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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > TIN OXIDE FILMの意味・解説 > TIN OXIDE FILMに関連した英語例文

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TIN OXIDE FILMの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 441



例文

A transparent electrode 9 is formed of an ITO (indium tin oxide) of the film thickness of about 300 nm connected to the p-type contact layer 7.例文帳に追加

透光性の電極9は、p型コンタクト層7に接合する膜厚約300nmのITO(インジウムスズ酸化物)で形成されている。 - 特許庁

SILVER ADDED TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE PARTICLE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND CONDUCTIVE COATING MATERIAL, CONDUCTIVE COATING FILM AND CONDUCTIVE SHEET例文帳に追加

銀添加スズ含有酸化インジウム粒子とその製造方法、ならびに導電性塗料、導電性塗膜および導電性シート - 特許庁

To provide an indium tin oxide thin film having a good tapered shape, its manufacturing method, and a liquid crystal display element.例文帳に追加

良好なテーパー形状を有する酸化インジウム錫薄膜およびその製造方法、ならびに液晶表示素子を提供する。 - 特許庁

Subsequently an ITO(indium tin oxide) film is formed (105) and is patterned to form a transparent electrode and a reference mark simultaneously (106).例文帳に追加

その後、ITOを成膜し(105)、パターニングして、透明電極と基準マークとを同時に形成する(106)。 - 特許庁

例文

Aluminium nitride, zinc oxide, polyvinylidene fluoride and the like are adopted as materials of the tin-film piezoelectric body 6.例文帳に追加

薄膜状圧電体6の材料としては、窒化アルミニウム、酸化亜鉛、ポリフッ化ビニリデン等が採用される。 - 特許庁


例文

To provide a base material with a tin oxide film having a shape effect suitable for obtaining super-water repellency, and its manufacturing method.例文帳に追加

超撥水性を得るのに好ましい形状効果を有する酸化錫膜付き基材、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a low resistance fluorine doped tin oxide film which can be practiced using simple equipment with low airtightness such as a tunnel kiln etc.例文帳に追加

トンネル炉等の気密性の低い簡易な設備を用いて行うことができる低抵抗化フッ素ドープ酸化スズ膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide platy aluminum-substituted tin-containing indium oxide particles most suited for a transparent conductive coating film and a production method thereof.例文帳に追加

透明導電性塗膜に最適の、板状形状を有するアルミニウム置換スズ含有酸化インジウム粒子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a tin, zinc, aluminum-containing indium oxide particle which is most suitable for a transparent conductive coating film, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

透明導電性塗膜に最適の、スズ亜鉛アルミニウム含有酸化インジウム粒子とその製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

Then, indium tin oxide (ITO) is film-formed in high electric power density by a magnetron sputtering method.例文帳に追加

その上で酸化インジウム・スズ(ITO)はマグネトロンスパッタリング法にて高電力密度で成膜した。 - 特許庁

例文

To prepare an anisotropic electroconductive film having high adhesion to both of ITO (indium-tin oxide) and SiOX.例文帳に追加

ITOとSiO_Xとの両方に対して高い接着力を示す異方性導電フィルムを提供する。 - 特許庁

The nonwoven fabric region is formed by adhesion of fibers and adheres to the transparent conductive film region with a tin oxide compound.例文帳に追加

該不織布領域は繊維同士が接着しているとともに、酸化すず化合物によって透明導電性膜領域と接着している。 - 特許庁

To provide a glass plate on which a conductive film containing tin oxide as a main component and having both of low absorbance and high haze factor is formed.例文帳に追加

酸化錫を主成分とし、低い吸収率と高いヘイズ率とを兼ね備えた導電膜を成膜したガラス板を提供する。 - 特許庁

To provide a method for depositing an ITO (Indium Tin Oxide) film having a sheet resistance value of 200 to 1,000 Ω/SQUARE and also having excellent uniformity.例文帳に追加

シート抵抗値が200〜1000Ω/□であって、かつ、均一性に優れたITO膜を成膜する方法を提供すること。 - 特許庁

To prevent etching remainder which still occurs, even if depositions have been removed by means of cleaning after an ITO(indium/tin oxide) thin film has been formed.例文帳に追加

ITO薄膜形成後の洗浄による付着物除去を行ったにも拘らず、さらに発生するエッチング残渣を防止する。 - 特許庁

To make the specific resistance and surface roughness of ITO(indium tin oxide) film be lowered and also to prepare EL elements showing longer life span and small electricity consumption.例文帳に追加

ITO膜の比抵抗及び面粗度を小さくすることと、EL素子を長寿命でかつ消費電力の小さいものとする。 - 特許庁

To suppress occurrence of a clearance between a base material and a photosensitive material when the photosensitive material is provided and to suppress occurrence of a pinhole when an ITO (indium tin oxide) film is formed.例文帳に追加

感光性材料を設けた際に基材との間の隙間の発生を抑制し、ITO膜形成時のピンホ−ルの発生を抑制する。 - 特許庁

The substrate is preferably composed of, for example, a glass plate 7 and a thin film 2 formed on the glass plate 7 and consisting mainly of tin oxide.例文帳に追加

基体は、例えば、ガラス板7と、ガラス板上に形成した酸化錫を主成分とする薄膜2とから構成するとよい。 - 特許庁

A resist pattern is formed by usual photo-lithography or the like, then the indium tin oxide thin film is etched with an etching solution to form an indium tin oxide thin film pattern having a good tapered shape in the etched cross section.例文帳に追加

つぎに、通常のフォトリソグラフィー等の方法でレジストパターンを形成し、エッチング液により酸化インジウム錫薄膜をエッチングすると、エッチング断面に良好なテーパー形状を有する酸化インジウム錫薄膜パターンが形成される。 - 特許庁

The glass substrate with the conductive film for the solar cell is configured by depositing the conductive film composed of a fluorine-doped tin oxide or an antimony-doped tin oxide on the glass substrate having a thickness of 0.05 to 2 mm, wherein a strain point of the glass substrate is 525°C or higher.例文帳に追加

0.05〜2mmの厚みを有するガラス基板上にフッ素ドープ酸化スズまたはアンチモンドープ酸化スズからなる導電膜が成膜されてなる太陽電池用導電膜付ガラス基板であって、ガラス基板の歪点が525℃以上であることを特徴とする太陽電池用導電膜付ガラス基板。 - 特許庁

A metallic plate (see-through window) 18 mounted on an opening/closing means 17 of a heating chamber 10 and having a small hole is provided with the glass plate 19 manufactured by stacking an oxide film 20 of indium and tin, and a fluorine-doped tin oxide film 21.例文帳に追加

加熱室10の開閉手段17に設けた小孔を有する金属板(透視窓)18には、インジュームとスズとの酸化物膜20とフッ素ドープ酸化スズ膜21を積層して製膜したガラス板19を配設したものである。 - 特許庁

(1) The electrode formed of a thin film using the silver 2 as the conductor is covered with an indium oxide thin film or an indium tin oxide thin film 3 and a masking tape 4 is spread further.例文帳に追加

1)銀2を導電体として用いた薄膜で形成された電極上をインジウム酸化物薄膜あるいはインジウム錫酸化物薄膜3で被覆する更にマスキングテープ4を張った。 - 特許庁

In the coated lead formed body, a lead oxide film is formed on the surface of a lead formed body, and a hot dip plating film of bismuth-tin is formed on the surface of the lead oxide film.例文帳に追加

被覆鉛成形体は、鉛成形体の表面に酸化鉛被膜が形成され、該酸化鉛被膜の表面にビスマスすずの溶融めっき被膜が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

As the conductive material, zinc oxide (aluminum is added as a dopant material) or the material obtained by forming a transparent conductive film of tin oxide (antimony is added as the dopant material) or indium oxide (tin is added as the dopant material) on the surface of a white metal oxide such as titanium oxide or a white material such as titanium oxide is used.例文帳に追加

導電性材料としては、酸化亜鉛(ドーパント物質としてアルミニウムを添加)や酸化チタン等の白色系金属酸化物あるいは、酸化チタンのような白色系材料表面に酸化スズ(ドーパント物質としてアンチモンを添加)や酸化インジウム(ドーパント物質としてスズを添加)の透明導電性膜が形成されたものが使用される。 - 特許庁

When forming the indium, tin and silicon oxide film 13 using indium, tin, silicon and oxygen targets, the oxygen concentration of sputtering gas is set to30%.例文帳に追加

そして、インジウム・錫・珪素・酸素ターゲットを用いて、インジウム・錫・珪素酸化膜13を形成する際のスパッタガスの酸素濃度は30%以上とする。 - 特許庁

To solve the problem of corrosion of vessels and piping when a stock solution having a tin compound and an antimony chloride as the solutes and an alcohol or the like as the solvent is used in forming an tin oxide film doped with antimony.例文帳に追加

アンチモンをドーピングした酸化錫膜の成膜に、錫化合物とともにアンチモン塩化物を溶質として添加し、アルコールなどを溶媒とする原料液を用いると、容器や配管の腐食が問題となる。 - 特許庁

The heat ray reflective substrate 10 is formed by arranging a tin-added indium oxide film (heat ray reflective film) 12, a heat-resistant film 13, and a silicon dioxide film (weather-resistant film) 14 successively laminated in this order on a substrate 11.例文帳に追加

本発明の熱線反射基材10は、基材11上に、スズ添加酸化インジウム膜(熱線反射膜)12、耐熱膜13、および、二酸化ケイ素膜(耐候性膜)14を順に重ねて配したことを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method for the base material provided with the antireflective film includes a stage of forming a 1st layer of at least one kind of compound selected from a group of titanium oxide, indium tin oxide, tin oxide, zirconium oxide, and cerium oxide on a light-transmissive base material and a stage of coating the 1st layer with perhydropolysilazane and baking it to form a silica layer.例文帳に追加

透光性を有する基材上に酸化チタン、インジウム錫オキサイド、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ジルコニウム及び酸化セリウムからなる郡から選ばれる少なくとも1種の化合物からなる第一層を形成する工程、第一層の上にペルヒドロポリシラザンを塗布し、焼成してシリカ層を形成する工程を含むことを特徴とする反射防止膜付き基材の製造法。 - 特許庁

The indium oxide based sputtering target for the high resistance conductive film to deposit the high resistance transparent conductive film with the resistivity of 0.8 to 10×10^-3Ωcm comprises indium oxide and tin oxide as necessary, and also comprises an insulating oxide.例文帳に追加

酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有し、かつ絶縁性酸化物を含有する、抵抗率が0.8〜10×10^−3Ωcmの高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲット。 - 特許庁

The indium oxide sputtering gate for the highly resistant transparent conductive film to deposit the highly resistant transparent conductive film with the resistivity of about 0.8-10×10^-3 Ω cm contains indium oxide and tin oxide as necessary, and also contains an insulating oxide.例文帳に追加

抵抗率が0.8〜10×10^−3Ωcm程度の高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有し、且つ絶縁性酸化物を含有する。 - 特許庁

The indium oxide sputtering gate for the highly resistant transparent conductive film to deposit the highly resistant transparent conductive film with the resistivity of about 0.8-10×10^-3Ω-cm contains indium oxide and tin oxide as necessary, and also contains an insulating oxide.例文帳に追加

抵抗率が0.8〜10×10^-3Ωcm程度の高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有し、且つ絶縁性酸化物を含有する。 - 特許庁

A transparent conductor film mainly formed of indium tin oxide or indium zinc oxide is etched with the composition of etching liquid for conductor film.例文帳に追加

本発明の導電膜用エッチング液組成物を用いて、酸化インジウム錫または酸化インジウム亜鉛を主たる成分とする透明導電膜のエッチングを行う。 - 特許庁

The oxide transparent conductive film is at least one kind selected from ITO, ZnO and tin oxide, and the metal film is formed of at least one kind selected from silver, gold, platinum and palladium.例文帳に追加

前記酸化物透明導電膜はITO、ZnO、酸化錫から選ばれる少なくとも1種であり、前記金属膜は、銀、金、白金、パラジウムから選ばれる少なくとも1種で形成されている。 - 特許庁

The electrode with the organic layer film formed contains a crystalline component, and a conductive film of metal oxide or the like as typified by an indium tin oxide (ITO) is used for it.例文帳に追加

とくに本発明では、有機層が成膜される電極として、結晶成分を含み、なおかつインジウム錫酸化物(ITO)に代表される金属酸化物などの導電膜を用いる。 - 特許庁

An amorphous oxide thin film contains at least tin (Sn), and in the amorphous oxide thin film, a percentage of SnO is less than 30 mol%, when sum of SnO and SnO_2 is set to 100 mol%.例文帳に追加

少なくとも錫(Sn)を含み、SnOとSnO_2の合計を100モル%としたときのSnOの割合が30モル%未満である非晶質酸化物薄膜。 - 特許庁

Even if the transparent conductive thin film is structured by a multi-layered structure formed by alternately laminating the indium tin oxide layer and the metal oxide layer, the transparent conductive thin film having a low resistance and low surface roughness and sufficient permeability can be obtained.例文帳に追加

インジウム錫酸化物の層と金属酸化物の層を交互に積層した多数積層構造によって透明導電薄膜を構成しても、低い抵抗、低い面粗度で十分な透過率を有する透明導電薄膜が得られる。 - 特許庁

The oxide film is formed on the surface of the contact hole by a deposition method, the oxide film in a section extensively over the circuit on the A surface side is removed by the etching, and a barrier seed (TiN/Cu) is formed after the washing by chemicals.例文帳に追加

次いで、コンタクトホール表面にデポジション法にて酸化膜を形成した後、A面側の回路にかかる部分の酸化膜をエッチングにて除去し、薬品洗浄した後にバリアシード(TiN/Cu)を形成する。 - 特許庁

The liquid content easily returns into a container by the action of the inclined surface, water repellency is given to the mouth part by the tin oxide film or the titanium oxide film, and the liquid release is excellent.例文帳に追加

傾斜面の作用により液体内容物が容器内へ戻りやすくなり、酸化スズ被膜又は酸化チタン被膜により口部に撥水性が付与され、液切れが良くなる。 - 特許庁

An inwardly inclined surface is formed on an inner circumference of a zenith surface of a mouth part, and a tin oxide film or a titanium oxide film is formed close to the mouth part including the zenith surface and the inclined surface.例文帳に追加

口部天頂面の内周に内側に向かって傾斜する傾斜面を設け、該天頂面と傾斜面を含む口部付近に酸化スズ被膜又は酸化チタン被膜を形成する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor device comprises processes of forming a wiring, providing an Al oxide film 4 on the Al alloy film 3, forming a Ti film 5 on the Al oxide film 4, and depositing a TiN film 7 on the Ti film 5.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置の製造方法は、配線を形成する工程を備えており、Al合金膜3上にAl酸化被膜4を形成する工程と、このAl酸化被膜4上にTi膜5を形成する工程と、このTi膜5上にTiN膜7を形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁

This is the transparent conductive membrane which is film-formed by using a sputtering target equipped with an oxide sintered body that contains indium oxide, and tin according to need, and which contains barium, and tin according to need, and contains barium.例文帳に追加

酸化インジウムと必要に応じて錫を含有すると共にバリウムを含有する酸化物焼結体を具備するスパッタリングターゲットを用いて成膜された透明導電膜であって、酸化インジウムと必要に応じて錫を含有すると共にバリウムを含有する。 - 特許庁

The etching liquid contains an organic acid for etching indium tin oxide and an anion surfactant having the nature that it is adsorbed to the surface of an indium tin oxide film to thereby charge it at a negative surface potential (ζ potential), and this surfactant contains no benzene ring in molecules.例文帳に追加

酸化インジウム錫をエッチングする有機酸と、酸化インジウム錫膜の表面に吸着し、表面電位(ゼータ電位)を負に帯電させる性質を有し、かつ分子内にベンゼン環を含まない陰イオン性界面活性剤を含有する。 - 特許庁

The outer surface of a glass bottle immediate after molding is treated with a fluorocarbon gas and then the outside of the glass bottle is treated with a tin compound and/or a titanium compound to form a coating film of tin oxide or titanium oxide having 80-400 Å thickness.例文帳に追加

成形直後のガラスびんの外面をフロンガスで処理し、その後ガラスびんの外面をスズ化合物及び/又はチタン化合物で処理して80〜400オングストロームの厚さの酸化スズ又は酸化チタンの被膜を形成する。 - 特許庁

The packaging film includes a base material having the glossy metal surface, a first print layer provided on the glossy metal surface and containing an antimony-doped tin oxide or a tin-doped indium oxide as an infrared absorbing component, and a second print layer provided on the first print layer and low in infrared mirror reflectance.例文帳に追加

包装フィルムは、金属光沢面を有する基材と、金属光沢面上に設けられたアンチモンドープ酸化錫又は錫ドープ酸化インジウムを赤外線吸収成分として含む第一印刷層と、第一印刷層上に設けられた赤外線の鏡面反射率の低い第二印刷層とからなる。 - 特許庁

This game machine of pachinko or the like is provided with front surface window glass constituted by using at least one glass plate for which the thin film of tin oxide or ITO is formed on one surface manufactured by a float method by using the melted body of the tin oxide or ITO.例文帳に追加

酸化スズまたはITOの溶融体を用いてフロート法で製造した、片面に酸化スズまたはITOの薄膜を形成したガラス板を少なくとも1枚を使用して構成される前面窓ガラスを有するパチンコ等の遊技機である。 - 特許庁

A transparent conductive membrane 2 composed of complex oxide of indium-tin is formed on at least one side of a film substrate 1 capable of light transmission, and the crystal particle size of the indium-tin complex oxide of this transparent conductive membrane 2 is made 5 nm or more and 50 nm or less.例文帳に追加

光透過性のフィルム基材1の少なくとも片面にインジウム−スズの複合酸化物より成る透明導電膜2を形成し、この透明導電膜2のインジウム−スズ複合酸化物の結晶粒径を5nm以上50nm以下として構成する。 - 特許庁

To form a tin oxide film having high hardness equal to that of a ceramics film on the blade edge part of a cutting tool, the sliding part of machine parts or the like at high adhesive strength by a relatively simple operation of jetting tin powder by a blasting apparatus, so as to be a surface strengthening film.例文帳に追加

ブラスト加工装置による錫粉体の噴射という比較的簡単な作業により,セラミックスの被膜に匹敵する高い硬度を有する酸化錫の被膜を,切削工具の刃先部や機械部品の摺動部等に高い付着強度で形成して表面強化被膜とする。 - 特許庁

A conductive film 53 containing, as a main component, tin oxide and having a thickness of400 nm is formed on a glass plate 55 or a glass ribbon by thermally decomposing a gaseous mixture containing the vapor of an organic tin compound, oxygen and steam, wherein the molar ratio of the total moles of oxygen and steam to tin atom contained in the organic tin compound is in the range of ≥14.例文帳に追加

有機錫化合物の蒸気と酸素と水蒸気とを含み、有機錫化合物に含まれる錫原子1モルに対し、酸素および水蒸気の合計量が14モル以上の範囲にある混合ガスを熱分解して、ガラス板上またはガラスリボン上に、酸化錫を主成分とする膜厚400nm以上の導電膜を成膜する。 - 特許庁

A thin film 1 containing vanadium dioxide and consisting mainly of vanadium oxide is formed, directly or through a tin oxide film 2, on a glass plate 7 by a thermal decomposition process (for example, CVD method) and a nitride film 4 is formed as a reflection preventing film, on the thin film 1 by the thermal decomposition process.例文帳に追加

ガラス板7上に直接または酸化錫膜2を介して、二酸化バナジウムを含み、酸化バナジウムを主成分とする薄膜1を熱分解法(例えばCVD法)により形成し、この薄膜1の上に、反射防止膜として、窒化膜4を熱分解法により形成する。 - 特許庁

例文

A solution comprises an aluminum compound having at least one alkoxy ligand and at least one organic chelating ligand, a tin halide and and/or an organotin compound in a method for spraying the solution containing the aluminum compound and the tin compound on a heated glass plate, thermally decomposing the compounds and forming a film of an aluminum oxide and a tin oxide.例文帳に追加

加熱したガラス板上にアルミニウム化合物およびスズ化合物を含む溶液をスプレー、熱分解させ、アルミニウム酸化物およびスズ酸化物の被膜を形成する方法において、前記溶液が、少なくとも1つのアルコキシ配位子と少なくとも1つの有機キレート配位子を有するアルミニウム化合物、ハロゲン化スズおよび/または有機スズ化合物を含む酸化物被膜の形成方法。 - 特許庁

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