「VG at」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The IGBTs 27, 28 are driven at a common gate voltage Vg by a driving circuit 47.例文帳に追加

ＩＧＢＴ２７と２８は駆動回路４７により共通のゲート電圧Ｖｇで駆動される。 - 特許庁

A VG generating circuit 10 outputs a voltage VG which gradually increases similar to an exponential function, when rising and becomes stable at a gate drive voltage of transistors Q10 and Q11.例文帳に追加

ＶＧ生成回路１０は、立ち上がり時に電圧が指数関数的に漸増し、トランジスタＱ１０及びＱ１１のゲート駆動電圧で安定する電圧ＶＧを出力する。 - 特許庁

The Vg line is a metal wiring formed on a substrate which is provided at the lowest part.例文帳に追加

Ｖｇ ｌｉｎｅは基板上に形成される金属配線の最も下部に配置される配線である。 - 特許庁

In this case, a voltage Vstb at the substrate voltage terminal 24 is set smaller than a gate voltage Vg in an OFF state.例文帳に追加

その際に、基板電圧端子２４の電圧Ｖstbをオフ時のゲート電圧Ｖgよりも小さく設定する。 - 特許庁

If VA>VG, the forward-direction current (VA-VF-VG)/R1 flows in the diode D2 so that the output voltage of the voltage amplifier 5 which is a guard buffer is kept at VS=VO.例文帳に追加

また、ＶＡ＞ＶＧの時は、ダイオードＤ２には（ＶＡ−ＶＦ−ＶＧ）／Ｒ１の順方向電流が流れ、ガードバッファである電圧増幅器５の出力電圧はＶＳ＝ＶＯに維持される。 - 特許庁

In the concrete, mineral oil having kinematic viscosity at 40°C equivalent to VG220 in ISO viscosity grade, mineral oil equivalent to VG 32-68, and mineral oil equivalent to VG 10 are contained.例文帳に追加

具体的には、４０℃での動粘度がＩＳＯ粘度グレードでＶＧ２２０相当である鉱油と、同じくＶＧ３２〜６８相当である鉱油と、同じくＶＧ１０相当である鉱油とを含む。 - 特許庁

A waveform forming circuit 24 generates a horizontal blanking pulse Vbk3 starting at the start point of the pulse Vg and finishing at the finish point of the pulse Vdr or a retrace pulse Vp.例文帳に追加

波形成形回路２４は、制御パルスＶgの始点でスタートし、パルスＶdrあるいは帰線パルスＶｐの終点で終了する水平ブランキングパルスVbk3を生成する。 - 特許庁

To prevent crosstalk generated by disconnection at intermediate parts of Vg lines for driving TFTs arranged in a photoelectric transducer panel.例文帳に追加

光電変換素子パネルに配置されたＴＦＴを駆動させるＶg線が途中で断線することで生ずるクロストークを防止する。 - 特許庁

At least one of voltages Va-Vf is defined as an input voltage Vin in sampling time, and at least one of Vg-Vj is defined as an input voltage Vin+ΔV at a holding time.例文帳に追加

サンプリング動作時に電圧Ｖａ〜Ｖｆのうち少なくとも１つを入力電圧Ｖinとし、ホールド動作時にＶｇ〜Ｖｊのうち少なくとも１つを入力電圧Ｖin＋ΔＶとする。 - 特許庁

At image formation where a development unit 24 operates, the value of the grid bias voltage -Vg of the charging unit 24 is set to the detected target value -Vgt.例文帳に追加

現像ユニット２４が動作する画像形成時、帯電ユニット２４のグリッドバイアス電圧−Ｖｇの値が、上記検出された目標値−Ｖｇｔに設定される。 - 特許庁

On the other hand, the gate terminal voltage Vg is dropped instantaneously from Vg1 to Vg2 at an arbitrary timing in order to supply power to a control circuit 6.例文帳に追加

また、制御回路６に電力が供給されるように、任意のタイミングでゲート端子電圧Ｖｇを電圧Ｖｇ１からＶｇ２に瞬間的に低下させる。 - 特許庁

If a disconnection occurs at the gate line Vg4, by having the cross part G irradiated with laser, to electrically connect the gate line Vg4 with the Vg redundant wiring Y.例文帳に追加

ゲート線Ｖｇ４に断線が生じた場合、クロス部Ｇをレーザー照射することによりゲート線Ｖｇ４とＶｇ冗長配線Ｙが電気的に接続される。 - 特許庁

The correction drive applies an active state selection voltage (-Vg) to a selected wire, to which the active state selection voltage (-Vg) is applied at the display drive time, during a correction drive period, and applies a correction drive voltage (-V) that has a negative polarity, to all the signal wires.例文帳に追加

補正駆動は、補正駆動期間中、表示駆動時にアクティブ状態選択電圧（−Ｖｇ）が印加された選択線に、アクティブ状態選択電圧（−Ｖｇ）印加するとともに、全ての信号線に負極性の補正駆動電圧（−Ｖ）を印加する。 - 特許庁

At the time of performing image transformation including the affine transformation of the respective pixel positions of a source image, in a virtual transformed image VG which is a virtual image after the affine transformation, a shift vector SV is generated for a pixel AP under consideration in the virtual transformed image VG and a shift position SL is obtained first.例文帳に追加

原画像の各画素位置のアフィン変換を含む画像変換を行う際に、アフィン変換後の仮想的な画像である仮想変換後画像ＶＧにおいて、まず、その仮想変換後画像ＶＧ中の注目画素ＡＰに対してシフトベクトルＳＶを発生させてシフト位置ＳＬを求める。 - 特許庁

A computing circuit 30 applies reverse logarithmic conversion processing for the differential output Vd for elongation and performs elongation processing at an elongation rate based on a suppression level Vg.例文帳に追加

演算回路３０は、この差動出力Ｖｄに対して逆対数変換処理を施して伸長し、さらに、抑圧レベルＶｇに基づく伸長率で伸長処理を行う。 - 特許庁

Accordingly, a potential difference between the non-image part and the bristle edge part of the developer has the same sign as that of the surface potential Vg, and the toner adhering to the bristle edge part will not be developed at the non-image part.例文帳に追加

これにより、非画像部と現像剤穂先部との電位差が地肌ポテンシャルＶｇと同じ符号となり、穂先部に付着したトナーが非画像部に現像されない。 - 特許庁

A selection transistor TSL sets the potential VG of the gate of the drive transistor TDR, according to the potential VDATA of a signal line 16 by conducting at the selection of a selection line 12 by a selection circuit 22.例文帳に追加

選択トランジスタＴSLは、選択回路２２による選択線１２の選択時に導通することで駆動トランジスタＴDRのゲートの電位ＶGを信号線１６の電位ＶDATAに応じて設定する。 - 特許庁

At this time, the aging condition can be found easily, without changing the wave form of the input signal since the scanning current is continuously changed by changing the value of the gate voltage Vg.例文帳に追加

このとき、ゲート電圧Ｖｇの値を変化させると走査電流が連続的に変化するので、入力信号の波形を変えずにエージング条件を簡単に求めることができる。 - 特許庁

The gate bias circuit 8 has change detection means for detecting a change in gate current Ig or gate voltage Vg of the receiving transistor 2 at excessive input to generate a change signal.例文帳に追加

ゲートバイアス回路８は、過入力時における受信用トランジスタ２のゲート電流Ｉｇまたはゲート電圧Ｖｇの変化を検知して変化信号を生成する変化検知手段を有する。 - 特許庁

The gate voltage Vg and input voltage Vin are set in a range to cause the first MOS transistor to operate with the gate-source voltage and the source-drain voltage in the first MOS transistor in the unsaturated zone, and are set so that the temperature characteristics at the resistance value of the first MOS transistor may become constant.例文帳に追加

ゲート電圧Vg及び入力電圧Vinは、第１ＭＯＳトランジスタのゲート−ソース間電圧及びソース−ドレイン間電圧が、第１ＭＯＳトランジスタを非飽和領域で動作させる範囲で印加されるとともに、第１ＭＯＳトランジスタの抵抗値における温度特性の温度特性が一定になる条件を満たす関係に設定される。 - 特許庁

Then when the scanning potential is set at a low potential and the sampling transistor 31 turns off, variation in gate potential Vg of a driving transistor 32 becomes dull because of electric charges accumulated in the auxiliary capacitor 221.例文帳に追加

その後、走査線の電位が低電位に設定され、サンプリング用トランジスタ３１がオフしたとき、補助容量２２１に蓄えられた電荷により、駆動用トランジスタ３２のゲート電位Ｖｇの変化が鈍る。 - 特許庁

The scanning signal line driving circuit generates and outputs the waveform of VG(j) to set the amount of slope Vslope at a falling slope by using the slope period Tslope to each scanning signal line.例文帳に追加

走査信号線駆動回路は、各走査信号線に、上記傾斜期間Ｔｓｌｏｐｅを用いて傾斜量Ｖｓｌｏｐｅを立ち下がり傾斜とするＶＧ（ｊ）の波形を生成して出力する。 - 特許庁

During a setting period Pst, a transistor Tr1 is changed to an ON state, then, the gate potential Vg of the drive transistor Tdr is set at a control potential corresponding to the potential Vdata and the threshold voltage Vth.例文帳に追加

設定期間Ｐstにおいては、トランジスタＴr1がオン状態に変化することによって駆動トランジスタＴdrのゲート電位Ｖgが電位Ｖdataと閾値電圧Ｖthとに応じた制御電位に設定される。 - 特許庁

The on-the-water landing position coordinates (P0)s and landing time t0 of a dropping object are calculated based on its speed over a ground <VG>, a speed over the air <VA>, an altitude (h) and a wind speed (VW), at the time of dropping the object.例文帳に追加

投下物を投下した際の対地速度＜ＶＧ＞、対気速度＜ＶＡ＞、高度ｈおよび風速＜ＶＷ＞をもとに投下物の着水位置座標＜Ｐ0＞および着水時刻ｔ0を算出する。 - 特許庁

A refreshing section 262 reduces the potential VWL of each word line WLBj to Vc with a fixed period Ts, at the same time, reduces a gate potential Vg of a PMOS transistor 252 in the monitor cell 250 with the prescribed depth (amplitude).例文帳に追加

リフレッシュ部２６２は、各ワード線ＷＬＢjの電位Ｖ_WLを一定周期ＴsでＶcまで立ち下げ、これと同時にモニタセル２５０におけるＰＭＯＳトランジスタ２５２のゲート電位Ｖgを所定の深さ（振幅）で立ち下げる。 - 特許庁

For comparison, the phosphorus ions are implanted on the polysilicon thin film at the high concentration, next, they are implanted on the polysilicon thin film at the low concentration, and then the inventive product having Vg-Id characteristics shown in a dotted line can be obtained by activating them by furnace annealing treatment.例文帳に追加

比較のために、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行なったところ、点線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する比較品が得られた。 - 特許庁

Characteristic curves of a source-drain current (IDS) of a transistor(TR) with an optional channel length and an optional channel width are obtained with respect to a gate-source voltage (VGS) at various temperatures and a gate-source voltage (VG) at a singular point at which pluralities of the characteristic curves cross with each other at the various temperatures is applied to a gate terminal.例文帳に追加

任意のチャネル長及びチャネル幅を有するトランジスタに対し、各種温度におけるゲート・ソース間電圧（ＶＧＳ）に対するソース・ドレイン間電流（ＩＤＳ）の特性曲線を求め、各種温度における前記複数の特性曲線が交わる特異点でのゲート・ソース間電圧（ＶＧ）をゲート端子に印加するように設定する。 - 特許庁

A reference power supply of an analog signal having positive and negative polarities divides a single supply voltage Vdd at a partial pressure circuit of resistances R1, R2, and generates a virtual ground (VG) voltage by making the partial pressure voltage pass in a voltage follower circuit VF.例文帳に追加

正負極性をもつアナログ信号の基準電源は、単一電源電圧Ｖｄｄを抵抗Ｒ１，Ｒ２の分圧回路で分圧し、この分圧電圧をボルテージフォロア回路ＶＦを通して仮想的なグランド（ＶＧ）電圧を発生する。 - 特許庁

Then, the target value -Vgt of a grid bias voltage -Vg of a charging unit 24, which is necessary for maintaining a charged electric potential -Vod of the developing position on the photoreceptor drum 20 at a set value -Vods, is detected from the detected dark attenuation characteristics.例文帳に追加

そして、感光体ドラム２０における現像位置の帯電電位−Ｖｏｄを、設定値−Ｖｏｄｓに維持するのに必要な、帯電ユニット２４のグリッドバイアス電圧−Ｖｇの目標値−Ｖｇｔが、上記検出された暗減衰特性から検出される。 - 特許庁

The pixel circuit P includes the electro-optical element E having a grayscale, corresponding to a drive current IDR flowing through a path r1, a drive transistor TDR disposed in the path r1 and controlling the drive current IDR according to the potential VG at the gate, and a capacitive element CA having electrodes a1 and a2.例文帳に追加

画素回路Ｐは、経路ｒ1に流れる駆動電流ＩDRに応じた階調となる電気光学素子Ｅと、経路ｒ1上に配置されてゲートの電位ＶGに応じて駆動電流ＩDRを制御する駆動トランジスタＴDRと、電極ａ1およびａ2を有する容量素子ＣAとを具備する。 - 特許庁

Thereafter, the sensor amplification signal Vg grows and exceeds the threshold level Vth and a BD signal is output (becomes Low level) when the BD sensor is irradiated, at t12, with the other laser beam and the BD sensor is consequently irradiated with two laser beams simultaneously.例文帳に追加

その後、ｔ１２になって他方のレーザビームもＢＤセンサを照射することにより、二つのレーザビームが同時にＢＤセンサを照射するようになると、センサ増幅信号Ｖｇが更に上昇してスレッショルドレベルＶｔｈを越え、ＢＤ信号が出力される（Low レベルになる）。 - 特許庁

When driving is completed for a frame, and before the driving is shifted to the next frame, scanning potential Vg and signal potential Vsig are respectively held at certain fixed potential and also a driving pause period for halting the driving circuit is arranged, to reduce the power consumption of the liquid crystal display elements when displaying the still picture.例文帳に追加

フレームが終了し、次のフレームに移る前に走査電位Ｖgおよび信号電位Ｖsigをそれぞれある固定電位に保つとともに駆動回路を休止させる駆動休止期間を設け、静止画像を表示する場合の液晶表示素子の消費電力を低減する。 - 特許庁

In a third resetting step t3 to t4, the voltage to be applied to the first display electrode line is maintained at the first voltage VBX and the voltage to be applied to the second display electrode line is gradually lowered to a fourth voltage VG which is lower than the third voltage VBF.例文帳に追加

第３リセット段階ｔ３〜ｔ４では、第１ディスプレー電極ラインに印加される電圧が第１電圧Ｖ_ＢＸに維持された状態で、第２ディスプレー電極ラインに印加される電圧が第３電圧Ｖ_ＢＦより低い第４電圧Ｖ_Ｇまで持続的に下降する。 - 特許庁

At this point, a pixel pitch is denoted as P, a total of overlapped capacity of the Sig line and the Vg line per one pixel as Ca, the overlapped area of the Sig line and the optoelectric converter per one pixel as S, the film width of the interlayer dielectric as d, a specific permittivity as ε, and a vacuum permittivity as ε_0.例文帳に追加

その際、画素ピッチをＰ、１画素におけるＳｉｇ線とＶｇ線の重なり容量の総和をＣａ、１画素におけるＳｉｇ線と光電変換素子の重なり面積をＳ、層間絶縁層の膜厚をｄ、比誘電率をε、真空誘電率をε０とする。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin film transistor implants phosphorus ions on a polysilicon thin film at high concentration when manufacturing the NMOS polysilicon thin film transistor, next, activates them by furnace annealing treatment, then, implants the phosphorus ions on the polysilicon thin film at low concentration, and then obtains an inventive product having Vg-Id characteristics shown in a full line by activating them by heat treatment in a high pressure water vapor atmosphere.例文帳に追加

ＮＭＯＳポリシリコン薄膜トランジスタの製造に際し、ポリシリコン薄膜にリンイオンを高濃度で注入し、次いで炉アニール処理による活性化を行ない、次いでポリシリコン薄膜にリンイオンを低濃度で注入し、次いで高圧水蒸気雰囲気中での熱処理による活性化を行なったところ、実線で示すＶｇ−Ｉｄ特性を有する本発明品が得られた。 - 特許庁

This MOS transistor model is a BISM3 model, wherein a resistor 10 having an invariant resistance value is connected to an MOS transistor model MT at the drain side thereof, to whose resistor 10 a variable resistor 20 having a resistance value which changes depending on the gate potential VG and the drain potential VD is further connected in series.例文帳に追加

このＭＯＳトランジスタモデルは、ドレイン側に、不変抵抗値を有する抵抗１０がＭＯＳトランジスタモデルＭＴに接続されたＢＩＳＭ３モデルに、さらにゲート電位ＶＧ及びドレイン電位ＶＤに依存して抵抗値が変化する可変抵抗２０を抵抗１０に直列に接続したものである。 - 特許庁

When the selection period ends and returns to the non-selection period, the circuit part 22 changes over at least one electrode K of the two to a prescribed potential higher than the anode potential to raise the surface potential VG of the substrate 4 up to the level between the anode potential and the prescribed potential, and accelerates the rise of the discharge in the next selection period.例文帳に追加

回路部２２は選択期間が終って非選択期間に戻る時二本のうち少くとも一本の電極Ｋをアノード電位より高い所定電位に切り換えて基材４の表面電位ＶＧをアノード電位と所定電位の間まで高め、次の選択期間における放電の立上りを加速する。 - 特許庁

A phase control circuit formed of a rectifier circuit 21, a comparator 22 and a timing circuit 23 controls the phase of a gate pulse (controlling pulse) Vg controlling on/off operation of an auxiliary horizontal output FET (second switching element) 18 to adjust the off-timing of FET 18 to control the peak value of the pulse Vdr generated at FET 18 to be constant.例文帳に追加

整流回路２１,比較器２２,タイミング回路２３より構成される位相制御回路は、補助水平出力ＦＥＴ(第２のスイッチング素子)１８のオンオフ動作を制御するゲートパルス(制御パルス)Ｖgの位相を制御し、ＦＥＴ１８のオフタイミングを調整することにより、ＦＥＴ１８に発生するパルスＶdrの波高値が一定になる様に制御する。 - 特許庁

The driving voltage generation circuit 94 has a power TFT (thin film transistor) (M2) as a source common amplifier and a power TFT (M3) connected between the power TFT (M2) and a power source (60V) and applies resistance control voltage Vg to gates of power TFTs (M3) of each pixel at selected states via a resistance control line 102.例文帳に追加

駆動電圧発生回路９４は、ソース共通形増幅器としてのパワーＴＦＴ（Ｍ２）と、該パワーＴＦＴ（Ｍ２）と電源（６０Ｖ）との間に接続されたパワーＴＦＴ（Ｍ３）とを有し、選択状態にある各画素のパワーＴＦＴ（Ｍ３）のゲートに対し、抵抗制御線１０２を介して抵抗制御電圧Ｖｇを印加する。 - 特許庁

The single operation detector 10 comprises a variation voltage generating section 11 delivering the variation value ΔVAVR of AVR(automatic voltage regulator) set voltage to an AVR 8, and a section 12 for deciding single operation based on the voltage Vg and current Ig at a power receiving point detected through a PT and a CT.例文帳に追加

一般高圧配電線と連系運転する同期発電機の自動電圧調整器（ＡＶＲ）にＡＶＲ電圧設定値変動量を加え、受電点の電圧Ｖｇ，電流Ｉｇを検出し、Ｖｇの平均価と現在値との差から電圧変動量ΔＶｇを算出すると共に、Ｖｇ，Ｉｇから受電点に流れる無効電力Ｑｇを求め、Ｑｇの平均値と現在価との差から無効電力変動量ΔＱｇを算出する。 - 特許庁