a of the scribe line 4 is formed wider than other parts, and a wafer testing circuit 5 and testing pads 6 are formed in the corners 4a.例文帳に追加

スクライブライン４はそのコーナー部４ａが他の部分４ｂに比べて幅広に形成され、そのコーナー部４ａにウェハテスト回路５及びテスト用パッド６が形成される。 - 特許庁

The wafer 2 is removed along a scribe line B, the semiconductor pellets 1 having an Au plate layer are individually separated, the photo resist 5 is exposed at the scribe line B, the low- melting-point wax 6 is melted with the quartz substrate 4 heated at 150 to 190°C, and the quartz substrate 4 is exfoliated from the porous quartz substrate 4.例文帳に追加

次に、スクライブ線Ｂに沿って半導体基板２を除去して、Ａｕメッキ層７をもつ半導体素子（ペレット）１，・・・に個々に分離するとともに、スクライブ線Ｂの部分にフォトレジスト５を露出させた後、石英板４を１５０〜１９０℃に加熱して低融点ワックス６を溶融し、石英板４を多孔質石英板３から剥離する。 - 特許庁

The substrate cutting device includes a stage 2 for mounting the substrate, and a cooling plate 7 for cooling the substrate by contacting a cooling projection 7a as a projection for locally cooling the substrate with a surface having a scribe line 8 formed or an opposite surface to it, except for the scribe line 8 formed on the substrate and its periphery.例文帳に追加

本発明にかかる基板切断装置は、基板を載置するステージ２と、基板に形成されたスクライブライン８及びその近傍以外であってスクライブライン８が形成されている面又はその反対面に基板を局所的に冷却するための突出部である冷却突出部７ａを接触させて基板を冷却する冷却板７とを有する。 - 特許庁

In semiconductor wafer including an insulated substrate having light transparency and a plurality of chip forming regions formed of silicon semiconductor layer formed on the insulated substrate and defined by scribe line regions, a non-transparent pattern layer is provided in the scribe line region wherein a plurality of non-transparent figures separated via gaps with each other are arranged.例文帳に追加

透光性を有する絶縁基板と、絶縁基板上に形成されたシリコン半導体層とで形成され、スクライブライン領域により区画された複数のチップ形成領域を有する半導体ウェハにおいて、スクライブライン領域に、互いに隙間を介して離間する複数の不透明図形を配置した不透明パターン層を設ける。 - 特許庁

The scribe line is formed on the brittle substrate by rotating a winding reel 42 to wind a film F wound by a driven reel 44 while being in close contact with the brittle substrate, running a scribe head 3 and scribing from the upper side of the film F to be wound by a cutter wheel 33.例文帳に追加

巻き取りリール４２を回転させて、従動リール４４に巻回されたフィルムＦを脆性基板に密着させた状態で巻き取るとともに、スクライブヘッド３を走行させ、巻き取られるフィルムＦの上からカッターホイール３３によって脆性基板にスクライブラインを形成する。 - 特許庁

When the first machining treatment by laser beam is completed, an image of a part including a shape-changed part (a scribe line P1) formed by the machining treatment is acquired, and the image is used for the machining position alignment treatment before the treatment of the second and subsequent machining (scribe lines P2, P3).例文帳に追加

レーザ光による最初の加工処理が終了した時点で、その加工処理によって形成された形状変化部分（スクライブ線Ｐ１）を含む箇所の画像を取得し、その画像を次回以降の加工（スクライブ線Ｐ２，Ｐ３）の処理前の加工位置アライメント処理に利用するようにした。 - 特許庁

The alignment mark structure has a scribe line of wafer or an alignment mark 102 formed in the region of a nonconstitutional part, and a protective dummy pattern 114 for protecting it against CMP.例文帳に追加

アライメントマーク構造は、ウェハのスクライブ線又は非構成部品領域に形成されるアライメントマークと、このアライメントマークの周辺に位置し、これをＣＭＰから保護する保護ダミーパターンとを有する。 - 特許庁

On a reverse-surface side of a wafer, electric junction between the top and the reverse of the wafer is made using a side face of a through hole formed at a specified place on a scribe line, and an electrode for substrate mounting is arranged.例文帳に追加

ウエハ裏面側に、スクライブライン上の特定箇所に形成したスルーホールの側面を利用して,ウエハ表裏間の電気接合を取り、基板実装用の電極を配置する。 - 特許庁

To provide a cutter wheel which allows for stable formation of a scribe line with high precision even in the case where the thickness of a brittle material substrate is small when the substrate is broken, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

脆性材料基板を分断するに際し、基板の板厚が薄い場合でも精度の高いスクライブラインを安定して形成できるカッターホイールおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The outer edge of a scheduled through-hole forming area is scribed by a cutter wheel 2 to form a first scribe line 31 including a first crack 41 inclined in a substrate thickness direction.例文帳に追加

貫通孔形成予定領域の外縁をカッターホイール２によってスクライブし、基板厚み方向に対して傾斜した第１クラック４１からなる第１スクライブライン３１を形成する。 - 特許庁

The semiconductor chip 100 is formed at a predetermined depth on the top surface of the semiconductor chip and is equipped with a top surface void preventing path 106, that extends up to the scribe line 102 of the contour.例文帳に追加

半導体チップ１００は、半導体チップの上部面に一定の深さに形成され、外郭のスクライブライン１０２まで延びた上部面ボイド防止経路１０６を備える。 - 特許庁

The fine adjustment alignment target 31 formed at a cross part with the scribe line 29Y in the Y-direction is used for alignment, after a metal pattern 30 is formed at the edge part of each chip pattern 21.例文帳に追加

各チップパターン２１のエッジ部にメタルパターン３０を形成した後のアライメントには、Ｙ方向のスクライブライン２９Ｙとの交差部に形成する微調アライメントターゲット３１を使用する。 - 特許庁

The bonding pads 9 are electrically connected to the probing pads 11 through metal wiring layers 17-2b, 17-3b, 17-4b, 17-5b disposed in the scribe line 5.例文帳に追加

ボンディング用パッド９とプロービング用パッド１１はスクライブライン５に配置されたメタル配線層１７−２ｂ，１７−３ｂ，１７−４ｂ，１７−５ｂを介して電気的に接続されている。 - 特許庁

Thereby, it can be grasped that defect is caused in which node out of six transistors constituting a SRAM cell, also the number of pads to be provided is less, and the test circuit can be inserted into a scribe line sufficiently.例文帳に追加

これにより、ＳＲＡＭセルを構成する６個のトランジスタのどのノードで不良が発生したのかが把握でき、かつ備えるパッドの数が少なく、スクライブラインに十分に挿し込める。 - 特許庁

Stress (lines of stress 118) symmetrical with respect to the surface passing through the yTFT scribe line and orthogonal to the principal surface of the TFT substrate preform is induced in the TFT substrate preform.例文帳に追加

すると、ＴＦＴ基板母材に、ｙＴＦＴスクライブラインを通ってＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に対称な応力（応力線１１８）が誘起される。 - 特許庁

In the adjusting method of a wafer carrying mechanism, an annular scribe line is formed on a wafer for test which is carried on a chuck table by means of the wafer carrying mechanism while rotating the chuck table.例文帳に追加

ウエーハ搬送機構の調整方法であって、ウエーハ搬送機構によりチャックテーブル上に搬送された試験用ウエーハにチャックテーブルを回転させながら環状罫書き線を形成する。 - 特許庁

Furthermore, a guard ring 54 is formed in the area of a wiring layer 38, corresponding to an area between the blade area 4 and the chipping-preventing wall 53 inside the scribe line 3 on the semiconductor substrate 32.例文帳に追加

また、半導体基板３２のスクライブライン内３のブレード領域４とチッピング防止壁５３との間の領域に対応する配線層３８の領域にガードリング５４を形成する。 - 特許庁

From the standpoint of further preventing fixing of the vertical crack 53a of the first scribe line 52a, the cooling water is preferably ejected together with a gas toward the substrate 50.例文帳に追加

ここで、第１スクライブライン５２ａの垂直クラック５３ａの固着を一層防止する観点からは、冷却水を気体と共に基板５０に対して噴出させるようにするのが好ましい。 - 特許庁

To provide a liquid crystal device having an ultrathin glass, which can stably form a scribe line during manufacture and reinforce the vicinity of an end face of the ultrathin glass of a liquid crystal panel.例文帳に追加

極薄ガラスを用いた液晶表示装置において、製造時に安定したスクライブラインの形成が可能となるとともに、液晶パネルの極薄ガラス端面近傍を補強できる。 - 特許庁

A first end surface 27 of the group III nitride semiconductor laser device 11 includes a plurality of cleavage flaws 49 extending from a scribe line in a c-axis direction in a cleavage surface of the end surface.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１の第１の端面２７は、そのへき開面においてスクライブ線からｃ軸の方向に延びる複数のへき開傷４９を有する。 - 特許庁