「Scribe Line」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize a CCD solid-state image pickup element, which is of vertical overflow drain type and sensitive in a near-infrared region, where pixels are more lessened in size without deteriorating image pickup element in characteristics, a leakage current is prevented from generating at a scribe line, and a protective transistor is prevented from deteriorating in protective capacity.例文帳に追加

縦型オーバーフロードレイン方式で近赤外線領域にも感度を有するＣＣＤ固体撮像素子において、特性を損なうことなく画素の微細化を図り、且つスクライブライン上でのリーク電流の発生阻止、保護トランジスタの保護能力の低下防止等を図る。 - 特許庁

The optical filter 4 provided up to an upper part of a scribe line 7 blocks light in the infrared domain in light entering obliquely from the part toward the light detection domain 3, and increases the ratio of an effective area on the light detection domain 3, to thereby enable to form the small-sized illuminance sensor.例文帳に追加

スクライブライン７の上部まで設けられた光学フィルタ４は、この部分から光検出領域３に向かって斜めに入射する光のうち赤外領域の光を遮断し、光検出領域３の有効エリアの割合を増やし、小型の照度センサを形成できる。 - 特許庁

In a state that the cutter 30 is pressed to the surface of a work by the self weight of the main body A of the scribe device, the vibration-generating member 40 is driven to impart vibrations to the cutter 30, and the cutter 30 is simultaneously relatively moved along the surface of the work to form a marked line on the surface of the work.例文帳に追加

スクライブ本体Ａの自重でカッタ３０をワーク面に押し付けた状態で、振動発生部材４０を駆動してカッタ３０に振動を付与しながら、カッタ３０をワーク面に沿って相対的に移動させることにより、ワーク面に刻線を形成する。 - 特許庁

Then the inter-layer film 6 is polished, while the polished thickness is controlled by measuring the thickness of the part of the interlayer film 6 which is left on the scribe line 4s with the largest thickness, and the interlayer film 6 on the protruding patterns 4 is removed.例文帳に追加

次いで、スクライブライ４ｓ上において層間膜６の膜厚が最も厚く残る部分における層間膜６の膜厚を測定することで研磨膜厚を管理しながら層間膜６を研磨し、チップ領域１ａ内の凸パターン４上の層間膜６を除去する。 - 特許庁

In addition, it is unnecessary to retain the metal wiring 22-1 of the TEG 30 in the scribe line area 10 by a protection film 40, and a distance between the protection film 40 and the dicing saw is made large enough, thereby preventing shortening of the service life of the dicing saw due to the adhesion of the protection film 40.例文帳に追加

また、スクライブ線領域１０のＴＥＧ３０の金属配線２２−１を保護膜４０で押さえる必要がなく、保護膜４０とダイシングソーとの距離を十分に広げて、保護膜４０が付着してダイシングソーの寿命が短くなることを防ぐことができる。 - 特許庁

As shown in Fig. 1(a) and Fig. 1(b), a diamond wheel 21 is moved while being rolled to the right in the X-axis direction in relation to the surface of the brittle material 14 to form the first broken line-shaped scribe groove 14x1 by diamond particles projected to the tip edge of the blade of the wheel 21.例文帳に追加

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、脆性材料１４の表面に対しダイヤモンドホイール２１をＸ軸方向右方に転がしながら往行移動させてホイール２１の刃の先端縁に突出されたダイヤモンド粒子により破線状の第１スクライブ溝１４ｘ１を形成する。 - 特許庁

The apparatus further includes at least one delimiter aperture located on the focal plane of the anamorphic optical relay and an image forming relay that follows it, so that the substrate is exposed in the form of a strip by the boundary between adjacent strips located on the scribe line between circuits.例文帳に追加

この装置はまた、アナモルフィック光学リレーの焦点面に位置付けられた少なくとも１つのデリミッタアパーチャと、その後にある結像リレーとを含み、これにより、基板は、回路間のスクライブ線に位置付けられた隣接するストリップ間の境界によって、ストリップ状に露光され得る。 - 特許庁

Then, the laser dicing is performed on a region between the first groove 108a and the second groove 108b along the scribe line 120 from the surface where the second protective film is formed to form a cutting groove 100a that reaches at least a predetermined depth of the multi-layer interconnect 104.例文帳に追加

この後、第２の保護膜が形成された面から第１の溝１０８ａと第２の溝１０８ｂとの間の領域をスクライブライン１２０に沿ってレーザダイシングで切断して、多層配線層１０４の少なくとも所定の深さまで達する切断溝１００ａを形成する。 - 特許庁

Beneath the closing sentence was written the position, rank and name (in that precise order) of the official who issued the document, and on the line under it was the date it was issued (In the cases of a Daijokanpu, the rank and name of the Benkan (Daijokan official) is written on the upper part, and the name of the scribe is placed under it, as required by the Ritsuryo system). 例文帳に追加

書止の次の行には実際の発給担当者の位署が官職・位階・姓名の順に従って記載され（太政官符の場合は、行の上部に弁官、下部に史(律令制)の位署がなされた）、その次の行に発給された年月日が記載された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Since the groove is formed on the scribe line by the first laser light 8a, the generation of chips or cracks can be suppressed independently of the surface state of the semiconductor substrate and the semiconductor substrate 1 can be easily cut off after forming the reformed area 10 based on the multiple photon absorption by the second laser light 8b.例文帳に追加

第一のレーザ光８ａにより、スクライブライン２上に溝を形成することで、半導体基板１の表面状態に関わらず、表層の欠けや割れを抑え、第二のレーザ光８ｂで多光子吸収による改質領域１０を形成した後の切断を容易にする。 - 特許庁

The optical system is simplified because a glass-base substrate 100 is cut by making use of a beam pattern after the ejection of the cooling liquid beam 170, and a large tensile force is applied on the scribe line 210, thus a thick non-metallic substrate is completely cut.例文帳に追加

冷却流体ビーム１７０の噴射後、一つのビームパターンを使用してガラス母基板１００を切断するので光学系を単純化させることができ、スクライブライン２１０に大きい引張力を発生させるので、厚い非メタル基板の完全切断を達成することができる。 - 特許庁

In the method of cutting the substrate such as a glass substrate, the breaking is carried out at the same time when stress is loaded from one surface of the substrate with a pressing edge and a scribe line is drawn on another surface of the substrate opposed to the pressing edge by a scribing means such as scribing cutter.例文帳に追加

ガラス基板等の基板の割断加工方法において、基板の一の面から押え刃にて応力を負荷させた状態にて、当該基板の反対側の他の面にスクライブカッター等のスクライブ手段にてスクライブ線を入れると同時に、ブレークするようにした点にある。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a pad oxide film on a semiconductor substrate, forming a silicon nitride film on the pad oxide film, and providing a resist pattern containing at least one droplet capturing area in plan view, in an area that serves as a scribe line on the silicon nitride film.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上にパッド酸化膜を形成する工程と、パッド酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、シリコン窒化膜上のスクライブラインとなる領域に平面から見て少なくとも１つの水滴捕獲領域を含むレジストパターンを設ける工程とを有している。 - 特許庁

Spraying of a cooling fluid onto a cooling area including the scribe line 131 by a discharge nozzle 21 (cooling means) located between the cutter wheel 19 and a laser irradiating part 18 (laser irradiating means) or at downstream of the laser irradiating part 18 can be added to the conditions for controlling the depth of the perpendicular crack 132.例文帳に追加

さらに、カッターホイール１９とレーザ照射部１８（レーザ照射手段）との間、またはレーザ照射部１８の下流側に、吐出ノズル２１（冷却手段）により、スクライブ線１３１を含む冷却領域に冷却流体を噴射する場合を、垂直クラック１３２の深さ制御の条件に加えることが可能である。 - 特許庁

The first substrate includes: a scribe mark 50 formed at a part positioned at a panel circumference outside the seal 40 at the display medium layer side; a plurality of pixel electrodes formed of transparent conductive oxidation films; an electrode line formed of a metal material; and a flat film 15 formed so as to cover the substrate.例文帳に追加

第１基板は、表示媒体層側に、シール40の外側のパネル周縁に位置する部分に設けられたスクライブマーク50と、各々、透明導電性酸化膜で形成された複数の画素電極と、金属材料で形成された電極線と、基板を被覆するように設けられた平坦化膜15とを有する。 - 特許庁

To provide a glass cutter which enables to firmly make a scribe line, even if a case of cutting glass of a large size or a case of cutting stained glass or working posture is insufficient because of a working environment, by adding a cutting pressure by a weight to a cutter wheel thereby lightening and stabilizing the force to the cutter wheel.例文帳に追加

カッターホイルにウエイトで切断圧力を加えることで、カッターホイルに対して加える力を軽減して安定することができ、ガラスのサイズが大きい場合やステンドグラスの切断及び作業環境により作業姿勢が不十分な場合でも、スクライブラインを確実に入れることができるガラスカッターを提供する。 - 特許庁

A pair of adjacent liquid crystal panels of which the liquid crystal injection ports face each other are prepared, and projections forming injection ports are nested into each other and are formed beyond a scribe line along which the pair of panels should be cut, and projections in the injection ports of each other function as banks for each other after panels are separated by cutting.例文帳に追加

隣り合う液晶パネルの液晶注入口を向かい合わせた対を作り、それぞれに注入口を形成する突起は互いに入れ子となり、対になっているパネルを切断するスクライブラインを越えて形成し、相手の注入口内にある突起は切断分離後相手のドテとして機能することを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device is such that a bump electrode 6 is formed by plating processing on the top face of the electrode pad 4, below which a semiconductor element and an interconnection are formed, and an insulating layer 3a is formed, at a location where deposition of plating does not occur, such as a scribe line 10 and the edge of a chip for eliminating deposition of plating at these places.例文帳に追加

この発明は、下方に半導体素子や配線が設けられた電極パッド４の上面にメッキ処理でバンプ電極６を設けた半導体装置であって、チップのエッジまたはスクライブライン１０に絶縁層３ａが設けられ、当該箇所にメッキの析出を無くしたことを特徴とする。 - 特許庁

In the wafer with a driver 1 for driving a plurality of displays formed through a wafer process, a dust detecting circuit in the driver 1 for driving each display and measuring terminals 6, 7 in the dust detecting circuit are formed on a scribe line in the periphery of the driver 1 for driving the displays.例文帳に追加

ウエハプロセスによって形成される複数の表示装置駆動用ドライバ１が形成されたウエハにおいて、各表示装置駆動用ドライバ１におけるダスト検知用回路および該ダスト検知用回路における測定端子６，７が、該表示装置駆動用ドライバ１の周囲におけるスクライブライン上に形成される。 - 特許庁

The ceramic substrate is formed by dividing a ceramic base material along a scribe line formed on one face of the ceramic material containing silicon nitride, and when the surface is measured using by an electron probe micro analyzer, the concentration of a silicon oxide and a composite oxide of silicon on the face is not more than 2.7 Atom%.例文帳に追加

窒化珪素からなるセラミックス母材の一面に形成されたスクライブラインに沿って該セラミックス母材を分割して形成されたセラミックス基板であって、前記一面における酸化シリコン及びシリコンの複合酸化物の濃度が、電子プローブマイクロアナライザを用いた表面測定において２．７Ａｔｏｍ％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Transfer forming parts 107 and conductive materials 112 for electrically connecting to a counter electrode of a counter substrate preform 102 are formed on a TFT substrate preform 101 symmetrically with respect to the surface passing through a yTFT scribe line 114y between two adjacent TFT substrate forming regions and orthogonal to the principal surface of the TFT substrate preform.例文帳に追加

ＴＦＴ基板母材１０１上に、対向基板母材１０２の対向電極に電気的接続をとるためのトランスファ形成部１０７と導電材１１２とを、隣接し合う２つのＴＦＴ基板形成領域間で、ｙＴＦＴスクライブライン１１４ｙを通ってＴＦＴ基板母材の主面に直交する面に対称に形成する。 - 特許庁

In a manufacturing process of the dummy bump BD, a seed film 31 is selectively remained after plating using a material of the dummy bump BD is performed on the seed film 31, whereby the dummy bump BD is connected to a scribe line SC provided between the child chip 2 and other chip 4 adjacent to the child chip 2 via the remained portion of the seed film 31.例文帳に追加

ダミーバンプＢＤの製造工程において、シード膜３１上にダミーバンプＢＤの材料を用いたメッキを行った後、シード膜３１を選択的に残しておくことにより、ダミーバンプＢＤは、このシード膜３１の残留部分を介して、子チップ２と子チップ２に隣接する他のチップ４との間に設けられたスクライブラインＳＣに接続されている。 - 特許庁

A step for forming a P type buried layer preceding a step for forming an N type epitaxial layer by growing an N type epitaxial layer is carried out for a portion where a scribe line is formed while masking that portion by a resist film 81A formed on an oxide film or by utilizing an oxide film 90A itself.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層を成長させて形成するＮ型エピタキシャル層形成工程より先に行うＰ型埋め込み層形成工程を、スクライブラインが形成される部分については、酸化膜上に形成したレジスト膜８１Ａによってマスキングをした状態で、或いは酸化膜自体９０Ａを利用してマスキングをした状態で行うようする。 - 特許庁

In the semiconductor apparatus where an opening is formed from the back of a semiconductor substrate 1 such that a pad electrode 3 formed thereon is exposed and a wiring layer 10 is formed for the pad electrode 3 through the opening, an opening 6b for monitoring the formation state of the opening is formed on a scribe line.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成されたパッド電極３を露出するように基板裏面から開口部が形成され、この開口部を介して前記パッド電極３に配線層１０が形成されて成るものにおいて、前記開口部の形成状態をモニターするためのモニター開口部６ｂをスクライブライン上に形成することを特徴とするものである。 - 特許庁

In the multi-wiring film forming step, a dummy pattern formed by vertically linking together the wirings and the vias is formed in a region other than the dicing region in the scribe line region, and no dummy pattern formed by vertically linking together the wirings and the vias is formed at least on an upper part of the interlayer insulating film in the dicing region.例文帳に追加

そして、前記多層配線膜を形成する工程において、前記スクライブライン領域における前記ダイシング領域を除く領域には、前記配線及び前記ビアを上下方向に連結させたダミーパターンを形成し、前記ダイシング領域における前記層間絶縁膜の少なくとも上部には、前記配線及び前記ビアを上下方向に連結させたダミーパターンを形成しない。 - 特許庁

In a wafer-shaped SOI substrate 10, an epitaxial silicon layer 22, which is a convex formation material layer, is formed through an epitaxial growth method on a second silicon layer 16 constituting an SOI layer of the mark formation area 150, which is a scribe line area, and then the corresponding epitaxial silicon layer is etched to pattern a convex 22a as a positioning mark.例文帳に追加

ウェハ状のＳＯＩ基板１０のうち、スクライブライン領域であるマーク形成領域１５０のＳＯＩ層を構成する第２のシリコン層１６上に、エピタキシャル成長法によって凸部形成用材料層であるエピタキシャルシリコン層２２を形成した後、当該エピタキシャルシリコン層に対してエッチングを行って、位置合わせ用マークとしての凸部２２ａをパターニング形成する。 - 特許庁

This is why the group in a direct line from Zeami was finished after Motomasa died; however, it is believed that as this Juro dayu grew up, he carried out activities based on Yamato which was a place remembered in connection with his father, with the support of Motomasa's younger brother, Motoyoshi KANZE (scribe of "Sarugaku dangi" (An Account of Zeami's Reflections on Art)), and Motoyoshi's son, Saburo, and the Juni family (branch of the Honami family) who was close to the Kanze group and was an influential Sarugaku performer. 例文帳に追加

そのため元雅の死後、世阿弥直系の座は一度破滅を見ていたが、この十郎大夫の成長に従い、元雅の弟観世元能（『申楽談義』の筆記者）とその息子・三郎、また観世座に近い有力な猿楽師であった十二家などの後援を受け、父祖ゆかりの大和の地を根拠に活動したと考えられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As a plurality of LSI formed on a wafer 1, a digital circuit 6 is packaged on a die area, a test circuit 5 is provided on a scribe line formed on the wafer 1, input and output pads 4 to become interfaces with the test circuit 5 on the die area are connected by wiring, and a test signal is supplied by using the input and output pads 4.例文帳に追加

ウエハ１上に形成された複数のＬＳＩとして、ダイ領域上にはデジタル回路６を搭載し、またウエハ１上に形成されたスクライブライン上にはテスト回路５を備え、そのテスト回路５とダイ領域上のインターフェイス部となる入力及び出力パッド部４とを配線で接続し、入力及び出力パッド部４を用いて試験信号を供給する。 - 特許庁

An alignment key formed of a first stepped part, formed of a first recess having a first depth from the surface of a semiconductor substrate in a scribe line region on the semiconductor substrate and a second stepped part formed of a second recess, having a second depth that is from the surface of the semiconductor substrate in a well region on the semiconductor substrate and equal to or smaller than the first depth are included.例文帳に追加

半導体基板のスクライブライン領域にて前記半導体基板の表面から第１深さを有する第１凹部により形成された第１段差部よりなるアラインキーと、前記半導体基板のウェル領域にて前記半導体基板の表面から前記第１深さと同じか浅い第２深さを有する第２凹部により形成された第２段差部とを含む。 - 特許庁

A laser beam generating device 210 irradiates a first laser beam 130 with which the cut route 200 set on the non-metallic substrate is heated and a scribe line 210 is formed on the cut route 200, and a second laser beam 150 with which a beam pattern is formed along the irradiation route of the first laser beam 130 separated by a predetermined distance from the first laser beam 130.例文帳に追加

レーザビーム発生装置２１０は非メタル基板に設定された切断経路２００を加熱して切断経路２００上にスクライブライン２１０を形成する第１レーザビーム１３０を照射し、第１レーザビーム１３０と所定距離離隔されて第１レーザビーム１３０の照射経路に沿って一つのビームパターンを形成する第２レーザビーム１５０を照射する。 - 特許庁

Within a scribe line 13, a dummy pattern 14 is formed in the vicinity of an overlap accuracy measuring mark comprising a first layer pattern 11 formed on a semiconductor substrate and a second layer pattern 12 as a resist pattern and, as the result, the resist pattern 10 in the vicinity of the overlap accuracy measuring mark is arranged to be symmetrical to the overlap accuracy measuring mark.例文帳に追加

スクライブライン１３内において、半導体基板上に形成された第１層のパターン１１とレジストパターンで形成される第２層のパターン１２とからなる重ね合わせ精度測定マークの周辺にダミーパターン１４を形成することにより、重ね合わせ精度測定マークの周辺のレジストパターン１０を重ね合わせ精度測定マークに対して対称に配置する。 - 特許庁

The method of manufacturing the solid-state image sensor includes a barrier forming step of forming a barrier on a scribe line defining an element forming region including an imaging region having microlenses formed on the surface thereof with a predetermined gap provided between the sidewall of the element forming region and the barrier, an antireflection film forming step of forming an antireflection film on the surfaces of the microlenses and in the gap, and a barrier removing step of removing the barrier.例文帳に追加

表面にマイクロレンズが形成された撮像領域を含む素子形成領域を区画するスクライブライン上に、素子形成領域の側壁との間に所定の間隙設けて障壁部を形成する障壁部形成工程と、マイクロレンズ表面及び前記間隙内に反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、障壁部を除去する障壁部除去工程とを有する。 - 特許庁

The dicing method of rotating the dicing blade to cut a substrate includes: a blade lowering process of lowering the dicing blade down to the substrate to cut the substrate; a cutting process of cutting the substrate while moving the dicing blade only by a predetermined distance along the scribe line after the blade lowering process; and a blade lifting process of lifting the dicing blade until it completely leaves the substrate after the cutting process.例文帳に追加

ダイシングブレードを回転させて基板を切断するダイシング方法において、前記基板に対し前記ダイシングブレードを降下させ前記基板を切削するブレード降下工程と、前記ブレード降下工程の後、前記ダイシングブレードをスクライブラインに沿って所定の距離だけ移動させながら前記基板の切削を行う切削工程と、前記切削工程の後、前記ダイシングブレードを前記基板より完全に離れるまで上昇させるブレード上昇工程と、を有することを特徴とするダイシング方法により上記課題を解決する。 - 特許庁