「Varicap」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The frequency varying circuit 4 has the varicap diode 40 and can vary the resonance frequency of the radiation electrode 2 by varying a control voltage V applied to the varicap diode 40.例文帳に追加

周波数可変回路４は、バリキャップダイオード４０を有し、バリキャップダイオード４０に印加する制御電圧Ｖを変えることで、放射電極２の共振周波数を変化させることができる。 - 特許庁

To provide a varicap diode in which the variable width of a capacitance is expanded by shifting a flat-band voltage Vfb to the positive side.例文帳に追加

フラットバンド電圧Ｖｆｂをプラス側にシフトさせて、容量の可変幅を広げること。 - 特許庁

The varicap diodes 21 and 22 are connected between an open-end side of the antenna element 10 and a ground plate.例文帳に追加

バリキャップダイオード２１，２２は、アンテナ素子１０の開放端側とグラウンド板との間に接続される。 - 特許庁

More specifically, control is performed for changing these resonance frequencies, by changing application voltages of a varicap diode 112 of the power-transmission side resonance circuit 101 and a varicap diode 132 of the power-receiving side resonance circuit 121.例文帳に追加

具体的には、送電側共振回路１０１のバリキャップ１１２や、受電側共振回路１２１のバリキャップ１３２の印加電圧を変化させることで、それらの共振周波数を変化させる制御が行われる。 - 特許庁

The capacitance part includes a varicap diode C12 that is a variable capacitance element for varying a capacitance, and switches the two crystal oscillators X1 and X2 to be oscillated for control, based on a capacitance of the varicap diode C12.例文帳に追加

容量部には、容量を可変させる可変容量素子であるバリキャップダイオードＣ１２が含まれ、バリキャップダイオードＣ１２の容量に基づいて、発振させる水晶振動子Ｘ１，Ｘ２を切替制御する。 - 特許庁

The antenna device is provided with an antenna element 10 and varicap diodes 21 and 22 connected to the antenna element 10 for controlling the resonance frequency of the antenna, by changing the direct-current voltage to be given to the varicap diodes 21 and 22.例文帳に追加

アンテナ素子１０とアンテナ素子１０に接続されたバリキャップダイオード２１，２２とを備えており、バリキャップダイオード２１，２２に与える直流電圧を変化させることによってアンテナの共振周波数が制御される。 - 特許庁

In addition to the mechanical operation switch, various relays, a varicap diode, etc., are usable as the contactless communication inhibiting means.例文帳に追加

非接触通信禁止手段には、機械的操作スイッチのほか、各種リレーやバリキャップダイオード等を使用できる。 - 特許庁

To prevent deterioration of receiving characteristics due to a change of an ambient temperature in a receiving device using varicap diodes.例文帳に追加

バリキャップダイオードを用いた受信装置において、周辺温度の変化による受信特性の劣化を防止する。 - 特許庁

A varistor VR and varicap VC are provided at a negative resistance generation circuit which is to be connected to a spiral inductor L.例文帳に追加

スパイラルインダクタＬに接続される負性抵抗発生回路に、バリスタＶＲ及びバリキャップＶＣを設ける。 - 特許庁

To provide an antenna tuner using a varicap diode which has small power consumption and can be controlled fast.例文帳に追加

消費電力量が少なく、また、高速制御が可能なバリキャップダイオードを用いたアンテナチューナを提供すること。 - 特許庁

A system controller 11 applies a control voltage within a narrower range in a predetermined voltage range to the varicap of one BPF 41, but applies a control voltage within the predetermined voltage range to the varicap of other BPFs 21, 22 and 42.例文帳に追加

システムコントローラ１１は、一のＢＰＦ４１のバリキャップに、所定の電圧範囲内のより狭い範囲内で制御電圧を印加し、他のＢＰＦ２１，２２，４２のバリキャップには、所定の電圧範囲内で制御電圧を印加する。 - 特許庁

To provide a technique with which a leak current of a varicap diode can be reduced without increasing the number of production steps.例文帳に追加

製造工程数を増やすことなく、バリキャップダイオードのリーク電流を低減することのできる技術を提供する。 - 特許庁

The capacitor element consists of a variable capacitor configured with a varicap diode (VDi) 42 and a bias resistor 43 for the varicap diode (VDi), so that a frequency used as a reference in the local oscillation component can be variable for a channel having interference symptom.例文帳に追加

容量は、妨害症状を有するチャネルに対して局部発振成分における基準となる周波数を可変すべく、バリキャップダイオード（ＶＤｉ）４２・バリキャップダイオード（ＶＤｉ）用バイアス抵抗４３にて構成される可変容量からなっている。 - 特許庁

To provide a receiver capable of easily performing adjustment with a proper image disturbance ratio, although a varicap is utilized for a high frequency tuning circuit.例文帳に追加

バリキャップを高周波同調回路に利用しつつも調整が容易で、イメージ妨害比が良好な受信機を提供する。 - 特許庁

For example, an OSC 106 is oscillated as an oscillation frequency according to adjustment of a capacitor bank 107 and a varicap VR1.例文帳に追加

たとえば、キャパシタバンク１０７およびバリキャップＶＲ１の調整に応じた発振周波数により、ＯＳＣ１０６が発振する。 - 特許庁

During a tuning operation, an OSC 106 is oscillated at an oscillation frequency corresponding to the adjustment of a capacitor bank 107 and a varicap VR1.例文帳に追加

選局動作時、キャパシタバンク１０７およびバリキャップＶＲ１の調整に応じた発振周波数により、ＯＳＣ１０６が発振する。 - 特許庁

The oscillator is provided with a frequency selecting circuit 10, having an inductance L and a varicap diode C3 connected in series, in a feedback loop capable of selecting the frequency of an oscillation circuit, and the negative resistance is adjusted by electrically controlling the capacity of the varicap diode C3.例文帳に追加

発振回路の周波数を選択可能な帰還ループに、インダクタンスＬとバリキャップダイオードＣ３とを直列に接続した周波数選択回路１０を設け、バリキャップダイオードＣ３の容量を電気的に制御することにより、負性抵抗を調整する発振器である。 - 特許庁

To reduce a chip area and make terminals of a used package small, by making a varicap pair to be one and reducing the number of corresponding IC terminals.例文帳に追加

バリキャップ対を１つにするとともに、対応するＩＣ端子を減らし、チップ面積の削減および使用パッケージの小端子化を達成する。 - 特許庁

That is, the voltage applied to the varicap is successively changed and the capacity is consequently changed so that the resonance frequencies of all the antenna are changed.例文帳に追加

つまり、バリキャップへの印加電圧を順次変化させてその容量を変化させることで、全アンテナの共振周波数を変化させる。 - 特許庁

A method for manufacturing the varicap includes a step of forming a cathode formation mask material 5 on a p^--type semiconductor substrate 1 having a substrate protective film 2, a cathode forming groove 3, and an anode forming groove 4.例文帳に追加

基板保護膜２，カソード形成溝３，アノード形成溝４を有するｐ^-半導体基板１上にカソード形成マスク材料５を形成する。 - 特許庁

To provide a low-cost variable capacitor component having a coupling capacitor and variable capacitor with a less layer structure without using a varicap diode.例文帳に追加

バリキャップダイオードを用いず、少ない層構造でカップリングコンデンサと可変容量コンデンサとを有する低コストの可変容量コンデンサ部品を提供する。 - 特許庁

To provide a frequency variable antenna which is less influenced in its frequency switching by capacitance value variations of an element used for the frequency switching and is reduced in inductor loss due to the element, in comparison with a case that, for example, a varicap diode is used as the element for frequency switching.例文帳に追加

バリキャップダイオードのような容量値のばらつきの影響が少なく、かつ、インダクタによる損失も低減できる周波数可変アンテナを実現する。 - 特許庁

As a result, the control voltage causes a change of reactance characteristics of the active electric circuit as well as a change of the reactance characteristics by a varicap diode D1 of a resonance circuit.例文帳に追加

その結果、制御電圧により、共振回路のバリキャップダイオードＤ１によるリアクタンス特性の変化だけでなく、能動回路のリアクタンス特性を変化させられる。 - 特許庁

The capacity value of the varicap 12 is changed by controlling the value of voltage +V to be applied to each patch 11, thereby changing the resonance frequency of the EBG 1.例文帳に追加

各パッチ１１に印加する電圧＋Ｖの値を制御することでバリキャップ１２の容量値を変更することにより、ＥＧＢ１の共振周波数を変更する。 - 特許庁

Then, voltage to be induced to the resonance monitor antenna 11 is measured, and the impressed voltage applied to the varicap is adjusted so that, for example, the induced voltage value can be made the maximum.例文帳に追加

そして、共振モニターアンテナ１１に誘起される電圧を計測して、例えばこの誘起電圧値が最大になるようにバリキャップへの印加電圧を調整する。 - 特許庁

In this case, the crystal vibrator 2 is supported on a top surface of a transistor 5a and varicap diode 5b as the highest circuit components mounted on the circuit board 1 by using them as a support.例文帳に追加

その際、水晶振動子２は回路基板１に搭載された最も背の高い回路部品であるトランジスタ５ａとバリキャップダイオード５ｂを支持台として、その天面で支えられる。 - 特許庁

The SCd is added to reference frequency data F0, and D/A converted by a D/A converter DAC, and supplied through a low pass filter LPF to a varicap D so that local clock frequencies can be controlled.例文帳に追加

基準周波数データＦ０にＳＣｄを加算して、Ｄ／Ａ変換器ＤＡＣによりＤ／Ａ変換し、ローパスフィルタＬＰＦを介してバリキャップＤに供給し、ローカルクロック周波数を制御する。 - 特許庁

In the patches 11, in an illustrated example, 25 patches P1-1, P1-2, ..., P5-4 and P5-5 are provided in 5 rows ×5 columns, and a varicap 12 being a variable capacity diode is connected between respective patches.例文帳に追加

パッチ１１は，図示する例では５行×５列の２５個のパッチＰ１−１，Ｐ１−２，・・・，Ｐ５−４，Ｐ５−５が設けられており、各パッチ間には可変容量ダイオードであるバリキャップ１２が接続されている。 - 特許庁

When it is determined that the oscillation frequency of the OSC 106 is within a specified frequency range, a VR2 control circuit 117 finely adjusts a varicap VR2 so as to maintain the oscillation frequency.例文帳に追加

ＯＳＣ１０６の発振周波数が規定の周波数範囲内にあると判定されると、その発振周波数を維持すべく、ＶＲ２制御回路１１７がバリキャップＶＲ２を微調整する。 - 特許庁

Furthermore, the varicap diodes D11, D12 are connected between the other ends of the 1st and 2nd lines 11, 12 forming the comb-line 13 and ground while the cathodes are connected to the other ends of the 1st and 2nd lines 11, 12.例文帳に追加

また、コムライン１３をなす第１及び第２の線路１１，１２の他端とグランドとの間に、カソードが第１及び第２の線路１１，１２の他端側になるようにバリキャップダイオードＤ１１，Ｄ１２が接続される。 - 特許庁

Namely, the circuit for expanding the variation range of the cathode-side potential of the varicap diode 111 from the output voltage range of a PCO is provided in the charge pump 13 and the voltage variation range of the charge pump 13 is made very large to secure the locking of the PLL 10 without doing adjusting operation unlike before even if reverse voltage-electrostatic capacity characteristics of the varicap diode 111 are fluctuated by the components.例文帳に追加

つまり、バリキャップダイオード１１１のカソード側電位の可変範囲をＰＣＯの出力電圧範囲から拡張するための回路をチャージポンプ１３内に設け、チャージポンプ１３の電圧可変範囲を飛躍的に大きくすることにより、バリキャップダイオード１１１の逆電圧−静電容量特性が部品ごとにばらついても、従来のような調整作業を行う必要なしに、ＰＬＬ１０がロック可能となることを保証する。 - 特許庁

In the varicap diode e.g. a P-type gate electrode 3 is formed on a P-type semiconductor substrate 1 via a gate oxide film 2, so that the flat-band voltage Vfb is shifted to the positive side, and the variable width of the capacitance is expanded.例文帳に追加

本発明のバリキャップダイオードは、例えばＰ型の半導体基板１上にゲート酸化膜２を介してＰ型のゲート電極３を形成することで、フラットバンド電圧Ｖｆｂがプラス側にシフトするため、容量の可変幅が広がる。 - 特許庁

The varicap VC causes the synthetic capacitance of the source side of the transistor Tr1 to vary by having an field effect transistor Tr3 function as a diode to cause a voltage V2 to vary be applied to its drain and source.例文帳に追加

バリキャップＶＣは、電界効果トランジスタＴｒ３をダイオードとして動作させ、そのドレイン及びソースに印加する電圧Ｖ２を変化させることによって、電界効果トランジスタＴｒ１のソース側の合成キャパシタンスを変化させる。 - 特許庁

When it is determined by a determination circuit 116, on the basis of the comparison result, that the oscillation frequency of the OSC 106 is not within a prescribed frequency range, a VR2 control circuit 117 finely adjusts a varicap VR2, in order to correct the deviation.例文帳に追加

この結果から、判定回路１１６により、ＯＳＣ１０６の発振周波数が規定の周波数範囲内にないと判定されると、そのずれを修正すべく、ＶＲ２制御回路１１７がバリキャップＶＲ２を微調整する。 - 特許庁

Consequently, a decrement (or an increment) of the resonance frequency accompanying a rise (or a fall) in temperature of the varicap diode 40 can be compensated with an increase (or a decrease) of the resonance frequency accompanying a temperature rise (or a fall) in dielectric constant of the base body 3.例文帳に追加

これにより、バリキャップダイオード４０の温度上昇（又は下降）に伴う共振周波数の減少（又は増加）分を、基体３の誘電率の温度上昇（又は下降）に伴う共振周波数の増加（又は減少）分で補償する。 - 特許庁

To manufacture a varicap which reduces a parasitic resistance between a cathode and an anode, suppresses the increase of the two-dimensional area of a device to the minimum limit, also suppresses an additional process in an LSI process to the minimum limit, and has a high accuracy and little variation.例文帳に追加

カソード−アノード間の寄生抵抗を低減し、デバイスの２次元的な面積の増大を最小限に抑え、ＬＳＩ工程における追加工程を最小限に抑えることができ、ばらつきの少ない高精度なバリキャップを製造する。 - 特許庁

To provide a variable frequency type antenna providing temperature compensation without narrowing a variable range of a resonance frequency by using a base body formed of a material having temperature characteristics reverse to temperature characteristics of a varicap diode etc., and also to provide a wireless communication device.例文帳に追加

バリキャップダイオードの温度特性と逆の温度特性を持つ材料で形成した基体など用いることにより、共振周波数の可変範囲を狭めることなく温度補償を行うことができる周波数可変型アンテナ及び無線通信機を提供する。 - 特許庁

By inputting a signal to be modulated to an LPF (low-pass filter) 6, an FM (frequency modulation) modulated wave can be generated from a terminal 10 so as to vary a voltage neighborhood, where input voltage of varicap pairs D1 and D2 becomes a center frequency fo from a terminal 8.例文帳に追加

被変調信号をＬＰＦ６に入力させることにより、端子８からバリキャップ対Ｄ１，Ｄ２の入力電圧を中心周波数ｆｏになる電圧近辺が変化するように、端子１０からＦＭ変調波を生成させることができる。 - 特許庁

A resonance frequency adjusting circuit 6 connected to the resonance antenna 5 is constituted of a variable capacity device (varicap or the like) whose capacity is changed due to applied voltage, and a control microcomputer 16 successively changes an output voltage value from a D/A converting part 14.例文帳に追加

共振アンテナ５に接続する共振周波数調整回路６は、印加電圧によって容量が変化する可変容量素子（バリキャップ等）等から成り、制御用マイコン１６は、Ｄ／Ａ変換部１４からの出力電圧値を順次変化させる。 - 特許庁

A double superheterodyne system broadcast receiver is added with a first oscillation circuit for oscillating with a first output frequency to be used by connecting an oscillator, having prescribed temperature characteristics to a varicap whose capacity is variable according to a frequency error signal from an OFDM decoder.例文帳に追加

ダブルスーパーヘテロダイン方式の放送受信機に、所定の温度特性を持つ振動子と、OFDMデコーダからの周波数誤差信号により容量が可変のバリキャップとを接続して用いた、第１出力周波数で発振する第１発振回路を付加する。 - 特許庁

The phase shifter 10 is provided with a comb-line 13 consisting of 1st and 2nd lines 11, 12 that are electromagnetically coupled with a mutual conductance M, varicap diodes D11, D12 being variable capacitance diodes connected to the 1st and 2nd lines 11, 12 and resistors R11, R12.例文帳に追加

移相器１０は、結合度Ｍで電磁結合した第１及び第２の線路１１，１２からなるコムライン１３と、第１及び第２の線路１１，１２に接続される可変容量ダイオードであるバリキャップダイオードＤ１１，Ｄ１２と、抵抗Ｒ１１，Ｒ１２とを備える。 - 特許庁

To provide a tuning circuit capable of coping with a plurality of receiving bands, reducing influences of variation of varicap diodes with respect to receiving frequencies, and improving a selection degree, a radio receiver having the tuning circuit, and an on-vehicle electronic device.例文帳に追加

複数の受信バンドに対応可能であり、且つ受信周波数に対するバリキャップダイオードのバラツキの影響を低減し、選択度を向上させることが可能な同調回路、この同調回路を有するラジオ受信装置及び車載用電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MOS type transistor structure and using the capacity between a gate electrode 23 and an impurity diffusion layer 24 as a varicap, a short channel effect can be utilized by constituting a gate width (GW) formed in a channel region beneath the gate electrode 23 in a multistage.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ＭＯＳ型トランジスタ構造で、ゲート電極２３と不純物拡散層２４間の容量をバリキャップとして用いるものにおいて、前記ゲート電極２３下のチャネル領域に形成されたゲート幅（ＧＷ）を多段階に構成することで、狭チャネル効果を利用することを特徴とするものである。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MOS type transistor structure and using the capacity between a gate electrode 13 and source-drain (diffusion layer 14) as a varicap, an impurity layer is formed in a channel region 15 beneath the gate electrode 13 to have a concentration gradient.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、ＭＯＳ型トランジスタ構造で、ゲート電極１３とソース・ドレイン（拡散層１４）間の容量をバリキャップとして用いるものにおいて、前記ゲート電極１３下のチャネル領域１５に形成された不純物層が濃度勾配を有するように形成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁

The PLL circuit that this liquid crystal display device is equipped with fixes the anode-side potential of a varicap diode 111 at the ground level and controls the cathode-side potential by a charge pump 13 which drives a transistor Q10 for charging and a transistor Q11 for discharging with the output PCO of a phase comparator 12.例文帳に追加

この発明の液晶表示装置が備えるＰＬＬ回路は、バリキャップダイオード１１１のアノード側の電位をグランドに固定し、カソード側の電位を、位相比較器１２の出力ＰＣＯで充電用のトランジスタＱ１０および放電用のトランジスタＱ１１を駆動するチャージポンプ１３により制御する。 - 特許庁